CN100423300C - 辐射发射的半导体芯片及其制造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 184
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 112
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Led Devices (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种方法，用于将薄膜发光二极管芯片的半导体层序列的辐射发射的面微结构化，其包括以下步骤：(a)在衬底上生长半导体层序列；(b)将反射器层(7)施加或者构造在半导体层序列上，反射器层将在半导体层序列工作时在半导体层序列中所产生的、并朝向反射器层的辐射的至少一部分反射回半导体层序列中；(c)借助剥离方法将半导体层序列与衬底分离，其中半导体层序列中的分离区至少部分地被分解，使得分离区的组成部分的各向异性的残留物(20)、特别是分离层的金属组成部分的残留物残留在与衬底分离的半导体层序列的分离面上；以及(d)刻蚀半导体层序列的带有残留物的分离面，其中各向异性的残留物被用作刻蚀掩模，或者临时用作刻蚀掩模。
Description
技术领域
本发明处于辐射发射的半导体芯片的微结构化的领域。本发明涉及产生辐射的半导体层序列的辐射发射面的粗化、特别是薄膜发光二极管芯片的辐射发射的半导体层序列的辐射输出耦合面的粗化。
背景技术
薄膜发光二极管芯片的特色尤其在于以下独特的特征：
在薄膜发光二极管芯片的产生辐射的外延层序列的朝向支承元件的第一主面上施加或者构造有反射的层，该反射的层将外延层序列中所产生的电磁辐射的至少一部分反射回该外延层序列中；
外延层序列具有20μm或者更小范围内的厚度，特别是具有10μm范围内的厚度；以及
在产生辐射的外延层序列的背离反射的层的第二主面上，该外延层序列具有充分混合结构(Durchmischungsstruktur)，在理想情况下该充分混合结构导致光在外延的外延层序列中近似各态历经地分布，即外延层序列具有尽可能各态历经的随机散射特性。
例如在I.Schnitzer等人所著的Appl.Phys.Lett.63(16)，1993年10月18日，2174-2176页中说明了薄膜发光二极管芯片的基本原理，在此将其公开内容通过引用纳入本文。
薄膜发光二极管芯片的发射区基本上限制在极薄的外延层序列的正面的、结构化的输出耦合面上，由此近似产生朗伯特(Lambert’schen)表面辐射器的特性。
发明内容
本发明的任务在于提供了一种用于制造微结构化的改进方法，以及提供了一种具有改进的光输出耦合的薄膜发光二极管芯片。
该任务通过具有权利要求1所述特征的方法以及通过具有权利要求7所述特征的方法来解决。根据该方法所制造的薄膜发光二极管芯片是权利要求32的主题。
在从属权利要求中说明了该方法或薄膜发光二极管芯片的一些有利的实施形式和优选的改进方案。
根据作为本发明的基础的技术规范的方法特别优选地适合于具有这样的外延层序列的薄膜发光二极管芯片，该外延层序列基于氮化物半导体材料，特别是基于由氮化物半导体材料系InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1)构成的半导体材料。
目前，特别是这些半导体层序列属于基于氮化物半导体材料的半导体层序列的族，在这些半导体层序列中，通常具有由不同单个层构成的层序列的、外延地制造的半导体层包含至少一个单个层，该单个层包括由氮化物半导体材料系InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1)构成的材料。
一种这样的半导体层序列例如可以具有传统的pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW-Struktur)或者多量子阱结构(MQW-Struktur)。这些结构是本领域技术人员所公知的，因而在此未更进一步地解释。在WO 01/39282A2中说明了一个基于GaN的多量子阱结构的例子，在此将其公开内容通过引用纳入本文。
一种根据本发明的、用于将用于薄膜发光二极管芯片的半导体层序列辐射发射的面微结构化的方法建立在这样的基本思想上，即在半导体层序列在生长条件方面最大程度优化过的生长衬底上外延生长之后，和在将反射器层构造或者施加到半导体层序列上之后，将该半导体层序列与生长衬底分离。在半导体层序列的至少部分被分解的分离区中这样地实现分离，使得在半导体层序列的与衬底分开的分离面上，残留有分离区的组成部分的各向异性的残留物，特别是分离层的金属组成部分的残留物。
接着，在使用残留物作为刻蚀掩膜的预刻蚀步骤中，借助干刻蚀方法、借助气态刻蚀剂或者借助湿化学刻蚀剂，将其上存在残留物的半导体层序列的分离面材料去除地刻蚀。优选的是，在此同时将残留物至少大部分地清除，即各向异性残留物仅仅临时作为刻蚀掩膜。
在分离步骤之后，残留物通常作为具有变化的厚度的连续层而残留在分离面上，或者已经具有一些带间隙的岛状或者网状区，在这些间隙中已露出半导体层序列的表面。
接着在预刻蚀步骤中，根据残留物的层厚度而不同强度地刻蚀半导体层序列，使得形成半导体层序列的分离面的粗化。
在一种优选实施形式中，露出半导体层序的不同晶体小面(Kristallfacetten)。特别有利的是，在预刻蚀分离面之后，利用湿化学或者气态刻蚀剂借助后刻蚀步骤来处理分离面，该刻蚀剂主要在晶体缺陷上刻蚀并且选择性地刻蚀在半导体层序列的分离面上的不同的晶体小面。对此特别优选的是，湿化学刻蚀剂包含KOH。腐蚀性气体如H2或者Cl2例如适合作为气态刻蚀剂。优选的是，在提高温度的情况下，特别是高于或者等于800℃的情况下，使用H2作为刻蚀气体。
对于这种情况，即在半导体层序列与生长衬底分离时，仅无关紧要的残留物残留在分离面上和/或可利用这样的刻蚀剂来去除这些残留物的至少绝大部分，其中该刻蚀剂主要在半导体层序列的晶体缺陷上刻蚀并且选择性地刻蚀分离面上的不同的晶体小面，则可以省去上面所说明的预刻蚀步骤。
在具有氮化物半导体材料的分离区中，优选这样地分解该分离区，使得产生气态氮。为此特别优选的是，激光剥离方法(也简称为Laser-Liftoff)适合作为分离方法。例如在WO 98/14986A1中已阐述了这样的激光剥离方法，在此将其公开内容通过引用纳入本文。替代地，可以使用另一分离方法，在该分离方法中，分离层的组成部分的残留物、特别是分离层的金属组成部分的各向异性的残留物残留在分离面上。
有利的是，与从衬底层来看而设置在分离面后的半导体层序列的部分相比，半导体层序列在分离面上具有提高的缺陷密度。优选地，分离区处于生长衬底与半导体层序列的产生辐射的区域之间的缓冲层中。
缓冲层是半导体层序列朝着衬底的半导体层，该半导体层基本上用于制造最佳生长表面，该生长表面用于随后的、半导体层序列的功能层(例如多量子阱结构)的生长。一个这样的缓冲层例如补偿了衬底的晶格常数与半导体层序列的晶格常数之间的不同以及衬底的晶体缺陷。借助缓冲层同样可以有针对性地调节用于生长半导体层序列的扭曲状态(Verspannungszustaende)。
