KR20010102795A - 변형된 피형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층 및 투명 전극과, 상호 인접하는 모서리가 굴곡 처리 및 연장 처리된 P-형 전극과, 상호 인접하는 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어지는 질화갈륨계 발광 다이오드로서, 사파이어 기판상에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성하는 과정과; 제 1 설정 시간 동안 제 1 설정 두께의 실리콘이 도핑된 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 과정과; 제 2 설정 시간 동안 제 2 설정 두께의 마그네슘이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막을 형성하는 과정과; n-형 질화갈륨 박막상에 n-형 전극을 형성하는 과정과; p-형 질화갈륨 박막상에 투명 전극을 형성하는 과정과; 투명 전극상에 p-형 전극을 형성하는 과정과; p-형 질화갈륨 및 투명 전극의 내부 일면을 굴곡 형태로 변형시키고 n- 및 p-형 전극의 상호 인접하는 모서리를 굴곡 형태로 변형시키는 과정과; p-형 전극에서 투명 전극상에 연장되는, p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 가지 형태의 전극을 덧붙이는 과정으로 이루어진다. 따라서, 본 발명은 전기적 특성 및 수명 특성이 우수한 질화갈륨계 발광 다이오드를 이용한 청색, 녹색 및 백색광원용 소자제작에 있어서 고효율의 소자제작을 가능하게 함으로써, 질화갈륨계 발광 다이오드의 상업화에 유리할 뿐만 아니라, 고효율의 특성을 위해서 기본적인 설계상의 개선만 필요하므로 경제적인 이점이 있다.
Description
본 발명은 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
고효율의 발광 다이오드를 구현하기 위해서는 무엇보다도 n-형(전자:electron) 및 p-형(정공:hole) 질화갈륨 박막내의 고농도의 캐리어(carrier) 및 낮은 비저항값이 요구된다. 그러나, 고 정공농도, 특히, 낮은 비저항값을 갖는 p-형 질화갈륨 박막 생산이 어렵기 때문에 발광소자의 구동시 p-형 질화갈륨 박막층에서 전류의 확산이 어려워져서 결국 발광소자의 전기적 및 발광특성이 크게 저하되는 문제점이 있다. 또한, 이러한 높은 비저항 성분에 의해서 발광 다이오드의 구동시 열이 발생하는 문제가 심각해지며, 따라서, 발광소자의 수명이 단축되는 결과를 야기시킨다.
이러한 높은 비저항값을 가지는 p-형 질화갈륨 박막층의 전류 확산을 용이하게 하기 위해서 종래에는 p-형 질화갈륨 박막위에 얇은 투명전극(transparent electrode)을 전류확산층(current spreading layer)으로 사용하여 발광 다이오드의 특성을 향상시켜 왔다. 예를 들면, 나카무라(S. Nakamura 및 G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997) 등은 10㎚이하의 니겔/금(Ni/Au) 층을 p-형 질화갈륨 박막층 위에 투명전극으로 사용하여 발광 다이오드를 제작하였으며, Sheu( J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu 및 W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340, 1999) 등은 2nm/6nm의 니켈/금(Ni/Au) 구조가 오믹접촉 특성이 우수할 뿐만 아니라 빛의 투과특성도 우수하므로 투명전극으로서 발광소자에 적합한 구조임을 제시하였다.
그러나, 빛의 투과율을 증가시키기 위해서 투명전극은 보통 10㎚ 내외의 두께로 사용하게 되는데, 이때, 투명전극의 얇은 두께는 상대적으로 큰 면저항(sheet resistance)을 야기시키는 문제점이 발생한다. 따라서, 투명전극을 발광 다이오드의 p-형 전류 확산층으로 대체하여 사용하게 되면 p-형 질화갈륨층 내에서의 전류확산보다는 유리하나, 투명전극 자체의 면저항에 의해 고효율의 발광소자를 제작하기에는 어느 정도 한계가 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위해 안출한 것으로, p-형 전극, 질화갈륨층 및 투명전극을 굴곡 형태로 변형시키고, 변형된 p-형 전극구조를 연장 처리하여 투명전극에서의 전류 확산효율을 극대화시킴으로써, 전기적 특성 및 발광특성이 우수한 발광 다이오드를 제작하도록 한 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따르면, n-형 질화갈륨층과; n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층과; p-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극과; 투명 전극상에 형성되며, 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극과; n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 굴곡 처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 사파이어 기판상에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성하는 단계와; 제 1 설정 시간 동안 제 1 설정 두께의 실리콘이 도핑된 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와; 제 2 설정 시간 동안 제 2 설정 두께의 마그네슘이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와; n-형 질화갈륨 박막상에 n-형 전극을 형성하는 단계와; p-형 질화갈륨 박막상에 투명 전극을 형성하는 단계와; 투명 전극상에 p-형 전극을 형성하는 단계와; p-형 질화갈륨 및 투명 전극의 내부 일면을 굴곡 형태로 변형시키고 n- 및 p-형 전극의 상호 인접하는 모서리를 굴곡 형태로 변형시키는 단계와; p-형 전극에서 투명 전극상에 연장되는, p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 가지 형태의 전극을 덧붙이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 방법을 제공한다.
