JP2007200883A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素領域Iと画素領域I以外の領域である非画素領域IIとを備えた基板300と、画素領域Iの基板300上に形成され、半導体層320と、ゲート電極340aと、ソース/ドレイン電極360a,360bとを含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結されている第1電極380と、第1電極380上に位置する画素定義膜390と、第1電極380及び画素定義膜390上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層400と、有機膜層400上に位置する第2電極410と、基板300上に形成される少なくとも1つの無機膜370と、基板300を封止する封止基板420と、非画素領域IIの無機膜370上に位置し、基板300と封止基板420とを封止するためのフリット430と、を含む。
【選択図】図2d
Description
より、有機物からなる有機平坦化膜が損傷される。
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板と、前記有機膜層が少なくとも密封されるように、前記基板と重ね合わされた封止基板と、前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする。
Matrix Organic Light Emitting Device:PMOLED)は、一般的にストリップ形態のカソード1006とこれに垂直となるように配列されたストリップ形態のアノード1004との間に介在された有機膜層1010を含む。この際、カソード1006とアノード1004の交差により個々のOLED画素が定義され、アノード1004及びカソード1006による適切な励起子により光が生成される。このようなPMOLEDは、簡単に製作できるという利点を提供する。
Matrix Organic Light Emitting Device:AMOLED)は、基板1002とOLED画素アレイとの間に駆動回路1012を含む。A
MOLEDの個々の画素は、共通のカソード1006及び電気的に断絶された各々のアノード1004により定義される。各駆動回路1012は、OLED画素のアノード1004と結合され、データライン1016及びスキャンライン1018に連結される。例えば、スキャンライン1018は、駆動回路の選択された線にスキャン信号を供給し、データライン1016は、特定の駆動回路にデータ信号を供給する。前記データ信号及びスキャン信号は、該当画素から光を放出するために、アノード1004を反応させる駆動回路1012に印加される。
もよい。また、発光層の有機物質は、低分子物質であってもよい。
周波数による光の吸収特性を調整するためである。また、充填物または添加物は、フリットの熱膨張系を調整するために添加された充填物をさらに含むことができる。例えば、充填物または添加物は、遷移金属、クロム(Cr)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、銅(Cu)、及びバナジウムなどを含むことができる。また、付加的に、充填物または添加物は、ZnSiO4、PbTiO3、ZrO2、及びユークリプタイト(eucryptite)をさらに含むことができる。
図2a〜図2dは、本発明の第1実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図で
ある。
成する。無機平坦化膜370の厚さが1μm以下なら、良好な平坦化特性が得られず、5μm以上なら、素子の厚さが厚くなるという短所がある。
接着力が低下し、ガラスフリットが剥離することを防止することができるという利点がある。
図3a〜図3gは、本発明の第2実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
(第1電極580、有機膜層600、第2電極610)が形成されていない領域、すなわち、フリット620が塗布される領域をエッチングする。言い換えれば、最上層に形成された有機平坦化層570をエッチングすることによって、フリット620が有機膜層と直接的に接触せず、有機平坦化層570の下部に形成された無機膜560と直接的に接触するようになる。したがって、レーザーなどの熱に鈍感な無機膜とフリット620とが直接的に接触し、後続して進行するフリット620に所定の熱処理を加える工程時に、無機膜560に損傷が加えられない。これにより、フリット620による基板500と封止基板630との接着特性が向上する。一方、有機平坦化層570をエッチングする工程は、ドライエッチング法を使用することが好ましい。このようなドライエッチング工程には、イオンビームエッチング、RFスパッタリングエッチング、反応性イオンエッチング(RIE)などが用いられる。
図4a〜図4fは、本発明の第3実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。
た前記所定の構造物を外部の酸素及び水分から保護するために所定の構造物を間に置いて、基板700と重ね合わされる。このとき、封止基板830は、制限されるわけではないが、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)、及び酸窒化シリコンオキシナイトライド(SiOxNy)よりなる群から選択された少なくとも1つの材料で形成することが可能である。
310 バッファ層、
320,510,710 半導体層、
330,520,720 ゲート絶縁膜、
340a,530,730 ゲート電極、
350,540,740 層間絶縁膜、
360,550,750 ソース/ドレイン電極、
370,570,770 平坦化膜、
380,580,780 第1電極、
390,590,790 画素定義膜、
400,600,800 有機膜層、
410,610,810 第2電極、
420,630,830 封止基板、
430,620,820 フリット。
Claims (33)
- 画素領域と前記画素領域以外の領域である非画素領域とを備えた基板と、
前記画素領域の基板上に形成され、半導体層と、ゲート電極と、ソース/ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に連結されている第1電極と、
前記第1電極上に位置する画素定義膜と、
前記第1電極及び前記画素定義膜上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に位置する第2電極と、
前記基板に形成される少なくとも1つの無機膜と、
前記基板を封止する封止基板と、
前記非画素領域の無機膜上に位置し、前記基板と前記封止基板とを封止するためのフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記無機膜は、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、または無機平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはSOG膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機平坦化膜の厚さは、1〜5μmであることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットは、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された1種以上を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットは、前記基板の周縁部に位置することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記封止基板の一の面に位置する吸湿剤をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記吸湿剤は、透明吸湿剤であることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 画素領域と非画素領域とを含む基板を準備する段階と、