分离区特别优选地主要具有GaN并且在半导体层序列的分离面上优选地遗留有由金属Ga构成的各向异性的残留物。
半导体层序列的其中存在分离区的那个区域优选设置有在1×1018cm-3与1×1019cm-3之间的掺杂材料浓度，该范围包括两个端值。在这种情况下，半导体层序列在其分离面上有利地具有在1×1018cm-3与1×1020cm-3之间的掺杂材料浓度，该范围包含两个端值。这简化了在半导体层序列上的电阻接触的构造。如果该区域主要基于GaN，则优选使用Si作为掺杂材料。
在另一优选实施形式中，分离区包含AlGaN，其Al含量被这样地选择，使得AlGaN在半导体层序列与生长衬底分离时被分解，并且Al被烧结到半导体层序列中。Al含量为此优选地在大约1％与大约10％之间，特别是在大约1％和大约7％之间。为了制造Al-n接触(Al-n-Kontakt)，Al在分离过程中优选被熔化并烧结到半导体层序列中。特别优选的是，为此使用激光剥离方法，其中该激光具有小于360nm范围内的波长，优选在350nm与355nm之间的波长，该范围包含两个端值。
在该方法的一种有利的扩展方案中，分离区具有GaN层，从衬底看，AlGaN层连接在GaN层上。在半导体层序列与生长衬底分离时，整个GaN层和AlGaN层的一部分被分解。这带来了这样的优点，即当出于层质量的原因或者出于其它原因而必要时，可以首先生长GaN层，该GaN层比在分离过程中被分解的分离区更薄。接着在分离过程中，将GaN层和设置在其上面的AlGaN层的一部分分解，如果希望时，则这与在上述段落中所描述的优点相关联。AlGaN层在此又优选地具有在大约1％与大约10％之间、特别是在大约1％与大约7％之间的Al含量。
蓝宝石衬底优选地被用作生长衬底。这有利地在大的波长范围中对电磁辐射是良好透射的。特别是，蓝宝石对于小于350nm的波长是透射的，这在分解GaN或者基于GaN的材料方面是很重要的。
在另一方法步骤中，在半导体层序列的微结构化的分离面上施加有接触片、特别是用于电连接半导体层序列的接触金属化部。一些传统公知的金属化层，例如TiAl接触、Al接触或者TiAlNiAu接触适合于此。
特别优选的是，借助在半导体层序列的分离面上的微结构化来产生一定尺度的(即具有一结构大小的)粗化，该尺度与由半导体层序列在其工作中所产生的电磁辐射的波长范围(涉及芯片中的内部波长)相应。
特别优选的是，该方法被应用在基于由六边形氮化物半导体材料系InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)构成的半导体材料的半导体层序列中，其中000-1晶面(六边形氮化物晶格的N面)朝着生长衬底。
半导体层序列的外延生长优选地借助MOVPE(金属有机物气相外延)来进行。
布拉格反射器可以作为反射器层来施加。替代地，可以制造这样的反射器层，该反射器层具有辐射透射的层和从半导体层序列来看设置在该辐射透射的层之后的反射的层。
同样，反射器层可以具有带多个朝着半导体层序列的窗的反射层并且在这些窗中设置有与反射层不同的电流输送层。
按照根据本发明的方法所制造的、发射电磁辐射的半导体芯片具有至少一个外延制造的半导体层序列，该层序列具有n导电的半导体层、p导电的半导体层和设置在这两个半导体层之间的产生电磁辐射的区域。半导体层的至少一个包含氮化物半导体材料，并且该半导体层序列以与半导体层序列的微结构化的面背离的侧、即以其上设置有反射器的侧来安装在支承体上。在半导体芯片的另一实施形式中，反射器层也被微结构化。
在该方法的一种实施形式中，在例如借助激光剥离的剥离步骤之后，在半导体层序列上没有残留来自分离区的金属材料构成的完全连续的层，而是仅仅残留了金属材料的网状或者岛状的结构，该结构在随后的预刻蚀步骤中至少近似地被转移进半导体层序列中，以便为后刻蚀步骤而有意地提供不同的晶体小面。在后刻蚀步骤中，刻蚀剂选择性地作用在不同的晶体小面上并且因此导致半导体层序列的分离面的微观的粗化。在此，由预刻蚀步骤形成的刻蚀边(Aetzkanten)和半导体层序列中的在其分离面上的晶体缺陷用作刻蚀起点(Aetzkeime)。
将反射器层构造或者施加在半导体层序列上可以在将半导体层序列微结构化之前或者之后进行，其中该反射器层将在半导体层序列工作时在半导体层序列中所产生的辐射的至少一部分反射回半导体层序列中，其中特别优选前者的替代方案。在权利要求1和7中在分离步骤(c)之前举出相应的步骤并非明确地表示，在将半导体层与衬底分离之前和在微结构化之前必须进行该方法步骤。但反射器层是薄膜发光二极管的重要组成部分。该反射器层也可以与用于半导体层序列的支承体一同地与被微结构化的半导体层序列相连接。
本发明基本上并不是局限于薄膜发光二极管芯片中的使用，而是基本上在这样的地方、即其中在外延制造的并且与生长衬底分离的半导体层序列上需要微结构化的表面时，就可使用。
附图说明
该方法和发光二极管芯片的另一些优点、优选的实施形式和扩展方案从以下结合附图1a至3b所说明的实施例中得到。其中：
图1a至1e：是根据第一实施例的方法过程的示意图，
图2a和2b：是对实施例的不同方法阶段的半导体表面的REM摄像，以及
图3a至3e：是根据第二实施例的方法过程的示意图。
在这些实施例和附图中，相同或者作用相同的组成部分分别设有相同的参考标号。所示的层厚度不能看作是符合比例的，相反为了更好的理解而在厚度上夸大地表示。外延层也没有以相互之间正确的厚度比例来表示。
具体实施方式
在附图1a至1e中示意性地表示的方法过程中，首先在由蓝宝石构成的生长衬底1上借助金属有机物气相外延(MOVPE)来生长半导体层序列。该半导体层序列从蓝宝石衬底1开始依次具有以下层(参阅图1a)：
-Si掺杂的GaN缓冲层2
-Si掺杂的GaN接触层3(还可以部分属于缓冲层)
-Si掺杂的GaN覆盖层4
-产生电磁辐射(特别是绿色或者蓝色光)的层5，其具有带多个InGaN量子阱和一些在这些量子阱之间的GaN垒的多量子阱结构。
-p掺杂的AlGaN覆盖层6(例如Mg作为p掺杂材料)
在p掺杂的AlGaN覆盖层6之后优选地还紧接着p掺杂的GaN层(例如同样用Mg掺杂)。
替代地，接触层3可以具有Si:AlGaN。
例如在WO 01/39282A2中描述了上述多量子阱结构，在此将其公开内容通过引用纳入本文。
代替多量子阱结构也可以使用单量子阱结构、双异质结构或者单异质结构。
在半导体层序列100上，施加有金属反射器层7，该反射器层这样地设计，使得其可以将有源层中产生的电磁辐射反射回半导体层序列100中。Al或者Ag适合作为在蓝色光谱区域中的反射材料。在使用Ag的情况下，反射器层可以铺有薄的Ti层、Pd层或者Pt层。这特别是导致Ag层更好地粘附在半导体层序列100上。这样的粘附改善层的层厚度优选在1nm之下。
替代地，可施加布拉格反射器作为反射器层7或者制造反射器层，该反射器层具有例如由ITO构成的辐射透射层，以及具有从半导体层序列来看设置在辐射透射层后的反射的层。同样，该反射器层可以具有带多个朝向半导体层序列100的窗的反射层，并且在这些窗中设置有不同于反射层的电流输送层。
