CZ309498B6 - Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu - Google Patents

Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu Download PDF

Info

Publication number
CZ309498B6
CZ309498B6 CZ2019-143A CZ2019143A CZ309498B6 CZ 309498 B6 CZ309498 B6 CZ 309498B6 CZ 2019143 A CZ2019143 A CZ 2019143A CZ 309498 B6 CZ309498 B6 CZ 309498B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
ingot
wafer
single crystal
hexagonal single
end wall
Prior art date
Application number
CZ2019-143A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2019143A3 (cs
Inventor
Ryohei Yamamoto
Kazuyuki Hinohara
Original Assignee
Disco Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corporation filed Critical Disco Corporation
Publication of CZ2019143A3 publication Critical patent/CZ2019143A3/cs
Publication of CZ309498B6 publication Critical patent/CZ309498B6/cs

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02694—Controlling the interface between substrate and epitaxial layer, e.g. by ion implantation followed by annealing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/018—Unsoldering; Removal of melted solder or other residues
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/047—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by ultrasonic cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02098—Cleaning only involving lasers, e.g. laser ablation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

Způsob výroby waferu (76) zahrnuje krok vytváření oddělovací vrstvy (74) v hexagonálním monokrystalovém ingotu (50) aplikováním laserového paprsku (LB) majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým ingotem (50), zatímco je ohniskový bod (FP) laserového paprsku (LB) polohován v hexagonálním monokrystalovém ingotu (50) v hloubce odpovídající tloušťce waferu (76), který má být vyráběn, od koncové stěny (52) hexagonálního monokrystalového ingotu (50). Krok generování ultrazvukových vln z jednotky (6) polohované v čelním vztahu k waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi, čímž je odlamována oddělovací vrstva (74). Krok detekování oddělení pro detekování, kdy je wafer (76), který má být vyráběn, oddělen od hexagonálního monokrystalového ingotu (50), na základě změny, která je detekována ve výšce horního povrchu waferu (76), který má být vyráběn, jednotkou (10) pro detekování výšky polohovanou nad horním povrchem waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi.

Description

Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu
Oblast techniky
Předložený vynález se týká způsobu a zařízení pro výrobu waferu z hexagonálního monokrystalového ingotu.
Dosavadní stav techniky
Zařízení, jako například integrované obvody (Integrated Circuits - IC), integrované obvody velkého rozsahu (Large Scale Integrated Circuits - LSI), diody vyzařující světlo (Light Emmitting Diodes - LED), atd., jsou vytvářené na waferu z Si (křemíku), ALO3 (safíru), nebo podobně, nanášením funkční vrstvy na lícovou stranu waferu a rozdělováním lícové strany na větší počet oblastí mřížkou vystupujících kostkovaných čar. Výkonová zařízení, LED diody, nebo podobně, jsou vytvářena na waferu monokrystalového SiC (Silicon Carbide - karbid křemíku) nanášením funkční vrstvy na lícovou stranu waferu a rozdělováním lícové strany na větší počet oblastí mřížkou vystupujících kostkovaných čar. Wafer s na něm vytvořenými zařízeními je rozdělován do čipů individuálních zařízení podél vystupujících kostkovaných čar řezacím přístrojem, laserovým procesním přístrojem, nebo podobně. Čipy vyráběného zařízení budou používány v elektrických přístrojích, jako například v mobilních telefonech, osobních počítačích, a tak dále.
Wafer, na kterém mají být zařízení vytvářena, je obecně vyráběn odřezáváním tenké vrstvy válcového polovodičového ingotu drátovou pilou. Takto vyráběný wafer má své lícové a opačné strany vyleštěné do zrcadlové úpravy (viz například japonská patentová přihláška JP 2000094221). Takový běžný proces odřezávání waferů polovodičového ingotu drátovou pilou a leštění lícových a opačných stran waferů není ekonomický, protože většina (70 až 80 %) polovodičového ingotu je vyplýtvána. Přesněji, ingoty hexagonálního monokrystalového SiC je obtížné řezat drátovou pilou, protože jsou tvrdé, vykazují špatnou produktivitu, protože jejich odřezávání zabere podstatně dlouhou dobu, a způsobují problémy při efektivní výrobě waferů, protože jejich získávání je nákladné.
Přítomný přihlašovatel navrhl technologii, ve které je aplikován laserový paprsek mající vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým SiC na ingot hexagonálního monokrystalového SiC, zatímco polohuje svůj ohniskový bod uvnitř ingotu, čímž vytváří oddělovací vrstvu ve vystupující rozdělovací rovině v ingotu, a wafer je oddělován od ingotu z oddělovací vrstvy, která slouží jako bod zahajující rozdělování (viz například US 20160158882 (japonská patentová přihláška JP 2016111143)).
Podstata vynálezu
Navrhovaná technologie je však problematická v tom, že je obtížná a vede ke špatné výrobní efektivitě při oddělování waferů od hexagonálního monokrystalového ingotu, a v tom, že je obtížné určovat, zda oddělování waferu od hexagonálního monokrystalového ingotu je dokončeno nebo není.
Cílem předloženého vynálezu je proto poskytovat způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu, které usnadňuje oddělování waferu hexagonálního monokrystalového ingotu z v něm se nacházející oddělovací vrstvy, která slouží jako bod zahajující rozdělování, a které také usnadňuje určování, zda oddělování waferu hexagonálního monokrystalového ingotu je dokončeno.
Podle hlediska předloženého vynálezu je poskytován způsob výroby waferu z hexagonálního monokrystalového ingotu, zahrnující: krok vytváření oddělovací vrstvy vytvářející oddělovací
- 1 CZ 309498 B6 vrstvu v hexagonálním monokrystalovém ingotu aplikováním laserového paprsku majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým ingotem, zatímco je ohniskový bod laserového paprsku polohován v hexagonálním monokrystalovém ingotu v hloubce odpovídající tloušťce waferu, který má být vyráběn z koncové stěny hexagonálního monokrystalového ingotu; krok generování ultrazvukových vln generující ultrazvukové vlny z jednotky pro generování ultrazvukových vln polohované v čelním vztahu k waferu, který má být vyráběn, přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi, čímž je odlamována oddělovací vrstva; a krok detekování oddělení detekováním, kdy je wafer, který má být vyráběn, oddělen od hexagonálního monokrystalového ingotu, na základě změny, která je detekována ve výšce horního povrchu waferu, který má být vyráběn, jednotkou pro detekování výšky umístěnou nad horním povrchem waferu, který má být vyráběn, přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi.
