JP2011222486A - 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板と対向して配された第２基板と、第１基板と第２基板との間に配され、有機発光素子を含むディスプレイ部と、第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と、ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配され、磁性体が分散された充填材と、を備える有機発光ディスプレイ装置である。
【選択図】図２
【解決手段】第１基板と、第１基板と対向して配された第２基板と、第１基板と第２基板との間に配され、有機発光素子を含むディスプレイ部と、第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と、ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配され、磁性体が分散された充填材と、を備える有機発光ディスプレイ装置である。
【選択図】図２
Description
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
有機発光ディスプレイ装置は、相互対向する電極間に有機発光層を位置させ、一側電極から注入された電子と他側電極から注入された正孔とが有機発光層で結合し、この時の結合を通じて発光層の発光分子が励起された後、基底状態に戻りつつ放出されるエネルギーを光として発光させる平板ディスプレイ装置のうち一つである。
このような有機発光ディスプレイ装置は、視認性が優秀であり、軽量化、薄型化を図ることができ、低電圧で駆動できて、次世代ディスプレイとして注目されている。
しかし、有機発光ディスプレイ装置は、外部の酸素及び水分の浸透によって劣化する問題点がある。このような問題を解決するために、フリット(ｆｒｉｔ)のような無機材シーラントを使用して有機発光素子を密封している。このようなフリット封止構造は、溶融されたフリットを硬化させて、基板と密封基板とを完全に密封させうるので、吸湿剤を使用する必要がないので、さらに効果的に有機発光素子を保護できる。
しかし、フリット封止構造では、外部の衝撃が印加される場合、フリット材料の割れのできる特性によって、フリットの基板の接着面に応力集中現象が発生し、これにより、接着面からクラックが発生して全体基板に広がる問題点がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、機構強度が増大し、有機発光素子の劣化を防止することが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
しかし、フリット封止構造では、外部の衝撃が印加される場合、フリット材料の割れのできる特性によって、フリットの基板の接着面に応力集中現象が発生し、これにより、接着面からクラックが発生して全体基板に広がる問題点がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、機構強度が増大し、有機発光素子の劣化を防止することが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、第１基板と、前記第１基板と対向して配された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配され、有機発光素子を含むディスプレイ部と、前記第１基板と前記第２基板との間に前記ディスプレイ部を取り囲むように配され、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる密封材と、前記ディスプレイ部を覆うように前記密封材の内側に配され、磁性体が分散された充填材と、を備える有機発光ディスプレイ装置が提供される。
前記密封材は、フリットでありうる。
前記フリットは、前記ディスプレイ部から延びて前記第１基板上に形成された無機絶縁層上に備えられうる。
前記充填材は、前記密封材の前記ディスプレイ部に向かう内側境界と直接接触しうる。
前記磁性体は、強磁性体またはフェリ磁性体を含みうる。
前記磁性体は、強磁性体またはフェリ磁性体を含みうる。
前記磁性体は、強磁性体またはフェリ磁性体がキュリー温度以上に加熱されて磁性を喪失した状態でありうる。
前記磁性体は、前記有機発光ディスプレイ装置が動作する温度で磁性を有さない。
前記有機発光素子は、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に介された有機発光層を備え、前記充填材は、前記第２電極の全面に直接接触しうる。
前記第２電極と前記充填材との間に保護膜がさらに備えられうる。
前記磁性体は、１μｍ以下の粒径を有しうる。
上記課題を解決するために、本発明の他の観点によれば、（ａ）有機発光素子を含むディスプレイ部を取り囲むように密封材が備えられた第１基板及び第２基板を準備する工程と、（ｂ）前記密封材の内側に、前記密封材に接触しないように磁性体が分散された充填材をローディングする工程と、（ｃ）前記第１基板及び前記第２基板が対向するように整列し、前記第１基板と第２基板とを合着する工程と、（ｄ）前記密封材を硬化する工程と、（ｅ）前記密封材の外部に磁場をかけて前記磁性体を磁化させ、前記磁化した磁性体を前記密封材の内側境界に拡散させる工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
