KR20170079877A - 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자는 기판; 기판의 상부면에 형성되는 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층; 전극층의 일부에 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층; 전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 형성되는 도전성 물질로 이루어진 상대전극; 액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 부착되는 접착필름; 및 접착필름과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 위치하여 양끝단 테두리를 따라 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키는 커버 소재를 포함하며, 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성한다.

Description

접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자 및 이의 제조 방법{Organic Electronic Device Encapsulation Technologies of Adhesive Film and Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 유기전자소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성하여 고온에서 봉지재료 열팽창이 나노스케일의 유기소자로 전파됨을 막고 유기소자의 고온 안정성을 향상시키는 접착필름 봉지 기술을 이용한 유기전자소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기전자장치(Organic Electronic Device)는 정공 또는 전자를 이용하여 전하의 흐름을 발생하는 유기 재료층을 포함하는 장치를 의미한다.
그 예로는 광전지 장치(Photovoltaic Device), 정류기(Rectifier), 트랜스미터(Transmitter) 및 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등을 들 수 있다.
유기전자장치 중 유기발광다이오드는 기존 광원에 비하여 전력 소모량이 적고, 응답 속도가 빠르며, 표시장치 또는 조명의 박형화에 유리하다. 또한, OLED는 공간 활용성이 우수하여 각종 휴대용 기기, 모니터, 노트북 및 TV에 걸친 다양한 분야에서 적용될 것으로 기대되고 있다.
OLED의 상용화 및 용도 확대에 있어서, 가장 주요한 문제점은 내구성 문제이다. OLED에 포함된 유기재료 및 금속 전극 등은 수분 등의 외부적 요인에 의해 매우 쉽게 산화된다.
따라서, OLED를 포함하는 제품은 환경적 요인에 크게 민감하다. 이에 따라 OLED 등과 같은 유기전자장치에 대한 외부로부터의 산소 또는 수분 등의 침투를 효과적으로 차단하기 위하여 다양한 방법이 제안되어 있으며, 그 중 하나로는 접착필름을 사용하는 방법이 알려져 있다.
유기전자소자는 수분 또는 산소에 접하는 경우 발광 효율의 저하 및 수명 열화가 일어나므로 제조 과정으로부터 수분 및 산소를 배제한 환경 분위기 속에서 밀봉막을 형성해야 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
종래 기술에 따른 접착필름의 봉지 기술을 적용한 유기전자소자는 글라스(Glass)나 필름(Film)으로 제작된 기판(10)의 상면에 스퍼터링을 통해 금속 또는 투명 전도성 산화물의 양극 전극(11)이 순차적으로 형성되며, 양극 전극(11)의 상부에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 및 정공 수송층, 정공 주입층이 순차적으로 적층된 활성층(12)이 형성되고, 양극 전극(11)과 활성층(12)의 상부에 캐소드인 음극 전극(14)이 형성된다.
이때, 활성층(12)에 사용되는 유기 화합물 역시 산소와 수분에 열화되기 쉽다. 이러한 산소와 수분으로부터 보호하기 위하여 접착필름(13)을 활성층(12)이 형성된 부분과 활성층(12)의 상부에 형성된 양극 전극(11)을 보호막으로 밀봉한다.
밀봉된 접착필름(13)의 상부에는 커버소재로 글라스(15)가 형성되고 글라스(15)와 음극 전극(14)을 봉지재료(15)로 밀봉한다.
접착필름(13)은 유기 화합물의 접합을 통하여 봉지를 진행하기 때문에 봉지한 후 고온 조건에서 유기 소재의 고유 특성에서 기인한 열팽창(Thermal Stress)이 일어나게 된다.
열팽창으로 인하여 유기전자소자는 전극(11, 14) 또는 활성층(12)의 내부로 인장응력(Tensile Stress)이 전파될 소지가 있다. 나노 스케일의 소자에서는 수백 나노 단위의 인장응력에 의해서 소자 특성이 열화되는 현상이 발생되는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성하여 고온에서의 열팽창의 전파를 막고 나노 스케일의 유기소자의 고온 안정성을 향상시키는 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자는,
기판;
기판의 상부면에 형성되는 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층;
전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층;
전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 형성되는 도전성 물질로 이루어진 상대전극;
액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 부착되는 접착필름; 및
접착필름과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 위치하여 양끝단 테두리를 따라 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키는 커버 소재를 포함하며, 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성한다.