Výhodně, jednotka pro detekování výšky používaná v kroku detekování oddělení zahrnuje laserový přístroj interferenčního typu pro měření délky nebo ultrazvukový přístroj pro měření délky. Hexagonální monokrystalový ingot výhodně zahrnuje hexagonální monokrystalový SiC ingot mající osu c a rovinu c kolmou k ose c, a krok vytváření oddělovací vrstvy vytvářející oddělovací vrstvu, která je tvořena modifikovanými oblastmi, ve kterých je SiC rozdělován na Si a C v ingotu a posloupnost prasklin vycházejících izotropně podél roviny c z modifikovaných oblastí, aplikováním laserového paprsku majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým SiC na hexagonální monokrystalový SiC ingot, zatímco ohniskový bod laserového paprsku je polohován v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu v hloubce odpovídající tloušťce waferu od koncové stěny hexagonálního monokrystalového SiC ingotu.
Hexagonální monokrystalový ingot výhodně zahrnuje hexagonální monokrystalový SiC ingot mající osu c nakloněnou ke kolmici k její koncové stěně a rovinu c, kde rovina c a koncová stěna vytvářejí úhel odklonu mezi nimi, a krok vytváření oddělovací vrstvy vytvářející oddělovací vrstvu, která je vytvářena nepřerušovaným vytvářením modifikované oblasti v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu ve směru kolmém ke směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu, čímž je vytvářena posloupnost prasklin procházejících izotropně podél roviny c z modifikované oblasti, indexovým posunováním hexagonálního monokrystalového SiC ingotu a ohniskového bodu relativně vzájemně k sobě o vzdálenost, která není větší než šířka prasklin ve směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu, poté nepřerušovaným vytvářením modifikované oblasti v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu ve směru kolmém ke směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu, a vytvářením posloupnosti prasklin vycházejících izotropně podél roviny c z posledně zmíněné modifikované oblasti.
Podle dalšího hlediska předloženého vynálezu je poskytováno zařízení pro výrobu waferu z hexagonálního monokrystalového ingotu majícího v něm vytvořenou oddělovací vrstvu aplikováním laserového paprsku majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým ingotem, zatímco je polohován ohniskový bod laserového paprsku v hexagonálním monokrystalovém ingotu v hloubce odpovídající tloušťce waferu, který má být vyráběn z koncové stěny hexagonálního monokrystalového ingotu, obsahující jednotku pro generování ultrazvukových vln generující ultrazvukové vlny, kde jednotka pro generování ultrazvukových vln má koncovou stěnu polohovanou v čelním vztahu k waferu, který má být vyráběn, přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi, jednotku pro detekování výšky detekující výšku horního povrchu waferu, který má být vyráběn, přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi, a jednotku pro detekování oddělení spojenou s jednotkou pro detekování výšky, detekující, kdy je wafer, který má být vyráběn, oddělen od hexagonálního monokrystalového ingotu na základě změny výšky horního povrchu waferu, který má být vyráběn.
Způsobem výroby waferu podle předloženého vynálezu může být wafer snadno oddělován od ingotu z oddělovací vrstvy, která slouží jako rozdělovací výchozí bod, a dokončení oddělování waferu od ingotu může být snadno určováno na základě změny výšky horního povrchu waferu, který má být vyráběn.
- 2 CZ 309498 B6
Zařízením pro výrobu waferu podle předloženého vynálezu může být wafer snadno oddělován od ingotu z oddělovací vrstvy, která slouží jako rozdělovací výchozí bod, a dokončení oddělování waferu od ingotu může být snadno určováno na základě změny výšky horního povrchu waferu, který má být vyráběn.
Výše uvedené a další cíle, znaky a výhody předloženého vynálezu a způsob jejich realizování budou zřejmější, a samotný vynález bude lépe chápán ze studia následujícího popisu a připojených nároků s odkazem na připojené obrázky ukazující některá výhodná provedení vynálezu.
Objasnění výkresů
Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétních příkladů provedení znázorněných na výkresech, na kterých:
obr. 1 je perspektivní pohled na zařízení pro výrobu waferu, tj. zařízení vyrábějící wafer, podle provedení předloženého vynálezu;
obr. 2 je perspektivní pohled na části zařízení pro výrobu waferu zobrazeného na obr. 1, ilustrující způsob, kterým je SiC ingot umísťován do jednotky pro přidržování ingotu zařízení pro výrobu waferu;
obr. 3A je přední zvětšený pohled na SiC ingot;
obr. 3B je rovinný pohled na SiC ingot;
obr. 4A je perspektivní pohled ilustrující způsob, kterým je vytvářena oddělovací vrstva v SiC ingotu zobrazeném na obr. 3A;
obr. 4B je přední zvětšený pohled ilustrující způsob, kterým je vytvářena oddělovací vrstva v SiC ingotu zobrazeném na obr. 3A;
obr. 5A je rovinný pohled na SiC ingot s v něm vytvořenou oddělovací vrstvou;
obr. 5B je průřezový pohled zabraný podél roviny B - B na obr. 5A;
obr. 6 je přední zvětšený pohled na části zařízení pro výrobu waferu, ilustrující způsob, kterým jsou ultrazvukové vlny aplikovány na SiC ingot;
obr. 7 je graf ukazující časově závislé změny ve vzdálenosti mezi jednotkou pro detekování výšky a waferem, který má být vyráběn, zatímco jsou ultrazvukové vlny aplikovány na SiC ingot;
obr. 8 je přední zvětšený pohled na části zařízení pro výrobu waferu, ilustrující způsob, kterým jsou prostředky pro přidržování waferu udržovány v blízkém kontaktu s oddělovaným waferem; a obr. 9 je přední zvětšený pohled na části zařízení pro výrobu waferu, ilustrující způsob, kterým je oddělovaný wafer přidržován za odsávání prostředky pro přidržování waferu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Způsob a zařízení pro výrobu waferu podle provedení předloženého vynálezu budou popsány detailně níže s odkazem na obrázky. Jak je zobrazeno na obr. 1, zařízení 2 pro výrobu waferu, tj. zařízení 2 vyrábějící wafer, podle předloženého vynálezu, zahrnuje jednotku 4 pro přidržování ingotu pro přidržování ingotu hexagonálního monokrystalového SiC (dále zde jednoduše
- 3 CZ 309498 B6 označovaného jako „ingot“) v něm, jednotku 6 pro generování ultrazvukových vln mající spodní koncovou stěnu 6a, která směřuje k waferu, který má být vyráběn z ingotu, pro aplikování ultrazvukových vln na ingot přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi, prostředky 8 pro dodávání vody pro dodávání vody mezi wafer, který má být vyráběn z ingotu, a jednotku 6 pro generování ultrazvukových vln, pro vytváření vodní vrstvy, jednotku 10 pro detekování výšky pro detekování výšky horního povrchu waferu, který má být vyráběn, přes vodní vrstvu, jednotku 12 pro detekování oddělení elektricky spojenou s jednotkou 10 pro detekování výšky, pro detekování oddělení waferu, který má být vyráběn, od ingotu, na základě změny výšky waferu, který má být vyráběn z ingotu, a prostředky 14 pro přidržování waferu přidržující wafer oddělovaný od ingotu.
