DE102009000287A1 - Leuchtmodul - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leuchtmodul (1) mit einem Substrat (2), mindestens einer in dem Substrat (2) gebildeten Leuchtdiode (3) und einer die Leuchtdiode (3) zumindest bereichsweise abdeckenden Schicht (4) aus photolumineszierendem Material. Dabei ist vorgesehen, dass in einer Oberfläche (5) des Substrats (2) mindestens eine mit dem photolumineszierenden Material ausgefüllte Ausnehmung (6) vorgesehen ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leuchtmodul mit einem Substrat, mindestens einer in dem Substrat gebildeten Leuchtdiode und einer die Leuchtdiode zumindest bereichsweise abdeckenden Schicht aus photolumineszierendem Material.
  • Stand der Technik
  • Leuchtmodule der eingangs genannten Art sind aus dem Stand der Technik bekannt. Das Substrat kann aus einem nicht-halbleitenden Material bestehen, welches zumindest bereichsweise derart dotiert ist, das es einen Halbleiter bildet. Bei entsprechender Dotierung ist in dem Substrat die Leuchtdiode gebildet. Die Leuchtdiode kann alternativ auch auf dem Substrat vorgesehen sein, und beispielsweise durch Entfernen des die Leuchtdiode umgebenden Substrats gebildet sein. Eine der höchsten Hürden bei der Herstellung von effizienten und energiesparenden Leuchtmodulen liegt darin, dass die Lichtausbeute der bekannten Leuchtmodule nicht ausreichend effizient ist. Obgleich die Quanteneffizienz im Halbleiter, das heißt im dotierten Teil des Substrats, der in diesem Fall die Leuchtdiode ausbildet, sehr hoch ist (etwa 80%), beträgt der tatsächliche Lichtanteil, der die Leuchtdiode verlassen kann, nur einen Bruchteil davon. Ein Grund hierfür ist die hohe Differenz der Brechungsindizes zwischen lichterzeugendem Halbleiter (etwa 3,5) und der umgebenden Luft (ungefähr 1). Bekannte Vorgehensweise zur Erhöhung der Effizienz der Leuchtdiode sind das Aufrauhen der Oberfläche oder das Aufbringen einer Beschichtung. Auf diese Weise kann die Differenz der Brechungsindizes verringert werden um so den Anteil des von der Oberfläche zurück in die Leuchtdiode reflektierten Lichts zu mindern. Auf diese Weise kann man zu einem höheren Lichtaustritt beziehungsweise einer höheren Lichtausbeute gelangen. Insbesondere für eine weißes Licht erzeugende Leuchtdiode ist der Anteil des austretenden blauen Lichts für eine spätere Anre gung der Schicht aus photolumineszierendem Material (der so genannten „Phosphor”-Schicht) verantwortlich und trägt somit zu einer höheren Gesamteffizienz des Leuchtmoduls bei. Die WO 2005/106972 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemmitierenden Halbleiterchips beziehungsweise einer Dünnschicht-Leuchtdiode. Dabei soll die strahlungsemmitierende Fläche der Leuchtdiode, das heißt die Oberfläche des Substrats, mikrostrukturiert werden (durch Ausbilden von Rauhigkeitselementen), um die Lichtausbeute der Leuchtdiode zu erhöhen. Sowohl das Aufrauhen der Oberfläche als auch das Beschichten mit dem photolumineszierenden Material führt jedoch immer noch nicht zu einer ausreichend hohen Effizienz. Weiterhin kann bei dem Aufrauhen der Oberfläche die Farbe des von der Leuchtdiode abgegeben Lichts nicht ausreichend modifiziert werden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Demgegenüber weist das Leuchtmodul mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen den Vorteilauf, dass eine hohe Effizienz beziehungsweise Lichtausbeute erreicht wird und gleichzeitig das Farbspektrum des von der Leuchtdiode abgegebenen Lichts mittels des photolumineszierenden Materials eingestellt werden kann. Dies wird erfindungsgemäß erreicht, indem in einer Oberfläche des Substrats und/oder der Leuchtdiode mindestens eine mit dem photolumineszierenden Material ausgefüllte Ausnehmung vorgesehen ist. Die Leuchtdiode bildet dabei einen Bereich des Substrats, der halbleitende Eigenschaften aufweist, also derart dotiert ist, dass die Leuchtdiode vorliegt. Insbesondere kann die LED-Schicht der Leuchtdichte