KR102592790B1 - 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박리층을 기점으로 하여 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 용이하게 박리할 수 있으며, 육방정 단결정 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리가 완료한 것을 용이하게 판별할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼의 생성 방법은, 육방정 단결정 잉곳(50)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)의 집광점(FP)을 육방정 단결정 잉곳(50)의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳(50)에 레이저 광선(LB)을 조사하여 박리층(74)을 형성하는 박리층 형성 공정과, 생성해야 할 웨이퍼에 대면시켜 물의 층(LW)을 사이에 두고 초음파 발생 유닛(6)을 위치시키고 초음파를 발생시켜 박리층(74)을 파괴하는 초음파 발생 공정과, 생성해야 할 웨이퍼의 상면에 물의 층(LW)을 사이에 두고 높이 검출 유닛(10)을 위치시키고, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳(50)으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치{WAFER PRODUCING METHOD AND WAFER PRODUCING APPARATUS}
본 발명은 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치에 관한 것이다.
IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되어 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 또한, 파워 디바이스, LED 등은 단결정 SiC(탄화규소)를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되어 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인에 가공이 실시되어 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 각 디바이스 칩은 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원기둥 형상의 반도체 잉곳을 와이어 소우로 얇게 절단함으로써 생성된다. 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마함으로써 경면으로 마무리된다(예컨대 특허문헌 1 참조). 그러나, 반도체 잉곳을 와이어 소우로 절단하고, 절단한 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 반도체 잉곳의 대부분(70∼80％)이 버려지게 되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다. 특히 육방정 단결정 SiC 잉곳에서는, 경도가 높아 와이어 소우로의 절단이 곤란하여 상당한 시간을 요하기 때문에 생산성이 나쁘며, 잉곳의 단가가 높아 효율적으로 웨이퍼를 생성하는 것에 과제를 가지고 있다.
그래서 본 출원인은 육방정 단결정 SiC에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 SiC 잉곳의 내부에 위치시키고 육방정 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 절단 예정면에 박리층을 형성하고, 박리층을 기점으로 하여 육방정 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 기술을 제안하였다(예컨대 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-94221호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2016-111143호 공보
그런데, 박리층을 기점으로 하여 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 것이 곤란하며 생산 효율이 나쁘다고 하는 문제가 있다. 또한, 육방정 단결정 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리가 완료하였는지의 여부를 판별하기 어렵다고 하는 문제도 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 박리층을 기점으로 하여 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 용이하게 박리할 수 있으며, 육방정 단결정 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리가 완료한 것을 용이하게 판별할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 측면에 따르면, 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면(端面)으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정과, 물의 층을 사이에 두고 생성해야 할 웨이퍼에 대면하도록 초음파 발생 유닛을 위치시키고 초음파를 발생시켜 박리층을 파괴하는 초음파 발생 공정과, 생성해야 할 웨이퍼의 상면에 물의 층을 사이에 두고 높이 검출 유닛을 위치시키고, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 공정을 포함한 웨이퍼의 생성 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 박리 검출 공정에서 사용하는 높이 검출 유닛은, 간섭식 레이저 측장기(測長器), 또는 초음파 측장기이다. 바람직하게는, 육방정 단결정 잉곳은, c축과 c축에 대하여 직교하는 c면을 갖는 육방정 단결정 SiC 잉곳이고, 상기 박리층 형성 공정에서, 육방정 단결정 SiC에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 SiC 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 SiC가 Si와 C로 분리된 개질부와 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성한다. 바람직하게는, 육방정 단결정 잉곳은, 단면의 수선(垂線)에 대하여 c축이 기울어 c면과 단면에 오프각이 형성되어 있는 육방정 단결정 SiC 잉곳이고, 상기 박리층 형성 공정에서, 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향에 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 크랙을 생성하고, 오프각이 형성되는 방향으로 크랙의 폭을 넘지 않는 범위에서 육방정 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향에 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 크랙을 순차 생성한 박리층을 형성한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성한 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 장치로서, 생성해야 할 웨이퍼에 대면하는 단면을 가지며 물의 층을 사이에 두고 초음파를 발생시키는 초음파 발생 유닛과, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이를 물의 층을 사이에 두고 검출하는 높이 검출 유닛과, 상기 높이 검출 유닛과 연결되어 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 유닛을 구비한 웨이퍼의 생성 장치가 제공된다.
본 발명의 웨이퍼의 생성 방법에 따르면, 박리층을 기점으로 하여 잉곳으로부터 웨이퍼를 용이하게 박리할 수 있으며, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리가 완료한 것을 용이하게 판별할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 생성 장치에 따르면, 박리층을 기점으로 하여 잉곳으로부터 웨이퍼를 용이하게 박리할 수 있으며, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리가 완료한 것을 용이하게 판별할 수 있다.
도 1은 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 생성 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 잉곳 유지 유닛에 SiC 잉곳을 유지시키는 상태를 나타내는 웨이퍼의 생성 장치의 사시도이다.
도 3의 (a)는 SiC 잉곳의 정면도이고, (b)는 SiC 잉곳의 평면도이다.
