KR20180094798A - SiC 웨이퍼의 생성 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 효율적으로 박리할 수 있는 SiC 웨이퍼의 생성 방법을 제공한다.
(해결 수단) SiC 웨이퍼의 생성 방법으로서, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선 (LB) 의 집광점 (FP) 을 잉곳 (2) 의 제 1 면 (4) (단면) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치 결정하고 잉곳 (2) 에 레이저 광선 (LB) 을 조사하여 SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부 (18) 와 개질부 (18) 로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙 (20) 으로 이루어지는 박리층 (22) 을 형성하는 박리층 형성 공정과, SiC 잉곳 (2) 의 SiC 웨이퍼가 생성되는 측을 액체 (26) 중에 침지하여 잉곳 (2) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파를 발하는 진동판 (30) 에 대면시키고 박리층 (22) 을 계면으로 하여 잉곳 (2) 의 일부를 박리하고 SiC 웨이퍼 (39) 를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 포함한다.

Description

SiC 웨이퍼의 생성 방법{METHOD FOR PRODUCING SiC WAFER}
본 발명은, 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 SiC 웨이퍼의 생성 방법에 관한 것이다.
IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si (실리콘) 나 Al2O3 (사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고, 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 또, 파워 디바이스, LED 등은 단결정 SiC (탄화규소) 를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고, 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인에 가공이 실시되어 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 각 디바이스는 휴대 전화, PC등 전기 기기에 이용된다.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원기둥 형상인 잉곳을 와이어 소로 얇게 절단함으로써 생성된다. 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마함으로써 경면으로 마무리된다 (특허문헌 1 참조). 그러나, 잉곳을 와이어 소로 절단하고, 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 잉곳의 대부분 (70 ∼ 80 ％) 이 버려지게 되어 경제적이지 않다는 문제가 있다. 특히 단결정 SiC 잉곳에 있어서는, 경도가 높아 와이어 소에 의한 절단이 곤란하여 상당한 시간을 필요로 하기 때문에 생산성이 나쁨과 함께, 잉곳의 단가가 높아서 효율적으로 SiC 웨이퍼를 생성하는 것에 과제를 가지고 있다.
그래서 본 출원인은, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 단결정 SiC 잉곳의 내부에 위치 결정하고 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 절단 예정면에 박리층을 형성하고, 박리층으로부터 SiC 웨이퍼를 박리하는 기술을 제안하였다 (특허문헌 2 참조). 그런데, 박리층으로부터 SiC 웨이퍼를 박리하는 것이 곤란하여 생산 효율이 나쁘다는 문제가 있다.
일본 공개특허공보 2000-94221호 일본 공개특허공보 2016-111143호
따라서, 본 발명의 목적은, 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를 효율적으로 박리할 수 있는 SiC 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, c 축과 c 축과 직교하는 c 면을 갖는 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를 생성하는 SiC 웨이퍼의 생성 방법으로서, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 단결정 SiC 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 SiC 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치 결정하고 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부와 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정과, 그 박리층 형성 공정을 실시한 후, 단결정 SiC 잉곳의 SiC 웨이퍼가 생성되는 측을 액체 중에 침지하여 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파를 발하는 진동판에 대면시키고 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳의 일부를 박리하고 SiC 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 구비한 SiC 웨이퍼의 생성 방법이 제공된다.
바람직하게는, 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 주파수는 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 0.8 배이다. 바람직하게는, 그 액체는 물이며, 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정된다. 물의 온도는 0 ∼ 25 ℃ 인 것이 바람직하다. 바람직하게는, 그 박리층 형성 공정에 있어서, 단결정 SiC 잉곳의 단면의 수선과 c 축이 일치하고 있는 경우, 연속적으로 형성된 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성된 크랙의 폭을 초과하지 않는 범위에서 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 개질부를 연속적으로 형성하고 크랙과 크랙을 연결시켜 박리층을 형성한다. 바람직하게는, 그 박리층 형성 공정에 있어서, 단결정 SiC 잉곳의 단면의 수선에 대해 c 축이 경사져 있는 경우, c 면과 단면으로 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c 면에 등방적으로 크랙을 형성하고, 그 오프각이 형성되는 방향으로 크랙의 폭을 초과하지 않는 범위에서 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 그 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c 면에 등방적으로 크랙을 순차 형성하여 박리층을 형성한다.
본 발명의 SiC 웨이퍼의 생성 방법에 의하면, 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를 효율적으로 박리할 수 있고, 따라서 생산성의 향상이 도모된다.
도 1 은, 단면의 수선과 c 축이 일치하고 있는 단결정 SiC 잉곳의 사시도이다.
도 2 는, 박리층 형성 공정이 실시되고 있는 상태를 나타내는 사시도 (a) 및 정면도 (b) 이다.
도 3 은, 상방으로부터 본 개질부 및 크랙을 나타내는 모식도이다.
도 4 는, 상방으로부터 본 개질부를 나타내는 모식도이다.
도 5 는, 박리층 형성 공정에 있어서 개질부가 둘레 방향으로 연속적으로 형성되어 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6 은, 웨이퍼 생성 공정이 실시되고 있는 상태를 나타내는 정면도 (a) 및 생성된 웨이퍼의 사시도 (b) 이다.