Jednotka 4 pro přidržování ingotu bude popsána detailně níže s odkazem na obrázky 1 a 2. Jednotka 4 pro přidržování ingotu podle předloženého provedení zahrnuje válcovou základnu 16, válcovou přidržovací desku 18 otočně namontovanou na horním povrchu základny 16, a elektrický motor, který není zobrazen, pro otáčení přidržovací desky 18 okolo osy, která prochází vertikálně diametrickým středem přidržovací desky 18. Jednotka 4 pro přidržování ingotu na sobě přidržuje ingot, který je připevněn k hornímu povrchu přidržovací desky 18 lepidlem, jako například lepidlem z epoxydové pryskyřice. Alternativně může být umístěno porézní sací upínadlo, které není zobrazeno, spojené se sacími prostředky, které nejsou zobrazeny, na horní povrch přidržovací desky 18, a jednotka 4 pro přidržování ingotu může přidržovat ingot na porézním sacím upínadle sacími silami generovanými sacími prostředky a působícími na horní povrch porézního sacího upínadla.
Zařízení 2 pro výrobu waferu dále zahrnuje mechanizmus 20 pro pohyb v ose Y pro pohybování jednotkou 6 pro generování ultrazvukových vln, prostředky 8 pro dodávání vody, jednotku 10 pro detekování výšky, a prostředky 14 pro přidržování waferu ve směru osy Y indikovaném šipkou „Y“ na obr. 1. Mechanizmus 20 pro pohyb v ose Y má rámeček 22 ve tvaru obdélníkového rovnoběžnostěnu majícího v sobě definovaný podélný obdélníkový vodicí otvor 22a, který prochází ve směru osy Y, první kuličkový šroub, který není zobrazen, procházející ve směru osy Y v rámečku 22, první pohyblivé rameno 24 mající proximální konec připojený k prvnímu kuličkovému šroubu a vycházející z něho ve směru osy X indikovaném šipkou „X“ na obr. 1, první elektrický motor 26 připojený ke konci prvního kuličkového šroubu, druhý kuličkový šroub, který není zobrazen, procházející ve směru osy Y v rámečku 22, druhé pohyblivé rameno 28 mající proximální konec připojený k druhému kuličkovému šroubu a vycházející z něho ve směru osy X, a druhý elektrický motor 30 připojený ke konci druhého kuličkového šroubu. Když je mechanizmus 20 pro pohyb v ose Y v činnosti, první kuličkový šroub převádí rotační pohyb prvního motoru 26 na lineární pohyb a přenáší lineární pohyb na první pohyblivé rameno 24, čímž pohybuje prvním pohyblivým ramenem 24 ve směru osy Y podél vodícího otvoru 22a. Druhý kuličkový šroub převádí rotační pohyb druhého motoru 30 na lineární pohyb a přenáší lineární pohyb na druhé pohyblivé rameno 28, čímž pohybuje druhým pohyblivým ramenem 28 ve směru osy Ypodél vodícího otvoru 22a. Směr osy Xa směr osy Yprocházejí vzájemně kolmo na sebe, a společně definují v podstatě horizontální rovinu XY.
Jak je zobrazeno na obr. 1, první zvedací a spouštěcí prostředky 32, které mají válcový tvar, jsou připojené ke spodnímu povrchu distálního konce prvního pohyblivého ramene 24. Jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln, která má také válcový tvar, je připojena ke spodnímu konci prvních zvedacích a spouštěcích prostředků 32. Proto, když se první pohyblivé rameno 24 pohybuje ve směru osy Y, první zvedací a spouštěcí prostředky 32 a jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln se také pohybují ve směru osy Y. První zvedací a spouštěcí prostředky 32 mohou obsahovat elektrickou válcovou sestavu zahrnující kuličkový šroub a elektrický motor. První zvedací a spouštěcí prostředky 32 vertikálně pohybují jednotkou 6 pro generování ultrazvukových vln a zastavují jednotku 6 pro generování ultrazvukových vln v požadované vertikální poloze, přičemž přidržují její válcovou spodní koncovou stěnu 6a ve vertikálním čelním vztahu k waferu, který má být vyráběn z ingotu přidržovaného na přidržovací desce 18. Jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln je vyrobena z piezoelektrické keramiky nebo podobně pro generování ultrazvukových vln.
- 4 CZ 309498 B6
Jak je zobrazeno na obr. 1, prostředky 8 pro dodávání vody zahrnují trubkový spojovací port 34 namontovaný na horním povrchu distálního konce prvního pohyblivého ramene 24, trysku 36 vertikálně pohyblivě podporovanou na spodním povrchu distálního konce prvního pohyblivého ramene 24, a zvedací a spouštěcí mechanizmus trysky, který není zobrazen, pro zvedání a spouštění trysky 36. Když se první pohyblivé rameno 24 pohybuje ve směru osy Y, prostředky 8 pro dodávání vody se také pohybují ve směru osy Y. Spojovací port 34 je připojen ke zdroji vody, který není zobrazen, přes hadičku pro dodávání vody, která není zobrazena. Tryska 36 je oddělena od jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln ve směru osy Y a prochází směrem dolů od spodního povrchu distálního konce prvního pohyblivého ramene 24. Tryska 36 má spodní koncovou část lehce nakloněnou dolů a prochází ve směru osy Y směrem k jednotce 6 pro generování ultrazvukových vln. Tryska 36 má dutou strukturu a má horní konec udržovaný ve stálé komunikaci se spojovacím portem 34 a spodní konec, který je otevřen jako výstup 36a trysky na distálním konci její nakloněné spodní koncové části. Mechanizmus pro zvedání a spouštění trysky, který může obsahovat například elektrickou válcovou sestavu, zvedá a spouští trysku 36 a zastavuje trysku 36 v požadované vertikální poloze, čímž polohuje výstup 36a trysky mezi waferem, který má být vyráběn z ingotu na přidržovací desce 18, a koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln. Takto zkonstruované prostředky 8 pro dodávání vody dodávají vodu přiváděnou z vodního zdroje do spojovacího portu 34 přes výstup 36a trysky do prostoru mezi waferem, který má být vyráběn z ingotu na přidržovací desce 18, a koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln, čímž vytvářejí vodní vrstvu mezi nimi.
Podle předloženého provedení, jak je zobrazeno na obr. 1, jednotka 10 pro detekování výšky je podporována na prvních zvedacích a spouštěcích prostředcích 32 spojovacím ramenem 37 ve tvaru L procházejícím horizontálně ve směru osy Y z prvních zvedacích a spouštěcích prostředků 32 a zahnutým směrem dolů. Proto, když se první pohyblivé rameno 24 pohybuje ve směru osy Y, jednotka 10 pro detekování výšky se také pohybuje společně s prvními zvedacími a spouštěcími prostředky 32 ve směru osy Y. Jednotka 10 pro detekování výšky je zvedána a spouštěna společně s jednotkou 6 pro generování ultrazvukových vln prvními zvedacími a spouštěcími prostředky 32, a je zastavována v požadované vertikální poloze. Alternativně může být jednotka 10 pro detekování výšky vertikálně pohyblivě podporována na prvním pohyblivém ramenu 24 zvedacími a spouštěcími prostředky odlišnými od prvních zvedacích a spouštěcích prostředků 32. Podle předloženého provedení jednotka 10 pro detekování výšky zahrnuje laserový přístroj interferenčního typu pro měření délky nebo ultrazvukový přístroj pro měření délky. Jednotka 10 pro detekování výšky má spodní koncovou stěnu 10a lehce níže, než je spodní koncová stěna 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln, například o přibližně 1 až 2 mm.