도 4의 (a)는 도 3에 나타내는 SiC 잉곳에 박리층이 형성되어 있는 상태를 나타내는 사시도이고, (b)는 도 3에 나타내는 SiC 잉곳에 박리층이 형성되어 있는 상태를 나타내는 정면도이다.
도 5의 (a)는 박리층이 형성된 SiC 잉곳의 평면도이고, (b)는 (a)에서의 B-B선 단면도이다.
도 6은 SiC 잉곳에 초음파가 부여되고 있는 상태를 나타내는 웨이퍼의 생성 장치의 정면도이다.
도 7은 SiC 잉곳에 초음파가 부여되고 있는 상태에서, 높이 검출 유닛과 생성해야 할 웨이퍼의 간격의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8은 박리된 웨이퍼에 웨이퍼 유지 수단이 밀착하고 있는 상태를 나타내는 웨이퍼의 생성 장치의 정면도이다.
도 9는 박리된 웨이퍼가 웨이퍼 유지 수단에 의해 흡인 유지되고 있는 상태를 나타내는 웨이퍼의 생성 장치의 정면도이다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 웨이퍼의 생성 장치의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1에 나타내는 웨이퍼의 생성 장치(2)는, 육방정 단결정 SiC 잉곳(이하, 단순히 잉곳이라고 약칭함)을 유지하는 잉곳 유지 유닛(4)과, 생성해야 할 웨이퍼에 대면하는 단면(6a)을 가지며 물의 층을 사이에 두고 초음파를 발생시키는 초음파 발생 유닛(6)과, 생성해야 할 웨이퍼와 초음파 발생 유닛(6) 사이에 물을 공급하여 물의 층을 생성하는 물 공급 수단(8)과, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이를 물의 층을 사이에 두고 검출하는 높이 검출 유닛(10)과, 높이 검출 유닛(10)과 연결되어 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 유닛(12)과, 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지 수단(14)을 구비한다.
도 1 및 도 2를 참조하여 잉곳 유지 유닛(4)에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서의 잉곳 유지 유닛(4)은, 원기둥형의 베이스(16)와, 베이스(16)의 상면에 회전 가능하게 탑재된 원기둥형의 유지 테이블(18)과, 유지 테이블(18)의 직경 방향 중심을 통과하여 상하 방향으로 연장되는 축선을 중심으로 하여 유지 테이블(18)을 회전시키는 모터(도시하지 않음)를 구비한다. 잉곳 유지 유닛(4)은, 적절한 접착제(예컨대 에폭시 수지계 접착제)를 통해 유지 테이블(18)의 상면에 고정된 잉곳을 유지할 수 있다. 또는, 잉곳 유지 유닛(4)은, 흡인 수단(도시하지 않음)에 접속된 다공질의 흡착 척(도시하지 않음)이 유지 테이블(18)의 상단 부분에 배치되어, 흡인 수단으로 흡착 척의 상면에 흡인력을 생성함으로써, 잉곳을 흡인 유지하는 구성이어도 좋다.
본 실시형태에서의 웨이퍼의 생성 장치(2)는, 또한, 초음파 발생 유닛(6)과 물 공급 수단(8)과 높이 검출 유닛(10)과 웨이퍼 유지 수단(14)을 도 1에 화살표(Y)로 나타내는 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 방향 이동 기구(20)를 구비한다. Y축 방향 이동 기구(20)는, Y축 방향으로 연장되는 직사각 형상의 안내 개구(22a)가 형성된 직방체형의 프레임체(22)와, 프레임체(22)의 내부에서 Y축 방향으로 연장되는 제1 볼나사(도시하지 않음)와, 제1 볼나사에 연결된 기단부로부터 도 1에 화살표(X)로 나타내는 X축 방향으로 연장되는 제1 이동 부재(24)와, 제1 볼나사의 한쪽 단부에 연결된 제1 모터(26)와, 프레임체(22)의 내부에서 Y축 방향으로 연장되는 제2 볼나사(도시하지 않음)와, 제2 볼나사에 연결된 기단부로부터 X축 방향으로 연장되는 제2 이동 부재(28)와, 제2 볼나사의 한쪽 단부에 연결된 제2 모터(30)를 포함한다. 그리고 Y축 방향 이동 기구(20)는, 제1 볼나사에 의해 제1 모터(26)의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여 제1 이동 부재(24)에 전달하고, 안내 개구(22a)를 따라 제1 이동 부재(24)를 Y축 방향에 이동시키며, 제2 볼나사에 의해 제2 모터(30)의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여 제2 이동 부재(28)에 전달하고, 안내 개구(22a)를 따라 제2 이동 부재(28)를 Y축 방향으로 이동시킨다. 또한, X축 방향과 Y축 방향은 직교하고 있으며, X축 방향 및 Y축 방향이 규정하는 평면은 실질상 수평이다.