본 발명의 특징에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자는,
기판;
기판의 상부면에 형성되는 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층;
전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층;
전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 형성되는 도전성 물질로 이루어진 상대전극;
액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 부착되는 접착필름;
접착필름의 상부면과 상대전극의 상부면 일부에 접착을 막도록 형성되는 밀봉부재; 및
밀봉부재의 상부면에 형성되어 양끝단 테두리를 따라 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키는 커버 소재를 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 제조 방법은,
기판의 상부면에 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층을 형성하는 단계;
전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층을 형성하는 단계;
전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 도전성 물질로 이루어진 상대전극을 형성하는 단계;
액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 접착필름을 부착하는 단계; 및
접착필름과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 커버 소재를 위치하여 커버 소재의 양끝단 테두리를 따라 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키면 접착필름과 상기 커버 소재의 사이에 공극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 제조 방법은,
기판의 상부면에 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층을 형성하는 단계;
전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층을 형성하는 단계;
전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 도전성 물질로 이루어진 상대전극을 형성하는 단계;
액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 접착필름을 부착하는 단계;
접착필름의 상부면과 상대전극의 상부면 일부에 접착을 막도록 댐 역할을 하는 밀봉부재를 형성하는 단계; 및
밀봉부재의 상부면에 형성되어 양끝단 테두리를 따라 상대전극 간을 봉지재료인 커버 소재로 밀봉시키는 단계를 포함한다.
전술한 구성에 의하여, 본 발명은 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성하여 고온에서의 열팽창의 전파를 막으며 유기소자의 고온 안정성을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성하고 공극 안에 비활성 가스를 충진하여 봉지 공정 전후의 안정성을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 접착필름과 커버 소재의 사이에 공극을 형성하여 유기전자소자의 고온 안정성을 향상시켜 유기전자소자의 양산을 위한 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 접착필름의 봉지 기술을 이용한 유기전자소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 접착필름의 봉지 기술을 적용한 유기전자소자(100)는 기판(101), 투명전극(102), 액티브 영역층(110), 상대전극(120), 접착필름(130), 커버 소재(140), 3차 봉지재료(150) 및 공극(160)을 포함한다.
기판(101)은 투명한 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 플라스틱의 구체적인 예로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Poly Ethylene Naphthalate: PEN), 폴리카보네이트(Poly-Carbonate: PC), 폴리프로필렌(Poly-Propylene: PP), 폴리이미드(Poly- Imide: PI), 트리 아세틸 셀룰로오스(Tri Acetyl Cellulose: TAC) 등을 들 수 있다.
기판(101)의 상부면에 스퍼터링 또는 진공 증착을 통해 투명전극(102)을 형성한다(도 3의 (a)).
투명전극(102)은 TCO Glass로서 인듐 틴 산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 플루오르 틴 산화물(Fluorine Tin Oxide: FTO), 안티몬 틴 산화물(Antimony Tin Oxide: ATO), 징크 산화물(Zinc Oxide), 틴 산화물(Tin Oxide), ZnOGa2O3, ZnO-Al2O3 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다.
투명전극(102)이 형성된 기판(101)은 상부면 일측에 나노 스케일의 액티브(Active) 영역층(110)을 형성한다(도 3의 (b)).
액티브 영역층(110)은 페로브스카이트(Perovskite)에서 여기된 전자 수송층인 TiO2(작동전극), 빛을 받으면 전자가 여기되는 층인 활성층, 정공수송층인 HTM(Hole Transfer Materials) 중 하나 이상의 층을 포함한다.
액티브 영역층(110)을 페로브스카이트 광흡수층으로 구성하는 경우 제조 공정은 다음을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
나노 입자의 금속 산화물 페이스트는 이산화티탄(TiO2)의 분말을 용매로 에탄올을 혼합하여 금속 산화물이 분산된 콜로이드 용액을 제조한다.
투명전극(102) 위에 제조된 금속 산화물 페이스트를 스핀 코팅 기술을 이용하여 코팅한 후 소결한다.
TiO2 필름이 코팅된 TCO 글라스 위에는 페로브스카이트 용액을 스핀 코팅 기술을 이용하여 코팅한다. 다시 말해, 각각의 투명전극(102)의 상부면에 다공질 금속 산화물로 이루어진 페로브스카이트 광흡수층을 형성한다.
이와 같이 페로브스카이트계 염료의 제조 방법은 전술한 선행기술 문헌에 기재되어 있어 상세한 설명을 생략한다.