도 7 은, 단면의 수선에 대해 c 축이 경사져 있는 단결정 SiC 잉곳의 정면도 (a), 평면도 (b) 및 사시도 (c) 이다.
도 8 은, 박리층 형성 공정이 실시되고 있는 상태를 나타내는 사시도 (a) 및 정면도 (b) 이다.
도 9 는, 박리층이 형성된 단결정 SiC 잉곳의 평면도 (a), B-B 선 단면도이다.
본 발명의 SiC 웨이퍼의 생성 방법은, 단결정 SiC 잉곳의 c 축이 단면의 수선에 대해 경사져 있는지의 여부에 상관없이 사용할 수 있는 바, 먼저, 단면의 수선과 c 축이 일치하고 있는 단결정 SiC 잉곳에 있어서의 본 발명의 SiC 웨이퍼의 생성 방법의 실시형태에 대해 도 1 내지 도 6 을 참조하면서 설명한다.
도 1 에 나타내는 원기둥 형상인 육방정 단결정 SiC 잉곳 (2) (이하 「잉곳 (2)」이라고 한다) 은, 원 형상의 제 1 면 (4) (단면) 과, 제 1 면 (4) 과 반대측인 원 형상의 제 2 면 (6) 과, 제 1 면 (4) 및 제 2 면 (6) 사이에 위치하는 둘레면 (8) 과, 제 1 면 (4) 으로부터 제 2 면 (6) 에 이르는 c 축 (＜0001＞ 방향) 과, c 축과 직교하는 c 면 (｛0001｝면) 을 갖는다. 잉곳 (2) 에 있어서는, 제 1 면 (4) 의 수선 (10) 에 대해 c 축이 경사져 있지 않고, 수선 (10) 과 c 축이 일치하고 있다.
본 실시형태에서는, 먼저, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부와 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정을 실시한다. 박리층 형성 공정은, 예를 들어 도 2 에 그 일부를 나타내는 레이저 가공 장치 (12) 를 사용하여 실시할 수 있다. 레이저 가공 장치 (12) 는, 피가공물을 유지하는 척 테이블 (14) 과, 척 테이블 (14) 에 유지된 피가공물에 펄스 레이저 광선 (LB) 을 조사하는 집광기 (16) 를 구비한다. 척 테이블 (14) 은, 회전 수단에 의해 상하 방향으로 연장되는 축선을 중심으로 하여 회전됨과 함께, X 방향 이동 수단에 의해 X 방향으로 진퇴되고, Y 방향 이동 수단에 의해 Y 방향으로 진퇴된다 (모두 도시하고 있지 않다). 집광기 (16) 는, 레이저 가공 장치 (12) 의 펄스 레이저 광선 발진기로부터 발진된 펄스 레이저 광선 (LB) 을 집광하여 피가공물에 조사하기 위한 집광 렌즈 (모두 도시하고 있지 않다) 를 포함한다. 또한, X 방향은 도 2 에 화살표 X 로 나타내는 방향이며, Y 방향은 도 2 에 화살표 Y 로 나타내는 방향으로서 X 방향과 직교하는 방향이다. X 방향 및 Y 방향이 규정하는 평면은 실질상 수평이다.
박리층 형성 공정에서는, 먼저, 잉곳 (2) 의 제 2 면 (6) 과 척 테이블 (14) 의 상면 사이에 접착제 (예를 들어 에폭시 수지계 접착제) 를 개재시켜, 척 테이블 (14) 에 잉곳 (2) 을 고정시킨다. 혹은, 척 테이블 (14) 의 상면에 복수의 흡인공이 형성되어 있고, 척 테이블 (14) 의 상면에 흡인력을 생성하여 잉곳 (2) 을 유지해도 된다. 이어서, 레이저 가공 장치 (12) 의 촬상 수단 (도시하고 있지 않다) 에 의해 제 1 면 (4) 의 상방으로부터 잉곳 (2) 을 촬상한다. 이어서, 촬상 수단에 의해 촬상된 잉곳 (2) 의 화상에 기초하여, 레이저 가공 장치 (12) 의 X 방향 이동 수단 및 Y 방향 이동 수단에 의해 척 테이블 (14) 을 이동시키는 것에 의해, 잉곳 (2) 과 집광기 (16) 의 XY 평면에 있어서의 위치를 조정한다. 이어서, 레이저 가공 장치 (12) 의 집광점 위치 조정 수단 (도시하고 있지 않다) 에 의해 집광기 (16) 를 승강시켜, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 집광점 (FP) 을 위치 결정한다. 이어서, 잉곳 (2) 과 집광점 (FP) 을 상대적으로 이동시키면서, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선 (LB) 을 집광기 (16) 로부터 잉곳 (2) 에 조사하는 개질부 형성 가공을 실시한다. 본 실시형태에서는 도 2 에 나타내는 바와 같이, 개질부 형성 가공에 있어서, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 소정의 가공 이송 속도로 X 방향 이동 수단에 의해 X 방향으로 가공 이송하고 있다. 개질부 형성 가공에 의해, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 직선상의 개질부 (18) 를 X 방향을 따라 연속적으로 형성할 수 있음과 함께, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 개질부 (18) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙 (20) 을 형성할 수 있다. 도 3 에 개질부 (18) 를 중심으로 하여 크랙 (20) 이 형성되는 영역을 이점 쇄선으로 나타낸다. 도 4 를 참조하여 설명하면, 개질부 (18) 의 직경을 D 로 하고, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격을 L 로 하면, D ＞ L 의 관계 (즉, 가공 이송 방향인 X 방향에 있어서 인접하는 개질부 (18) 와 개질부 (18) 가 중복되는 관계) 를 갖는 영역에서 개질부 (18) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 크랙 (20) 이 형성된다. 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격 (L) 은, 집광점 (FP) 과 척 테이블 (14) 의 상대 속도 (V), 및 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 에 의해 규정된다 (L = V/F). 본 실시형태에서는, 집광점 (FP) 에 대한 척 테이블 (14) 의 X 방향에 대한 가공 이송 속도 (V) 와, 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 를 조정함으로써 D ＞ L 의 관계를 만족시킬 수 있다.