본 실시형태에서는 도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 이동 부재(24)의 선단 하면에는 하방으로 연장되는 원기둥형의 제1 승강 수단(32)이 접속되고, 제1 승강 수단(32)의 하단에는 원기둥형의 초음파 발생 유닛(6)이 접속되어 있다. 이 때문에, 제1 이동 부재(24)가 Y축 방향으로 이동함으로써, 제1 승강 수단(32) 및 초음파 발생 유닛(6)이 Y축 방향으로 이동하도록 되어 있다. 제1 승강 수단(32)은, 예컨대 볼나사와 모터를 갖는 전동 실린더로 구성될 수 있다. 그리고 제1 승강 수단(32)에서는, 초음파 발생 유닛(6)을 승강시키며 임의의 위치에서 정지시킴으로써, 초음파 발생 유닛(6)의 하측의 원형상 단면(6a)을 생성해야 할 웨이퍼에 대면시킨다. 초음파 발생 유닛(6)은, 압전 세라믹스 등으로 형성되어, 초음파를 발생시키도록 되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 물 공급 수단(8)은, 제1 이동 부재(24)의 선단 상면에 부설된 원통형의 접속구(34)와, 제1 이동 부재(24)의 선단 하면에 승강 가능하게 지지된 노즐(36)과, 노즐(36)을 승강시키는 노즐 승강 기구(도시하지 않음)를 포함한다. 이 때문에, 제1 이동 부재(24)가 이동함으로써, 물 공급 수단(8)이 Y축 방향으로 이동하도록 되어 있다. 접속구(34)는, 적절한 급수 호스(도시하지 않음)를 통해 물 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 노즐(36)은, 초음파 발생 유닛(6)과 Y축 방향으로 간격을 두고 제1 이동 부재(24)의 선단 하면으로부터 하방으로 연장되고, 계속해서 초음파 발생 유닛(6)을 향하여 약간 하방으로 경사하면서 Y축 방향으로 연장되어 있다. 또한, 노즐(36)은 중공형으로 형성되어 접속구(34)에 연통하고 있다. 예컨대 전동 실린더로 구성될 수 있는 노즐 승강 기구는, 노즐(36)을 승강시키며 임의의 위치에서 정지시킴으로써, 생성해야 할 웨이퍼와 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 노즐(36)의 출구(36a)를 위치시킨다. 이와 같이 구성되어 있는 물 공급 수단(8)은, 생성해야 할 웨이퍼와 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에, 물 공급원으로부터 접속구(34)에 공급된 물을 노즐(36)의 출구(36a)로부터 공급하여 물의 층을 생성하도록 되어 있다.
본 실시형태에서는 도 1에 나타내는 바와 같이, 높이 검출 유닛(10)은, 제1 승강 수단(32)으로부터 Y축 방향으로 돌출하고 이어서 하방으로 연장되는 연결 부재(37)를 통해 제1 승강 수단(32)에 지지되어 있다. 이 때문에, 높이 검출 유닛(10)은, 제1 이동 부재(24)가 이동함으로써, 제1 승강 수단과 함께 Y축 방향으로 이동하도록 되어 있다. 또한, 높이 검출 유닛(10)은, 제1 승강 수단(32)에 의해 초음파 발생 유닛(6)과 함께 승강되고, 또한 임의의 위치에서 정지되도록 되어 있다. 또한, 높이 검출 유닛(10)은, 제1 승강 수단(32)과는 별도의 승강 수단을 통해, 제1 이동 부재(24)에 승강 가능하게 지지되어 있어도 좋다. 본 실시형태에서의 높이 검출 유닛(10)은, 간섭식 레이저 측장기 또는 초음파 측장기이고, 높이 검출 유닛(10)의 하측의 단면(10a)이 초음파 발생 유닛(6)의 하측의 단면(6a)보다 약간(예컨대 1∼2 ㎜ 정도) 낮아지도록 위치되어 있다. 그리고 높이 검출 유닛(10)은, 생성해야 할 웨이퍼와 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 물 공급 수단(8)에 의해 생성된 물의 층을 사이에 두고, 높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)과 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 간격을 측정함으로써, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이를 검출하도록 되어 있다. 높이 검출 유닛(10)과 전기적으로 연결되어 있는 박리 검출 유닛(12)에는, 높이 검출 유닛(10)으로부터 출력된 전기 신호가 입력된다. 박리 검출 유닛(12)은, 컴퓨터로 구성되고, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)와, 연산 결과 등을 저장하는 쓰고 읽기 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)를 포함한다. 그리고 박리 검출 유닛(12)에서는, 높이 검출 유닛(10)에 의해 검출된, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이[높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)과 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 간격]의 변화에 따라, 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하도록 되어 있다.
도 1을 참조하고 설명을 계속하면, 제2 이동 부재(28)의 선단 하면에는 웨이퍼 유지 수단(14)이 접속되어 있고, 제2 이동 부재(28)가 Y축 방향으로 이동함으로써 웨이퍼 유지 수단(14)이 Y축 방향으로 이동하도록 되어 있다. 웨이퍼 유지 수단(14)은, 제2 이동 부재(28)의 선단 하면으로부터 하방으로 연장되는 원기둥형의 제2 승강 수단(38)과, 제2 승강 수단(38)의 하단에 접속되어, 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼를 흡인 유지하는 원판형의 유지 부재(40)를 구비한다. 제2 승강 수단(38)은, 예컨대 전동 실린더로 구성되고, 유지 부재(40)를 승강시키며 임의의 위치에서 정지시킴으로써, 생성해야 할 웨이퍼에 유지 부재(40)의 하면을 접촉시킨다. 유지 부재(40)의 하단 부분에는, 흡인 수단(도시하지 않음)에 접속된 다공질의 흡착 척(도시하지 않음)이 부설되어 있다. 그리고 웨이퍼 유지 수단(14)에서는, 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼에 유지 부재(40)의 하면을 접촉시킨 상태로, 흡착 척의 하면에 흡인 수단으로 흡인력을 생성함으로써, 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼를 유지 부재(40)로 흡인 유지할 수 있다.