durch Aufwachsen gebildet sein. Weitere Bereiche des Substrats können auch nicht-halbleitend sein, also keine Dotierung aufweisen. Zur Erhöhung der Gesamteffizienz des Leuchtmoduls mit der Leuchtdiode und der Schicht aus photolumineszierendem Material werden in das Substrat beziehungsweise dessen Oberfläche Ausnehmungen, beispielsweise in Form von Rillen, eingebracht. Vorzugsweise werden diese geätzt, beispielsweise mit einem „trenching”-Verfahren. Sie können auch durch Sägen oder Lasern gebildet sein. Diese Ausnehmung wird mit dem photolumineszierenden Material gefüllt. Somit liegt das photolumineszierende Material in der Ausnehmung vor und deckt die Leuchtdiode beziehungsweise das Substrat zusätzlich zumindest bereichsweise ab. Die Ausnehmung kann neben der Leuchtdiode, das heißt benachbart zu dieser, und/oder im Bereich der Leuchtdiode vorgesehen sein. In letzterem Fall ist die Ausnehmung aus dem dotierten Substrat herausgearbeitet. Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Leuchtdiode und/oder das Substrat vollständig von dem photolumineszierenden Material bedeckt ist. Das photolumineszierende Material ist dabei unmittelbar auf die Leuchtdiode und/oder das Substrat aufgebracht, insbesondere ohne dass ein über das Ausbilden der Ausnehmungen hinausgehendes Aufrauhen der Oberfläche des Substrats beziehungsweise der Leuchtdiode vorgesehen ist. Die Ausnehmung ist so in dem Substrat, insbesondere auch in der Leuchtdiode, vorgesehen, dass Licht aus der Leuchtdiode in seitlicher Richtung in diese eintreten kann. Durch das in der Ausnehmung vorgesehene photolumineszierende Material kann dieses Licht den Halbleiter beziehungsweise das Leuchtmodul verlassen, womit die Effizienz des Leuchtmoduls erhöht wird.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Ausnehmung im Querschnitt im Wesentlichen rechteckig, insbesondere quadratisch, ist. Die in der Oberfläche des Substrats beziehungsweise in dem Substrat vorgesehenen Ausnehmungen sind mit Vorteil regelmäßig ausgebildet (regelmäßiges Muster). Dies kann beispielsweise durch eine rechteckige beziehungsweise quadratische Formgebung vorgesehen sein.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass mehrere Ausnehmungen vorgesehen sind, die insbesondere gleichmäßig zueinander beabstandet sind. In dem Substrat kann also mindestens eine Ausnehmung vorgesehen sein. Sind mehrere Ausnehmungen aus dem Substrat herausgearbeitet, so können diese beispielsweise gleichmäßig zueinander beabstandet sein. Auf diese Weise kann in dem Substrat beziehungsweise in der Oberfläche des Substrats ein Muster (Tiefenmuster) ausgearbeitet sein. Es können ein oder mehrere Ausnehmungen benachbart zu der Leuchtdiode und/oder ein oder mehrere Ausnehmungen im Bereich der Leuchtdiode vorgesehen sein.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Leuchtdiode einen zumindest bereichsweise umlaufenden Steg aufweist. Die Ausnehmung beziehungsweise die Ausnehmungen sind also so vorgesehen, dass sie zu einer Mitte der Leuchtdiode hin oder außerhalb der Leuchtdiode vorgesehen sind. Auf diese Weise kann am Rand der Leuchtdiode ein Steg aus halbleitendem Material, also dotiertem Substrat, gebildet sein. Dieser dient zur vertikalen („Top-down”) Stromverteilung in der Leuchtdiode beziehungsweise in dem die Leuchtdiode ausbil denden Halbleiter. Auf diese Weise kann der Strom gleichmäßig in der Leuchdiode verteilt werden, um eine gleichmäßige Leuchtdichte zu erzielen. Vorteilhafterweise umläuft der Steg die gesamte Leuchtdiode, um die gleichmäßige Stromverteilung zu erreichen.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass der Steg einen elektrischen Anschluss der Leuchtdiode bildet. An dem Steg ist beispielsweise ein Top-Metail-Kontakt vorgesehen. Somit kann der Steg als elektrischer Anschluss der Leuchtdiode fungieren. Beispielsweise erfolgt die elektrische Kontaktierung der Leuchtdiode mittels eines an dem Steg angebrachten Bonding-Drahts.