前記（ａ）工程で、前記密封材は、フリットで形成されうる。
前記（ａ）工程で、前記フリットは、前記ディスプレイ部から延びて第１基板上に形成された無機絶縁層上に備えられうる。
前記（ｂ）工程で、前記磁性体は、強磁性体、またはフェリ磁性体を含みうる。
前記（ｄ）工程で、前記密封材の密封ラインに沿ってレーザを照射して前記密封材を硬化しうる。
前記（ｅ）工程で、前記充填材は、前記密封材の前記ディスプレイ部に向く内側境界と直接接触しうる。
前記（ｅ）工程で、前記密封材の外郭に沿って順次に回り、外部磁場を掛けうる。
前記（ｅ）工程で、前記密封材の外郭に同時に外部磁場を掛けうる。
前記（ｅ）工程以後、前記磁化した磁性体の磁性が除去されるように、前記磁性体のキュリー温度に当たる熱エネルギーを提供する工程をさらに含みうる。
前記磁性体は、前記有機発光ディスプレイ装置が動作する温度で磁性が除去されうる。
前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程をさらに含みうる。
前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程後、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含みうる。
前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程以前、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含みうる。
前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程と同時に、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含みうる。
前記充填材の硬化温度範囲に前記磁性体のキュリー温度範囲が含まれうる。
以上説明したように本発明によれば、充填材が密封材の内側境界面に接触しない状態で密封材を硬化させ、密封材の硬化後、充填材を密封材の内側境界面に接触させうるため、機構強度が増大し、有機発光素子の劣化を防止しうる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
以下、添付した図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示した平面図であり、図２は、第２基板が合着された有機発光ディスプレイ装置の概略的な断面図であり、図３は、図１及び図２のディスプレイ部をさらに詳細に示した断面図である。
前記図面を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置１００は、第１基板１１０、第２基板１２０、密封材１５０、磁性体１８０（図６Ａ)を備える充填材１７０を備える。
第１基板１１０の第２基板１２０に向かう面上に、ディスプレイ部Ｄとパッド部Ｐとが形成され、ディスプレイ部Ｄの外郭には、密封材１５０がディスプレイ部Ｄの外郭を取り囲むように配される。
ディスプレイ部Ｄは、複数の有機発光素子(ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ)１４０、及び各ＯＬＥＤ １４０に接続された複数の薄膜トランジスタ(ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)１３０を含む。各ＯＬＥＤ
１４０の駆動をＴＦＴ １３０で制御するか否かによって、受動駆動型(ＰＭ：Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)及び能動駆動型(ＡＭ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)に分けられうる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置１００は、能動及び受動駆動型のうちいかなる場合にも適用されうる。以下では、ＡＭ有機発光ディスプレイ装置１００を一例として、本発明の実施形態を詳細に説明する。
Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ)１４０、及び各ＯＬＥＤ １４０に接続された複数の薄膜トランジスタ(ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)１３０を含む。各ＯＬＥＤ
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第１基板１１０及び第２基板１２０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材基板を使用できるが、必ずしもこれに限定されず、プラスチック材など多様な材質の基板を利用しうる。
