JP2006100420A - Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】フリップチップ型のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の光取出し効率向上。
【解決手段】半導体発光素子100は、サファイア基板上にバッファ層102、ノンドープGaN層103、高キャリヤ濃度n+層104、n型層105、発光層106、p型層107、ノンドープのGaNとAlGaNとを積層したDBR層108、p型コンタクト層109を順に積層して形成された。DBR層108と正電極120とにより上方へ向かう光の反射率が80%に達し、DBR層108がノンドープ層であることから、静電耐圧が向上した。
【選択図】図1
【解決手段】半導体発光素子100は、サファイア基板上にバッファ層102、ノンドープGaN層103、高キャリヤ濃度n+層104、n型層105、発光層106、p型層107、ノンドープのGaNとAlGaNとを積層したDBR層108、p型コンタクト層109を順に積層して形成された。DBR層108と正電極120とにより上方へ向かう光の反射率が80%に達し、DBR層108がノンドープ層であることから、静電耐圧が向上した。
【選択図】図1
Description
本発明はIII族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。本発明はいわゆるフリップチップ型であって、光取り出し効率の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子構造を提供するものである。
いわゆるフリップチップ型であって、光取り出し効率の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子構造としては、p電極として金(Au)、ロジウム(Rh)等の光反射率の高い金属を用いることが提案されている。
特開2000−36619号公報
特開平8−32116号公報
しかし、光反射率の高い金属を電極として用いた場合(例えば特許文献1)であっても、通常、紫色乃至緑色(波長380〜530nm)の当該金属電極の光反射率は60〜70%程度に留まり、80%を大きく越えるものは得られていない。
本発明者は、特許文献2にも記載されたDBR(Distributed Bragg Reflector)を用いることで光取り出し効率を向上させる際、当該DBRの最適位置を検討し、当該DBRをノンドープとすることを着想することにより、本発明を完成させるに至った。
上記の課題を解決するため、請求項1に記載の手段によれば、III族窒化物系化合物半導体を積層させて形成したフリップチップタイプの半導体素子において、2つのp型層の間に、ノンドープの複数種類のIII族窒化物系化合物半導体を繰り返し積層した、発光層の発する光を反射するための多重層を形成したことを特徴とする。
また、請求項2に記載の手段によれば、前記多重層は、GaNとAlxGa1-xN(0<x<1)との多重層であることを特徴とする。また、請求項3に記載の手段によれば、前記2つのp型層の一方は、p電極と接する層であることを特徴とする。
本発明者は、III族窒化物系化合物半導体を繰り返し積層してDBRを形成する際、単に発光層に対して基板(光取り出し側)と逆側に設けるのみでなく、当該DBRを2つのp型層の間に設けることが、駆動電圧を高くしない観点から重要であることを見出した。当該2つのp型層の一方が、電極を形成する層である場合に特に効果が著しい。また、当該DBRをノンドープにより形成することで、当該DBRに、静電耐圧効果を持たせることができることを見出した。このように、本願発明は著しい効果を有するものである。
本発明の好ましい実施の形態について説明する。まず、本願で用いる「ノンドープ」の語は、意図的に当該層を形成する際にドーパント不純物を導入しないの意に留まり、何らかの技術的理由で「ドーパント」が混入するものを排除するものではない。当該技術的理由としては近接する層からのマイグレーションや、異なる層を形成する境界時における導入原料の切り替えが完全でないことによるコンタミネーション、或いは製造装置の洗浄不良等により「常に」微量に生成するコンタミネーションがあげられる。これら意図的でなく「ドーパント」が混入した層は、実質的には本願で言う「ノンドープ層」に包含されるものとする。
本発明の主たる特徴である、DBRを形成する多重層は、次のように形成される。まず、屈折率の異なる2つの層を選択する。例えばGaNとAlxGa1-xN(0<x<1)とし、当該AlxGa1-xNのアルミニウム組成xを決定し、各々の屈折率を得る。次に発光層から発せられる光の、当該DBRを形成する2つの層中での波長の1/4の厚さにそれら2つの層の厚さを決定する。