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass eine Unterseite der Leuchtdiode zumindest bereichsweise eine Metallschicht aufweist. Die der Oberfläche des Substrats abgewandte Seite der Leuchtdiode, das heißt deren Unterseite, ist mit der Metallschicht zumindest bereichsweise versehen. Beispielsweise kann die gesamte Unterseite die Metallschicht aufweisen, also großflächig metallisiert sein. Alternativ kann jedoch auch vorgesehen sein, dass lediglich Bereiche der Unterseite die Metallschicht aufweisen.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Metallschicht einen weiteren elektrischen Anschluss der Leuchtdiode bildet. Somit ist der weitere elektrische Anschluss an der Unterseite der Leuchtdiode vorgesehen. Die Leuchtdiode kann so beispielsweise über den elektrischen Anschluss und den weiteren elektrischen Anschluss mit Strom versorgt und somit zur Lichterzeugung verwendet werden.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Ausnehmung eine optisch aktive Schicht der Leuchtdiode durchgreift. Die Ausnehmungen sind etwas tiefer, als die optisch aktive pn-Schicht des Halbleiters (der Leuchtdiode) angeordnet ist. Die Ausnehmung ist also, ausgehend von der Oberfläche des Substrats beziehungsweise des Halbleiters, so ausgebildet, dass sie auch in der optisch aktiven Schicht der Leuchtdiode vorliegt. Die Tiefe der Ausnehmung kann beispielsweise 30 μm bis 50 μm betragen.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Korngröße des photolumineszierenden Materials an die Abmessung der Ausnehmung angepasst ist. Durch eine geeignete Anpassung der Korngröße beziehungsweise der Körnung des photolumineszierenden Materials (beispielsweise YAG/TAG oder Borsilikate) an die Abmessung der Ausnehmung (beispielsweise die Breite) wird erreicht, dass das seitlich aus der Leuchtdiode austretende Licht mit hoher Wahrscheinlichkeit auf ein Korn des photolumineszierenden Materials trifft und so zu einer erhöhten Lichtumwandlungsrate führt.
  • Das photolumineszierende Material ist ein Lichtkonversionsmaterial. Mit dem photolumineszierenden Material werden die Ausnehmungen ausgefüllt und die Leuchtdiode zumindest bereichsweise abgedeckt. Wie bereits vorstehend beschrieben, kann dabei eine Anpassung der Körnung des photolumineszierenden Materials an die Abmessung der Ausnehmung erfolgen.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Leuchtmodul für eine LED-Beleuchtung und/oder im Automobilbereich verwendet wird. Besonders in letzterer werden hohe thermische Anforderungen gestellt, sodass es vorteilhaft ist, den Wirkungsgrad des Leuchtmoduls soweit als möglich zu erhöhen, um eine Wärmefreisetzung des Leuchtmoduls zu verringern.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert, ohne dass eine Beschränkung der Erfindung erfolgt. Es zeigen:
  • 1 eine seitliche Schnittansicht des Leuchtmoduls mit einem auf einer Metallschicht angeordneten Substrat, in welchem Ausnehmungen vorgesehen sind, die mit photolumineszierendem Material ausgefüllt sind, und
  • 2 eine Ansicht des aus 1 bekannten Leuchtmoduls von oben.
  • Die 1 zeigt ein Leuchtmodul 1, mit einem Substrat 2, in welcher eine Leuchtdiode 3 ausgebildet ist. Die Leuchtdiode 3 wird von einer Schicht 4 aus photolumineszierendem Material abgedeckt. In einer Oberfläche 5 des Substrats 2 sind Ausnehmungen 6 vorgesehen, die ebenfalls mit dem photolumineszierenden Material ausgefüllt sind. Die Schicht 4 erstreckt sich also auch in die Ausnehmungen 6. Auf einer Unterseite 7 der Leuchtdiode 3 ist eine Metallschicht 8 vorgesehen.
  • Die Leuchtdiode 3 wird von einem Steg 9 eingefasst, der diese zumindest bereichsweise umläuft. Der Steg 9 stellt also die äußersten Bereiche des zu der Leuchtdiode 3 gehörigen Substrats 2 dar. Der Steg 9 kann einen elektrischen Anschluss 10 der Leuchtdiode 3 bilden, während die Metallschicht 8 einen weiteren Anschluss 11 darstellt. Somit kann die Leuchtdiode 3 über die Anschlüsse 10 und 11 mit Strom versorgt und somit zur Abgabe von Licht angeregt werden.