정공수송층은 단분자 정공 전달 물질 또는 고분자 정공 전달 물질을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 단분자 정공 전달 물질로서, spiro-MeOTAD [2,2',7,7'-tetrakis(N,N-p-dimethoxy-phenylamino)-9,9'-spirobifluorene]를 사용할 수 있고, 상기 고분자 정공 전달 물질로서 P3HT[poly(3-hexylthiophene)]를 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한, 예를 들어, 정공수송층에는 도핑 물질로서 Li 계열 도펀트, Co 계열 도펀트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 도펀트를 사용하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어 상기 정공 전달 물질로서, spiro-MeOTAD, tBP, Li-TFSI의 혼합물질을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
또한, 액티브 영역층(110)은 페로브스카이트 광흡수층으로부터 전자를 받아 상대전극(120)으로 이동시킬 수 있는 전자 수송 물질로 이루어진 전자수송층을 포함할 수 있다.
전자 수송 물질은 플러렌 유도체 중 [6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스테르(Phenyl-C61-butyric Acid Methyl ester, PCBM)을 사용한다.
전자수송층은 PCBM을 예시하고 있지만, 이에 한정하지 않고 전자를 이동시키는 물질이면 어떠한 물질도 가능하며 ETL(Electron Transportiong Layer)를 적용할 수도 있다.
일례로 들면 ETL은 PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자 물질을 사용할 수 있다.
액티브 영역층(110)은 유기 재료층으로 정공 주입층, 발광층, 전자 주입층 등을 포함할 수도 있다.
투명전극(102)과 액티브 영역층(110)의 상부면에 디스펜싱 도포, 스크린 인쇄 방법을 이용하여 상대전극(120)을 코팅한다(도 3의 (c)).
상대전극(120)은 도전성 물질이면 사용 가능하며 구체적으로는 박막형태 또는 나노구조체 형태의 백금, 루테늄, 팔라듐, 이리듐, 로듐(Rh), 오스뮴(Os), 탄소(C), WO3, TiO2 , Au, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 사용할 수 있다.
상대전극(120)의 형성은 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스퍼터 증착, 열증착(Thermal Evaporation), 딥코팅(Dip coating), 이빔 증착(E-Beam Evaporation), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 등 다양한 방법을 사용할 수 있다.
접착필름(130)은 5 내지 90㎛의 두께를 가질 수 있으며, 액티브 영역층(110)이 포함된 영역을 커버하도록 전사한다. 접착필름(130)의 구체적인 예로는 양면접착필름이 사용될 수 있으며, 더욱 구체적으로는 가시광선 영역의 광투과성이 90%인 양면접착봉지필름을 사용하는 것이 좋다. 상기 양면접착필름을 적용하는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 양면접착필름(130)의 기재 또는 이형필름을 박리한 후, 상온에서 액티브 영역층(110)이 포함된 상대전극(120) 부분에 전사하거나 열을 가하면서 진공 프레스 또는 진공 라미네이터 등을 사용하여 액티브 영역층(110)이 포함된 상대전극(120) 부분에 전사한다(도 3의 (d)).
이러한 과정에서 양면접착필름의 경화 반응이 지나친 고온에서 이상 이루어질 경우 양면접착필름의 밀착력 내지 접착력이 감소할 우려가 있으므로 공정 온도를 80 내지 100℃ , 공정 시간을 5분 이내로 제어할 수 있다.
압착된 접착필름(130)은 추가적인 경화 공정을 수행할 수도 있는데 예를 들면 가열 챔버 또는 UV 챔버에서 진행할 수 있다.
커버 소재(140)는 2차 봉지재료로서 접착필름(130)과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 위치하여 양끝단 테두리를 따라 상대전극(120)의 간을 3차 봉지재료(150)를 격벽으로 형성하여 밀봉시킨다(도 3의 (e-1), (f)). 이때, 접착필름(130)과 커버 소재(140)의 사이의 공극(160)은 1 내지 100㎛의 이격 범위(최소단위: 1㎛ 이하일 경우 약 80℃의 온도 변화 내에서 열팽창하는 봉지재료에 의해 소자에 스트레스가 전파될 가능성이 있으며, 최대단위: 100㎛ 이상의 공극층을 갖는 경우 상대적으로 낮은 WVTR값을 갖는 접착필름으로 인하여 소자의 열화를 야기할 수 있음)를 가질 수 있으며 공기 또는 비활성 가스를 충진하여 유기전자소자(100)의 안정성을 도모한다.
이러한 공극(160)은 고온에서의 열팽창의 전파를 막으며 나노 스케일의 액티브 영역층(110)의 유기 재료의 고온 안정성을 향상시킨다.