박리층 형성 공정에서는 개질부 형성 가공에 계속해서, 크랙 (20) 의 폭을 초과하지 않는 범위에서, 잉곳 (2) 과 집광점 (FP) 을 상대적으로 인덱스 이송한다. 본 실시형태에서는 인덱스 이송에 있어서, 크랙 (20) 의 폭을 초과하지 않는 범위에서, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 Y 방향 이동 수단에 의해 Y 방향으로 소정 인덱스량 (Li) 만큼 인덱스 이송하고 있다. 그리고, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, X 방향을 따라 연속적으로 연장되는 개질부 (18) 를 Y 방향으로 인덱스량 (Li) 의 간격을 두고 복수 형성함과 함께, Y 방향에 있어서 인접하는 크랙 (20) 과 크랙 (20) 을 연결시킨다. 이로써, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부 (18) 와 개질부 (18) 로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙 (20) 으로 이루어지는, 잉곳 (2) 으로부터 웨이퍼를 박리하기 위한 박리층 (22) 을 형성할 수 있다. 또한, 박리층 형성 공정에서는, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, 잉곳 (2) 의 동일한 부분에 개질부 형성 가공을 복수 회 (예를 들어 4 회) 실시해도 된다.
박리층 형성 공정의 개질부 형성 가공에 있어서는, 잉곳 (2) 과 집광점 (FP) 을 상대적으로 이동하면 되고, 예를 들어 도 5 에 나타내는 바와 같이, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 상방에서 보아 반시계 방향 (시계 방향이어도 된다) 으로 소정의 회전 속도로 레이저 가공 장치 (12) 의 회전 수단에 의해 회전시키면서, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선 (LB) 을 집광기 (16) 로부터 잉곳 (2) 에 조사해도 된다. 이로써, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 환상의 개질부 (18) 를 잉곳 (2) 의 둘레 방향을 따라 연속적으로 형성할 수 있음과 함께, 개질부 (18) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙 (20) 을 형성할 수 있다. 상기 서술한 바와 같이, 개질부 (18) 의 직경을 D 로 하고, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격을 L 로 하면, D ＞ L 의 관계를 갖는 영역에서 개질부 (18) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 크랙 (20) 이 형성되고, 또 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격 (L) 은, 집광점 (FP) 과 척 테이블 (14) 의 상대 속도 (V), 및 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 에 의해 규정되는 (L = V/F) 바, 도 5 에 나타내는 경우에는, 집광점 (FP) 위치에 있어서의 집광점 (FP) 에 대한 척 테이블 (14) 의 주속도 (V) 와, 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 를 조정함으로써 D ＞ L 의 관계를 만족시킬 수 있다.
개질부 형성 가공을 잉곳 (2) 의 둘레 방향을 따라 환상으로 실시한 경우에는, 크랙 (20) 의 폭을 초과하지 않는 범위에서, 예를 들어, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 X 방향 이동 수단 또는 Y 방향 이동 수단에 의해 잉곳 (2) 의 직경 방향으로 소정 인덱스량 (Li) 만큼 인덱스 이송한다. 그리고, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, 잉곳 (2) 의 둘레 방향을 따라 연속적으로 연장되는 개질부 (18) 를 잉곳 (2) 의 직경 방향으로 인덱스량 (Li) 의 간격을 두고 복수 형성함과 함께, 잉곳 (2) 의 직경 방향에 있어서 인접하는 크랙 (20) 과 크랙 (20) 을 연결시킨다. 이로써, 제 1 면 (4) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부 (18) 와 개질부 (18) 로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙 (20) 으로 이루어지는, 잉곳 (2) 으로부터 웨이퍼를 박리하기 위한 박리층 (22) 을 형성할 수 있다. 또한, 도 5 에 나타내는 경우에 있어서도, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, 잉곳 (2) 의 동일한 부분에 개질부 형성 가공을 복수 회 (예를 들어 4 회) 실시해도 된다.
