JP7408475B2 - 剥離装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係る剥離装置を図面に基づいて説明する。まず、実施形態1に係る剥離装置の加工対象のインゴットであるSiCインゴットを説明する。図1は、実施形態1に係る剥離装置の加工対象のSiCインゴットの平面図である。図2は、図1に示されたSiCインゴットの側面図である。図3は、実施形態1に係る剥離装置により製造されるウエーハの斜視図である。図4は、図1に示されたSiCインゴットに剥離層が形成された状態の平面図である。図5は、図4中のV-V線に沿う断面図である。
図1及び図2に示すSiCインゴット1は、実施形態1では、SiC(炭化ケイ素)からなり、全体として円柱状に形成されている。実施形態1において、SiCインゴット1は、六方晶単結晶SiCインゴットである。
次に、剥離装置を説明する。図6は、実施形態1に係る剥離装置の構成例を示す側面図である。図7は、図1に示された剥離装置の超音波付与ユニットを下方からみた平面図である。実施形態1に係る剥離装置70は、剥離層23が形成されたSiCインゴット1から図4に示す生成すべきウエーハ20を剥離する装置である。
本発明の実施形態の変形例に係る剥離装置を図面に基づいて説明する。図10は、実施形態1の変形例1に係る剥離装置の超音波付与ユニットを模式的に示す側面図である。図11は、実施形態1の変形例2に係る剥離装置の超音波付与ユニットを模式的に示す側面図である。なお、図10及び図11は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
20 ウエーハ
22 厚み
23 剥離層
26 中央部(一部の領域)
27 外周部(広い面積)
28 部分剥離部
29 剥離部
31 レーザービーム
32 集光点
35 深さ
70 剥離装置
71 インゴット保持テーブル
73 液体供給ユニット
74 超音波付与ユニット
75 液体
81 高密度超音波発振ユニット
82 低密度超音波発振ユニット
83 保持部材
812 端面
814 超音波
815 超音波振動の振幅が端面と比較して小さい部分(ノード部)
816 長さ
817 縮径部
822 端面
824 超音波
825 超音波振動の振幅が端面と比較して小さい部分(ノード部)
826 長さ
Claims (4)
- 透過性を有する波長のレーザービームの集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザービームを照射して剥離層を形成したインゴットから生成すべきウエーハを剥離する剥離装置であって、
生成すべきウエーハと対面する端面を有し、生成すべきウエーハを含むインゴットの一部の領域に高密度で超音波を付与することで該一部の領域が剥離した部分剥離部を形成する高密度超音波発振ユニットと、
生成すべきウエーハと対面する端面を有し、該一部の領域よりも広い面積に低密度で超音波を付与することで該部分剥離部から生成すべきウエーハの全面に亘る剥離部を形成する低密度超音波発振ユニットと、
該高密度超音波発振ユニットと該低密度超音波発振ユニットとを一体化して保持する保持部材と、を含む超音波付与ユニットと、
生成すべきウエーハを上にしてインゴットを保持するインゴット保持テーブルと、
生成すべきウエーハと該超音波付与ユニットとの間に液体を供給する液体供給ユニットと、
を有し、
該超音波付与ユニットは、該高密度超音波発振ユニットの端面と、該低密度超音波発振ユニットの端面と、が面一に構成され、該保持部材は、該高密度超音波発振ユニットおよび該低密度超音波発振ユニットの超音波振動の振幅が該端面と比較して小さい部分を保持することを特徴とする、剥離装置。 - 該高密度超音波発振ユニットにおいて該保持部材で保持された該超音波振動の振幅が該端面と比較して小さい部分から該生成すべきウエーハと対面する端面までの長さと、
該低密度超音波発振ユニットにおいて該保持部材で保持された該超音波振動の振幅が該端面と比較して小さい部分から該生成すべきウエーハと対面する端面までの長さと、
が等しくなるように構成されることを特徴とする、請求項1に記載の剥離装置。 - 該高密度超音波発振ユニットは、該超音波振動の振幅が該端面と比較して小さい部分から該生成すべきウエーハと対面する端面に向かって漸次縮径する縮径部を有することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の剥離装置。
- 超音波振動の振幅が端面と比較して小さい部分は、ノード部であることを特徴とする、請求項1ないし請求項3のうちいずれか一項に記載の剥離装置。
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