バッファ層１１１上には、ＴＦＴ １３０の活性層１３１が半導体材料によって形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜１１２が形成される。活性層１３１は、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような無機材半導体や有機半導体が使われ、ソース領域１３１ｂ、ドレイン領域１３１ｃ及び、これらの間にチャンネル領域１３１ａを有する。
ゲート絶縁膜１１２上には、ゲート電極１３３が備えられ、これを覆うように層間絶縁膜１１３が形成される。そして、層間絶縁膜１１３上には、ソース電極１３５及びドレイン電極１３６が備えられ、これを覆うようにパッシベーション膜１１４及び平坦化膜１１５が順次に備えられる。
前記のゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、パッシベーション膜１１４、及び平坦化膜１１５は、絶縁体で形成され、無機物、有機物、または有/無機複合物で単層または複数層の構造で形成されうる。一方、前述したＴＦＴの積層構造は、一例示であり、それ以外にも、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
ディスプレイ部Ｄの外郭には、パッド部Ｐが形成される。パッド部Ｐは、複数のパッド電極(図示せず)を含み、パッド電極(図示せず）は、ディスプレイ部Ｄに備えられた多様な導線(図示せず)、例えば、データライン、スキャンライン、または電源供給ラインのように、ディスプレイ素子を駆動するための多様な導線に対応するように連結されることによって、外部信号を各連結された導線を通じてディスプレイ部Ｄに備えられたＯＬＥＤに伝達する。
平坦化膜１１５の上部には、ＯＬＥＤ １４０のアノード電極となる第１電極１４１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜１４４が形成される。画素定義膜１４４に所定の開口部を形成した後、この開口部で限定された領域内に、ＯＬＥＤの有機発光層１４２が形成される。そして、全体画素をいずれも覆うように、ＯＬＥＤのカソード電極となる第２電極１４３が形成される。もちろん、第１電極１４１と第２電極１４３との極性は、相互逆になってもよい。
第１電極１４１は、透明電極または反射型電極となる。第１電極１４１が透明電極となる場合、第１電極１４１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で構成される。一方、第１電極１４１が反射型電極となる場合、第１電極１４１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物で形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された透明膜とを備えうる。
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で構成される。一方、第１電極１４１が反射型電極となる場合、第１電極１４１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物で形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された透明膜とを備えうる。
第２電極１４３も、透明電極または反射型電極となる。第２電極１４３が透明電極となる場合、第２電極１４３は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物が有機発光層１４２に向かうように蒸着して形成された膜と、その上のＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電性物質で形成された補助電極やバス電極ラインとを備えうる。一方、第２電極１４３が反射型電極となる場合には、第２電極１４３は、前記のＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成されうる。
第１電極１４１と第２電極１４３との間に備えられる有機発光層１４２は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物を使用する場合、有機発光層１４２を介して、ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)（図示せず）、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)（図示せず）、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)（図示せず）、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)（図示せず）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(ＣｕＰｃ)、Ｎ,Ｎ−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)をはじめとして、多様に適用可能である。これらの低分子有機物は、マスクを利用して真空蒸着法で形成されうる。