Jednotka 10 pro detekování výšky detekuje výšku horního povrchu waferu, který má být vyráběn z ingotu, měřením vzdálenosti mezi spodní koncovou stěnu 10a jednotky 10 pro detekování výšky a horním povrchem waferu, který má být vyráběn z ingotu, přes vodní vrstvu vytvořenou mezi waferem, který má být vyráběn z ingotu, a spodní koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln prostředky 8 pro dodávání vody. Jednotka 12 pro detekování oddělení, která je elektricky spojena s jednotkou 10 pro detekování výšky, je napájena elektrickým signálovým výstupem z jednotky 10 pro detekování výšky. Jednotka 12 pro detekování oddělení zahrnuje centrální procesní jednotku (Central Processing Unit - CPU), která vykonává procesní operace podle řídicího programu, paměti pouze pro čtení (Read Only Memory - ROM), která ukládá řídicí program atd., a čte/zapisuje do paměti s náhodným přístupem (Random Acces Memory - RAM), která ukládá výsledky procesních operací. Jednotka 12 pro detekování oddělení detekuje, kdy je wafer, který má být vyráběn z ingotu, oddělen od ingotu, na základě změny výšky horního povrchu waferu, který má být vyráběn z ingotu, tj. vzdálenosti mezi spodní koncovou stěnou 10a jednotky 10 pro detekování výšky a horním povrchem waferu, který má být vyráběn z ingotu.
Jak je zobrazeno na obr. 1, prostředky 14 pro přidržování waferu jsou připojené ke spodnímu povrchu distálního konce druhého pohyblivého ramene 28. Proto, když se druhé pohyblivé rameno 28 pohybuje ve směru osy Y, prostředky 14 pro přidržování waferu se také pohybují ve směru osy
- 5 CZ 309498 B6
Y. Prostředky 14 pro přidržování waferu zahrnují druhé zvedací a spouštěcí prostředky 38, které mají válcový tvar procházející směrem dolů od spodního povrchu distálního konce druhého pohyblivého ramene 28 a diskově tvarovaný držák 40 připojený ke spodnímu konci druhých zvedacích a spouštěcích prostředků 38, pro přidržování waferu oddělovaného od ingotu sáním. Druhé zvedací a spouštěcí prostředky 38, které mohou obsahovat například elektrickou válcovou sestavu, zvedají a spouštějí držák 40 a zastavují držák 40 v požadované vertikální poloze, přičemž udržují jeho spodní povrch v kontaktu s waferem, který má být vyráběn z ingotu. Porézní sací upínadlo, které není zobrazeno, které je připojeno k sacím prostředkům, které nejsou zobrazené, je připevněno ke spodní koncové stěně držáku 40. Zatímco spodní koncová stěna držáku 40 je v kontaktu s horním povrchem waferu oddělovaného od ingotu, prostředky 14 pro přidržování waferu přidržují wafer na porézním sacím upínadle sacími silami generovanými sacími prostředky a působícími na spodní povrch sacího upínadla.
Obrázky 3A a 3B zobrazují ingot 50 předtím, než je v něm vytvořena oddělovací vrstva. Ingot 50 je vyroben z hexagonálního monokrystalového SiC a má celkově válcový tvar. Ingot 50 má kruhovou první koncovou stěnu 52, kruhovou druhou koncovou stěnu 54 protilehlou k první koncové stěně 52, obvodovou stěnu 56 polohovanou mezi první koncovou stěnou 52 a druhou koncovou stěnou 54, osu c (<0001> směr) procházející z první koncové stěny 52 k druhé koncové stěně 54, a rovinu c ({0001} rovina) kolmou k ose c. Osa c je nakloněna k čáře 58 kolmé k první koncové stěně 52, a rovina c a první koncová stěna 52 vytvářejí úhel odklonu α (např. α = 1, 3, nebo 6 stupňů) mezi nimi. Směr, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, je indikován šipkou „A“ na obrázcích 3A a 3B. Obvodová stěna 56 ingotu 50 má první orientační plochu 60 a druhou orientační plochu 62, z nichž každá má obdélníkový tvar, pro indikování krystalové orientace. První orientační plocha 60 leží paralelně se směrem A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, zatímco druhá orientační plocha 62 leží kolmo ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α. Jak je zobrazeno na obr. 3B, délka L2 druhé orientační plochy 62 je menší než délka L1 první orientační plochy 60, při pohledu shora (L2 < L1). Ingot, ze kterého je wafer oddělován zařízením 2 pro výrobu waferu poté, co v něm byla vytvořena oddělovací vrstva, není omezen na výše uvedený ingot 50, ale může jím být monokrystalový SiC ingot, ve kterém osa c není nakloněna ke kolmici k první koncové stěně a úhel odklonu mezi rovinou c a první koncovou stěnou je 0 stupňů, tj. kolmice k první koncové stěně a osa c jsou vzájemně uspořádány, nebo hexagonální monokrystalový ingot vyrobený z jiného materiálu, než je hexagonální monokrystalový SiC, jako například z GaN (Gallium Nitride - nitrid gallitý) nebo podobně.
Způsob pro výrobu waferu, tj. výrobní způsob waferu, podle předloženého vynálezu bude popsán detailně níže. Podle předloženého provedení je na počátku vykonáván krok vytváření oddělovací vrstvy pro vytváření oddělovací vrstvy v ingotu 50 aplikováním laserového paprsku majícího vlnovou délku prostupitelnou ingotem 50 na ingot 50, zatímco je jeho ohniskový bod v ingotu 50 polohován v hloubce odpovídající tloušťce waferu, který má být vyráběn z koncové stěny ingotu 50. Krok vytváření oddělovací vrstvy může být vykonáván použitím laserového procesního zařízení 64, které je částečně zobrazeno na obrázcích 4A a 4B. Laserové procesní zařízení 64 zahrnuje upínací desku 66 pro přidržování obrobku, tj. ingotu 50, na ní a paprskový kondenzor 68 pro aplikování pulzního laserového paprsku LB (Laser Beam) na obrobek na upínací desce 66. Upínací deska 66, která je konstruována pro přidržování obrobku sáním na svém horním povrchu, je otočitelná okolo vertikální osy otáčecími prostředky, které nejsou zobrazeny, a je také lineárně pohyblivá ve směru osy χ použitím prostředků pro pohyb v ose χ, které nejsou zobrazeny, a ve směru osy y použitím prostředků pro pohyb v ose y, které nejsou zobrazeny. Paprskový kondenzor 68 zahrnuje kondenzorovou čočku, která není zobrazena, pro zaostřování a aplikování pulzního laserového paprsku LB oscilujícího použitím oscilátoru pulzního laserového paprsku, který není zobrazen, laserového procesního zařízení 64, na obrobek. Směr osy χ je indikován šipkou „x“ na obrázcích 4A a 4B, a směr osy y je indikován šipkou „y“ na obr. 4A. Směr osy χ je kolmý ke směru osy y, a směr osy χ a směr osy y společně definují v podstatě horizontální xy rovinu. Směry osy X a Y, které jsou indikovány šipkami „X“, „Y“ (velkými písmeny) na obr. 1, a směry osy χ a y, které jsou indikovány šipkami „x“, „y“ (malými písmeny) na obr. 4A, se mohou shodovat nebo mohou být vzájemně odlišné.
