CN109860423A - 一种oled顶发射的封装结构及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及OLED封装技术领域，特别是一种OLED顶发射的封装结构，包括基板，所述基板上设置OLED蒸镀区域，在OLED蒸镀区域蒸镀发光显示区域；所述OLED蒸镀区域上沉积薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖OLED蒸镀区域边缘且不覆盖发光显示区域；基板上沉积氮化硅聚合物层。采用上述结构和方法后，本发明该封装结构既有较高的阻隔水氧性能，又能减少光的损失，提高光的透过率。并且在发光亮度方面，只需要调节氮化硅聚合物的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及OLED封装技术领域，特别是一种OLED顶发射的封装结构及制备方法。
背景技术
有机电致发光器件 (Organic Light-Emitting Diode，以下简称 ：OLED) 因具备主 动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，而被称之为第三代 梦幻显示技术。目前，在全球厂商持续资金投入与技术研发的推动下，OLED 平板显示技术 正趋向于量产技术日益成熟与市场需求高速增长阶段。
OLED 按照出光方向可以分为三种，即 ：底发射 OLED、顶发射 OLED 与双面发射OLED。底发射 OLED 是指光从基板射出的 OLED，双面发射 OLED 是指光同时从基板和器件顶 部射出的 OLED，顶发射 OLED 是指光从器件顶部射出的 OLED。其中，顶发射 OLED 由于不受 基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上 TFT 电路的设计，丰富 了电极材料的选择，有利于器件与 TFT 电路的集成。由于 OLED 对水汽和氧气非常敏感 , 渗 入 OLED 内的水汽和氧气会腐蚀有机功能层及电极材料 , 严重影响器件寿命，因此为了延长 器件寿命以及提高器件稳定性，需要对 OLED 进行封装处理以形成OLED 封装结构，具体地， 可在 OLED 上形成一阻隔层，该阻隔层可包括无机绝缘层和有机绝缘层，从而达到避免水汽 和氧气渗入 OLED 的目的。
中国发明专利CN 104659270 A公开了一种OLED 封装结构，包括 ：衬底基 板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述 OLED 形成于 所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层 交替形成于所述 OLED 之上。
在OLED顶发射结构中，光从Mg-Ag阴极射出，透过率较低，然后经过覆盖整个显示区的薄膜封装层，增加光的损失，使光的透过率进一步降低，发光亮度随之减小。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种能够有效减少光的损失且提高光透过率的OLED顶发射的封装结构及制备方法。
为解决上述技术问题，本发明的一种OLED顶发射的封装结构，包括基板，所述基板上设置OLED蒸镀区域，在OLED蒸镀区域蒸镀发光显示区域；所述OLED蒸镀区域上沉积薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖OLED蒸镀区域边缘且不覆盖发光显示区域；基板上沉积氮化硅聚合物层。
本发明还公开了一种OLED顶发射的封装结构制备方法，首先在基板上的OLED蒸镀区域，蒸镀发光显示区域；然后在用原子层沉积系统，搭配特制图案的掩模板，将高纯三甲基铝或四氯化钛和水沉积薄膜封装层；其中薄膜封装层需覆盖OLED蒸镀区域的边缘，但不覆盖发光显示区域；然后利用PECVD系统，将高纯氨和高纯硅烷在基板上沉积氮化硅聚合物层。
优选的，所述薄膜封装层的纯度为99.9999%。
优选的，所述氮化硅聚合物层的纯度为99.999%。
采用上述结构和方法后，本发明该封装结构既有较高的阻隔水氧性能，又能减少光的损失，提高光的透过率。并且在发光亮度方面，只需要调节氮化硅聚合物的厚度。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明一种OLED顶发射的封装结构示意图。
图2为本发明发光显示区域只有氮化硅聚合物的光透强度示意图。
图3为本发明发光显示区为薄膜封装+氮化硅聚合物的光透强度示意图。
图中：1为发光显示区域，2为OLED蒸镀区域，3为薄膜封装层，4为氮化硅聚合层。
具体实施方式
如图1所示，本发明的一种OLED顶发射的封装结构，包括基板，所述基板上设置OLED蒸镀区域2，在OLED蒸镀区域2蒸镀发光显示区域1；所述OLED蒸镀区域2上沉积薄膜封装层3，所述薄膜封装层3覆盖OLED蒸镀区域2边缘且不覆盖发光显示区域1；基板上沉积氮化硅聚合物层4。
本发明的具体制备方法如下：首先在基板上的OLED蒸镀区域，蒸镀发光显示区域；然后在用原子层沉积系统，搭配特制图案的掩模板，将高纯三甲基铝或四氯化钛和水沉积薄膜封装层（氧化铝或氧化钛等），纯度均为99.9999%；其中薄膜封装层需覆盖OLED蒸镀区域的边缘，但不覆盖发光显示区域；然后利用PECVD系统，将高纯氨和高纯硅烷在基板上沉积氮化硅聚合物层，纯度为99.999%。
如图2和图3所示，在分光光度计的测量下，发光显示区域只有氮化硅聚合物的光透过强度（intensity）明显高于发光显示区为薄膜封装+氮化硅聚合物。如表1所示，我们摘录了红绿蓝三原色波长处对应的光透过强度，只有氮化硅聚合物的光透过强度（intensity）大约比发光显示区为薄膜封装+氮化硅聚合物的光透过强度（intensity）高0.05（5个百分点）。
表1为红绿蓝透过强度对比表
| 波长/nm | Intensity（氮化硅聚合物） | Intensity（薄膜封装+氮化硅聚合物） |
| 460 | 0.852 | 0.793 |
| 550 | 0.879 | 0.831 |
| 610 | 0.982 | 0.935 |
经过对比可以看出本发明该封装结构既有较高的阻隔水氧性能，又能减少光的损失，提高光的透过率。并且在发光亮度方面，只需要调节氮化硅聚合物的厚度。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离本发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。
Claims (4)
1.一种OLED顶发射的封装结构，包括基板，其特征在于：所述基板上设置OLED蒸镀区域，在OLED蒸镀区域蒸镀发光显示区域；所述OLED蒸镀区域上沉积薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖OLED蒸镀区域边缘且不覆盖发光显示区域；基板上沉积氮化硅聚合物层。
2.一种OLED顶发射的封装结构制备方法，其特征在于：首先在基板上的OLED蒸镀区域，蒸镀发光显示区域；然后在用原子层沉积系统，搭配特制图案的掩模板，将高纯三甲基铝或四氯化钛和水沉积薄膜封装层；其中薄膜封装层需覆盖OLED蒸镀区域的边缘，但不覆盖发光显示区域；然后利用PECVD系统，将高纯氨和高纯硅烷在基板上沉积氮化硅聚合物层。
3.根据权利要求2所述的一种OLED顶发射的封装结构制备方法，其特征在于：所述薄膜封装层的纯度为99.9999%。
4.根据权利要求2所述的一种OLED顶发射的封装结构制备方法，其特征在于：所述氮化硅聚合物层的纯度为99.999%。
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