도 1은 통상적인 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 평면도 및 측면도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 굴곡 형태의 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 평면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연장 처리된 굴곡 형태의 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 평면도,
도 4는 도 1, 도 2, 도 3의 각각의 발광 다이오드의 전류-전압 특성 분포도,
도 5는 도 1, 도 2, 도 3의 각각의 발광 다이오드의 발광강도-전류특성 분포도,
도 6은 도 1, 도 2, 도 3의 각각의 발광 다이오드의 수명 특성 분포도,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 과정의 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 사파이어 기판
12 : 질화갈륨 버퍼층
14 : n-형 질화갈륨층
16 : 발광층
18 : p-형 질화갈륨층
20 : 투명전극
22 : p-형 전극
24 : n-형 전극
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
설명에 앞서, 본 발명에 사용되는 용어 "투명전극(transparent electrode)"은 당 분야의 질화갈륨계 발광 다이오드 제작시에 통상적으로 적용되는 기술로서, p-형 질화갈륨 박막위에 p-형 전극을 형성시키기 전에 p-형 질화갈륨층으로의 전류의 확산효율을 증가시키기 위해서 증착시키는 10nm 내외의 단일 또는 다중 금속박막을 지칭한다.
도 1은 통상적인 발광 다이오드의 평면도 및 측면도로서, 사파이어(sapphire, α-Al2O3) 기판(10), 질화갈륨 버퍼층(buffer layer)(12), n-형 질화갈륨층(14), 발광층(active layer)(16), p-형 질화갈륨층(18), 투명전극(20), p-형 전극(22) 및 n-형 전극(24)으로 구성된다. 도시한 바와 같이, 통상의 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 p- 및 n-형 전극(22),(24)은 정사각형의 형태이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 굴곡 형태의 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 평면도로서, 인접하는 p- 및 n-형 전극(22),(24)을 굴곡 형태로 변형시키고, 발광영역의 확장을 위해 p-형 메사(mesa) 질화갈륨층(18) 및 투명전극(20)을 둥글게 처리하여 면적을 증가시켰다. 그 외의 구조는 도 1과 동일하다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연장 처리된 굴곡 형태의 p-형 전극구조를 갖는 발광 다이오드의 평면도로서, 도 2의 구조에 가지 형태의 전극을 덧붙임으로써 p-형 전극(22)을 연장 처리하였다. 이러한 구조에서는, 후술하는 바와 같은 전류-전압 특성 향상, 발광강도 증가, 소자 수명 증가 등과 같은 여러 가지 장점들이 발생할 수 있을 것이다.
도 4는 도 1, 도 2 및 도 3의 각각의 발광 다이오드의 상온에서의 전류-전압 특성 분포도이다. 도시한 바와 같이, 도 1에 비해 도 2의 경우 전류-전압 특성은 큰 향상을 보이지 않는데 반하여, 도 3의 경우는 소자 구동에 대한 저항이 감소됨으로써 상대적으로 전류-전압 특성이 우수함을 알 수 있다.
도 5는 도 1, 도 2 및 도 3의 각각의 발광 다이오드의 상온에서의 발광강도-전류특성 분포도이다. 도 5에서 전류가 증가함에 따라 발광강도는 증가하다가 포화되며 어느 전류 이상에서는 감소하는 경향을 보이는데, 이것은 고전류하에서 발생되기 시작한 주울열(Joule-heating)이 발광효율을 저하(thermal degradation)시키기 때문이다. 도시한 바와 같이, 도 3에서의 발광강도는 도 1 및 도 2에 비해 매우 우수함을 알 수 있으며, 또한, 고전류하에서도 열적저하(thermal degradation)가 더욱 감소됨을 알 수 있다.
