JP7137992B2 - 加工装置及び剥離装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係る加工装置10を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る被加工物を加工する加工装置の一例を示す斜視図である。図2は、図1に示された加工装置の要部の斜視図である。図3は、図1及び図2に示された制御手段の構成例を示すブロック図である。図4は、図1、図2及び図3に示された超音波振動手段の周波数毎の抵抗値の測定データの一例を示すグラフである。
本発明の実施形態2に係る剥離装置50を図面に基づいて説明する。図6は、実施形態2に係る剥離装置の一例を示す断面図である。図7は、図6に示された剥離装置の剥離対象の被加工物を加工する加工ユニットの一例を示す斜視図である。なお、図6は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係る剥離装置80を図面に基づいて説明する。図8は、実施形態3に係る剥離装置の一例を示す断面図である。なお、図8は、実施形態1及び実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態1から実施形態3の変形例1を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態1から実施形態3の変形例1に係る超音波振動手段の周波数毎の抵抗値の測定データ及び回帰曲線の一例を示すグラフである。なお、図9は、実施形態1、実施形態2及び実施形態3と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
28 加工手段
30 超音波振動手段
33-1,33-2 共振周波数
34 閾値(所定の値)
38,39 間隔
41 共振周波数検出手段
42 電力調整手段
43 電力供給手段
45 周波数変更部
46 抵抗値測定部
47 記録部
48 判定部
50,80 剥離装置
60,90 剥離ユニット
61,91 ホーン
75 レーザービーム照射手段(加工手段)
100 ウェーハ(被加工物)
211 エピタキシー基板
212 表面
213 バッファ層
214 光デバイス層
215 表面
216 接合層
220 移設基板
300 複合基板
400 単結晶SiC(被加工物)
401 剥離層
Claims (7)
- 被加工物を加工する加工手段と、
該加工手段に配設され該加工手段を振動させる超音波振動手段と、
該超音波振動手段に交流電圧を印加する電力供給手段と、
該超音波振動手段の共振周波数を検出する共振周波数検出手段と、を有し、
該共振周波数検出手段は、
該超音波振動手段に印加する交流電圧の周波数を変更する周波数変更部と、
該超音波振動手段に交流電圧を印加した際の抵抗値を測定する抵抗値測定部と、
該周波数変更部によって変更された周波数毎に該抵抗値を記録する記録部と、
該記録部で記録された該抵抗値に基づいて、最も低い抵抗値を示した交流電圧の周波数を該超音波振動手段の共振周波数と判定する判定部と、を備え、
該共振周波数検出手段で検出した共振周波数で該超音波振動手段に交流電圧を印加し加工手段を振動させ、加工を実施し、
該共振周波数検出手段は、該抵抗値が所定の値以下になった場合、該周波数を変更する間隔を変更し、該抵抗値が所定の値より大きい場合と比較して該抵抗値の測定点数を増やすことを特徴とする、被加工物を加工する加工装置。 - 該抵抗値が所定の値以下になった場合の該周波数を変更する間隔は、該抵抗値が所定の値より大きい時の1/5~1/100であることを特徴とする請求項1に記載の加工装置。
- 該加工手段は、
チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための回転スピンドルと、
該回転スピンドルの端面に取り付けられた切削ブレードと、を含み、
該超音波振動手段は、該切削ブレードを振動させることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の加工装置。 - 被加工物を加工する加工手段によって加工された被加工物を剥離する剥離手段と、
該剥離手段に配設され該剥離手段を振動させる超音波振動手段と、
該超音波振動手段に交流電圧を印加する電力供給手段と、
該超音波振動手段の共振周波数を検出する共振周波数検出手段と、を有し、
該共振周波数検出手段は、
該超音波振動手段に印加する交流電圧の周波数を変更する周波数変更部と、
該超音波振動手段に交流電圧を印加した際の抵抗値を測定する抵抗値測定部と、
該周波数変更部によって変更された周波数毎に該抵抗値を記録する記録部と、
該記録部で記録された該抵抗値に基づいて、最も低い抵抗値を示した交流電圧の周波数を該超音波振動手段の共振周波数と判定する判定部と、を備え、
該共振周波数検出手段で検出した共振周波数で該超音波振動手段に交流電圧を印加し剥離手段を振動させ、剥離を実施し、
該共振周波数検出手段は、該抵抗値が所定の値以下になった場合、該周波数を変更する間隔を変更し、該抵抗値が所定の値より大きい場合と比較して該抵抗値の測定点数を増やすことを特徴とする、被加工物を剥離する剥離装置。 - 該抵抗値が所定の値以下になった場合の該周波数を変更する間隔は、該抵抗値が所定の値より大きい時の1/5~1/100であることを特徴とする請求項4に記載の剥離装置。
- 該被加工物は、表面側にバッファ層を介して光デバイス層が積層されたエピタキシー基板と、該光デバイス層の表面に接合層を介して接合された移設基板と、を含む複合基板であり、
該加工手段は、該エピタキシー基板に対しては透過性を有し該バッファ層に対しては吸収性を有する波長のレーザービーム発振手段を備えたレーザービーム照射手段であり、
該剥離手段はホーンであり、
該超音波振動手段は、該エピタキシー基板の裏面側から該レーザービームを照射することによって破壊されたバッファ層を起点として該光デバイスを移設基板に移設し、該エピタキシー基板を剥離する為のホーンを振動させることを特徴とする、請求項4または請求項5に記載の剥離装置。 - 該被加工物は単結晶SiCであり、
該加工手段は該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービーム発振手段を備えたレーザービーム照射手段であり、
該剥離手段はホーンであり、
該超音波振動手段は該レーザービームを照射することによって該単結晶SiCに形成された剥離層を起点として剥離するためのホーンを振動させることを特徴とする、請求項4または請求項5に記載の剥離装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2007053234A (ja) | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2007090139A (ja) | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 超音波発生装置及び超音波美容装置 |
JP2008085271A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードに付与する超音波振動の周波数設定方法および切削装置 |
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