接着，该半导体层序列以反射器侧与导电的支承体10相连，该支承体例如由GaAs、Ge或者Mo构成。这例如通过AuGe、AuSn或者PdIn借助共晶接合(eutektischem Bonden)来实现。然而焊接或粘贴也是可能的。接着，蓝宝石衬底1借助图1b中通过箭头110表示的激光剥离方法来分离，其中缓冲层2被这样分解，使得形成气态氮并且由金属镓构成的残留物20以具有变化的层厚度的各向异性层的形式残留在半导体层序列100上。对此可以参阅图1c。例如在WO 98/14986A1中描述了相应的激光剥离方法，在此将其公开内容通过引用纳入本文。
接着，残留物20在预刻蚀步骤中利用刻蚀剂120来去除，该刻蚀剂不仅材料去除地刻蚀金属Ga，而且材料去除地刻蚀Si掺杂的GaN接触层3。通过这种方式，Si掺杂的GaN接触层3的表面被粗化。就此而言，由金属镓构成的、各向异性分布的残留物在此作为临时的刻蚀掩膜起作用。
优选的是，在预刻蚀步骤中湿化学地刻蚀。尤其是稀释形式的KOH适合作为刻蚀剂。在本发明的一种特别优选的扩展方案中，在该刻蚀步骤中在室温下使用具有5％浓度的KOH，其中刻蚀持续时间在5min至15min之间。
替代地，例如干刻蚀方法(RIE方法)也适合于预刻蚀步骤。干刻蚀方法通常定向地起作用，使得在本发明的该扩展方案中，残留物的形状转移进位于其下的半导体层中并且因此实现了半导体层的粗化。
在本发明的另一替代方案中，使用腐蚀性气体例如H2或者Cl2作为刻蚀剂，优选的是在提高温度的情况下进行，该提高的温度高于或者等于800℃。
在所描绘的例子中，在进行激光剥离方法期间将整个缓冲层2分解，使得该缓冲层是分离区。替代地，缓冲层2和激光剥离方法可以这样相互配合，使得仅将在缓冲层中的或者在缓冲层附近的、比缓冲层更薄的分离区分解。
在预刻蚀步骤中，露出接触层3的不同的晶体小面。随后，接触层3的被预刻蚀的面在后刻蚀步骤中用另一湿化学刻蚀剂来处理(通过带参考标号130的箭头表示)，该刻蚀剂主要在晶体缺陷上刻蚀并且选择性地刻蚀在半导体层序列的分离面上的不同晶体小面(参阅图1d)。其它湿化学刻蚀剂例如包含KOH。通过用KOH处理，非常有效地将接触层的表面粗化；在预刻蚀时所产生的粗糙度极大地改善了辐射输出耦合的效率。
优选的是，在后刻蚀步骤中使用浓缩形式的KOH作为刻蚀剂。在本发明的另一优选扩展方案中，在此利用具有25％浓度的KOH在70℃与90℃之间的温度的情况下，例如在80℃的情况下来刻蚀，其中刻蚀时间在3min与10min之间。
替代地，对于后刻蚀步骤可以使用腐蚀性气体例如H2或者Cl2作为刻蚀剂。
图2a示出了干刻蚀之后的表面。图2b示出了利用KOH进行进一步刻蚀之后的表面。
为了改善粗化效果，接触层3至少在朝向缓冲层2的侧上具有与随后的层4、5和6相比提高的缺陷密度。
此外，接触层3至少在朝向缓冲层的侧上具有在1×1018cm-3与1×1019cm-3之间的Si掺杂材料浓度，其中该范围包括两个端值。这能够实现在接触层3上简单地制造电阻接触。
在实施例的一种替代的扩展方案中，GaN缓冲层2比在激光剥离方法中所分解的层厚度更薄，并且接触层3的Al含量至少在朝向缓冲层2的区域中在大约1％与大约7％之间。接触层3的该区域在形成气态氮和金属Ga和Al的激光剥离中被分解，并且Al被熔化并烧结到残留的接触层3中。
以这样的方式，可以在GaN接触层3上产生Al-n接触。
在GaN接触层3的微结构化的面上，接着施加有结合片，特别是用于电连接半导体层序列100的n侧的结合片金属化部(图1e)。其例如具有TiAl。
通过接触层3的微结构化，产生一定尺度的粗化，该尺度与电磁辐射的可见光谱的蓝色光谱区域相应。粗化结构特别是处于在有源半导体层5中所产生的电磁辐射的内部波长的一半的数量级。
在外延层序列借助MOVPE(金属有机物气相外延)生长时，优选的是，000-1晶面(六边形氮化物晶格的N面)朝着蓝宝石生长衬底。
使用具有在350nm与360nm之间的范围内的波长或者更短的波长的激光辐射源作为用于激光剥离方法的辐射源。
如在图1e中部分地示出的那样，在支承体10与半导体层序列100的连接之前或者之后，在支承体10的背离半导体层序列100的侧上，施加有用于电连接薄膜发光二极管芯片20的接触层12。该接触层例如由Al或者Ti/Al层序列构成。
在本方法的另一实施形式中，可以在与支承体10连接之前以与接触层3类似的尺度将反射器层微结构化。
在根据该实施例的本发明的一种替代的扩展方案中，在激光剥离之后，由金属Ga和必要时由Al构成的完全连续的层并没有残留在接触层3上，而是仅仅残留由金属Ga和必要时Al残留物构成的网状或者岛状结构，该结构在随后的预刻蚀步骤中至少近似地被转移进接触层3中，以便为随后的KOH刻蚀有意地提供不同的晶体小面。
又如上面所述，干刻蚀方法(RIE方法)或者优选用稀释形式的KOH(例如在室温时5％的KOH，刻蚀时间5min至15min)的湿化学方法适合于预刻蚀步骤。
对于接下来的刻蚀步骤，优选地使用KOH，特别优选地使用浓缩形式的KOH。
KOH选择性地作用在不同的晶体小面上，并且因此导致了微观的粗化。在此，由上述RIE工艺形成的刻蚀边和在接触层中的晶体缺陷、或者如果在激光剥离的情况下缓冲层2没有完全地被分解时可能在缓冲层2的残留的区域中的晶体缺陷在此用作刻蚀起点。
替代地，对于后刻蚀步骤，优选的是在提高温度的情况下，特别是该温度大于或者等于800℃的情况下，可以使用腐蚀性气体例如H2或者Cl2作为刻蚀剂。
在附图3a至3e中示意性示出的实施例与图1a至1e的实施例以及其不同实施形式的不同之处特别在于，在激光剥离110(图3b)中几乎没有或者完全没有由金属Ga和必要时Al构成的残留物残留在接触层3上，并且在激光剥离110之后，接触层3直接用优选地具有上面描述的浓缩形式的、含KOH的刻蚀剂来刻蚀(通过图3c中的箭头130表示)。
当然，如果合乎目的，在此也可以在用KOH刻蚀之前预刻蚀，以便例如露出不同的晶体小面和/或晶体缺陷，或者如所描述的那样使用腐蚀性气体如H2或者Cl2作为刻蚀剂。
替代地，如同上面结合图1a至1e所描述的实施例那样，如果缓冲层比其在分离步骤中所分解的区更厚，则在与衬底分离之后，缓冲层2的剩余层也可残留在接触层3上。接着，在缓冲层2的剩余部分上产生粗化。
按照实施例对发明的以上阐述当然不能理解为将本发明限制于此。更确切地说，特别是所有这样的方法、其中半导体层的分离面在其与生长衬底材料分解地剥离之后借助缺陷刻蚀来微结构化，都属于本发明的基本思想。
Claims (66)
1. 一种用于将薄膜发光二极管芯片的半导体层序列的辐射发射的面微结构化的方法，所述方法具有以下方法步骤：
(a)在衬底上生长所述半导体层序列；
(b)将反射器层施加或者构造在所述半导体层序列上，所述反射器层将在所述半导体层序列工作时在所述半导体层序列中所产生的、并且朝向所述反射器层的辐射的至少一部分反射回所述半导体层序列中；
(c)借助剥离方法将所述半导体层序列与所述衬底分离，其中在所述半导体层序列中的分离区至少部分地被分解：使得所述分离区的组成部分的各向异性的残留物残留在与所述衬底分离的所述半导体层序列的分离面上；以及