도 6은 도 1, 도 2 및 도 3의 각각의 발광 다이오드의 상온에서의 수명 특성 분포도로서, 일정 전류, 예컨대, 250㎃를 인가했을 경우에 나타나는 소자의 수명특성 분포도이다. 도시한 바와 같이, 도 1에서의 소자 수명에 비해 도 2에서의 소자 수명이 증가하였음을 알 수 있으며, 도 3의 경우는 수명이 매우 크게 증가하였음을 알 수 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨 계열의 발광 다이오드를 제작하는데 있어서 몇 가지 고려해야 할 사항들을 기술하기로 한다.
첫째, 변형된 p-형 전극구조의 기본적인 목적은 투명전극을 통한 전류의 확산효율을 증가시키는 것인 바, 일반적인 사각형이나 원형의 p-형 전극에 도 3과 같은 보조 전극을 덧붙여서 투명전극층 위에 전류확산경로(current spreading path)를 설계해야 할 필요가 있다.
둘째, 변형된 p-형 전극구조를 채용할 경우 덧붙인 전극에 의해 p-형 전극면적이 증가하게 되는데, 이것은 발광 면적을 감소시켜 발광 효율을 떨어뜨리는 문제를 야기할 수 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해서는 덧붙인 구조를 적절한 크기의 폭, 예컨대, 30 ㎛내로 조절해야만 한다.
셋째, 덧붙인 전극구조를 설계할 때에는 n-형 전극과 p-형 전극간의 간격이 모든 지점에서 비슷하도록 하는 것이 유리하다. 왜냐하면 전류가 어느 한 곳에 집중적(current crowding)으로 흐르는 것을 방지할 수 있기 때문이다. 즉, 본 발명에서는 p-형 전극뿐만 아니라 n-형 전극에서도 원형을 선택적으로 채택하여 전류의 집중현상을 방지하였다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 과정을 첨부한 도 7의 흐름도를 참조하여 상세하게 설명한다.
설명에 앞서, 본 과정은 수직형 고속 회전 원판 MOCVD법을 이용한 질화갈륨박막 성장시 트리메틸갈륨(trimethylgallium : TMGa)과 순도 95%의 암모니아(NH3)를 각각 갈륨(Ga) 및 질소(N)원으로 사용하고, n-형 도펀트인 실리콘(Si)원으로는 실란가스(SiH4)를 사용하였으며, p-형 도펀트인 마그네슘(Mg)원으로는 비스시클로펜타다이닐마그네슘(Biscyclopentadienyl-Magnesium, Cp2Mg)을 사용하고, 운반가스로는 순도 90%의 수소가스를 사용하였음을 전제로 한다.
먼저, 단계(S100)에서는 사파이어 기판(10) 위에 박막 성장을 위해 560℃에서 300Å의 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)(12)을 형성시킨 후, 단계(S102)로 진행하여 박막층을 온도 1020℃, 압력 200 토르(torr)로 일정하게 유지시켜 45분 동안 1.5㎛ 두께의 실리콘이 도핑된 n-형 질화갈륨 박막(14)을 형성한다.
단계(S104)에서는 온도를 760℃로 내린 후 각각 1분 동안 질화갈륨 박막과 인듐질화갈륨 박막을 연속적으로 성장시켜 모두 5층의 인듐질화갈륨/질화갈륨의 양자우물구조를 얻은 후 다시 온도를 1020℃로 유지시켜 7.5분 동안 0.25 ㎛ 두께의 마그네슘이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막(18)을 형성한다. 그 후, 1분 동안 950℃에서 질소 분위기 하에서 급속 열처리를 수행한다.
단계(S106)에서는 ICP 에칭(Inductively-coupled plasma etching system) 장비를 이용하여 실리콘다이옥사이드(SiO2)를 마스크(mask)로 하여 사파이어 기판(10)까지 건식 식각(dry etching)을 하여 고립화(isolation) 작업을 수행하고, 고립화된 질화갈륨층에서 n-형 질화갈륨층(14)까지 다시 건식 식각 과정을 수행한 후, 포토리지스트(Photoresist)를 마스크로 하여 30㎚/80 ㎚ 두께의타이타늄/알루미늄(Ti/Al)을 전자빔 증착기(electron-beam evaporator)를 이용하여 n-형 전극(24)으로서 증착시킨다.
한편, 단계(S108)에서는 p-형 질화갈륨(18)상에 2㎚/6㎚ 두께의 니켈/금(Ni/Au)을 증착시켜 투명 전극(20)을 형성한다.
