JP2007535152A - 発光半導体チップの製造方法および半導体チップ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 薄膜発光ダイオードチップ用の半導体層列、例えば窒化物‐化合物半導体材料ベースの半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法において、
(a)半導体層列を基板上に成長させるステップ、
(b)半導体層列内で駆動時に形成された放射の少なくとも一部を反射して半導体層列へ戻す鏡面層を半導体層列上に形成または被着するステップ、
(c)半導体層列の分離ゾーンを少なくとも部分的に破壊して基板の分離される半導体層列の分離面に分離ゾーンの成分である異方性残留物、例えば分離層の金属成分を残すことにより、半導体層列を基板からリフトオフプロセスによって分離するステップ、および、
(d)異方性残留物を少なくとも一時的にエッチングマスクとし、ガス状のエッチング剤を用いたドライエッチングプロセスまたはウェットケミカルエッチング剤を用いたエッチングプロセスにより半導体層列のうち残留物の残った分離面をエッチングするステップ
を有する
ことを特徴とする半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法。 - ステップ(d)において、分離ゾーンの残留物および半導体層列の分離面の双方を材料剥離エッチングする、請求項1記載の方法。
- ステップ(d)において、半導体層列の種々の結晶面を露出させる、請求項1または2記載の方法。
- ウェットケミカルエッチング剤がKOH、有利には希釈されたKOHを含むか、または、ガス状のエッチング剤が腐食性ガス、例えばHまたはClを含む、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- ステップ(d)の後、エッチングされた分離面をさらにウェットケミカルエッチング剤またはガス状のエッチング剤により処理し、主に結晶欠陥がエッチングされかつ半導体層列の分離面の種々の結晶面が選択的にエッチングされるようにする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- さらなるウェットケミカルエッチング剤がKOH、有利には濃縮されたKOHを含むか、またはガス状のエッチング剤が腐食性ガス、例えばHまたはClを含む、請求項5記載の方法。
- 薄膜発光ダイオードチップ用の半導体層列、例えば窒化物‐化合物半導体材料ベースの半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法において、
(a)半導体層列を基板上に成長させるステップ、
(b)半導体層列内で駆動時に形成された放射を反射して半導体層列内へ戻す鏡面層を半導体層列上に形成または被着するステップ、
(c)半導体層列の化合物半導体材料から成る分離ゾーンを少なくとも部分的に破壊して半導体層列を基板から分離するステップ、および、
(d)基板の分離される半導体層列の分離面をエッチング剤によりエッチングして主に結晶欠陥がエッチングされかつ分離面の種々の結晶面が選択的にエッチングされるようにするステップ
を有する
ことを特徴とする半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法。 - ステップ(d)において、エッチング剤はKOH、有利には濃縮されたKOHを含む、請求項7記載の方法。
- ステップ(d)において、エッチング剤は腐食性ガス、例えばHまたはClを含む、請求項7記載の方法。
- ステップ(c)において、分離ゾーンでガス状の窒素が生じるように半導体層列の窒化物‐化合物半導体材料を破壊する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
- リフトオフプロセスはレーザーリフトオフプロセスである、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体層列の分離面は、基板から見て分離面後方の半導体層列の部分よりも高い欠陥密度を有する、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体層列のうち分離ゾーンの位置する領域はバッファ層である、請求項12記載の方法。
- 半導体層列はInxAlyGa1-x-yN[0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1]である系から成る少なくとも1つの材料を有する、請求項1から13までのいずれか1項記載の方法。
- 分離ゾーンは主としてGaNを有し、半導体層列の分離面には金属のGaから成る異方性残留物が残る、請求項14記載の方法。
- 半導体層列が分離面にドーパント物質を有し、そのドーパント濃度は1×1018cm−3以上1×1020cm−3以下である、請求項1から15までのいずれか1項記載の方法。
- ドーパント物質はSiである、請求項16記載の方法。
- 分離ゾーンはAlGaNを含み、AlGaNがステップ(c)で破壊されてAlが半導体層列内へ焼結されるようにAl含量を選定する、請求項1から17までのいずれか1項記載の方法。
- Al含量は約1%〜約10%、例えば約1%〜約7%である、請求項18記載の方法。
- ステップ(c)においてAlを溶融させ、半導体層列内へ焼結させる、請求項18または19記載の方法。
- 分離ゾーンはGaN層を有し、基板から見て該GaN層にAlGaN層が接しており、ステップ(c)で全GaN層およびAlGaN層の一部を破壊する、請求項18から20までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体層列の分離面にアルミニウムn型コンタクトを形成する、請求項18から21までのいずれか1項記載の方法。
- サファイア基板を用いる、請求項1から22までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体層列のマイクロパターニングされた分離面上に、半導体層列の電気的接続のためのコンタクトパッド、例えばコンタクトメタライゼーション部を被着する、請求項1から23までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体層列の分離面のマイクロパターニングにより、半導体層列から駆動中に送出される電磁放射の波長領域に相応するスケールで粗面を形成する、請求項1から24までのいずれか1項記載の方法。
- 粗面構造は内部波長の1/2のオーダーである、請求項25記載の方法。
- 全体として六方晶GaNベース材料から成る半導体層列を基板上に成長させ、その際に000−1結晶面(六方晶窒化物格子のN面)を基板に向かって配向する、請求項1から26までのいずれか1項記載の方法。
- ステップ(c)において、波長領域350nm〜360nmまたはそれより短い波長のレーザー光源を用いる、請求項10記載の方法。
- ステップ(b)においてブラッグミラーを被着する、請求項1から28までのいずれか1項記載の方法。
- ステップ(b)において、透光層および半導体層列から見て該透光層の後方に配置される反射層を有する鏡面層を形成する、請求項1から29までのいずれか1項記載の方法。
- 鏡面層は半導体層列に向かう複数のウィンドウを備えた反射層を有し、該ウィンドウに反射層とは異なる電流輸送層を配置する、請求項1から30までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくともエピタキシャルに製造された半導体層列と該半導体層列を支持する支持体とを有しており、前記半導体層列はn型半導体層、p型半導体層、および、該2つの半導体層間に配置される電磁放射の形成領域を有し、ここで少なくとも1つの半導体層は窒化物‐化合物半導体材料を有する、
電磁放射を発光する発光半導体チップにおいて、
半導体層列の少なくとも1つの半導体層は請求項1から31までのいずれか1項記載の半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法によりマイクロパターニングされている
ことを特徴とする発光半導体チップ。 - 鏡面層がパターニングされている、請求項32記載の半導体チップ。
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