  • In dem in 1 dargestellten Beispiel bildet das zu der Leuchtdiode 3 gehörige Substrat 2 auf seiner gesamten Höhe – also bis zur Metallschicht 8 – eine optisch aktive Schicht 12 der Leuchtdiode 3. Die Ausnehmungen 6 sind so vorgesehen, dass die gesamte optisch aktive Schicht 12 der Leuchtdiode 3 durchgriffen ist. Die Ausnehmungen 6 können somit bis auf die Metallschicht 8 reichen. In einer weiteren Ausgestaltung kann es überdies vorgesehen sein, dass die Ausnehmung 6 etwas tiefer reicht als die optisch aktive Schicht 12. Dies ist insbesondere dann vorgesehen, wenn die Leuchtdiode 3 nicht von der gesamten Höhe des Substrats 2 gebildet ist, sondern lediglich von einer oberen Schicht. Die optisch aktive Schicht 12 gibt Licht ab, sobald die Leuchtdiode 3 mit Strom versorgt wird. Das Licht wird zum Einen von einer Oberfläche 5 des Substrats 2 über die Schicht 4 in eine Umgebung 13 der Leuchtdiode 3 abgegeben. Zusätzlich wird Licht von durch die Ausnehmungen 6 gebildeten Seitenflächen 14 des Substrats 2 in die Ausnehmungen 6 abgestrahlt. Da in den Ausnehmungen 6 ebenso wie über der Oberfläche 5 die Schicht 4 aus photolumineszierendem Material, beispielsweise „Phosphor”, vorgesehen ist, wird auch dieses Licht aus dem Leuchtmodul 1 in die Umgebung 13 geleitet. Auf diese Weise wird die Lichtausbeute des Leuchtmoduls 1 erhöht.
  • Die 2 zeigt eine Ansicht des Leuchtmoduls 1 von oben. Erkennbar ist das Substrat 2, welches die Leuchtdiode 3 bildet und in dessen Oberfläche 5 die Ausnehmungen 6 vorgesehen sind. Nicht dargestellt ist an dieser Stelle die Schicht 4 aus photolumineszierendem Material. Diese überdeckt, wie in 1 dargestellt, die gesamte Oberfläche 5 und füllt auch die Ausnehmungen 6 aus. Die Leuchtdiode 3 wird von einem Steg 9 eingefasst, der um die gesamte Leuchtdiode 3 herumläuft. An dem Steg 9 ist der Anschluss 10 beispielsweise außen vorgesehen. Das photolumineszierende Material kann eine Gel- beziehungsweise Phosphorschicht bilden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2005/106972 A1 [0002]

Claims (10)

  1. Leuchtmodul (1) mit einem Substrat (2), mindestens einer in dem Substrat (2) gebildeten Leuchtdiode (3) und einer die Leuchtdiode (3) zumindest bereichsweise abdeckenden Schicht (4) aus photolumineszierendem Material, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Oberfläche (5) des Substrats (2) und/oder der Leuchtdiode (3) mindestens eine mit dem photolumineszierendem Material ausgefüllte Ausnehmung (6) vorgesehen ist.
  2. Leuchtmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (6) im Querschnitt im Wesentlichen ein regelmäßiges Muster aufweist, insbesondere im Wesentlichen rechteckig, insbesondere quadratisch, ist.
  3. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Ausnehmungen (6) vorgesehen sind, die insbesondere gleichmäßig zueinander beabstandet sind.
  4. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdiode (3) einen zumindest bereichsweise umlaufenden Steg (9) aufweist.
  5. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Steg (9) einen elektrischen Anschluss (10) der Leuchtdiode (3) bildet.
  6. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Unterseite (7) der Leuchtdiode (3) zumindest bereichsweise eine Metallschicht (8) aufweist.
  7. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (8) einen weiteren elektrischen Anschluss (11) der Leuchtdiode (3) bildet.
  8. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (6) eine optisch aktive Schicht (12) der Leuchtdiode (3) durchgreift.
  9. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngröße des photolumineszierenden Materials an die Abmessung der Ausnehmung (6) angepasst ist.
  10. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Verwendung für eine LED-Beleuchtung und/oder im Automobilbereich.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005106972A1 (de) 2004-04-29 2005-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005106972A1 (de) 2004-04-29 2005-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

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