DBRの構成の例を組成及び屈折率と共に示せば次の通りである。屈折率2.47のGaNと、屈折率2.35のAl0.25Ga0.75Nを用いる場合は、光の空気中(又は屈折率1の媒体中)の波長に応じて、次のような厚さでDBRを形成する。波長380nmの紫色(近紫外光)を発するLEDについては、GaNの膜厚を385Å、Al0.25Ga0.75Nの膜厚を404Åとする。波長460nmの青色を発するLEDについては、GaNの膜厚を466Å、Al0.25Ga0.75Nの膜厚を489Åとする。波長500nmの青緑色を発するLEDについては、GaNの膜厚を506Å、Al0.25Ga0.75Nの膜厚を532Åとする。波長530nmの緑色を発するLEDについては、GaNの膜厚を536Å、Al0.25Ga0.75Nの膜厚を564Åとする。
本発明に係るIII族窒化物系化合物半導体発光素子は、上記の発明の主たる構成に係る限定の他は、任意の構成を取ることができる。また、発光素子は発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、フォトカプラその他の任意の発光素子として良い。特に本発明に係るIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法としては任意の製造方法を用いることができる。
具体的には、結晶成長させる基板としては、サファイヤ、スピネル、Si、SiC、ZnO、MgO或いは、III族窒化物系化合物単結晶等を用いることができる。III族窒化物系化合物半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法(MBE)、有機金属気相成長法(MOVPE)、ハイドライド気相成長法(HVPE)、液相成長法等が有効である。
電極形成層等のIII族窒化物半導体層は、少なくともAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1)にて表される2元系、3元系若しくは4元系の半導体から成るIII族窒化物系化合物半導体で形成することができる。また、これらのIII族元素の一部は、ボロン(B)、タリウム(Tl)で置き換えても良く、また、窒素(N)の一部をリン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)で置き換えても良い。
更に、これらの半導体を用いてn型のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する場合には、n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を添加し、p型不純物としては、Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等を添加することができる。
発光層は単層、単一量子井戸構造(SQW)、多重量子井戸構造(MQW)その他任意の構成をとることができる。発光層を多重量子井戸構造とする場合は、少なくともインジウム(In)を含むIII族窒化物系化合物半導体AlyGa1-y-zInzN(0≦y<1, 0<z≦1)から成る井戸層を含むものが良い。発光層の構成は、例えばドープされた、又はアンドープのGa1-zInzN(0<z≦1)から成る井戸層と、当該井戸層よりもバンドギャップの大きい任意の組成のIII族窒化物系化合物半導体AlGaInNから成る障壁層が挙げられる。好ましい例としてはアンドープのGa1-zInzN(0<z≦1)の井戸層とアンドープのGaNから成る障壁層である。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
図1に、本発明の実施例に係る半導体発光素子100の模式的な断面図を示す。半導体発光素子100では、図1に示す様に、厚さ約300μmのサファイヤ基板101の上に、窒化アルミニウム(AlN)から成る膜厚約15nmのバッファ層102が成膜され、その上にノンドープのGaNから成る膜厚約500nmの層103が成膜され、その上にシリコン(Si)を1×1018/cm3ドープしたGaNから成る膜厚約5μmのn型コンタクト層104(高キャリヤ濃度n+層)が形成されている。
また、このn型コンタクト層104の上には、シリコン(Si)を1×1017/cm3ドープした膜厚25nmのn型Al0.15Ga0.85Nから成るn型層105が形成されている。更にその上には、膜厚3nmのノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061と膜厚20nmのノンドープGaNから成る障壁層1062とを3ペア積層して多重量子井戸構造の発光層106が形成されている。
更に、この発光層106の上には、Mgを2×1019/cm3ドープした膜厚25nmのp型Al0.15Ga0.85Nから成るp型層107が形成されている。p型層107の上には、膜厚47nmのノンドープGaNから成る層1081と膜厚49nmのノンドープAl0.25Ga0.75Nから成る層1082とを5ペア積層した多重層(DBR層)108が形成されている。多重層(DBR層)108の上には、Mgを8×1019ドープした膜厚100nmのp型GaNから成るp型コンタクト層109を形成した。