高分子有機物の場合、有機発光層１４２からアノード電極側にホール輸送層(ＨＴＬ)(図示せず）がさらに備えられた構造を有し、この時、ホール輸送層（ＨＴＬ）にＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ−(２,４)−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ−Ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を使用し、発光層にＰＰＶ(Ｐｏｌｙ−ＰｈｅｎｙｌｅｎｅＶｉｎｙｌｅｎｅ)系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用する。
前記図面には示されていないが、画素定義膜１４４の上部には、ＯＬＥＤ １４０と第２基板１２０とのギャップを維持するためのスペーサ(図示せず)がさらに備えられうる。
第１基板１１０の第２基板１２０に向かう面上に、ディスプレイ部Ｄの外郭を取り囲むように密封材１５０が備えられる。もちろん、密封材１５０は、第２基板１２０の第１基板１１０に向かう面上に備えられうる。このような密封材１５０は、第１基板１１０と第２基板１２０とを接合し、外部からＯＬＥＤ
１４０への酸素及び水分の浸透を防止する。
第１基板１１０の第２基板１２０に向かう面上に、ディスプレイ部Ｄの外郭を取り囲むように密封材１５０が備えられる。もちろん、密封材１５０は、第２基板１２０の第１基板１１０に向かう面上に備えられうる。このような密封材１５０は、第１基板１１０と第２基板１２０とを接合し、外部からＯＬＥＤ
１４０への酸素及び水分の浸透を防止する。
密封材１５０は、エポキシのような有機材も使用可能であるが、別途の吸湿剤の使用が不要なフリットのような無機材を使用することが望ましい。フリットは、ガラス材料をペースト状態で第１基板１１０及び/または第２基板１２０に塗布し、レーザまたは紫外線で溶融した後、硬化しつつ第１基板１１０と第２基板１２０とを密封する。
一方、第１基板１１０上に、密封材１５０としてフリットを使用する場合、無機材であるフリットと第１基板１１０との界面接触を強化するために、フリットをディスプレイ部Ｄから直接延設された無機絶縁層上に直接形成しうる。ここで、ディスプレイ部Ｄから直接延設された無機絶縁層というのは、例えば、前述したＴＦＴ
１３０の製造時に形成されるゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、パッシベーション膜１１４のような無機絶縁層が、フリットが形成されるディスプレイ部Ｄの外郭にも共に形成されることを意味する。
１３０の製造時に形成されるゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、パッシベーション膜１１４のような無機絶縁層が、フリットが形成されるディスプレイ部Ｄの外郭にも共に形成されることを意味する。
しかし、外部衝撃が有機発光ディスプレイ装置１００に印加される場合、フリットの割れのできる特性によって、フリットと第１基板１１０及び/または第２基板１２０との接着面に応力集中現象が発生し、これにより、接着面からクラックが発生し、全体基板に拡散しうる。
これを防止するために、第１基板１１０と第２基板１２０とが接合されながら作られる内部空間に充填材１７０が備えられる。充填材１７０は、ディスプレイ装置１００の内部空間を所定の弾性及び粘性を有する物質で充填することによって、外部衝撃から有機発光ディスプレイ装置１００の損傷を防止する。
フリットを含む密封材１５０は、硬化工程を経ねばならないが、密封材１５０の硬化時、高温の紫外線やレーザが照射される。この時、密封材１５０に隣接した周辺の充填材１７０にも、高温の紫外線やレーザが照射されて、充填材１７０が高温に劣化すれば、ＯＬＥＤ
１４０の変性をもたらす恐れがある。もし、このような高温による充填材１７０の劣化を防止するために、充填材１７０を密封材１５０と接触しないように形成する場合、すなわち、密封材１５０の内側境界面と所定間隔のギャップを置いて充填材１７０を形成する場合、外部衝撃の拡散を防止するための充填材１７０本来の機能を十分に発揮できない。
１４０の変性をもたらす恐れがある。もし、このような高温による充填材１７０の劣化を防止するために、充填材１７０を密封材１５０と接触しないように形成する場合、すなわち、密封材１５０の内側境界面と所定間隔のギャップを置いて充填材１７０を形成する場合、外部衝撃の拡散を防止するための充填材１７０本来の機能を十分に発揮できない。
本発明は、前記のような問題点を解決するために、磁性体１８０を充填材１７０の内部に分散させる。
本実施形態による磁性体１８０は、強磁性体、またはフェリ磁性体を含みうる。強磁性体またはフェリ磁性体は、外部から強い磁場を掛けた時、その磁場の方向に強く磁化した後、外部磁場が消えても磁化が残っている物質を称す。
後述するが、このように磁性体(図示せず)を含む充填材１７０は、密封材１５０の硬化時、硬化温度による充填材１７０の劣化を防止するために、まず、充填材１７０が密封材１５０と接触しないように密封材１５０の内側境界面と所定間隔のギャップが維持された状態でディスプレイ部Ｄの中央にローディングされた後、密封材１５０の外部に磁場を掛けて磁化した磁性体(図示せず)を含む充填材１７０を密封材１５０の内側境界に拡散させて形成されたものである。