도 3에는 박리층이 형성되기 전의 상태에서의 잉곳(50)을 나타내고 있다. 잉곳(50)은, 육방정 단결정 SiC로 전체로서 원기둥 형상으로 형성되고, 원형상의 제1 단면(52)과, 제1 단면(52)과 반대측의 원형상의 제2 단면(54)과, 제1 단면(52) 및 제2 단면(54) 사이에 위치하는 주면(56)과, 제1 단면(52)으로부터 제2 단면(54)에 이르는 c축(<0001> 방향)과, c축과 직교하는 c면(0001면)을 갖는다. 잉곳(50)에서는, 제1 단면(52)의 수선(58)에 대하여 c축이 기울어 있어, c면과 제1 단면(52)에서 오프각(α)(예컨대 α=1, 3, 6도)이 형성되어 있다. 오프각(α)이 형성되는 방향을 도 3에 화살표(A)로 나타낸다. 또한, 잉곳(50)의 주면(56)에는, 결정 방위를 나타내는 직사각 형상의 제1 오리엔테이션 플랫(60) 및 제2 오리엔테이션 플랫(62)이 형성되어 있다. 제1 오리엔테이션 플랫(60)은, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)에 평행이고, 제2 오리엔테이션 플랫(62)은, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)에 직교하고 있다. 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상방에서 보아, 제2 오리엔테이션 플랫(62)의 길이(L2)는, 제1 오리엔테이션 플랫(60)의 길이(L1)보다 짧다(L2＜L1). 또한, 박리층이 형성된 후에 전술한 웨이퍼의 생성 장치(2)에 의해 웨이퍼가 박리될 수 있는 잉곳은, 상기 잉곳(50)에 한정되지 않고, 예컨대, 제1 단면의 수선에 대하여 c축이 기울어 있지 않아, c면과 제1 단면의 오프각이 0도인(즉, 제1 단면의 수선과 c축이 일치하고 있는) 단결정 SiC 잉곳이어도 좋고, 또는 GaN(질화갈륨) 등의 육방정 단결정 SiC 이외의 소재로 형성되어 있는 육방정 단결정 잉곳이어도 좋다.
다음에, 본 발명에 따른 웨이퍼의 생성 방법의 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 먼저, 잉곳(50)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 잉곳(50)의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 잉곳(50)에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정을 실시한다. 박리층 형성 공정은, 예컨대 도 4에 일부를 나타내는 레이저 가공 장치(64)를 이용하여 실시할 수 있다. 레이저 가공 장치(64)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(66)과, 척 테이블(66)에 유지된 피가공물에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하는 집광기(68)를 구비한다. 상면에서 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있는 척 테이블(66)은, 회전 수단(도시하지 않음)으로 상하 방향으로 연장되는 축선을 중심으로 하여 회전되며, x축 방향 이동 수단(도시하지 않음)으로 x축 방향으로 진퇴되고, y축 방향 이동 수단(도시하지 않음)으로 y축 방향으로 진퇴된다. 집광기(68)는, 레이저 가공 장치(64)의 펄스 레이저 광선 발진기(도시하지 않음)가 발진한 펄스 레이저 광선(LB)을 집광하여 피가공물에 조사하기 위한 집광 렌즈(도시하지 않음)를 포함한다. 또한, x축 방향은 도 4에 화살표(x)로 나타내는 방향이고, y축 방향은 도 4에 화살표(y)로 나타내는 방향으로서 x축 방향에 직교하는 방향이다. x축 방향 및 y축 방향이 규정하는 평면은 실질상 수평이다. 또한, 도 1에 대문자의 X 및 Y로 나타내는 X축 방향 및 Y축 방향과 도 4에 소문자의 x 및 y로 나타내는 x축 방향 및 y축 방향은, 일치하여도 좋고 달라도 좋다.