(d)借助干刻蚀方法、气态刻蚀剂或者湿化学刻蚀剂来刻蚀所述半导体层序列的留有残留物的分离面，其中所述各向异性的残留物被用作刻蚀掩模，或者临时用作刻蚀掩模。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中辐射发射的半导体层序列基于氮化物半导体材料。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中在将半导体层序列与衬底分离时，分离层的金属组成部分作为残留物而残留。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(d)中不仅所述分离区的残留物被刻蚀，而且所述半导体层序列在其分离面上也被刻蚀。
5. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在步骤(d)中使所述半导体层序列的不同晶体小面露出。
6. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中所述湿化学刻蚀剂含有KOH，或者所述气态刻蚀剂含有腐蚀性气体。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中腐蚀性气体包含H2或者Cl2。
8. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在方法步骤(d)之后，被刻蚀的所述分离面用另外的湿化学刻蚀剂或者另外的气态刻蚀剂来处理，所述另外的刻蚀剂主要在晶体缺陷上刻蚀并且选择性地刻蚀在所述半导体层序列的所述分离面上的不同的晶体小面。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中所述另外的湿化学刻蚀剂含有KOH，或者所述另外的气态刻蚀剂含有腐蚀性气体。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中腐蚀性气体包含H2或者Cl2。
11. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在步骤(c)中，在分离区中将半导体层序列的氮化物半导体材料分解，使得形成气态的氮气。
12. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中剥离方法是激光剥离方法。
13. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中与从所述衬底看、所述半导体层序列的设置在所述分离面后的部分相比，所述半导体层序列在所述分离面上具有增大的缺陷密度。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中所述分离区位于其中的所述半导体层序列的区域是缓冲层。
15. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中所述半导体层序列包含至少一种由InxAlyGa1-x-yN系构成的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。
16. 根据引用权利要求1、2或4中的任一项的权利要求15所述的方法，其中所述分离区主要具有GaN，并且在所述半导体层序列的所述分离面上残留有由金属Ga构成的各向异性的残留物。
17. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中所述半导体层序列在其分离面上具有1×1018cm-3至1×1020cm-3的掺杂材料浓度，其中该范围包括两个端值。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中所述掺杂材料是Si。
19. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在所述分离区中包含AlGaN，其Al含量被选择为，使得其在步骤(c)中被分解，并且Al被烧结到所述半导体层序列中。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中所述Al含量在大约1％至大约10％之间。
21. 根据权利要求19所述的方法，其中所述Al含量在大约1％至大约7％之间。
22. 根据权利要求19所述的方法，其中在步骤(c)中将Al熔化并且烧结到所述半导体层序列中。
23. 根据权利要求19所述的方法，其中所述分离区具有GaN层，从所述衬底看，AlGaN层连接到所述GaN层上，并且在步骤(c)中将整个所述GaN层和所述AlGaN层的一部分分解。
24. 根据权利要求19所述的方法，其中在所述半导体层序列的所述分离面上产生Al-n接触。
25. 根据权利要求23所述的方法，其中在所述半导体层序列的所述分离面上产生Al-n接触。
26. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中使用蓝宝石衬底。
27. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在所述半导体层序列的被微结构化的所述分离面上施加有接触片，用于电连接所述半导体层序列。
28. 根据权利要求27所述的方法，其中所述接触片通过接触金属化物形成。
29. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中通过在半导体层序列的分离面上的微结构化，产生一定尺度的粗化，所述尺度与由所述半导体层序列在其工作时所发出的电磁辐射的波长范围相应。
30. 根据权利要求29所述的方法，其中所述粗化结构处于内部波长的一半的数量级上。
31. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在所述衬底上生长总共由六边形的、基于GaN的材料构成的所述半导体层序列，其中000-1晶面朝着所述衬底。
32. 根据权利要求11所述的方法，其中在步骤(c)中使用具有在350nm至360nm之间的范围内或者更短的波长的激光辐射源。
33. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在步骤(b)中施加布拉格反射器。
34. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中在步骤(b)中制造反射器层，所述反射器层具有辐射透射的层，并且具有从所述半导体层序列来看设置在所述辐射透射的层之后的反射的层。
35. 根据权利要求1、2或4所述的方法，其中所述反射器层具有带多个朝所述半导体层序列的窗的反射层，并且在所述窗中设置有不同于所述反射层的电流输送层。
36. 一种用于将薄膜发光二极管芯片的半导体层序列的辐射发射的面微结构化的方法，所述方法具有以下方法步骤：
(a)在衬底上生长所述半导体层序列；
(b)将反射器层构造或者施加在所述半导体层序列上，所述反射器层将在所述半导体层序列工作时在所述半导体层序列中所产生的、并且朝向所述反射器层的辐射的至少一部分反射回所述半导体层序列中；