박리층 형성 공정을 실시한 후, 박리층 (22) 을 계면으로 하여 잉곳 (2) 의 일부를 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 실시한다. 웨이퍼 생성 공정은, 예를 들어 도 6 에 나타내는 박리 장치 (24) 를 사용하여 실시할 수 있다. 박리 장치 (24) 는, 액체 (26) 를 수용하는 액조 (28) 와, 액조 (28) 내에 배치된 초음파 진동판 (30) 과, 초음파 진동판 (30) 에 초음파 진동을 부여하는 초음파 진동 부여 수단 (32) 과, 피가공물을 유지하는 유지 수단 (34) 을 구비한다. 유지 수단 (34) 은, 실질상 연직으로 연장되는 아암 (36) 과, 아암 (36) 의 하단에 부설된 흡착편 (38) 을 포함한다. 흡착편 (38) 은 하면에 있어서 피가공물을 흡착하도록 구성되어 있다.
도 6 을 참조하여 설명을 계속하면, 웨이퍼 생성 공정에서는, 먼저, 박리층 (22) 으로부터 먼 쪽의 단면인 제 2 면 (6) 을 위를 향하게 하여, 박리층 (22) 이 형성된 잉곳 (2) 을 유지 수단 (34) 의 흡착편 (38) 의 하면에 흡착시킨다. 이어서, 박리 장치 (24) 의 승강 수단 (도시하고 있지 않다) 에 의해 유지 수단 (34) 을 하강시키고, 웨이퍼가 생성되는 측 (박리층 (22) 으로부터 가까운 쪽의 단면측) 인 제 1 면 (4) 측을 액체 (26) 중에 침지하여 초음파 진동판 (30) 에 대면시킨다. 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 을 대면시킬 때에는, 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 의 상면 사이에 간극 (예를 들어 4 ∼ 5 ㎜ 정도) 을 형성한다. 이어서, 잉곳 (2) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파 진동을 초음파 진동 부여 수단 (32) 으로부터 초음파 진동판 (30) 에 부여한다. 그렇게 하면, 잉곳 (2) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파가 초음파 진동판 (30) 으로부터 액체 (26) 를 통하여 잉곳 (2) 에 부여된다. 이로써, 박리층 (22) 을 계면으로 하여 잉곳 (2) 의 일부를 효율적으로 박리하여 웨이퍼 (39) 를 생성할 수 있고, 따라서 생산성의 향상이 도모된다. 또한, 본 실시형태에서는, 잉곳 (2) 이 액조 (28) 의 상부에 배치됨과 함께 초음파 진동판 (30) 이 액조 (28) 의 하부에 배치되어 있지만, 웨이퍼 생성 공정에 있어서는, 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 이 대면하고 있으면 되고, 즉, 잉곳 (2) 이 액조 (28) 의 하부에 배치됨과 함께 초음파 진동판 (30) 이 액조 (28) 의 상부에 배치되어 있어도 된다. 혹은, 상하 방향 이외의 방향 (예를 들어 수평 방향) 에 있어서 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 이 대면하고 있어도 된다. 또, 초음파 진동판 (30) 으로부터 잉곳 (2) 에 초음파 진동을 부여할 때에는, 적절한 요동 수단 (도시하고 있지 않다) 에 의해 유지 수단 (34) 을 요동시켜도 된다.
또한, 잉곳 (2) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수란, 잉곳 (2) 을 액체 (26) 중에 침지하고 액체 (26) 를 통하여 잉곳 (2) 에 초음파를 부여함으로써 박리층 (22) 을 계면으로 하여 잉곳 (2) 의 일부를 박리할 때에, 잉곳 (2) 의 고유 진동수보다 소정량 낮은 주파수로부터 서서히 초음파의 주파수를 상승시켰을 때에, 박리층 (22) 을 계면으로 하는 잉곳 (2) 의 일부 박리가 개시되는 주파수이며, 잉곳 (2) 의 고유 진동수보다 작은 주파수이다. 구체적으로는, 잉곳 (2) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수는 잉곳 (2) 의 고유 진동수의 0.8 배 정도이다. 또, 웨이퍼 생성 공정을 실시할 때의 액층 (28) 내의 액체 (26) 는 물이며, 물의 온도는, 초음파 진동 부여 수단 (32) 으로부터 초음파 진동판 (30) 에 초음파 진동이 부여되었을 때에 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 물의 온도가 0 ∼ 25 ℃ 로 설정되어 있는 것이 바람직하고, 이로 인해 초음파의 에너지가 캐비테이션으로 변환되지 않아, 효과적으로 잉곳 (2) 에 초음파의 에너지를 부여할 수 있다.
다음으로, 단면의 수선에 대해 c 축이 경사져 있는 단결정 SiC 잉곳에 있어서의 본 발명의 SiC 웨이퍼의 생성 방법의 실시형태에 대해 도 7 내지 도 9 를 참조하면서 설명한다.