このように、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置１００の充填材１７０は、密封材１５０の硬化時には、密封材１５０の境界から離隔されて高温による熱損傷を受けないが、密封材１５０の硬化後には、密封材１５０の内側境界と直接接触する構造であるため、ディスプレイ装置１００の劣化防止と同時に、機構強度の向上が可能である。
一方、充填材１７０に分散された磁性体１８０は、密封材１５０の硬化後にも続けて磁性が残存するようにできるが、必要な場合、有機発光ディスプレイ装置１００が動作する範囲、例えば、−２０℃ないし８０℃の範囲で前記磁性体１８０の磁性を除去することもできる。
強磁性体またはフェリ磁性体がキュリー温度以上に加熱されれば、磁性を失わせることができるので、密封材１５０の硬化後、密封材１５０の内側境界まで拡散された磁性体に所定の熱エネルギーを印加して、磁性体の磁性を除去することもできる。
図３に示したように、前述した磁性体１８０が分散された充填材１７０は、ＯＬＥＤ １４０の第２電極１４３の全面に直接接触しうる。また、磁性体１８０が導電性を有する場合、必要に応じて、前記第２電極１４３と充填材１７０との間に絶縁保護膜がさらに備えられうる。
一方、薄型のディスプレイ装置を具現するために、ディスプレイ部Ｄが形成された第１基板１１０と封止層として使われる第２基板１２０との距離は、狭く形成されることが望ましい。本実施形態で、第１基板１１０と第２基板１２０との距離は、２〜４μｍに形成される。したがって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に充填される充填材１７０に含まれた本実施形態による磁性体１８０は、ディスプレイ部Ｄに対する損傷を防止するために、少なくとも１μｍ以下の粒径（例えば、公知の手法（例えば画像解析法）によって磁性体１８０を球体に換算したときの直径）を有することが望ましく、さらに望ましくは、数十ないし数百ｎｍの粒径を有することが望ましい。
図４ないし図８は、本発明の実施形態による有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に示した図面である。
図４を参照すれば、ＯＬＥＤを含むディスプレイ部Ｄを取り囲むように、密封材１５０の備えられた第１基板１１０が準備される。そして、前記図面には示されていないが、封止部材として使われる第２基板１２０（図５)も準備される。もちろん、密封材１５０は、第２基板１２０にも形成されうる。
この時、密封材１５０は、フリットで備えられ、フリットは、前述したように、ディスプレイ部Ｄから直接延設された無機絶縁層上に直接形成されうる。
密封材１５０の内側に、密封材１５０に接触しないように、１μｍ以下の粒径を有する磁性体１８０（図６Ａ)が分散された充填材１７０ａがローディングされる。この時、充填材１７０ａは、密封材１５０と接触しないように、密封材１５０の内側境界面と所定間隔のギャップが維持された状態でディスプレイ部Ｄの中央にローディングされる。
図５を参照すれば、第１基板１１０と第２基板１２０とが相互対向するように整列された後、第１基板１１０と第２基板１２０とを合着し、充填材１７０ａと密封材１５０とに所定間隔のギャップが維持された状態で、密封材１５０の密封ラインに沿ってレーザまたは紫外線を照射して密封材１５０を硬化する。
この時、充填材１７０ａは、密封材１５０から離れているため、レーザまたは紫外線の照射による熱損傷を避けうる。
図６Ａを参照すれば、密封材１５０外部に磁石Ｍが配される。前記図面に示された磁石Ｍは、密封材１５０の外部に印加される磁場形成を説明するための概念的なものであって、前記図面に示された磁石Ｍの形状や磁性の配列(Ｎ極、Ｓ極)に、本発明が限定されない。
前記図面で、磁石Ｍは、密封材１５０の外部である第１基板１１０の第１コーナー部Ｘ１に配されて磁場を形成する。この時、充填材１７０ａは、磁性体１８０を含んでいるため、磁場によって磁化される。磁性体１８０が強磁性体、またはフェリ磁性体を含む場合、磁性体１８０は、外部磁場の方向に強く磁化される。したがって、前記図面に示されたように、磁性体１８０と磁石Ｍとの間に強い磁気力Ｆａが発生し、この磁気力Ｆａによって、充填材１７０ａに含まれた磁性体１８０は、磁気力Ｆａの方向に移動する。したがって、磁性体１８０の含まれた充填材１７０ａが全体的に第１コーナー部Ｘ１方向に移動して、第１コーナー部Ｘ１周辺の密封材１５０の境界面に直接接触し、密封材１５０と充填材１７０ａとのギャップを埋め込む。
図６Ｂを参照すれば、磁石Ｍは、密封材１５０の外部である第１基板１１０の第２コーナー部Ｘ２に配されて磁場を形成する。磁性体１８０と磁石Ｍとの間に強い磁気力Ｆｂが発生し、この磁気力Ｆｂによって、充填材１７０ａに含まれた磁性体１８０は、磁気力Ｆｂの方向に移動する。したがって、磁性体１８０の含まれた充填材１７０ａが全体的に第２コーナー部Ｘ２方向に移動して、第２コーナー部Ｘ２周辺の密封材１５０の境界面に直接接触し、密封材１５０と充填材１７０ａとのギャップを埋め込む。