(c)将所述半导体层序列与所述衬底分离，其中由所述半导体层序列的半导体材料构成的分离区至少部分地被分解，以及
(d)利用刻蚀剂来刻蚀与所述衬底分离的所述半导体层序列的分离面，所述刻蚀剂主要在晶体缺陷上刻蚀并且选择性地刻蚀在所述分离面上的不同的晶体小面。
37. 根据权利要求36所述的方法，其中辐射发射的半导体层序列基于氮化物半导体材料。
38. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在步骤(d)中所述刻蚀剂含有KOH。
39. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在步骤(d)中所述刻蚀剂含有腐蚀性气体。
40. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在步骤(c)中，在所述分离区中将所述半导体层序列的氮化物半导体材料分解，使得形成气态氮。
41. 根据权利要求36或37所述的方法，其中所述剥离方法是激光剥离方法。
42. 根据权利要求36或37所述的方法，其中与从所述衬底看、所述半导体层序列的设置在所述分离面后的部分相比，所述半导体层序列在所述分离面上具有增大的缺陷密度。
43. 根据权利要求42所述的方法，其中所述分离区位于其中的所述半导体层序列的区域是缓冲层。
44. 根据权利要求36或37所述的方法，其中所述半导体层序列包含至少一种由InxAlyGa1-x-yN系构成的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。
45. 根据引用权利要求36或37的至少一项的权利要求44所述的方法，其中所述分离区主要具有GaN，并且在所述半导体层序列的所述分离面上残留有由金属Ga构成的各向异性的残留物。
46. 根据权利要求36或37所述的方法，其中所述半导体层序列在其分离面上具有在1×1018cm-3与1×1020cm-3之间的掺杂材料浓度，其中该范围包括两个端值。
47. 根据权利要求46所述的方法，其中所述掺杂材料是Si。
48. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在所述分离区中包含AlGaN，其Al含量被选择为：使得其在步骤(c)中被分解，并且Al被烧结到所述半导体层序列中。
49. 根据权利要求48所述的方法，其中所述Al含量在大约1％至大约10％之间。
50. 根据权利要求48所述的方法，其中所述Al含量在大约1％至大约7％之间。
51. 根据权利要求48所述的方法，其中在步骤(c)中将Al熔化并且烧结到所述半导体层序列中。
52. 根据权利要求48所述的方法，其中所述分离区具有GaN层，从所述衬底看，AlGaN层连接到所述GaN层上，并且在步骤(c)中将整个所述GaN层和所述AlGaN层的一部分分解。
53. 根据权利要求48所述的方法，其中在所述半导体层序列的所述分离面上产生Al-n接触。
54. 根据权利要求52所述的方法，其中在所述半导体层序列的所述分离面上产生Al-n接触。
55. 根据权利要求36或37所述的方法，其中使用蓝宝石衬底。
56. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在所述半导体层序列的被微结构化的所述分离面上施加有接触片用于电连接所述半导体层序列。
57. 根据权利要求56所述的方法，其中所述接触片通过接触金属化物形成。
58. 根据权利要求36或37所述的方法，其中通过在半导体层序列的分离面上的微结构化，产生一定尺度的粗化，所述尺度与由所述半导体层序列在其工作时所发出的电磁辐射的波长范围相应。
59. 根据权利要求58所述的方法，其中所述粗化结构处于内部波长的一半的数量级上。
60. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在所述衬底上生长总共由六边形的、基于GaN的材料构成的所述半导体层序列，其中000-1晶面朝着所述衬底。
61. 根据权利要求40所述的方法，其中在步骤(c)中使用具有在350nm至360nm之间的范围内或者更短的波长的激光辐射源。
62. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在步骤(b)中施加布拉格反射器。
63. 根据权利要求36或37所述的方法，其中在步骤(b)中制造反射器层，所述反射器层具有辐射透射的层，并且具有从所述半导体层序列来看设置在所述辐射透射的层之后的反射的层。
64. 根据权利要求36或37所述的方法，其中所述反射器层具有带多个朝所述半导体层序列的窗的反射层，并且在所述窗中设置有不同于所述反射层的电流输送层。
65. 一种发射电磁辐射的半导体芯片，具有至少：
外延制造的半导体层序列，其具有n导电的半导体层、p导电的半导体层以及设置在所述两个半导体层之间的产生电磁辐射的区域，其中所述半导体层中的至少一个具有氮化物半导体材料，以及
支承体，在所述支承体上设置有所述半导体层序列，
其特征在于，借助根据上述权利要求中的一项所述的方法将所述半导体层序列中的至少一个半导体层微结构化。
66. 根据权利要求65所述的半导体芯片，其中所述反射器层被结构化。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/DE2004/000892 WO2005106972A1 (de) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1943044A CN1943044A (zh) | 2007-04-04 |
| CN100423300C true CN100423300C (zh) | 2008-10-01 |
Family
ID=34957625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004800428841A Expired - Lifetime CN100423300C (zh) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | 辐射发射的半导体芯片及其制造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7897423B2 (zh) |
| EP (1) | EP1741144A1 (zh) |
| JP (1) | JP4653804B2 (zh) |
| KR (2) | KR101248195B1 (zh) |
| CN (1) | CN100423300C (zh) |
| DE (1) | DE112004002809B9 (zh) |
| WO (1) | WO2005106972A1 (zh) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100661602B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 수직 구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 |
