JP4966116B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ウェハのエッジにおいて形成された薄膜を除去するので、その薄膜が剥離して再度ウェハに付着することに起因する半導体集積回路装置の歩留りの低下を防ぐことができる。
(2)ウェハのエッジの形状、およびウェハのエッジにおける除去対象の薄膜の成膜状態に応じて、ウェハと研磨ドラムとが接触する角度および研磨ドラムの最適な研磨速度を設定することができるので、ウェハのエッジ全域においてその薄膜を除去することができる。
本実施の形態1は、たとえば半導体基板のp型ウエルにnMISQnが形成された半導体集積回路装置の製造方法に本発明を適用したものである。
本実施の形態2は、ウェハのエッジにおける除去対象の薄膜を、除去工程前にパターニングするものである。その他の部材および製造工程については前記実施の形態1と同様である。
本実施の形態3の半導体集積回路装置の製造方法は、たとえばAl(アルミニウム)またはアルミニウム合金などから形成された配線を有する半導体集積回路装置の製造方法に本発明を適用したものである。
2 酸化シリコン膜(第1絶縁膜)
3 窒化シリコン膜(第1絶縁膜)
4A〜4C 研磨ドラム(研磨手段)
5 フォトレジスト膜
6 溝
7 酸化シリコン膜
8 酸化シリコン膜(第2絶縁膜)
9 p型ウェル
10 ゲート酸化膜
11 ゲート電極
12 キャップ絶縁膜
13 n−型半導体領域
14 サイドウォールスペーサ
15 n+型半導体領域(ソース、ドレイン)
16 酸化シリコン膜
17 接続孔
18 プラグ
18A バリア導体膜
18B 導電性膜
19 エッチストッパ膜(第3絶縁膜)
20 絶縁膜(第3絶縁膜)
21 配線溝
22 埋め込み配線(第1配線)
22A バリア導体膜(第1導電性膜)
22B〜22E 導電性膜(第1導電性膜)
22F 配線
23 絶縁膜(第4絶縁膜)
23A バリア絶縁膜
23B 絶縁膜
23C エッチストッパ膜
23D 絶縁膜
24A 接続孔
24B 配線溝
25 埋め込み配線
25A バリア導体膜
25B 導電性膜
A1 チップ領域
A2 ダミー露光領域
Qn nMIS
T1 薄膜
Claims (6)
- (a)半導体チップ取得領域である平坦面と、前記平坦面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、
(b)前記半導体ウェハの表面に配線溝を形成する工程、
(c)前記配線溝を含む前記半導体ウェハの表面にバリア導体膜を形成する工程、
(d)前記バリア導体膜の表面にスパッタリング法により銅シード膜を形成し、さらに前記銅シード膜の表面にめっき法により銅を主成分とする導電性膜を形成する工程、
(e)前記(d)工程後に、前記エッジ部における前記バリア導体膜と前記銅シード膜および前記導電性膜からなる積層膜、および、前記エッジ部における前記積層膜の下地の絶縁膜の一部を、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により除去する工程、
(f)前記(e)工程後に、前記半導体ウェハの表面を機械的および化学的に研磨し平坦化する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記バリア導体膜は、タンタル窒化膜またはタンタルとタンタル窒化膜との積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記(e)工程の前記研磨手段は複数の研磨ドラムであって、
前記(e)工程は、
(e−1)前記平坦面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、
(e−2)前記平坦面に対して傾斜した回転軸を有する第2の研磨ドラムにて、前記エッジ部の前記平坦面側を研磨する工程、
(e−3)前記平坦面に対して傾斜した回転軸を有する第3の研磨ドラムにて、前記エッジ部の前記平坦面と対向する裏面側を研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - (a)半導体チップ取得領域である平坦面と、前記平坦面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、
(b)前記半導体ウェハの表面に配線溝を形成する工程、
(c)前記配線溝を含む前記半導体ウェハの表面にバリア導体膜を形成する工程、
(d)前記バリア導体膜の表面にスパッタリング法により銅シード膜を形成し、さらに前記銅シード膜の表面にめっき法により銅を主成分とする導電性膜を形成する工程、
(e)前記(d)工程後に、前記半導体ウェハの表面を機械的および化学的に研磨し平坦化する工程、
(f)前記(e)工程後に、前記エッジ部における前記バリア導体膜と前記銅シード膜および前記導電性膜からなる積層膜、および、前記エッジ部における前記積層膜の下地の絶縁膜の一部を、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記バリア導体膜は、タンタル窒化膜またはタンタルとタンタル窒化膜との積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記(f)工程の前記研磨手段は複数の研磨ドラムであって、
前記(f)工程は、
(f−1)前記平坦面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、
(f−2)前記平坦面に対して傾斜した回転軸を有する第2の研磨ドラムにて、前記エッジ部の前記平坦面側を研磨する工程、
(f−3)前記平坦面に対して傾斜した回転軸を有する第3の研磨ドラムにて、前記エッジ部の前記平坦面と対向する裏面側を研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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