도 4를 참조하여 설명을 계속하면, 박리층 형성 공정에서는, 먼저, 잉곳(50)의 한쪽의 단면[본 실시형태에서는 제1 단면(52)]을 위를 향하게 하여, 척 테이블(66)의 상면에 잉곳(50)을 흡인 유지시킨다. 또는, 잉곳(50)의 다른쪽의 단면[본 실시형태에서는 제2 단면(54)]과 척 테이블(66)의 상면 사이에 접착제(예컨대 에폭시 수지계 접착제)를 개재시켜, 잉곳(50)을 척 테이블(66)에 고정하여도 좋다. 계속해서, 레이저 가공 장치(64)의 촬상 유닛(도시하지 않음)으로 상방으로부터 잉곳(50)을 촬상한다. 계속해서, 촬상 유닛으로 촬상한 잉곳(50)의 화상에 기초하여, 레이저 가공 장치(64)의 x축 방향 이동 수단, y축 방향 이동 수단 및 회전 수단으로 척 테이블(66)을 이동 및 회전시킴으로써, 잉곳(50)의 방향을 미리 정해진 방향으로 조정하며 잉곳(50)과 집광기(68)의 xy 평면에서의 위치를 조정한다. 잉곳(50)의 방향을 미리 정해진 방향으로 조정할 때는, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제2 오리엔테이션 플랫(62)을 x축 방향으로 정합시킴으로써, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향을 x축 방향으로 정합시키며, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)을 y축 방향으로 정합시킨다. 계속해서, 레이저 가공 장치(64)의 집광점 위치 조정 수단(도시하지 않음)으로 집광기(68)를 승강시켜, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 잉곳(50)의 제1 단면(52)으로부터, 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이(예컨대 300 ㎛)에 집광점(FP)을 위치시킨다. 계속해서, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향으로 정합하고 있는 x축 방향에 척 테이블(66)을 미리 정해진 이송 속도로 이동시키면서, 단결정 SiC에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선(LB)을 집광기(68)로부터 잉곳(50)에 조사하는 박리층 형성 가공을 행한다. 박리층 형성 가공을 행하면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 펄스 레이저 광선(LB)의 조사에 의해 SiC가 Si(실리콘)와 C(탄소)로 분리하여 다음에 조사되는 펄스 레이저 광선(LB)이 이전에 형성된 C에 흡수되어 연쇄적으로 SiC가 Si와 C로 분리된 개질부(70)가, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향에 연속적으로 형성되며, 개질부(70)로부터 c면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙(72)이 생성된다. 또한, 박리층 형성 가공을 행할 때는, 척 테이블(66) 대신에 집광기(68)를 이동시켜도 좋다.
도 4 및 도 5를 참조하여 설명을 계속하면, 박리층 형성 가공에 이어서, y축 방향 이동 수단으로 척 테이블(66)을 이동시켜, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)으로 정합하고 있는 y축 방향으로, 크랙(72)의 폭을 넘지 않는 범위에서 미리 정해진 인덱스량(Li)(예컨대 250∼400 ㎛)만큼, 잉곳(50)과 집광점(FP)을 상대적으로 인덱스 이송한다. 또한, 인덱스 이송 시는 척 테이블(66) 대신에 집광기(68)를 이동시켜도 좋다. 그리고, 박리층 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복함으로써, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향으로 연속적으로 연장되는 개질부(70)를, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)으로 미리 정해진 인덱스량(Li)의 간격을 두고 복수 형성하며, 개질부(70)로부터 c면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙(72)을 순차 생성하여, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)에서 인접하는 크랙(72)과 크랙(72)이 상하 방향에서 보아 중첩되도록 한다. 이에 의해, 잉곳(50)의 제1 단면(52)으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, 복수의 개질부(70) 및 크랙(72)으로 이루어지는, 잉곳(50)으로부터 웨이퍼를 박리하기 위한 강도가 저하한 박리층(74)을 형성할 수 있다. 또한, 박리층 형성 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행할 수 있다.
펄스 레이저 광선의 파장: 1064 ㎚
반복 주파수: 60 ㎑
평균 출력: 1.5 W
펄스 폭: 4 ㎱
집광점의 직경: 3 ㎛
집광 렌즈의 개구수(NA): 0.65
이송 속도: 200 ㎜/s
박리층 형성 공정을 실시한 후, 생성해야 할 웨이퍼에 대면시켜 물의 층을 사이에 두고 초음파 발생 유닛(6)을 위치시키고 물의 층을 사이에 두고 초음파를 발생시켜 박리층(74)을 파괴하는 초음파 발생 공정을 실시한다. 본 실시형태에서의 초음파 발생 공정에서는, 먼저 도 2에 나타내는 바와 같이, 박리층(74)에 가까운 단면인 제1 단면(52)을 위를 향하게 하여, 잉곳 유지 유닛(4)의 유지 테이블(18)로 잉곳(50)을 유지한다. 이때는, 잉곳(50)의 제2 단면(54)과 유지 테이블(18)의 상면 사이에 접착제(예컨대 에폭시 수지계 접착제)를 개재시켜 잉곳(50)을 유지 테이블(18)에 고정하여도 좋고, 또는, 유지 테이블(18)의 상면에 흡인력을 생성하여 잉곳(50)을 흡인 유지하여도 좋다. 계속해서, Y축 방향 이동 기구(20)의 제1 모터(26)로 제1 이동 부재(24)를 이동시켜, 도 1에 나타내는 바와 같이, 생성해야 할 웨이퍼[본 실시형태에서는 제1 단면(52)으로부터 박리층(74)까지의 부분]에 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 및 높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)을 대면시킨다. 계속해서, 제1 승강 수단(32)으로 초음파 발생 유닛(6)을 하강시켜, 제1 단면(52)과 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이의 거리가 미리 정해진 값[예컨대 2∼3 ㎜ 정도]이 되면 제1 승강 수단(32)의 작동을 정지시킨다. 또한, 노즐 승강 기구로 노즐(36)을 이동시켜, 제1 단면(52)과 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 노즐(36)의 출구(36a)를 위치시킨다. 계속해서, 유지 테이블(18)을 모터로 회전시키며, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 모터(26)로 제1 이동 부재(24)를 Y축 방향으로 이동시키면서, 노즐(36)의 출구(36a)로부터 제1 단면(52)과 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 물을 공급하여 물의 층(LW)을 생성하며, 초음파 발생 유닛(6)에 초음파를 발생시킨다. 이때, 제1 단면(52) 전체를 초음파 발생 유닛(6)이 통과하도록, 유지 테이블(18)을 회전시키며 제1 이동 부재(24)를 Y축 방향으로 이동시켜, 박리층(74) 전체에 걸쳐 초음파를 부여한다. 이에 의해, 물의 층(LW)을 사이에 두고 잉곳(50)에 초음파를 전달하여 박리층(74)을 파괴하여, 박리층(74)을 기점으로 하여 생성해야 할 웨이퍼(76)를 잉곳(50)으로부터 박리할 수 있다.