又、p型コンタクト層108の上には金属蒸着による薄膜金属層111が形成されている。薄膜金属層111は、p型コンタクト層108に接合する膜厚約10Åのコバルト(Co)またはニッケル(Ni)より成る金属層で構成されている。正電極120は、膜厚約3000Åのロジウム(Rh)により形成した。尚、正電極120は銀(Ag)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、または、これらの金属を少なくとも1種類以上含んだ合金より成る金属層により構成しても良い。
多層構造のn電極140は、n型コンタクト層104の一部露出された部分の上から、膜厚約18nmのバナジウム(V)より成る第1層141と膜厚約100nmのアルミニウム(Al)より成る第2層142とを積層させることにより構成されている。また、最上部には、SiO2膜より成る保護膜130が形成されている。
〔比較例1〕
上記実施例1で、多重層(DBR層)108を形成せず、図2のような半導体発光素子900を用意し、これらの素子特性の比較を行った。
上記実施例1で、多重層(DBR層)108を形成せず、図2のような半導体発光素子900を用意し、これらの素子特性の比較を行った。
実施例1に係る図1の半導体発光素子100の全放射束は、図2の半導体発光素子900の全放射束の1.4倍となった。これは、多重層(DBR層)108とロジウム(Rh)から成る正電極120とにより、反射率が82%となったものと計算された。
また、実施例1に係る図1の半導体発光素子100の静電耐圧は、順方向電圧で6000Vと測定され、図2の半導体発光素子900の静電耐圧は、順方向電圧で3000Vと測定された。即ち、多重層(DBR層)108により、静電耐圧は200%に向上(100%増)した。
また、実施例1に係る図1の半導体発光素子100の静電耐圧は、順方向電圧で6000Vと測定され、図2の半導体発光素子900の静電耐圧は、順方向電圧で3000Vと測定された。即ち、多重層(DBR層)108により、静電耐圧は200%に向上(100%増)した。
〔比較例2〕
図1の半導体発光素子100の多重層(DBR層)108の位置は、p型半導体層107とp型コンタクト層109との間であった。これに替えて、発光層106/多重層(DBR層)108/p型半導体層107/p型コンタクト層109/電極部の順に積層した場合と、発光層106/p型半導体層107/p型コンタクト層109/多重層(DBR層)108/電極部の順に積層した場合とで発光素子を形成した。これらの発光素子は、光取り出し効率及び静電耐圧は図1の半導体発光素子100と同程度であったが、駆動電圧が上昇した。
図1の半導体発光素子100の多重層(DBR層)108の位置は、p型半導体層107とp型コンタクト層109との間であった。これに替えて、発光層106/多重層(DBR層)108/p型半導体層107/p型コンタクト層109/電極部の順に積層した場合と、発光層106/p型半導体層107/p型コンタクト層109/多重層(DBR層)108/電極部の順に積層した場合とで発光素子を形成した。これらの発光素子は、光取り出し効率及び静電耐圧は図1の半導体発光素子100と同程度であったが、駆動電圧が上昇した。
100:半導体発光素子
101:サファイヤ基板
102:バッファ層
103:ノンドープGaN層
104:高キャリア濃度n+層
105:n型半導体層
106:発光層
107:p型半導体層
108:多重層(DBR層)
109:p型コンタクト層
111:薄膜金属層
120:正電極
130:保護膜
140:n電極
101:サファイヤ基板
102:バッファ層
103:ノンドープGaN層
104:高キャリア濃度n+層
105:n型半導体層
106:発光層
107:p型半導体層
108:多重層(DBR層)
109:p型コンタクト層
111:薄膜金属層
120:正電極
130:保護膜
140:n電極
Claims (3)
- III族窒化物系化合物半導体を積層させて形成したフリップチップタイプの半導体素子において、
2つのp型層の間に、ノンドープの複数種類のIII族窒化物系化合物半導体を繰り返し積層した、発光層の発する光を反射するための多重層を形成したことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記多重層は、GaNとAlxGa1-xN(0<x<1)との多重層であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記2つのp型層の一方は、p電極と接する層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
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2004
- 2004-09-28 JP JP2004282492A patent/JP2006100420A/ja not_active Withdrawn
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