2차 봉지재료인 커버 소재(140)와 3차 봉지재료(150)는 각각 낮은 수분투습도(Water Vapor Transmission, WVTR)을 갖는 글라스, 플렉시블 폴리머 또는 레진 등으로 구성할 수 있다.
다른 실시예로서, 도 3의 (e-2)는 접착필름(130)의 상부면과 상대전극(120)의 상부면 일부에 접착을 막도록 댐 역할을 하는 밀봉부재(170)를 형성하고, 도 3의 (f)는 밀봉부재(170)의 상부면에 형성되어 양끝단 테두리를 따라 상대전극(120) 간을 봉지재료인 커버 소재(140)로 밀봉시킨다.
밀봉부재(170)는 접착필름(130)과 커버 소재(140)의 접촉을 막는 댐 역할을 하는 재료로 다양한 실런트(Sealant)용 물질 또는 여러 겹의 내열성 테이프 등으로 이루어질 수 있으며, 이외에도 다양한 물질로 이루어질 수 있으며, 구체적으로 밀봉재료(170)의 열팽창계수는 10 × 10-5/℃ 이하의 범위를 가질 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 유기전자소자
101: 기판
102: 투명전극
110: 액티브 영역층
120: 상대전극
130: 접착필름
140: 커버 소재
150: 3차 봉지재료
160: 공극
170: 밀봉부재

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판의 상부면에 형성되는 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층;
    상기 전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층;
    상기 전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 형성되는 도전성 물질로 이루어진 상대전극;
    상기 액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 부착되는 접착필름; 및
    상기 접착필름과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 위치하여 양끝단 테두리를 따라 상기 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키는 커버 소재를 포함하며, 상기 접착필름과 상기 커버 소재의 사이에 공극을 형성하는 유기전자소자.
  2. 기판;
    상기 기판의 상부면에 형성되는 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층;
    상기 전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층;
    상기 전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 형성되는 도전성 물질로 이루어진 상대전극;
    상기 액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 부착되는 접착필름;
    상기 접착필름의 상부면과 상기 상대전극의 상부면 일부에 접착을 막도록 형성되는 밀봉부재; 및
    상기 밀봉부재의 상부면에 형성되어 양끝단 테두리를 따라 상기 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키는 커버 소재를 포함하는 유기전자소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액티브 영역층은 페로브스카이트(Perovskite)에서 여기된 전자 수송층, 빛을 받으면 전자가 여기되는 층인 활성층, 정공수송층인 HTM(Hole Transfer Materials) 중 하나 이상의 층을 포함하는 유기전자소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 1 내지 100㎛의 이격 범위를 갖는 유기전자소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 비활성기체로 충진된 유기전자소자.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 밀봉부재는 상기 접착필름과 상기 커버 소재의 접촉을 막는 댐 역할을 하는 재료로 실런트(Sealant)용 물질 또는 여러 겹의 내열성 테이프로 형성하는 유기전자소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유기전자소자는 광전지장치, 정류기, 트랜스미터 또는 유기발광다이오드에 사용되는 유기전자소자.
  8. 기판의 상부면에 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층을 형성하는 단계;
    상기 전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층을 형성하는 단계;
    상기 전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 도전성 물질로 이루어진 상대전극을 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 접착필름을 부착하는 단계; 및
    상기 접착필름과 연직 상방으로 일정 거리 이격되도록 커버 소재를 위치하여 상기 커버 소재의 양끝단 테두리를 따라 상기 상대전극 간을 봉지재료로 밀봉시키면 상기 접착필름과 상기 커버 소재의 사이에 공극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
  9. 기판의 상부면에 투명 전도성 물질로 이루어진 전극층을 형성하는 단계;
    상기 전극층의 일부에 형성되어 정공 또는 전자의 흐름을 발생하는 활성층인 액티브 영역층을 형성하는 단계;
    상기 전극층과 상기 액티브 영역층의 상부면에 도전성 물질로 이루어진 상대전극을 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역층이 포함된 영역을 커버하도록 접착필름을 부착하는 단계;
    상기 접착필름의 상부면과 상기 상대전극의 상부면 일부에 접착을 막도록 댐 역할을 하는 밀봉부재를 형성하는 단계; 및
    상기 밀봉부재의 상부면에 형성되어 양끝단 테두리를 따라 상기 상대전극 간을 봉지재료인 커버 소재로 밀봉시키는 단계를 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 공극은 1 내지 100㎛의 이격 범위를 갖는 유기전자소자의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 공극은 비활성기체로 충진시키는 유기전자소자의 제조 방법.





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