초음파 발생 공정에서, 초음파 발생 유닛(6)에 발생시키는 초음파의 주파수는 잉곳(50)의 고유 진동수의 근방의 주파수인 것이 바람직하고, 이와 같이 초음파의 주파수를 설정함으로써, 비교적 낮은 출력(예컨대 200 W 정도)의 초음파라도, 비교적 짧은 시간(1∼3분 정도)으로 효율적으로 웨이퍼(76)를 잉곳(50)으로부터 박리할 수 있다. 잉곳(50)의 고유 진동수의 근방의 주파수란, 구체적으로는 잉곳(50)의 고유 진동수의 0.8∼1.2배 정도이고, 예컨대 잉곳(50)의 고유 진동수가 25 ㎑인 경우에는 20∼30 ㎑ 정도이다. 또한, 초음파 발생 유닛(6)에 발생시키는 초음파의 주파수가 잉곳(50)의 고유 진동수의 근방의 주파수를 넘는 주파수(상기 예에서는 30 ㎑를 넘는 주파수)라도, 비교적 높은 출력(예컨대 400∼500 W 정도)의 초음파이면, 비교적 짧은 시간으로 효율적으로 웨이퍼(76)를 잉곳(50)으로부터 박리할 수 있다.
또한, 초음파 발생 공정에서, 잉곳(50)의 제1 단면(52)과 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 공급하는 물의 온도는, 초음파 발생 유닛(6)에 초음파를 발생시켰을 때, 물의 층(LW)에 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 물의 온도가 0∼25℃로 설정되어 있는 것이 적합하고, 이에 의해 초음파의 에너지가 캐비테이션으로 변환되는 일없이, 초음파의 에너지가 효과적으로 박리층(74)에 전달되어, 효율적으로 박리층(74)이 파괴된다.
전술한 바와 같이 초음파 발생 공정을 실시하고 있을 때에, 생성해야 할 웨이퍼(76)의 상면에 물의 층(LW)을 사이에 두고 높이 검출 유닛(10)을 위치시키고, 생성해야 할 웨이퍼(76)의 상면[본 실시형태에서는 제1 단면(52)]의 높이의 변화에 따라 잉곳(50)으로부터 생성해야 할 웨이퍼(76)의 박리를 검출하는 박리 검출 공정을 실시하고, 박리 검출 공정에서 잉곳(50)으로부터 웨이퍼(76)가 박리되었다고 박리 검출 유닛(12)이 검출하였을 때[웨이퍼(76)의 박리가 완료되었을 때]에 초음파 발생 공정을 종료한다. 본 실시형태에서의 박리 검출 공정에서는, 높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)과 생성해야 할 웨이퍼(76)의 상면의 간격이 미리 정해진 값 이하가 되었을 때에, 잉곳(50)으로부터 웨이퍼(76)가 박리되었다고 박리 검출 유닛(12)은 검출한다. 높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)과 생성해야 할 웨이퍼(76)의 상면의 간격의 시간 변화는, 예컨대 도 7에 나타내는 바와 같다. 도 7에 나타내는 예에서는, 높이 검출 유닛(10)의 단면(10a)과 생성해야 할 웨이퍼(76)의 상면의 간격(S)의 초기값은 S0(예컨대 850 ㎛ 정도)이고, 시간(t0)에서 초음파 발생 유닛(6)에 의한 초음파의 부여가 시작된다. 시간(t0)으로부터 시간(t1)까지에서는, 초음파 발생 유닛(6)의 초음파에 의해 간격(S)이, 어느 정도의 폭(예컨대 100∼150 ㎛ 정도)으로 변동하지만, 간격(S)은, 잉곳(50)으로부터 웨이퍼(76)가 박리되었는지의 여부의 기준이 되는 미리 정해진 값(S1)(예컨대 550 ㎛ 정도) 이하로 되지 않아, 생성해야 할 웨이퍼(76)는 잉곳(50)으로부터 완전히는 박리되지 않은 상태[웨이퍼(76)의 전부 또는 일부가 박리되지 않은 상태]이다. 시간(t1) 이후에는, 미리 정해진 값(S1)을 걸쳐 변동하고 있어, 간격(S)이 미리 정해진 값(S1) 이하로 되어 있기 때문에, 박리 검출 유닛(12)은, 생성해야 할 웨이퍼(76)가 잉곳(50)으로부터 박리되었다고 검출한다. 본 실시형태에서는, 초음파 발생 공정 시에 유지 테이블(18)이 회전하고 있으며 제1 이동 부재(24)가 이동하고 있기 때문에, 박리 검출 유닛(12)은, 잉곳(50)의 복수 부분에서 간격(S)을 검출하고 있어, 잉곳(50)의 복수 부분에서 검출한 간격(S)이 미리 정해진 값(S1) 이하로 되어 있는 경우에, 생성해야 할 웨이퍼(76)의 전부가 잉곳(50)으로부터 박리되었다고 검출한다. 이와 같이 하여, 생성해야 할 웨이퍼(76)의 박리를 검출하였을 때에 초음파 발생 공정 및 박리 검출 공정을 종료한다. 또한, 시간(t2)은 초음파 수단(6)에 의한 초음파의 부여를 종료한 시각이다.