단계(S110)에서는 30㎚/80㎚의 니켈/금(Ni/Au)을 증착시켜 p-형 전극(22)을 형성한 후, 450℃에서 40초 동안 급속열처리(RTA : rapid thermal annealing)를 하여 소자를 완성한다.
단계(S112),(S114)에서는 단계(S110)의 과정을 거쳐 성장된 양자우물구조의 발광 다이오드 질화갈륨 시료에 정사각형의 p- 및 n-형 전극구조(22),(24)를 선택적으로 굴곡 형태로 변형시키고, p-형 질화갈륨(18) 및 투명전극(20)도 선택적으로 굴곡 형태로 변형시킨다. 이러한 구조는 상술한 도 2에 도시되어 있다.
한편, 단계(S112),(S114)에서는 상술한 과정들을 거쳐 성장된 양자우물구조의 발광 다이오드 질화갈륨 시료에 정사각형의 p- 및 n-형 전극구조(22),(24)를 선택적으로 굴곡 형태로 변형시키고, p-형 질화갈륨(18) 및 투명전극(20)도 선택적으로 굴곡 형태를 변형시키며, 굴곡 형태로 변형된 p-형 전극(22)에 덧붙인 구조를 가지는 발광 다이오드를 제작할 수 있다. 이러한 구조는 상술한 도 3에 도시되어 있다.
다른 한편, 상술한 과정들을 거쳐 완성된 발광 다이오드의 전류-전압 특성 및 소자의 수명은, 예컨대, 파라미터-분석기(parameter-analyzer, HP4155)를 이용하여 측정할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 발광 다이오드의 발광강도-전류특성은 광발광강도 측정기(optical power meter)를 이용하여 측정할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명에 의한 질화갈륨계 발광 다이오드의 전기적 특성 및 발광특성의 향상과 더불어 크게 향상된 수명특성의 구현은 질화갈륨계 발광 다이오드를 이용한 청색, 녹색 및 백색광원용 소자제작에 있어서 고효율의 소자제작을 가능하게 함으로써 질화갈륨계 발광 다이오드의 상업화를 가속화시키는 효과가 있다. 또한 본 발명은 부가적인 공정이나 고비용의 추가적인 설비가 필요하지 않는 기본적인 설계상의 개선을 통한 것이므로 경제적인 부담이 없는 장점이 있다.
Claims (7)
- n-형 질화갈륨층과;상기 n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층과;상기 p-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극과;상기 투명 전극상에 형성되며, 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극과;상기 n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 상기 굴곡 처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 n- 및 p-형 질화갈륨층은 질화갈륨(GaN), 알루미늄 질화갈륨(AlGaN), 인듐 질화갈륨(InGaN)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 p-형 전극은 상기 p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 상기 p-형 전극에 연장 처리된 구조인 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 p-형 질화갈륨층 및 투명 전극의 내부 일면은 상기 n-형 전극과 인접하는 면인 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 p-형 질화갈륨층, 투명 전극, p-형 전극 및 n-형 전극은 내부 일면이 굴곡 처리됨으로써 발광 영역의 확장 및 모서리 부분에서의 전류 집중 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드.
- 사파이어 기판상에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성하는 단계와;제 1 설정 시간 동안 제 1 설정 두께의 실리콘이 도핑된 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;제 2 설정 시간 동안 제 2 설정 두께의 마그네슘이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;상기 n-형 질화갈륨 박막상에 n-형 전극을 형성하는 단계와;상기 p-형 질화갈륨 박막상에 투명 전극을 형성하는 단계와;상기 투명 전극상에 p-형 전극을 형성하는 단계와;상기 p-형 질화갈륨 및 투명 전극의 내부 일면을 굴곡 형태로 변형시키고 상기 n- 및 p-형 전극의 상호 인접하는 모서리를 굴곡 형태로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 방법은,상기 p-형 전극에서 상기 투명 전극상에 연장되는, 상기 p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 가지 형태의 전극을 덧붙이는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 방법.
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KR1020000024466A KR20010102795A (ko) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 변형된 피형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드및 그 제조방법 |
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KR1020000024466A KR20010102795A (ko) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 변형된 피형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드및 그 제조방법 |
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KR20010102795A true KR20010102795A (ko) | 2001-11-16 |
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KR1020000024466A KR20010102795A (ko) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 변형된 피형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드및 그 제조방법 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100489037B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR100647018B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
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2000
- 2000-05-08 KR KR1020000024466A patent/KR20010102795A/ko not_active Application Discontinuation
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KR100489037B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR100647018B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
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