図６Ａ及び図６Ｂは、磁石Ｍが密封材１５０の外郭に沿って順次に回りつつ外部磁場を形成する一例示を示すためのものであって、前記図面には示されていないが、磁石Ｍは、密封材１５０の外部である第１基板１１０の第３コーナー部Ｘ３及び第４コーナー部Ｘ４に配されて磁場を形成しうる。もちろん、この時にも、磁性体１８０と磁石Ｍとの間に強い磁気力(図示せず）が形成され、この磁気力(図示せず)によって充填材１７０ａに含まれた磁性体１８０は、第３コーナー部Ｘ３及び第４コーナー部Ｘ４方向に移動して密封材１５０と充填材１７０ａとのギャップを埋め込み、全体的に図１に示したように、充填材１７０が密封材１５０のディスプレイ部Ｄに向く内側境界と直接接触する。
一方、図７を参照すれば、磁石Ｍは、密封材１５０の外部である第１基板１１０の各コーナー部Ｘ１,Ｘ２,Ｘ３,Ｘ４に同時に配されて磁場を形成する。
前述した図６Ａ及び図６Ｂが、磁石Ｍが密封材１５０の外郭に沿って順次に磁場が形成される例を示したものならば、図７は、密封材１５０の外郭に磁場が同時に形成される例を示したものである。
詳細には、磁石Ｍは、密封材１５０の外部である第１基板１１０の各コーナー部Ｘ１,Ｘ２,Ｘ３,Ｘ４に同時に配されて磁場を形成する。この時に形成される磁場は、対称的でありうる。したがって、磁性体１８０と各磁石Ｍとの間に強い磁気力Ｆａ,Ｆｂ,Ｆｃ,Ｆｄが発生し、この磁気力Ｆａ,Ｆｂ,Ｆｃ,Ｆｄによって充填材１７０ａに含まれた磁性体１８０は、各磁気力Ｆａ,Ｆｂ,Ｆｃ,Ｆｄの方向に移動する。したがって、磁性体１８０の含まれた充填材１７０ａが全体的に各コーナー部Ｘ１,Ｘ２,Ｘ３,Ｘ４方向に移動して密封材１５０と充填材１７０ａとのギャップを埋め込む。
一方、図６Ａ、図６Ｂ、及び図７には、密封材１５０のコーナーにのみ磁場が形成されると示されたが、これは、密封材１５０のコーナーと充填材１７０ａとのギャップが最も大きいことを考慮して、密封材１５０のコーナー側に最も大きい磁場を形成しただけである、本発明は、これに限定されない。すなわち、多様な位置で磁場を形成しうる。
図８を参照すれば、密封材１５０の硬化及び磁化した磁性体１８０を含む充填材１７０ａを密封材１５０の内側境界面まで拡散させた後、紫外線の照射を利用して、充填材１７０を硬化する。これにより、図２に示された本実施形態による有機発光ディスプレイ装置１００が完成される。
一方、磁化した磁性体１８０は、密封材１５０の硬化後にも磁性が残存し続けるようにできるが、必要に応じて、有機発光ディスプレイ装置が動作する範囲、例えば、−２０℃ないし８０℃の範囲で磁化した磁性体１８０の磁性を除去することもできる。
強磁性体またはフェリ磁性体がキュリー温度以上に加熱されれば、磁性を失うので、密封材１５０の硬化後、密封材１５０の内側境界まで拡散された磁性体に、所定のキュリー温度以上の熱エネルギーを印加して、磁性体の磁性を除去することもできる。
一方、充填材１７０にキュリー温度以上の熱を加えて磁性体１８０の磁性を除去する工程は、前述した充填材１７０の硬化工程前、または充填材１７０の硬化工程後、または充填材１７０の硬化工程と同時に進めうる。
もし、充填材１７０の硬化工程と磁性体１８０の磁性除去工程とを同時に進める場合には、充填材１７０の硬化温度範囲に、充填材１７０に含まれた磁性体１８０のキュリー温度範囲が含まれることが望ましい。
前述したような有機発光ディスプレイ装置の製造方法によれば、充填材１７０ａは、密封材１５０の硬化時には、密封材１５０の境界から離れて高温による熱損傷を受けないが、密封材１５０の硬化後には、密封材１５０の内側境界と直接接触する構造であるため、有機発光ディスプレイ装置の劣化防止と同時に、機構強度の向上が可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。また、前記図面に示された構成要素は、説明の便宜上、拡大または縮小して表示されうるので、図面に示された構成要素のサイズや形状に本発明は拘束されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、ディスプレイ関連の技術分野に好適に適用可能である。
１００ 有機発光ディスプレイ装置
１１０ 第１基板
１２０ 第２基板
１３０ 薄膜トランジスタ
１４０ ＯＬＥＤ
１５０ 密封材
１７０ 充填材
１８０ 磁性体
Ｄ ディスプレイ部
Ｍ 磁石
１１０ 第１基板
１２０ 第２基板
１３０ 薄膜トランジスタ
１４０ ＯＬＥＤ
１５０ 密封材
１７０ 充填材
１８０ 磁性体
Ｄ ディスプレイ部
Ｍ 磁石
Claims (25)
- 第１基板と、
前記第１基板と対向して配された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配され、有機発光素子を含むディスプレイ部と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記ディスプレイ部を取り囲むように配され、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる密封材と、
