CN109980067A - 高光效白光芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高光效白光芯片及其制备方法,其中,高光效白光芯片,包括:倒装蓝光LED芯片、电极、高反胶以及金属层;其中,所述电极设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面;所述高反胶于所述电极四周设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面,且所述高反胶层的厚度与所述电极的厚度相同;所述金属层电镀于所述电极表面,其在白光芯片电极一侧表面设置一层高反胶(高反射率胶),将底部的光,通过该高反胶层反射出去,以降低光的损失,提高光效。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域,特别涉及一种高光效白光芯片及其制备方法。
背景技术
CSP的全称是Chip Scale Package,即芯片级封装器件,其是最新一代的内存芯片封装技术,其技术性主要体现为让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,与理想情况的1:1相当接近。在LED产业,CSP封装是基于倒装技术而存在的,CSP器件是指将封装体积与倒装芯片体积控制至相同或封装体积不大于倒装芯片体积的20%,在照明行业,CSP因为体积小,灵活度高,应用范围将越来越广泛。
在现有的CSP白光芯片中,将白光芯片在基板上贴片使用时,超过20%的光会从芯片底部发出,由一般来说,基板的反射率较低,以此会有部分光损失,造成光源的光效降低。
发明内容
针对上述问题,本发明旨在提供一种高光效白光芯片及其制备方法,有效解决现有技术中由于基板的因素影响CSP白光芯片光效的技术问题。
为达到上述目的,本发明提供的技术方案如下:
一种高光效白光芯片,包括:倒装蓝光LED芯片、电极、高反胶以及金属层;其中,
所述电极设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面;
所述高反胶于所述电极四周设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面,且所述高反胶层的厚度与所述电极的厚度相同;
所述金属层电镀于所述电极表面。
进一步优选地,所述白光芯片中还包括荧光胶层,所述荧光胶层设置于倒装蓝光LED芯片中除电极侧表面的其他表面。
进一步优选地,所述白光芯片中还包括荧光胶层,所述荧光胶层设置于所述倒装蓝光LED芯片的发光侧表面;且所述高反胶层还设置于所述倒装蓝光LED芯片中除电极侧表面和发光侧表面的其他表面。
进一步优选地,所述荧光胶层中包括预设比例的SiO2,所述SiO2均匀分布在所述荧光胶中。
进一步优选地,在所述荧光胶层中,荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
本发明还提供了一种高光效白光芯片的制备方法,包括:
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面镀上电极;
将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上,电极侧表面朝上;
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化;
对涂布了高反胶的电极侧表面进行研磨,直到露出电极;
在露出的电极表面电镀金属层。
进一步优选地,将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上之后,还包括:在相邻倒装蓝光LED芯片之间喷射荧光胶并固化,所述荧光胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致;
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化中,具体为:在倒装蓝光芯片和荧光胶表面涂布高反胶;
在露出的电极表面电镀金属层之后,还包括:去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面设荧光胶层。
进一步优选地,在步骤将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上之后,还包括:
在相邻倒装蓝光LED芯片之间喷射高反胶并固化,所述高反胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致;
步骤在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化中,具体为:在倒装蓝光芯片和荧光胶表面涂布高反胶;
在露出的电极表面电镀金属层之后,还包括:去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面设荧光胶层。
进一步优选地,所述荧光胶中包括预设比例的SiO2,所述SiO2均匀分布在所述荧光胶中。
进一步优选地,在所述荧光胶中,荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
为了解决现有技术中基板造成白光芯片光损失的技术问题,在本发明中,在白光芯片电极一侧表面设置一层高反胶(高反射率胶),将底部的光,通过该高反胶层反射出去,以降低光的损失,提高光效。
另外,在本发明中,在荧光粉中添加一定量的SiO2,大大降低了白光芯片表面荧光胶层的黏性,以此在贴片过程中,不再会出现因荧光胶层黏住贴片机吸嘴导致灯珠无法脱离吸嘴的现象,提高了贴片效率的同时保障了不会影响白光芯片的亮度。
附图说明
图1-图6为本发明一实例中高光效白光芯片流程示意图;
图7为本发明另一实例总高光效白光芯片结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种高光效白光芯片,具体在该白光芯片中包括:倒装蓝光LED芯片、电极(如铜电极、铝电极、金电极等金属电极,厚度范围10~200μm)、高反胶以及金属层;其中,电极设于倒装蓝光LED芯片的电极侧表面;高反胶于电极四周设于倒装蓝光LED芯片的电极侧表面,且高反胶层的厚度与电极的厚度相同;金属层电镀于电极表面。在使用的过程中,将该白光芯片固定在基板上使用时,从白光芯片底部(电极侧表面)发出来的光,由制备在该侧的高反胶层反射回去,降低光的损失,提高光效。
在一实例中,该高光效白光芯片为单面出光芯片,在制备过程中,首先,在倒装蓝光LED芯片1电极侧表面镀上铜电极4,并将镀好铜电极4的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板3上,其中,电极侧表面朝上;接着,在相邻倒装蓝光LED芯片之间点上或喷射高反胶2,并在150°下烘烤2个小时,将高反胶固化,填充的高反胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致,如图1所示;接着,在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶5,同样在150°下烘烤2个小时,将高反胶固化,如图2所示;之后,对涂布了高反胶5的电极侧表面进行研磨,直到露出铜电极,如图3所示;接着,在露出的电极表面电镀金6,如图4所示;最后,去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面贴荧光膜片7,如图5所示,并沿着倒装蓝光LED芯片之间的沟槽进行切割,得到单颗单面出光的白光芯片,如图6所示。在另一实例中,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面贴的荧光膜片中包括预设比例的SiO2,且SiO2均匀分布在荧光胶中,以降低荧光膜片的粘度,具体,荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2,荧光粉的质量根据芯片的色度决定。