- 6 CZ 309498 B6
Krok vytváření oddělovací vrstvy bude popsán detailně níže s odkazem na obrázky 4A a 4B. V kroku vytváření oddělovací vrstvy je ingot 50 přidržován sáním na horním povrchu upínací desky 66, zatímco horní koncová stěna, označovaná jako první koncová stěna 52 v předloženém provedení, ingotu 50 směřuje nahoru. Ingot 50 může být alternativně zajišťován k upínací desce 66 lepidlem, např. lepidlem z epoxidové pryskyřice, umístěným mezi spodní koncovou stěnou, označovanou jako druhá koncová stěna 54 v předloženém provedení, ingotu 50 a horním povrchem upínací desky 66. Poté obrazová zachycovací jednotka, která není zobrazena, laserového procesního zařízení 64 zachycuje obraz ingotu 50 z polohy nad ingotem 50. Na základě obrazu ingotu 50, který je zachycován obrazovou zachycovací jednotkou, jsou prostředky pro pohyb v ose x, prostředky pro pohyb v ose y a otáčecí prostředky laserového procesního zařízení 64 řízeny pro pohybování a otáčení upínací desky 66 pro nastavování směru ingotu 50 do předurčeného směru a pro nastavování relativní polohy ingotu 50 s ohledem na paprskový kondenzor 68 do předurčené polohy v rovině xy. Pro nastavování směru ingotu 50 do předurčeného směru, jak je zobrazeno na obr. 4A, jsou otáčecí prostředky řízeny pro přivádění druhé orientační plochy 62 do uspořádání se směrem osy x, čímž uspořádávají směr kolmý ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, se směrem osy x, a také uspořádávají směr A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α , se směrem osy y.
Poté jsou prostředky pro nastavování polohy ohniskového bodu, které nejsou zobrazeny, laserového procesního zařízení 64 řízeny pro zvedání nebo spouštění paprskového kondenzoru 68 do polohy ohniskového boru FP (Focal Point) pulzního laserového paprsku LB v ingotu 50 v hloubce například 300 pm odpovídající tloušťce waferu, který má být vyráběn z první koncové stěny 52 ingotu 50, jak je zobrazeno na obr. 4B. Poté je vykonáván proces vytváření oddělovací vrstvy. V procesu vytváření oddělovací vrstvy, zatímco se lineárně pohybuje upínací deska 66 předurčenou posuvnou rychlostí podél směru osy x uspořádaném se směrem kolmým ke směru A, ve kterém je vytvořen úhel odklonu α, paprskový kondenzor 68 aplikuje pulzní laserový paprsek LB, jehož vlnová délka je prostupitelná ingotem 50, tj. monokrystalovým SiC, na ingot 50. Během procesu vytváření oddělovací vrstvy, jak je zobrazeno na obrázcích 5A a 5B, pulzní laserový paprsek LB aplikovaný na ingot 50 odděluje SiC v ingotu 50 na Si (křemík) a C (uhlík) a pulzní laserový paprsek LB následně aplikovaný na ingot 50 je absorbován dříve vytvořeným C, čímž vytváří modifikovanou oblast 70, ve které je SiC následně rozdělován na Si a C. Modifikovaná oblast 70 je nepřerušovaně vytvářena v ingotu 50 podél směru kolmého ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α. Zároveň se v ingotu 50 vyvíjí posloupnost prasklin 72 procházejících izotropně podél roviny c z modifikované oblasti 70. V procesu vytváření oddělovací vrstvy se paprskový kondenzor 68 může lineárně pohybovat namísto upínací desky 66 předurčenou posuvnou rychlostí podél směru osy x.
Jak je zobrazeno na obrázcích 4A, 4B, 5A, a 5B, po procesu vytváření oddělovací vrstvy laserové procesní zařízení 64 vykonává indexový posunovací proces. V indexovém posunovacím procesu prostředky pro pohyb v ose y indexově posunují upínací desku 66 relativně k ohniskovému bodu FP podél směru osy y uspořádaného se směrem A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, o předurčenou indexovou posunovací vzdálenost Li, např. v rozsahu od 250 do 400 pm, která není větší, než je šířka prasklin 72. V indexovém posunovacím procesu se může lineárně pohybovat paprskový kondenzor 68 namísto upínací desky 66 podél směru osy y. Poté jsou proces vytváření oddělovací vrstvy a indexový posunovací proces vykonávány střídavě pro vytváření většího počtu modifikovaných oblastí 70, z nichž každá prochází nepřerušovaně podél směru kolmého ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, v oddělených intervalem, z nichž každý je rovný indexové posunovací vzdálenosti Li ve směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, a také pro vytváření posloupnosti prasklin 72 procházejících izotropně podél roviny c z modifikovaných oblastí 70 tak, aby se sousední praskliny 72 ve směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, vzájemně překrývaly. Tímto způsobem je vytvářena oddělovací vrstva 74 tvořená modifikovanými oblastmi 70 a praskliny 72 v ingotu 50 v hloubce, která odpovídá tloušťce waferu, který má být oddělován, z první koncové stěny 52 ingotu 50. Oddělovací vrstva 74 má nižší mechanickou sílu než zbytek ingotu 50, takže wafer může být oddělován od ingotu 50 podél oddělovací vrstvy 74, jak bude
- 7 CZ 309498 B6 popsáno později. Oddělovací vrstva 74 může být vytvářena v kroku vytváření oddělovací vrstvy za následujících procesních podmínek:
Vlnová délka pulzního laserového paprsku: 1064 nm.
Opakovací frekvence: 60 kHz.
Průměrný výstupní výkon: 1,5 W.
Doba trvání pulzu: 4 ns.
Průměr ohniskového bodu: 3 pm.
Numerický otvor (Numerical Aperture - NA) kondenzorové čočky: 0,65.
Rychlost posunu: 200 mm/s.