도 7 에 나타내는 전체적으로 원기둥 형상인 육방정 단결정 SiC 잉곳 (40) (이하 「잉곳 (40)」이라고 한다) 은, 원 형상의 제 1 면 (42) (단면) 과, 제 1 면 (42) 과 반대측인 원 형상의 제 2 면 (44) 과, 제 1 면 (42) 및 제 2 면 (44) 사이에 위치하는 둘레면 (46) 과, 제 1 면 (42) 으로부터 제 2 면 (44) 에 이르는 c 축 (＜0001＞ 방향) 과, c 축과 직교하는 c 면 (｛0001｝면) 을 갖는다. 잉곳 (40) 에 있어서는, 제 1 면 (42) 의 수선 (48) 에 대해 c 축이 경사져 있고, c 면과 제 1 면 (42) 에서 오프각 (α) (예를 들어 α = 1, 3, 6 도) 이 형성되어 있다. 오프각 (α) 이 형성되는 방향을 도 7 에 화살표 A 로 나타낸다. 또, 잉곳 (40) 의 둘레면 (46) 에는, 결정 방위를 나타내는 사각 형상의 제 1 오리엔테이션 플랫 (50) 및 제 2 오리엔테이션 플랫 (52) 이 형성되어 있다. 제 1 오리엔테이션 플랫 (50) 은, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 평행하며, 제 2 오리엔테이션 플랫 (52) 은, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 직교하고 있다. 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 수선 (48) 의 방향에서 보아, 제 2 오리엔테이션 플랫 (52) 의 길이 (L2) 는, 제 1 오리엔테이션 플랫 (50) 의 길이 (L1) 보다 짧다 (L2 ＜ L1).
본 실시형태에서는, 먼저, 제 1 면 (42) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부와 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정을 실시한다. 박리층 형성 공정은, 상기 서술한 레이저 가공 장치 (12) 를 사용하여 실시할 수 있다. 박리층 형성 공정에서는, 먼저, 잉곳 (40) 의 제 2 면 (44) 과 척 테이블 (14) 의 상면 사이에 접착제 (예를 들어 에폭시 수지계 접착제) 를 개재시켜, 척 테이블 (14) 에 잉곳 (40) 을 고정시킨다. 혹은, 척 테이블 (14) 의 상면에 복수의 흡인공이 형성되어 있고, 척 테이블 (14) 의 상면에 흡인력을 생성하여 잉곳 (40) 을 유지해도 된다. 이어서, 레이저 가공 장치 (12) 의 촬상 수단에 의해 제 1 면 (42) 의 상방으로부터 잉곳 (40) 을 촬상한다. 이어서, 촬상 수단에 의해 촬상된 잉곳 (40) 의 화상에 기초하여, 레이저 가공 장치 (12) 의 X 방향 이동 수단, Y 방향 이동 수단 및 회전 수단에 의해 척 테이블 (14) 을 이동 및 회전시키는 것에 의해, 잉곳 (40) 의 방향을 소정의 방향으로 조정함과 함께, 잉곳 (40) 과 집광기 (16) 의 XY 평면에 있어서의 위치를 조정한다. 잉곳 (40) 의 방향을 소정의 방향으로 조정할 때에는, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 오리엔테이션 플랫 (50) 을 Y 방향에 정합시킴과 함께, 제 2 오리엔테이션 플랫 (52) 을 X 방향에 정합시키는 것에 의해, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 를 Y 방향에 정합시킴과 함께, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 직교하는 방향을 X 방향에 정합시킨다. 이어서, 레이저 가공 장치 (12) 의 집광점 위치 조정 수단에 의해 집광기 (16) 를 승강시켜, 제 1 면 (42) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 집광점 (FP) 을 위치 결정한다. 이어서, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 직교하는 방향과 정합하고 있는 X 방향으로 잉곳 (40) 과 집광점 (FP) 을 상대적으로 이동시키면서, 단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선 (LB) 을 집광기 (16) 로부터 잉곳 (40) 에 조사하는 개질부 형성 가공을 실시한다. 본 실시형태에서는 도 8 에 나타내는 바와 같이, 개질부 형성 가공에 있어서, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 소정의 가공 이송 속도로 X 방향 이동 수단에 의해 X 방향으로 가공 이송하고 있다. 개질부 형성 가공에 의해, 제 1 면 (42) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 직선상의 개질부 (54) 를 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 직교하는 방향 (X 방향) 을 따라 연속적으로 형성할 수 있음과 함께, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 개질부 (54) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 연장되는 크랙 (56) 을 형성할 수 있다. 상기 서술한 바와 같이, 개질부 (54) 의 직경을 D 로 하고, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격을 L 로 하면, D ＞ L 의 관계를 갖는 영역에서 개질부 (54) 로부터 c 면을 따라 등방적으로 크랙 (56) 이 형성되고, 또 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점 (FP) 의 간격 (L) 은, 집광점 (FP) 과 척 테이블 (14) 의 상대 속도 (V), 및 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 에 의해 규정되는 (L = V/F) 바, 본 실시형태에서는, 집광점 (FP) 에 대한 척 테이블 (14) 의 X 방향에 대한 가공 이송 속도 (V) 와, 펄스 레이저 광선 (LB) 의 반복 주파수 (F) 를 조정함으로써 D ＞ L 의 관계를 만족시킬 수 있다.