在另一实例中,该高光效白光芯片为五面出光芯片,即在白光芯片的其他五个面包括荧光胶层。在制备过程中,首先,在倒装蓝光LED芯片电极侧表面镀上铜电极,并将镀好铜电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上,其中,电极侧表面朝上;接着,在相邻倒装蓝光LED芯片之间点上或喷射荧光胶,并在150°下烘烤2个小时,将荧光胶固化,填充的荧光胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致;接着,在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶,同样在150°下烘烤2个小时,将高反胶固化;之后,对涂布了高反胶的电极侧表面进行研磨,直到露出铜电极;接着,在露出的电极表面电镀金;最后,去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面喷射荧光胶,同样在150°下烘烤2个小时固化,并沿着倒装蓝光LED芯片之间的沟槽进行切割,得到单颗单面出光的白光芯片,如图7所示。
Claims (10)
1.一种高光效白光芯片,其特征在于,所述白光芯片中包括:倒装蓝光LED芯片、电极、高反胶以及金属层;其中,
所述电极设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面;
所述高反胶于所述电极四周设于所述倒装蓝光LED芯片的电极侧表面,且所述高反胶层的厚度与所述电极的厚度相同;
所述金属层电镀于所述电极表面。
2.如权利要求1所述的白光芯片,其特征在于,所述白光芯片中还包括荧光胶层,所述荧光胶层设置于倒装蓝光LED芯片中除电极侧表面的其他表面。
3.如权利要求1所述的白光芯片,其特征在于,所述白光芯片中还包括荧光胶层,所述荧光胶层设置于所述倒装蓝光LED芯片的发光侧表面;且所述高反胶层还设置于所述倒装蓝光LED芯片中除电极侧表面和发光侧表面的其他表面。
4.如权利要求2或3所述的白光芯片,其特征在于,所述荧光胶层中包括预设比例的SiO2,所述SiO2均匀分布在所述荧光胶中。
5.如权利要求4所述的高光效白光芯片,其特征在于,在所述荧光胶层中,荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
6.一种高光效白光芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法中包括:
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面镀上电极;
将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上,电极侧表面朝上;
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化;
对涂布了高反胶的电极侧表面进行研磨,直到露出电极;
在露出的电极表面电镀金属层。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上之后,还包括:在相邻倒装蓝光LED芯片之间喷射荧光胶并固化,所述荧光胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致;
在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化中,具体为:在倒装蓝光芯片和荧光胶表面涂布高反胶;
在露出的电极表面电镀金属层之后,还包括:去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面设荧光胶层。
8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在步骤将镀好电极的倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上之后,还包括:
在相邻倒装蓝光LED芯片之间喷射高反胶并固化,所述高反胶的高度与倒装蓝光LED芯片高度一致;
步骤在倒装蓝光LED芯片电极侧表面涂布高反胶并固化中,具体为:在倒装蓝光芯片和荧光胶表面涂布高反胶;
在露出的电极表面电镀金属层之后,还包括:去除支撑基板,在倒装蓝光LED芯片发光侧表面设荧光胶层。
9.如权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,所述荧光胶中包括预设比例的SiO2,所述SiO2均匀分布在所述荧光胶中。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在所述荧光胶中,荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112462554A (zh) * | 2020-07-16 | 2021-03-09 | 江西省晶能半导体有限公司 | 新型发光装置及其制备方法、背光模组 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618925A (zh) * | 2004-10-12 | 2005-05-25 | 罗维鸿 | 生产光色均一的白光led的方法 |
CN105742458A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-06 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
CN106129231A (zh) * | 2015-05-05 | 2016-11-16 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
CN208271941U (zh) * | 2017-12-27 | 2018-12-21 | 晶能光电(江西)有限公司 | 高光效白光芯片 |
-
2017
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618925A (zh) * | 2004-10-12 | 2005-05-25 | 罗维鸿 | 生产光色均一的白光led的方法 |
CN105742458A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-06 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
CN106129231A (zh) * | 2015-05-05 | 2016-11-16 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
CN208271941U (zh) * | 2017-12-27 | 2018-12-21 | 晶能光电(江西)有限公司 | 高光效白光芯片 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112462554A (zh) * | 2020-07-16 | 2021-03-09 | 江西省晶能半导体有限公司 | 新型发光装置及其制备方法、背光模组 |
CN112462554B (zh) * | 2020-07-16 | 2024-05-17 | 江西晶亮光电科技协同创新有限公司 | 新型发光装置及其制备方法、背光模组 |
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