초음파 발생 공정 및 박리 검출 공정을 실시한 후, 제1 모터(26)로 제1 이동 부재(24)를 이동시켜, 초음파 발생 유닛(6) 및 노즐(36)을 잉곳(50)의 상방으로부터 이격시키며, 제2 모터(30)로 제2 이동 부재(28)를 이동시켜, 웨이퍼 유지 수단(14)을 잉곳(50)의 바로 위에 위치시킨다. 계속해서 도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 승강 수단(38)으로 유지 부재(40)를 하강시켜, 제1 단면(52)에 유지 부재(40)의 하면을 접촉시킨다. 계속해서, 유지 부재(40)에 접속된 흡인 수단을 작동시켜, 유지 부재(40)의 하면에 흡인력을 생성하여, 박리된 웨이퍼(76)를 유지 부재(40)로 흡인 유지한다. 그리고 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 승강 수단(38)으로 유지 부재(40)를 상승시키며, 제2 모터(30)로 제2 이동 부재(28)를 이동시킴으로써, 박리한 웨이퍼(76)를 반송한다.
이상과 같이 본 실시형태에서는, 박리층(74)을 기점으로 하여 잉곳(50)으로부터 웨이퍼(76)를 용이하게 박리할 수 있으며, 잉곳(50)으로부터의 웨이퍼(76)의 박리가 완료한 것을 용이하게 판별할 수 있다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(76)의 박리가 완료하면 초음파 발생 공정을 종료하기 때문에, 초음파 발생 공정의 시간을 불필요하게 증대시키는 일 없이 생산성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 생성해야 할 웨이퍼(76)와 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 물 공급 수단(8)으로부터 물을 공급함으로써, 생성해야 할 웨이퍼(76)와 초음파 발생 유닛(6)의 단면(6a) 사이에 물의 층(LW)을 생성하고, 물의 층(LW)을 사이에 두고 잉곳(50)에 초음파를 전달하기 때문에, 수조를 사용하는 일없이 웨이퍼(76)를 잉곳(50)으로부터 박리할 수 있고, 따라서 수조에 물을 모으는 시간이나 물의 사용량을 절약할 수 있어, 경제적이다.
또한, 본 실시형태에서의 박리층 형성 공정에서는, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향에 개질부(70)를 연속적으로 형성하여, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)으로 인덱스 이송하리는 예를 설명하였지만, 개질부(70)를 형성하는 방향은 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향이 아니어도 좋고, 인덱스 이송하는 방향은 오프각(α)이 형성되는 방향(A)이 아니어도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 초음파 발생 유닛(6) 및 높이 검출 유닛(10)을 승강시키는 제1 승강 수단(32)과, 노즐(36)을 승강시키는 노즐 승강 기구가 따로따로의 구성인 예를 설명하였지만, 제1 이동 부재(24)에 마련된 공통의 승강 기구로 초음파 발생 유닛(6) 및 노즐(36)을 승강시키도록 하여도 좋고, 또는 Y축 방향 이동 기구(20)의 프레임체(22)를 승강시킴으로써 초음파 발생 유닛(6)과 높이 검출 유닛(10)과 노즐(36)과 웨이퍼 유지 수단(14)을 승강시키도록 하여도 좋다.
2: 웨이퍼의 생성 장치 6: 초음파 발생 유닛
6a: 초음파 발생 유닛의 하측의 단면 10: 높이 검출 유닛
10a: 높이 검출 유닛의 하측의 단면 12: 박리 검출 유닛
50: 잉곳 52: 제1 단면
54: 제2 단면 58: 제1 단면의 수선
70: 개질부 72: 크랙
74: 박리층 76: 웨이퍼
α: 오프각 A: 오프각이 형성되는 방향
LB: 레이저 광선 FP: 집광점
LW: 물의 층

Claims (7)

  1. 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서,
    육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면(端面)으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정과,
    물의 층을 사이에 두고 생성해야 할 웨이퍼에 대면하도록 초음파 발생 유닛을 위치시키고 초음파를 발생시켜 육방정 단결정 잉곳에 초음파를 전달하고, 초음파에 의해 박리층을 파괴하는 초음파 발생 공정과,
    생성해야 할 웨이퍼의 상면에 물의 층을 사이에 두고 높이 검출 유닛을 위치시키고, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 공정을 포함하고,
    상기 물의 층의 온도를, 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정하는 웨이퍼의 생성 방법.