Krok vytváření oddělovací vrstvy je následován krokem generování ultrazvukových vln, ve kterém je jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln polohována v čelním vzájemném vztahu s waferem, který má být vyráběn z ingotu 50, přes vodní vrstvu umístěnou mezi nimi, a je spouštěna pro generování ultrazvukových vln, které působí přes vodní vrstvu na ingot 50 pro odlamování oddělovací vrstvy 74. Podle předloženého provedení, v kroku generování ultrazvukových vln, jak je zobrazeno na obr. 2, přidržovací deska 18 jednotky 4 pro přidržování ingotu na sobě přidržuje ingot 50, zatímco první koncová stěna 52, která je blíže k oddělovací vrstvě 74, směřuje nahoru. V tomto okamžiku může být ingot 50 zajišťován k přidržovací desce 18 lepidlem, jako například lepidlem z epoxidové pryskyřice, umísťovaným mezi druhou koncovou stěnou 54 ingotu 50 a horním povrchem přidržovací desky 18, nebo sacími silami působícími na horní povrch přidržovací desky 18. Poté je zapínán první motor 26 mechanizmu 20 pro pohyb v ose Y pro pohybování prvním pohyblivým ramenem 24 pro polohování spodní koncové stěny 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln a spodní koncové stěny 10a jednotky 10 pro detekování výšky ve vertikálně směřujícím vztahu k waferu, který má být vyráběn z ingotu 50, tj. k části ingotu 50 od první koncové stěny 52 k oddělovací vrstvě 74 podle předloženého vynálezu, jak je zobrazeno na obr. 1. Poté první zvedací a spouštěcí prostředky 32 spouštějí jednotku 6 pro generování ultrazvukových vln, dokud vzdálenost mezi první koncovou stěnou 52 a spodní koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln nedosáhne předurčené hodnoty, např. hodnoty v rozsahu od přibližně 2 do 3 mm. Když vzdálenost dosáhne předurčené hodnoty, první zvedací a spouštěcí prostředky 32 jsou deaktivovány. Mechanizmus pro zvedání a spouštění trysky pohybuje tryskou 36 pro polohování tryskového výstupu 36a trysky 36 mezi první koncovou stěnou 52 a spodní koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln. Poté je přidržovací deska 18 otáčena elektrickým motorem. Zatímco první motor 26 pohybuje prvním pohyblivým ramenem 24 podél směru osy Y, je dodávána voda z tryskového výstupu 36a trysky 36 do prostoru mezi první koncovou stěnou 52 a spodní koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln, čímž je vytvářena vodní vrstva LW v prostoru, jak je zobrazeno na obr. 6. Jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln je poté zapínána pro generování ultrazvukových vln. V tomto okamžiku je přidržovací deska 18 otáčena a první pohyblivé rameno 24 je lineárně posunováno podél směru osy Y za účelem průchodu jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln přes celou první koncovou stěnu 52 ingotu 50. Ultrazvukové vlny generované jednotkou 6 pro generování ultrazvukových vln jsou proto aplikovány přes vodní vrstvu LW na ingot 50 a tím na oddělovací vrstvu 74 jako celek. Ultrazvukové vlny aplikované na oddělovací vrstvu 74 odlamují oddělovací vrstvu 74, přičemž oddělují část ingotu 50 od první koncové stěny 52 pro oddělování vrstvy 74 jako waferu 76 z odlamované oddělovací vrstvy 74, která slouží jako rozdělovací výchozí bod.
V kroku generování ultrazvukových vln, ultrazvukové vlny generované jednotkou 6 pro generování ultrazvukových vln mají mít výhodně frekvenci blízkou vlastní frekvenci ingotu 50. Takovým nastavováním frekvence ultrazvukových vln jsou ultrazvukové vlny aplikované na ingot 50 schopné účinně oddělovat wafer 76 od ingotu 50 v poměrně krátké časové periodě v rozsahu od přibližně 1 do 3 minut, dokonce, i když ultrazvukové vlny mají poměrně nízkou výstupní výkonovou úroveň přibližně například 200 W. Frekvence blízká vlastní frekvenci ingotu 50 se nachází v rozsahu od 0,8 do 1,2 násobku vlastní frekvence ingotu 50. Jestliže například vlastní frekvence ingotu 50 činí 25 kHz, pak frekvence blízká vlastní frekvenci ingotu 50 se nachází v rozsahu přibližně od 20 do 30 kHz. Dokonce, i když ultrazvukové vlny generované jednotkou 6
- 8 CZ 309498 B6 pro generování ultrazvukových vln mají frekvenci přesahující frekvenci blízkou vlastní frekvenci ingotu 50, např. frekvenci nad 30 kHz, ultrazvukové vlny aplikované na ingot 50 jsou schopné účinně oddělovat wafer 76 od ingotu 50 v poměrné krátké časové periodě za předpokladu, že ultrazvukové vlny mají poměrně vysokou výstupní výkonovou úroveň v rozsahu například od přibližně 400 do 500 W.
V kroku generování ultrazvukových vln, teplota vody dodávané do prostoru mezi první koncovou stěnou 52 ingotu 50 a spodní koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln by měla být výhodně nastavována na teplotu, při které je vodní vrstvě LW bráněno ve vytváření kavitace, když jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln generuje ultrazvukové vlny. Přesněji, teplota vody by měla být výhodně nastavována na hodnotu v rozsahu od 0 do 25 °C. Při takovém nastavování teploty vody není energie generovaných ultrazvukových vln převáděna na kavitaci, ale je účinně přenášena do oddělovací vrstvy 74, čímž účinně odlamuje oddělovací vrstvu 74.
Zatímco je vykonáván krok generování ultrazvukových vln, jak bylo popsáno výše, je vykonáván krok detekování oddělení, ve kterém je jednotka 10 pro detekování výšky polohována nad horním povrchem waferu 76, který má být vyráběn s vodní vrstvou LW umístěnou mezi nimi, a oddělení waferu 76 od ingotu 50 je detekováno ze změny výšky horního povrchu waferu 76, který má být vyráběn, 1j. první koncové stěny 52 v předloženém provedení. Jestliže jednotka 12 pro detekování oddělení detekuje oddělení waferu 76 od ingotu 50, tj. oddělování waferu 76 je dokončeno, v kroku detekování oddělení, pak je krok generování ultrazvukových vln ukončován. V kroku detekování oddělení podle předloženého vynálezu jednotka 12 pro detekování oddělení detekuje oddělení waferu 76 od ingotu 50, když vzdálenost mezi spodní koncovou stěnou 10a jednotky 10 pro detekování výšky a horním povrchem waferu 76, který má být vyráběn, se stává rovnou nebo menší než předurčená hodnota. Časově závislé změny ve vzdálenosti mezi spodním povrchem 10a jednotky 10 pro detekování výšky a horním povrchem waferu 76, který má být vyráběn, jsou zobrazeny například na obr. 7.