박리층 형성 공정에서는 개질부 형성 가공에 계속해서, 크랙 (56) 의 폭을 초과하지 않는 범위에서, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 에 정합하고 있는 Y 방향으로 잉곳 (40) 과 집광점 (FP) 을 상대적으로 인덱스 이송한다. 본 실시형태에서는 인덱스 이송에 있어서, 크랙 (56) 의 폭을 초과하지 않는 범위에서, 집광점 (FP) 을 이동시키지 않고 집광점 (FP) 에 대해 척 테이블 (14) 을 Y 방향 이동 수단에 의해 Y 방향으로 소정 인덱스량 (Li') 만큼 인덱스 이송하고 있다. 그리고, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 와 직교하는 방향을 따라 연속적으로 연장되는 개질부 (54) 를, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 으로 인덱스량 (Li') 의 간격을 두고 복수 형성함과 함께, 오프각 (α) 이 형성되는 방향 A 에 있어서 인접하는 크랙 (56) 과 크랙 (56) 을 연결시킨다. 이로써, 제 1 면 (42) 으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부 (54) 와 개질부 (54) 로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙 (56) 으로 이루어지는, 잉곳 (40) 으로부터 웨이퍼를 박리하기 위한 박리층 (58) 을 형성할 수 있다. 또한, 박리층 형성 공정에서는, 개질부 형성 가공과 인덱스 이송을 교대로 반복하는 것에 의해, 잉곳 (40) 의 동일한 부분에 개질부 형성 가공을 복수 회 (예를 들어 4 회) 실시해도 된다.
박리층 형성 공정을 실시한 후, 박리층 (58) 을 계면으로 하여 잉곳 (40) 의 일부를 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 실시한다. 웨이퍼 생성 공정은, 상기 서술한 박리 장치 (24) 를 사용하여 실시할 수 있다. 웨이퍼 생성 공정에서는, 먼저, 박리층 (58) 으로부터 먼 쪽의 단면인 제 2 면 (44) 을 위를 향하게 하여, 박리층 (58) 이 형성된 잉곳 (40) 을 유지 수단 (34) 의 흡착편 (38) 의 하면에 흡착시킨다. 이어서, 박리 장치 (24) 의 승강 수단에 의해 유지 수단 (34) 을 하강시키고, 웨이퍼가 생성되는 측 (박리층 (58) 으로부터 가까운 쪽의 단면측) 인 제 1 면 (42) 측을 액체 (26) 중에 침지하여 초음파 진동판 (30) 에 대면시킨다. 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 을 대면시킬 때에는, 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 의 상면 사이에 간극 (예를 들어 4 ∼ 5 ㎜ 정도) 을 형성한다. 이어서, 잉곳 (40) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파 진동을 초음파 진동 부여 수단 (32) 으로부터 초음파 진동판 (30) 에 부여한다. 그렇게 하면, 잉곳 (40) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파가 초음파 진동판 (30) 으로부터 액체 (26) 를 통하여 잉곳 (40) 에 부여된다. 이로써, 박리층 (58) 을 계면으로 하여 잉곳 (40) 의 일부를 효율적으로 박리하여 웨이퍼를 생성할 수 있고, 따라서 생산성의 향상이 도모된다. 또한, 웨이퍼 생성 공정에 있어서는, 웨이퍼가 생성되는 측의 단면과 초음파 진동판 (30) 이 대면하고 있으면 되고, 예를 들어 상하 방향에 있어서 대면하고 있어도 되고, 혹은 수평 방향에 있어서 대면하고 있어도 된다. 또, 초음파 진동판 (30) 으로부터 잉곳 (40) 에 초음파 진동을 부여할 때에는, 적절한 요동 수단 (도시하고 있지 않다) 에 의해 유지 수단 (34) 을 요동시켜도 된다.
본 실시형태에 있어서도, 잉곳 (40) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수란, 잉곳 (40) 을 액체 (26) 중에 침지하고 액체 (26) 를 통하여 잉곳 (40) 에 초음파를 부여함으로써 박리층 (58) 을 계면으로 하여 잉곳 (40) 의 일부를 박리할 때에, 잉곳 (40) 의 고유 진동수보다 소정량 낮은 주파수로부터 서서히 초음파의 주파수를 상승시켰을 때에, 박리층 (58) 을 계면으로 하는 잉곳 (40) 의 일부 박리가 개시되는 주파수이며, 잉곳 (40) 의 고유 진동수보다 작은 주파수이다. 구체적으로는, 잉곳 (40) 의 고유 진동수와 근사하는 주파수는 잉곳 (40) 의 고유 진동수의 0.8 배 정도이다. 또, 웨이퍼 생성 공정을 실시할 때의 액층 (28) 내의 액체 (26) 는 물이며, 물의 온도는, 초음파 진동 부여 수단 (32) 으로부터 초음파 진동판 (30) 에 초음파 진동이 부여되었을 때에 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 물의 온도가 0 ∼ 25 ℃ 로 설정되어 있는 것이 바람직하고, 이로써 초음파의 에너지가 캐비테이션으로 변환되지 않아, 효과적으로 잉곳 (40) 에 초음파의 에너지를 부여할 수 있다.