| JP2007258323A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR101393745B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102007057756B4 (de) | 2007-11-30 | 2022-03-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
| CN100561762C (zh) * | 2007-12-07 | 2009-11-18 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法 |
| US8435816B2 (en) * | 2008-08-22 | 2013-05-07 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Method for fabricating InGaAlN light emitting device on a combined substrate |
| US8815618B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-08-26 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Light-emitting diode on a conductive substrate |
| DE102009000287A1 (de) | 2009-01-19 | 2010-07-22 | Robert Bosch Gmbh | Leuchtmodul |
| JP2011029574A (ja) * | 2009-03-31 | 2011-02-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| KR101081129B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| WO2011069242A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Cooledge Lighting Inc. | Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus |
| US20110151588A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques |
| US8334152B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-12-18 | Cooledge Lighting, Inc. | Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate |
| DE102009060749B4 (de) * | 2009-12-30 | 2021-12-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| CN101807648B (zh) * | 2010-03-19 | 2012-12-26 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN101807649B (zh) * | 2010-03-19 | 2013-01-23 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法 |
| KR101055779B1 (ko) * | 2010-06-15 | 2011-08-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 고효율 발광 다이오드 제조방법 |
| DE102010048617A1 (de) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge, strahlungsemittierender Halbleiterchip und optoelektronisches Bauteil |
| US8906712B2 (en) * | 2011-05-20 | 2014-12-09 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Light emitting diode and method of fabrication thereof |
| JP5292456B2 (ja) | 2011-12-28 | 2013-09-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| DE102012210494B4 (de) * | 2012-06-21 | 2023-12-28 | Pictiva Displays International Limited | Organische Leuchtdiode |
| KR101878748B1 (ko) | 2012-12-20 | 2018-08-17 | 삼성전자주식회사 | 그래핀의 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조 방법 |
| JP5514341B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-06-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
| DE102014105208A1 (de) * | 2014-04-11 | 2015-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements |
| US9595616B1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-03-14 | Sandia Corporation | Vertical III-nitride thin-film power diode |
| CN109417112B (zh) * | 2016-06-24 | 2022-06-21 | 苏州乐琻半导体有限公司 | 半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 |
| JP7007053B2 (ja) * | 2017-10-17 | 2022-01-24 | 株式会社ディスコ | リフトオフ方法 |
| TWI735263B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-08-01 | 台灣愛司帝科技股份有限公司 | 紅光晶片承載結構的製作方法 |