V příkladu zobrazeném na obr. 7 má vzdálenost, označovaná „S“, mezi spodní koncovou stěnou 10a jednotky 10 pro detekování výšky a horním povrchem waferu 76, který má být vyráběn, počáteční hodnotu So rovnou například přibližně 850 μm. V čase tc jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln spouští aplikování ultrazvukových vln na ingot 50. Od času to do času ti vzdálenost S zůstává větší, než předurčená hodnota Si rovná přibližně 550 μm, která slouží jako referenční úroveň pro určování, zda je nebo není wafer 76 oddělen od ingotu 50, přestože se vzdálenost S mění v určitém rozsahu například od přibližně 100 do 150 μm kvůli ultrazvukovým vlnám aplikovaným z jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln. Během tohoto časového intervalu není wafer 76, který má být vyráběn, zcela oddělován od ingotu 50, tj. wafer 76, který má být vyráběn, není zcela nebo částečně oddělován od ingotu 50. Po čase ti se vzdálenost S mění nad předurčenou hodnotu Si, nebo se příležitostně stává rovnou nebo menší než předurčená hodnota Si, a jednotka 12 pro detekování oddělení určuje, že wafer 76, který má být vyráběn, je oddělen od ingotu 50. Podle předloženého provedení, protože přidržovací deska 18 se otáčí a první pohyblivé rameno 24 se pohybuje během kroku generování ultrazvukových vln, jednotka 12 pro detekování oddělení detekuje vzdálenost S ve větším počtu poloh na ingotu 50. Když vzdálenost S detekovaná ve větším počtu poloh na ingotu 50 je rovná nebo menší než předurčená hodnota Si, jednotka 12 pro detekování oddělení detekuje oddělení celého waferu 76 od ingotu 50. Krok generování ultrazvukových vln a krok detekování oddělení jsou ukončovány v okamžiku oddělení celého waferu 76 od ingotu 50. V čase t2 je aplikace ultrazvukových vln z jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln ukončována.
Poté, co byl vykonáván krok generování ultrazvukových vln a krok detekování oddělení, první elektrický motor 26 pohybuje prvním pohyblivým ramenem 24 pro posunování jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln a trysky 36 mimo polohu nad ingotem 50, a druhý elektrický motor 30 pohybuje druhým pohyblivým ramenem 28 pro polohování prostředků 14 pro přidržování waferu přímo nad ingotem 50. Poté, jak je zobrazeno na obr. 8, druhé zvedací a spouštěcí prostředky 38 spouštějí držák 40 pro přivádění spodní koncové stěny držáku 40 do kontaktu s první
- 9 CZ 309498 B6 koncovou stěnou 52 ingotu 50. Poté jsou spouštěny sací prostředky připojené k sacímu upínadlu na držáku 40 pro aplikování sacích sil na sací upínadlo na držáku 40, které přidržuje oddělovaný wafer 76 jeho přisáváním. Poté, jak je zobrazeno na obr. 9, druhé zvedací a spouštěcí prostředky 38 zvedají držák 40, a druhý elektrický motor 30 pohybuje druhým pohyblivým ramenem 28 pro přepravování odděleného waferu 76 z ingotu 50.
Podle předloženého provedení, jak bylo popsáno výše, může být wafer 76 snadno oddělován od ingotu 50 od oddělovací vrstvy 74, která slouží jako bod zahajující rozdělování, a dokončení oddělování waferu 76 od ingotu 50 může být snadno určováno. Podle předloženého provedení, protože krok generování ultrazvukových vln je ukončován po dokončení oddělování waferu 76 od ingotu 50, časová perioda, během které je vykonáván krok generování ultrazvukových vln, není nadmíru zvyšována, což vede ke zvýšení produktivity zařízení 2 pro výrobu waferu. Dále, podle předloženého provedení je vodní vrstva LWvytvářena mezi waferem 76, který má být vyráběn, a koncovou stěnou 6a jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln dodáváním vody do prostoru mezi nimi, a ultrazvukové vlny jsou aplikovány z jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln na ingot 50 přes vodní vrstvu LW. Následně může být wafer 76 oddělován od ingotu 50 bez používání vodního zásobníku, ve kterém by docházelo k oddělování waferu. Zařízení 2 pro výrobu waferu je ekonomické, protože není plýtván žádný čas ani žádná voda pro plnění takového vodního zásobníku.
V kroku vytváření oddělovací vrstvy podle předloženého provedení je nepřerušovaně vytvářena modifikovaná oblast 70 v ingotu 50 podél směru kolmého ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, a ingot 50 je indexově posunován podél směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α. Avšak směrem, podél kterého je modifikovaná oblast 70 vytvářena, nemusí být směr kolmý ke směru A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α, a směr, ve kterém je ingot 50 indexově posunován nemusí být směr A, ve kterém je vytvářen úhel odklonu α. Podle předloženého provedení, první zvedací a spouštěcí prostředky 32 pro zvedání a spouštění jednotky 6 pro generování ultrazvukových vln a jednotky 10 pro detekování výšky a mechanizmus pro zvedání a spouštění trysky pro zvedání a spouštění trysky 36 jsou vzájemně od sebe oddělené. Jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln a tryska 36 však mohou být zvedány a spouštěny společným mechanizmem namontovaným na prvním pohyblivém ramenu 24, nebo jednotka 6 pro generování ultrazvukových vln, jednotka 10 pro detekování výšky, tryska 36 a prostředky 14 pro detekování výšky mohou být zvedány a spouštěny zvedáním a spouštěním rámečku 22 mechanizmu 20 pro pohyb v ose Y.
Předložený vynález není omezen na detaily výše popsaného výhodného provedení. Rozsah vynálezu je definován připojenými nároky a všechny změny a modifikace, jak spadají do ekvivalence rozsahu nároků, by proto měly být zahrnovány vynálezem.

Claims (6)

1. Způsob výroby waferu (76) z hexagonálního monokrystalového ingotu (50), vyznačující se tím, že obsahuje:
krok vytváření oddělovací vrstvy vytvářející oddělovací vrstvu (74) v hexagonálním monokrystalovém ingotu (50) aplikováním laserového paprsku (LB) majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým ingotem (50), zatímco je polohován ohniskový bod (FP) laserového paprsku (LB) v hexagonálním monokrystalovém ingotu (50) v hloubce odpovídající tloušťce waferu (76), který má být vyráběn z koncové stěny (52) hexagonálního monokrystalového ingotu (50);
krok generování ultrazvukových vln generující ultrazvukové vlny z jednotky (6) pro generování ultrazvukových vln polohované v čelním vztahu k waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi, čímž je odlamována oddělovací vrstva (74); a krok detekování oddělení detekující, kdy je wafer (76), který má být vyráběn, oddělen od hexagonálního monokrystalového ingotu (50), na základě změny, která je detekována ve výšce horního povrchu waferu (76), který má být vyráběn, jednotkou (10) pro detekování výšky polohovanou nad horním povrchem waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi.
2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že jednotka (10) pro detekování výšky používaná v kroku detekování oddělení zahrnuje laserový přístroj interferenčního typu pro měření délky nebo ultrazvukový přístroj pro měření délky.