前記ディスプレイ部を覆うように前記密封材の内側に配され、磁性体が分散された充填材と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 - 前記密封材は、フリットであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記フリットは、前記ディスプレイ部から延びて前記第１基板上に形成された無機絶縁層上に備えられたことを特徴とする請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記充填材は、前記密封材の前記ディスプレイ部に向かう内側境界と直接接触することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記磁性体は、強磁性体またはフェリ磁性体を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記磁性体は、強磁性体またはフェリ磁性体がキュリー温度以上に加熱されて磁性を失った状態であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記磁性体は、前記有機発光ディスプレイ装置が動作する温度で磁性を有さないことを特徴とする請求項６に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記有機発光素子は、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に介された有機発光層を備え、前記充填材は、前記第２電極の全面に直接接触することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第２電極と前記充填材との間に保護膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項８に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記磁性体は、１μｍ以下の粒径を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- （ａ）有機発光素子を含むディスプレイ部を取り囲むように密封材が備えられた第１基板及び第２基板を準備する工程と、
（ｂ）前記密封材の内側に、前記密封材に接触しないように磁性体が分散された充填材をローディングする工程と、
（ｃ）前記第１基板及び前記第２基板が対向するように整列し、前記第１基板と第２基板とを合着する工程と、
（ｄ）前記密封材を硬化する工程と、
（ｅ）前記密封材の外部に磁場を掛けて前記磁性体を磁化させ、前記磁化した磁性体を前記密封材の内側境界に拡散させる工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記（ａ）工程で、前記密封材は、フリットで形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ａ）工程で、前記フリットは、前記ディスプレイ部から延びて第１基板上に形成された無機絶縁層上に備えられることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｂ）工程で、前記磁性体は、強磁性体、またはフェリ磁性体を含むことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｄ）工程で、前記密封材の密封ラインに沿ってレーザを照射して、前記密封材を硬化することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程で、前記充填材は、前記密封材の前記ディスプレイ部に向く内側境界と直接接触することを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程で、前記密封材の外郭に沿って順次に回りつつ外部磁場を掛けることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程で、前記密封材の外郭に同時に外部磁場を掛けることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程以後、前記磁化した磁性体の磁性が除去されるように、前記磁性体のキュリー温度に当たる熱エネルギーを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記磁性体は、前記有機発光ディスプレイ装置が動作する温度で磁性が除去されることを特徴とする請求項１９に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１〜２０のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程後、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程以前、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記（ｅ）工程以後、前記充填材を硬化する工程と同時に、前記磁性体の磁性を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記充填材の硬化温度範囲に、前記磁性体のキュリー温度範囲が含まれることを特徴とすることを特徴とする請求項２４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
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