  2. 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서,
    육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면(端面)으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정과,
    물의 층을 사이에 두고 생성해야 할 웨이퍼에 대면하도록 초음파 발생 유닛을 위치시키고 초음파를 발생시켜 육방정 단결정 잉곳에 초음파를 전달하고, 초음파에 의해 박리층을 파괴하는 초음파 발생 공정과,
    생성해야 할 웨이퍼의 상면에 물의 층을 사이에 두고 높이 검출 유닛을 위치시키고, 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 공정을 포함하고,
    상기 박리 검출 공정에서, 육방정 단결정 잉곳의 복수 부분에서 높이 검출 유닛의 단면(端面)과 생성해야 할 웨이퍼의 상면과의 간격을 검출하고, 육방정 단결정 잉곳의 복수 부분에서 검출한 간격이 미리 정해진 값 이하로 된 경우에, 생성해야 할 웨이퍼가 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리되었다고 검출하는 웨이퍼의 생성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박리 검출 공정에서 사용하는 높이 검출 유닛은, 간섭식 레이저 측장기(測長器), 또는 초음파 측장기인 것인 웨이퍼의 생성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 육방정 단결정 잉곳은, c축과 c축에 대하여 직교하는 c면을 갖는 육방정 단결정 SiC 잉곳이고,
    상기 박리층 형성 공정에서, 육방정 단결정 SiC에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 SiC 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 SiC가 Si와 C로 분리된 개질부와 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성하는 것인 웨이퍼의 생성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 육방정 단결정 잉곳은, 단면의 수선(垂線)에 대하여 c축이 기울어 c면과 단면에 오프각이 형성되어 있는 육방정 단결정 SiC 잉곳이고,
    상기 박리층 형성 공정에서, 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향에 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙을 생성하고, 오프각이 형성되는 방향으로 크랙의 폭을 넘지 않는 범위에서 육방정 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향에 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙을 순차 생성한 박리층을 형성하는 것인 웨이퍼의 생성 방법.
  6. 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성한 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 장치로서,
    생성해야 할 웨이퍼에 대면하는 단면을 가지며 물의 층을 사이에 두고 초음파를 발생시켜 육방정 단결정 잉곳에 초음파를 전달하고, 초음파에 의해 박리층을 파괴하는 초음파 발생 유닛과,
    생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이를 물의 층을 사이에 두고 검출하는 높이 검출 유닛과,
    상기 높이 검출 유닛과 연결되어 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 유닛을 포함하고,
    상기 물의 층의 온도는, 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정되는 웨이퍼의 생성 장치.
  7. 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 육방정 단결정 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시키고 육방정 단결정 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리층을 형성한 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 장치로서,
    생성해야 할 웨이퍼에 대면하는 단면을 가지며 물의 층을 사이에 두고 초음파를 발생시켜 육방정 단결정 잉곳에 초음파를 전달하고, 초음파에 의해 박리층을 파괴하는 초음파 발생 유닛과,
    생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이를 물의 층을 사이에 두고 검출하는 높이 검출 유닛과,
    상기 높이 검출 유닛과 연결되어 생성해야 할 웨이퍼의 상면의 높이의 변화에 따라 육방정 단결정 잉곳으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 박리를 검출하는 박리 검출 유닛을 포함하고,
    상기 박리 검출 유닛은, 육방정 단결정 잉곳의 복수 부분에서 높이 검출 유닛의 단면과 생성해야 할 웨이퍼의 상면과의 간격을 검출하고, 육방정 단결정 잉곳의 복수 부분에서 검출한 간격이 미리 정해진 값 이하로 된 경우에, 생성해야 할 웨이퍼가 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리되었다고 검출하는 웨이퍼의 생성 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7309191B2 (ja) 2019-11-06 2023-07-18 中村留精密工業株式会社 ウェハー分割装置
JP7408475B2 (ja) 2020-04-16 2024-01-05 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
JP2022117116A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2023116242A (ja) 2022-02-09 2023-08-22 株式会社ディスコ 凹凸低減方法及び凹凸低減装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009154282A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2016132047A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP2016225534A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017195245A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
TWI236944B (en) 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP2007220775A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の研削装置並びに半導体デバイスの製造方法
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6822146B2 (ja) * 2015-01-16 2021-01-27 住友電気工業株式会社 半導体基板の製造方法及び複合半導体基板の製造方法
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
CN104827191A (zh) * 2015-05-12 2015-08-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光切割方法
JP6669594B2 (ja) * 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP2018014421A (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
DE102016116241A1 (de) * 2016-08-31 2018-03-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum bearbeiten eines wafers und verfahren zum bearbeiten eines trägers
JP7046617B2 (ja) * 2018-01-22 2022-04-04 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) * 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009154282A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2016132047A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP2016225534A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017195245A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法

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Publication number Publication date
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CZ2019143A3 (cs) 2019-09-25
US10886127B2 (en) 2021-01-05
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