前記画素領域の基板上に、半導体層と、ゲート電極と、ソース/ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記基板の全面にわたって少なくとも1つの無機膜を形成する段階と、
前記画素領域に、前記薄膜トランジスタに連結されるように第1電極を形成する段階と、
前記第1電極上に画素定義膜を形成する段階と、
前記非画素領域の無機膜上の前記画素定義膜をエッチングして除去する段階と、
前記画素領域の第1電極及び画素定義膜上に、少なくとも発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって第2電極を形成する段階と、
前記非画素領域の第2電極をエッチングして除去する段階と、
封止基板または前記基板の周縁部にフリットを塗布し、前記基板を封止する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記基板を封止する段階は、前記基板の周縁部の無機膜上にフリットを塗布することを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板を封止する段階の後に、前記フリットにレーザーを照射して前記基板と前記封止基板とを接着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記無機膜は、スピンコーティング法によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記フリットは、ディスペンシング法またはスクリーン印刷法によって塗布されることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを少なくとも備えた基板と、
前記基板と重ね合わされた封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記有機平坦化層は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された1つの材料から形成されることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のうち少なくとも1つから形成されることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットは、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むことを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機膜と、前記無機膜上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された有機発光ダイオードとを備えた基板を準備する段階と、
前記無機膜の一領域が露出されるように、前記有機平坦化層の一領域をエッチングする段階と、
周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、
前記露出された無機膜の前記一領域と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、
前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記有機平坦化層をエッチングする段階は、前記有機平坦化層をドライエッチングすることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ドライエッチングは、イオンビームエッチング、RFスパッタリングエッチング、及び反応性イオンエッチングよりなる群から選択された1つの方法により実施されることを特徴とする請求項19に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記フリットは、レーザーまたは赤外線によって溶融されることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板と、
前記有機膜層が少なくとも密封されるように、前記基板と重ね合わされた封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に介在され、前記無機膜と接触するフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記有機膜層は、発光層と、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層よりなる群から選択された少なくとも一つの層と、を含むことを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜は、アノード電極であることを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記アノード電極は、アルミニウム、モリブデンタングステン、モリブデン、銅、銀、アルミニウム合金、銀合金、ITO、IZO、及び半透明金属よりなる群から選択された少なくとも1つの物質を含むことを特徴とする請求項24に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜と前記有機膜層との間に、アノード電極が設けられていることを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のうち少なくとも1つから形成されることを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記有機平坦化層は、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、及びベンゾシクロブテンよりなる群から選択された1つの材料から形成されることを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットは、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むことを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の一領域上に順次に積層された無機膜及び有機膜層とを少なくとも備えた基板を準備する段階と、
周縁部に沿ってフリットが塗布された封止基板を準備する段階と、
前記無機膜と前記フリットとが直接的に接触するように、前記基板と前記封止基板とを重ね合わせる段階と、
前記フリットを溶融させて、前記基板と前記封止基板とを接着する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記無機膜は、アノード電極が延長されてなることを特徴とする請求項30に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記無機膜と前記有機膜層との間に、アノード電極が形成されることを特徴とする請求項30に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記フリットは、レーザーまたは赤外線によって溶融されることを特徴とする請求項30に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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