| WO2022073230A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 半导体结构的衬底剥离方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1443374A (zh) * | 2000-05-26 | 2003-09-17 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法 |
| DE10243757A1 (de) * | 2002-01-31 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips |
| DE10245628A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3739217A (en) | 1969-06-23 | 1973-06-12 | Bell Telephone Labor Inc | Surface roughening of electroluminescent diodes |
| DE69737086T2 (de) | 1996-08-27 | 2007-05-16 | Seiko Epson Corp. | Trennverfahren, verfahren zur übertragung eines dünnfilmbauelements, und unter verwendung des übertragungsverfahrens hergestelltes flüssigkristall-anzeigebauelement |
| JP3179346B2 (ja) | 1996-08-27 | 2001-06-25 | 松下電子工業株式会社 | 窒化ガリウム結晶の製造方法 |
| DE19640594B4 (de) | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
| WO1998019375A1 (fr) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Hitachi, Ltd. | Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent |
| JP3776538B2 (ja) | 1996-12-24 | 2006-05-17 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
| US6233267B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-05-15 | Brown University Research Foundation | Blue/ultraviolet/green vertical cavity surface emitting laser employing lateral edge overgrowth (LEO) technique |
| US6071795A (en) | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| WO1999066565A1 (en) | 1998-06-18 | 1999-12-23 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-iii nitrides |
| AU4708399A (en) | 1998-06-23 | 2000-01-10 | Trustees Of Boston University | Crystallographic wet chemical etching of iii-nitride material |
| US6608330B1 (en) * | 1998-09-21 | 2003-08-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
| DE19955747A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
| DE10020464A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
| CN1292494C (zh) | 2000-04-26 | 2006-12-27 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发光半导体元件及其制造方法 |
| DE10026254A1 (de) | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer auf GaN basierenden strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge |
| DE10040448A1 (de) | 2000-08-18 | 2002-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP4431925B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2010-03-17 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| DE10064448A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Aufrauhen eines Halbleiterchips für die Optoelektronik |
| JP5283293B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4524953B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体装置の製造方法 |
| US6750158B2 (en) | 2001-05-18 | 2004-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| TW564584B (en) * | 2001-06-25 | 2003-12-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
| JP4244542B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2009-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6617261B2 (en) * | 2001-12-18 | 2003-09-09 | Xerox Corporation | Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates |
| JP2003188142A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Sony Corp | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
| US6455340B1 (en) * | 2001-12-21 | 2002-09-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff |
| TW576864B (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
| CA2466141C (en) * | 2002-01-28 | 2012-12-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
| TWI226139B (en) | 2002-01-31 | 2005-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method to manufacture a semiconductor-component |
| JP4440529B2 (ja) | 2002-11-27 | 2010-03-24 | 士郎 酒井 | 窒化物系半導体発光装置の製造方法 |
| JP3795007B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2006-07-12 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6986693B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-01-17 | Lucent Technologies Inc. | Group III-nitride layers with patterned surfaces |
-
2004
- 2004-04-29 US US11/579,194 patent/US7897423B2/en active Active
- 2004-04-29 KR KR1020067025113A patent/KR101248195B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-29 KR KR1020127022761A patent/KR101361630B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-29 WO PCT/DE2004/000892 patent/WO2005106972A1/de active Application Filing
- 2004-04-29 CN CNB2004800428841A patent/CN100423300C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-29 EP EP04730193A patent/EP1741144A1/de not_active Withdrawn
- 2004-04-29 DE DE112004002809.4T patent/DE112004002809B9/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-29 JP JP2007509862A patent/JP4653804B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-02-15 US US13/027,810 patent/US8273593B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1443374A (zh) * | 2000-05-26 | 2003-09-17 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法 |
| DE10243757A1 (de) * | 2002-01-31 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips |
| DE10245628A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| InxGa1-xN light emitting diodes on Si substrates fabricated byPd-In metal bonding and laser lift-off. W.S.Wong et al.APPLIED PHYSICS LETTERS,Vol.77 No.18. 2000 |
| InxGa1-xN light emitting diodes on Si substrates fabricated byPd-In metal bonding and laser lift-off. W.S.Wong et al.APPLIED PHYSICS LETTERS,Vol.77 No.18. 2000 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080093611A1 (en) | 2008-04-24 |
| KR101361630B1 (ko) | 2014-02-11 |
| US20110140141A1 (en) | 2011-06-16 |
| DE112004002809A5 (de) | 2007-05-24 |
| WO2005106972A1 (de) | 2005-11-10 |
| KR101248195B1 (ko) | 2013-03-27 |
| JP4653804B2 (ja) | 2011-03-16 |
| EP1741144A1 (de) | 2007-01-10 |
| KR20070026546A (ko) | 2007-03-08 |
| DE112004002809B9 (de) | 2024-02-01 |
| CN1943044A (zh) | 2007-04-04 |
| US8273593B2 (en) | 2012-09-25 |
| DE112004002809B4 (de) | 2023-11-02 |
| KR20120105059A (ko) | 2012-09-24 |
| JP2007535152A (ja) | 2007-11-29 |
| US7897423B2 (en) | 2011-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20081001 |