3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že hexagonální monokrystalový ingot (50) zahrnuje hexagonální monokrystalový SiC ingot (50) mající osu (c) a rovinu (c) kolmou k ose (c); a krok vytváření oddělovací vrstvy zahrnuje vytvoření oddělovací vrstvy (74), která je vytvořena z modifikovaných oblastí (70), ve kterých je SiC rozdělován na Si a C v ingotu (50) a z posloupnosti prasklin (72) procházejících izotropně podél roviny (c) z modifikovaných oblastí (70), aplikováním laserového paprsku (LB) majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým SiC na hexagonální monokrystalový SiC ingot (50), zatímco je ohniskový bod (FP) laserového paprsku (LB) polohován v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu (50) v hloubce odpovídající tloušťce waferu (76) od koncové stěny (52) hexagonálního monokrystalového SiC ingotu (50).
4. Způsob podle nároku 3, vyznačující se tím, že hexagonální monokrystalový ingot (50) zahrnuje hexagonální monokrystalový SiC ingot (50) mající osu (c) nakloněnou ke kolmici k jeho koncové stěně (52) a rovinu (c), kde rovina (c) a koncová stěna (52) vytvářejí mezi sebou úhel odklonu (α); a krok vytváření oddělovací vrstvy zahrnuje vytvoření oddělovací vrstvy (74), která je vytvářena nepřerušovaným vytvářením modifikované oblasti (70) v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu (50) ve směru kolmém ke směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu (α), vytvářením posloupnosti prasklin (72) procházejících izotropně podél roviny (c) z modifikované oblasti (70), indexovým posunováním hexagonálního monokrystalového SiC ingotu (50) a ohniskového bodu (FP) relativně vzájemně k sobě o vzdálenost, která není větší než šířka prasklin (72) ve směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu (α), poté nepřerušovaným vytvářením modifikované oblasti (70) v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu (50) ve směru kolmém ke směru, ve kterém je vytvářen úhel odklonu (α), a vytvářením posloupnosti prasklin (72) procházejících izotropně podél roviny (c) z posledně zmíněné modifikované oblasti (70).
5 jednotku (6) pro generování ultrazvukových vln generující ultrazvukové vlny, přičemž jednotka (6) pro generování ultrazvukových vln má koncovou stěnu (52) polohovanou v čelním vztahu k waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi;
jednotku (10) pro detekování výšky detekující výšku horního povrchu waferu (76), který má být vyráběn, přes vodní vrstvu (LW) umístěnou mezi nimi; a
10 jednotku (12) pro detekování oddělení připojenou k jednotce (10) pro detekování výšky, detekující, kdy je wafer (76), který má být vyráběn, oddělen od hexagonálního monokrystalového ingotu (50), na základě změny výšky horního povrchu waferu (76), který má být vyráběn.
5. Zařízení pro oddělování waferu (76) z hexagonálního monokrystalového ingotu (50), vyznačující se tím, že má na sobě oddělovací vrstvu (74) vytvořenou aplikováním laserového paprsku (LB) majícího vlnovou délku prostupitelnou hexagonálním monokrystalovým ingotem
- 11 CZ 309498 B6 (50), zatímco je ohniskový bod (FP) laserového paprsku (LB) polohován v hexagonálním monokrystalovém SiC ingotu (50) v hloubce odpovídající tloušťce waferu (76), který má být vyráběn, od koncové stěny (52) hexagonálního monokrystalového SiC ingotu (50), kde zařízení obsahuje:
6 výkresů
CZ2019-143A 2018-03-14 2019-03-12 Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu CZ309498B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018046476A JP7123583B2 (ja) 2018-03-14 2018-03-14 ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2019143A3 CZ2019143A3 (cs) 2019-09-25
CZ309498B6 true CZ309498B6 (cs) 2023-03-01

Family

ID=67774754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2019-143A CZ309498B6 (cs) 2018-03-14 2019-03-12 Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10886127B2 (cs)
JP (1) JP7123583B2 (cs)
KR (1) KR102592790B1 (cs)
CN (1) CN110277349B (cs)
CZ (1) CZ309498B6 (cs)
DE (1) DE102019203465A1 (cs)
TW (1) TWI779173B (cs)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7309191B2 (ja) * 2019-11-06 2023-07-18 中村留精密工業株式会社 ウェハー分割装置
JP7408475B2 (ja) 2020-04-16 2024-01-05 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
JP2022117116A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2023116242A (ja) 2022-02-09 2023-08-22 株式会社ディスコ 凹凸低減方法及び凹凸低減装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016111143A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
WO2016180246A1 (zh) * 2015-05-12 2016-11-17 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光加工方法、设备和存储介质
EP3246937A1 (en) * 2015-01-16 2017-11-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing composite semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor bonding substrate
JP2018014421A (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
US20180061695A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 Infineon Technologies Ag Method for processing a wafer and method for processing a carrier

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP2007220775A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の研削装置並びに半導体デバイスの製造方法
US9362439B2 (en) * 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
JP5133046B2 (ja) * 2007-12-28 2013-01-30 株式会社ディスコ 板状物の研削方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6388545B2 (ja) * 2015-01-16 2018-09-12 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472332B2 (ja) * 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法
JP6669594B2 (ja) * 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP7046617B2 (ja) * 2018-01-22 2022-04-04 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) * 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016111143A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
EP3246937A1 (en) * 2015-01-16 2017-11-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing composite semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor bonding substrate
WO2016180246A1 (zh) * 2015-05-12 2016-11-17 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光加工方法、设备和存储介质
JP2018014421A (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
US20180061695A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 Infineon Technologies Ag Method for processing a wafer and method for processing a carrier

Also Published As

Publication number Publication date
CZ2019143A3 (cs) 2019-09-25
CN110277349B (zh) 2024-02-09
TWI779173B (zh) 2022-10-01
US20190287801A1 (en) 2019-09-19
US10886127B2 (en) 2021-01-05
JP2019161037A (ja) 2019-09-19
KR102592790B1 (ko) 2023-10-20
KR20190108488A (ko) 2019-09-24
CN110277349A (zh) 2019-09-24
DE102019203465A1 (de) 2019-09-19
TW201939599A (zh) 2019-10-01
JP7123583B2 (ja) 2022-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ309498B6 (cs) Způsob výroby waferu a zařízení pro výrobu waferu
US11114307B2 (en) Method of producing a wafer from an ingot including a peel-off detecting step
TWI794343B (zh) 剝離裝置
US10406635B2 (en) Wafer producing method and processing feed direction detecting method
TWI730141B (zh) ＳｉＣ晶圓之生成方法
KR20160143529A (ko) 웨이퍼의 생성 방법
TWI728140B (zh) SiC晶圓的生成方法
KR20180094798A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
JP7073172B2 (ja) ウエーハの生成方法
TW201641206A (zh) 薄板的分離方法
TWI810237B (zh) 晶圓的生成方法及晶圓的生成裝置
JP2019096751A (ja) 剥離装置
KR20140127757A (ko) 웨이퍼 가공 방법
CN110010519A (zh) 剥离装置
US20240009773A1 (en) Manufacturing method of substrate