여기서, 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 주파수와, 박리 장치의 액조에 수용하는 액체의 온도에 대해, 하기의 레이저 가공 조건 하에서 본 발명자가 실시한 실험의 결과에 기초하여 설명한다.
［레이저 가공 조건］
펄스 레이저 광선의 파장 : 1064 ㎚
반복 주파수 F : 60 ㎑
평균 출력 : 1.5 W
펄스 폭 : 4 ns
스폿 직경 : 3 ㎛
집광 렌즈의 개구 수 (NA) : 0.65
가공 이송 속도 V : 200 ㎜/s
［실험 1］적정한 박리층의 형성
두께 3 ㎜ 의 단결정 SiC 잉곳의 단면으로부터 100 ㎛ 내측에 펄스 레이저 광선의 집광점을 위치 결정하고 단결정 SiC 잉곳에 펄스 레이저 광선을 조사하여, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 직경 φ 17 ㎛ 의 개질부를 형성하고, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 개질부끼리의 중첩률 R = 80 ％ 로 연속적으로 개질부를 형성하고, 개질부로부터 c 면에 등방적으로 직경 φ 150 ㎛ 의 크랙을 형성하였다. 그 후, 집광기를 150 ㎛ 인덱스 이송하여 마찬가지로 개질부를 연속적으로 형성함과 함께 크랙을 형성하여 웨이퍼의 두께에 상당하는 100 ㎛ 의 깊이에 박리층을 형성하였다. 또한, 개질부끼리의 중첩률 (R) 은, 개질부의 직경 D = φ 17 ㎛ 와, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점끼리의 간격 (L) 으로부터, 다음과 같이 산출된다. 또, 가공 이송 방향에 있어서 인접하는 집광점끼리의 간격 (L) 은, 상기 서술한 바와 같이, 가공 이송 속도 (V) (본 실험에서는 200 ㎜/s) 와, 펄스 레이저 광선의 반복 주파수 (F) (본 실험에서는 60 ㎑) 에 의해 규정된다 (L = V/F).
R = (D － L)/D
=｛D － (V/F)｝/D
=［17 (㎛) － ｛200 (㎜/s)/60 (㎑)｝］/17 (㎛)
=［17 × 10―6 (m) － ｛200 × 10―3 (m/s)/60 × 103 (Hz)｝］/17 × 10―6 (m)
= 0.8
［실험 2］고유 진동수에 대한 초음파의 주파수 의존성
두께 3 ㎜ 의 상기 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수를 구한 결과 25 ㎑ 였다. 그래서 실험 2 에서는, 실험 1 에서 박리층을 형성한 상기 단결정 SiC 잉곳을 25 ℃ 의 물에 침지하여 부여하는 초음파의 출력을 100 W 로 하고, 초음파의 주파수를 10 ㎑, 15 ㎑, 20 ㎑, 23 ㎑, 25 ㎑, 27 ㎑, 30 ㎑, 40 ㎑, 50 ㎑, 100 ㎑, 120 ㎑, 150 ㎑ 로 상승시키고, 실험 1 에서 형성한 박리층을 계면으로 하여 상기 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리되는 시간을 계측하여 주파수 의존성을 검증하였다.
［실험 2 의 결과］
주파수 박리 시간
10 ㎑ 10 분 경과해도 박리되지 않았음 : NG
15 ㎑ 10 분 경과해도 박리되지 않았음 : NG
20 ㎑ 90 초에서 박리됨
23 ㎑ 30 초에서 박리됨
25 ㎑ 25 초에서 박리됨
27 ㎑ 30 초에서 박리됨
30 ㎑ 70 초에서 박리됨
40 ㎑ 170 초에서 박리됨
50 ㎑ 200 초에서 박리됨
100 ㎑ 220 초에서 박리됨
120 ㎑ 240 초에서 박리됨
150 ㎑ 300 초에서 박리됨
［실험 3］초음파의 출력 의존성
실험 2 에서는 초음파의 출력을 100 W 로 고정시키고, 초음파의 주파수를 변화시켜, 실험 1 에서 박리층을 형성한 상기 단결정 SiC 잉곳으로부터의 웨이퍼의 박리 시간을 계측했지만, 실험 3 에서는, 초음파의 주파수마다 초음파의 출력을 200 W, 300 W, 400 W, 500 W 로 상승시키고, 실험 1 에서 형성한 박리층을 계면으로 하여 상기 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리되는 시간을 계측하여 출력 의존성을 검증하였다. 또한, 하기 「NG」는, 실험 2 의 결과와 마찬가지로, 단결정 SiC 잉곳에 초음파의 부여를 개시하고 나서 10 분 경과해도 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리되지 않았던 것을 의미한다.
［실험 3 의 결과］
출력마다의 박리 시간
주파수 200 W 300 W 400 W 500 W
10 ㎑ NG NG NG NG
15 ㎑ NG NG NG NG
20 ㎑ 50 초 33 초 15 초 6 초
23 ㎑ 16 초 10 초 4 초 3 초
25 ㎑ 3 초 1 초 1 초 이하 1 초 이하
27 ㎑ 15 초 11 초 5 초 2 초
30 ㎑ 48 초 40 초 18 초 3 초
40 ㎑ 90 초 47 초 23 초 4 초
50 ㎑ 100 초 58 초 24 초 6 초
100 ㎑ 126 초 63 초 26 초 7 초
120 ㎑ 150 초 70 초 27 초 8 초
150 ㎑ 170 초 82 초 42 초 20 초
［실험 4］온도 의존성
실험 4 에서는, 실험 1 에서 박리층을 형성한 상기 단결정 SiC 잉곳을 침지하는 물의 온도를 0 ℃ 로부터 상승시키고, 실험 1 에서 형성한 박리층을 계면으로 하여 상기 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리되는 시간을 계측하여 온도 의존성을 검증하였다. 또한, 실험 4 에서는, 초음파의 주파수를 25 ㎑ 로 설정하고, 초음파의 출력을 500 W 로 설정하였다.
［실험 4 의 결과］
온도 박리 시간
0 ℃ 0.07 초
5 ℃ 0.09 초
10 ℃ 0.12 초
15 ℃ 0.6 초
20 ℃ 0.8 초
25 ℃ 0.9 초
30 ℃ 3.7 초
35 ℃ 4.2 초
40 ℃ 6.1 초
45 ℃ 7.1 초
50 ℃ 8.2 초
실험 2 의 결과로부터, 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하기 위한 초음파의 주파수는 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수 (본 실험에서 사용한 단결정 SiC 잉곳에 있어서는 25 ㎑) 에 의존하고, 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 20 ㎑ (단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 0.8 배의 주파수) 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 근방의 20 ∼ 30 ㎑ (단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 0.8 ∼ 1.5 배의 주파수) 에서, 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 효과적으로 (비교적 짧은 시간에) 박리되는 것을 확인할 수 있었다. 또, 실험 3 의 결과로부터, 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 근방의 20 ∼ 30 ㎑ 를 초과하는 주파수여도, 초음파의 출력을 높이는 것에 의해, 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼가 효과적으로 박리되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 실험 4 의 결과로부터, 박리 장치의 액조에 수용하는 액체가 물인 경우에, 물의 온도가 25 ℃ 를 초과하면 초음파의 에너지가 캐비테이션으로 변환되어 버리기 때문에, 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 효과적으로 박리할 수 없는 것을 확인할 수 있었다.
2 : 단면의 수선과 c 축이 일치하고 있는 단결정 SiC 잉곳
4 : 제 1 면 (단면)
10 : 수선
18 : 개질부
20 : 크랙
22 : 박리층
26 : 액체
30 : 초음파 진동판
39 : 웨이퍼
40 : 단면의 수선에 대해 c 축이 경사져 있는 단결정 SiC 잉곳
42 : 제 1 면 (단면)
48 : 수선
54 : 개질부
56 : 크랙
58 : 박리층

Claims (6)

  1. c 축과 c 축과 직교하는 c 면을 갖는 단결정 SiC 잉곳으로부터 SiC 웨이퍼를 생성하는 SiC 웨이퍼의 생성 방법으로서,
    단결정 SiC 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 단결정 SiC 잉곳의 단면으로부터 생성해야 할 SiC 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치 결정하고 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여, SiC 가 Si 와 C 로 분리된 개질부와 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성되는 크랙으로 이루어지는 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정과,
    그 박리층 형성 공정을 실시한 후, 단결정 SiC 잉곳의 SiC 웨이퍼가 생성되는 측을 액체 중에 침지하여 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 주파수 이상의 주파수를 갖는 초음파를 발하는 진동판에 대면시키고 박리층을 계면으로 하여 단결정 SiC 잉곳의 일부를 박리하고 SiC 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 구비한, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수와 근사하는 주파수는 단결정 SiC 잉곳의 고유 진동수의 0.8 배인, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 액체는 물이며, 캐비테이션의 발생이 억제되는 온도로 설정되는, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    물의 온도는 0 ∼ 25 ℃ 인, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    그 박리층 형성 공정에 있어서,
    단결정 SiC 잉곳의 단면의 수선과 c 축이 일치하고 있는 경우, 연속적으로 형성된 개질부로부터 c 면에 등방적으로 형성된 크랙의 폭을 초과하지 않는 범위에서 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 개질부를 연속적으로 형성하고 크랙과 크랙을 연결시켜 박리층을 형성하는, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    그 박리층 형성 공정에 있어서,
    단결정 SiC 잉곳의 단면의 수선에 대해 c 축이 경사져 있는 경우, c 면과 단면으로 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c 면에 등방적으로 크랙을 형성하고, 그 오프각이 형성되는 방향으로 크랙의 폭을 초과하지 않는 범위에서 단결정 SiC 잉곳과 집광점을 상대적으로 인덱스 이송하여 그 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 개질부를 연속적으로 형성하여 개질부로부터 c 면에 등방적으로 크랙을 순차 형성하여 박리층을 형성하는, SiC 웨이퍼의 생성 방법.
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