JP5903796B2 - 撮像装置およびカメラモジュール - Google Patents
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Description
CSP構造は、これまでのセラミックスやモールド樹脂で形成しているキャビティパッケージと違い、ウェハー単位で隣接チップとの間を樹脂で隔壁があるキャビティ(Cavity)構造としてガラスとセンサ部のSiウェハーが貼り合わされる。
そして、CSP構造は、貫通ビア(スルーシリコンビア;Thru Silicon Via、後TSV)が形成されて、センサ面と反対の面に再配線が行われ、半田ボールが付けられて、最終的にダイシングにて個片化される。
CSP構造1は、光学センサ(センサチップ)2の前面の受光部21の上部を保護するためのシール材としてのシールガラス(カバーガラス)3が配置される。
CSP構造1においては、光学センサ2の受光部21を除く周縁部において樹脂4を介してシールガラス3が配置されている。したがって、CSP構造1では、光学センサ2の受光部21とシールガラス3の受光部21との対向面31との間に空隙5が形成される。
このため、従来のCOB(Chip On Board)タイプのパッケージと比較し、小型化、低コスト化、ダストレス化が期待できる。
図1のCSP構造では、SiにTSVを加工する際のディープ−反応性イオンエッチング(Deep-Reactive Ion Etching; Deep-RIE)のビア加工やCVDの絶縁成膜条件を生産性良く行うためにビア径とSi厚のアスペクト比を小さくしないと条件を満足できない。
このため、バックグラインド(BG)でSiの厚みを50〜100μm程度に薄くすることが多い。
光学センサが小さい場合はSiの機械的強度でSiに大きな反りは生じにくいが、光学センサのサイズが大きくなると、図2中に矢印Aで示す方向からの力がかかるバックグラインドの工程でのたわみやCSPを実装した基板との応力で反りWPが発生してしまう。
この反りが発生すると光学的にレンズのフォーカスが合う位置がセンサの中心と周辺でずれてしまうため、中心にフォーカスが合っている場合は周辺がぼけてしまうという不利益がある。
以下、この空隙を持たないCSP構造を、キャビティレス(Cavity less)CSP構造という場合もある。
すなわち、キャビティレスCSP構造では、キャビティ構造のSiの機械的剛性が弱いために発生する反りは、300〜800μmの厚いガラスとSiを貼り合わせることから、ガラスの剛性も加わるため機械的剛性が高く生じない。
これに対してキャビティレスCSP構造では、ガラスとセンサ面間を埋めてしまう樹脂の屈折率1.5前後との間ではレンズの集光パワーが弱く、光学センサの感度が落ちてしまう。このため、キャビティレスCSP構造では、OCLをSiNなどの材料で高屈折率1.7〜2.1を形成することで集光パワーを落とさない構造を実現している。
このフレア光の発生について、図4(A),(B)および図5(A)および(B)に関連付けて説明する。
図5(A)は、空隙を持たないキャビティレスCSP構造で高輝度フレアが発生する要因を説明するための概念図であり、図5(B)は、キャビティレスCSP構造で発生するフレア光を示す図である。
すなわち、図4(A)のキャビティCSP構造では光学センサの受光部で反射した光はシールガラス3下面で反射してしまう。この面で全反射しなくてもシールガラス3上面で全反射したものはシールガラス3下面でも全反射を起こすため光学センサには戻ってこない。
界面の全反射モードの臨界角は、次のように表すことができる。
sin θtir=1/ng ・・・(1)
ここで、θtirは臨界角を、ngはガラスの屈折率をそれぞれ示している。
光学センサ2で反射された光の中で臨界角以上の角度の光はシールガラス3上面で全反射となり、センサ面に光強度が強いまま戻ってくる。
臨界角以下の角度の図中に矢印Xで示す光はシールガラス上面で4%程度の反射で戻ってくるが、臨界角以上の図中に矢印Yで示す全反射モードの光はシールガラス3上面で100%に近い反射で戻ってくる。
このため、図5(B)に示すように、光学センサ2の画像でフレアを見た場合は臨界角を超えて、中心の高輝度の光に対し位相が大きくずれた位置に輝度が高いフレアの発生が生じる。
すなわち、中心光源からぼけたような光が放射状態に拡散する、いわゆる線香花火状のフレアが発生する。
CSP構造の中で貼り合わせるガラスに多層膜の蒸着IRCFをつけることがこれまでの構成の中で類推でき、また検討もされている(特許文献3,4参照)
このため、成膜したIRCF付ガラスとセンサのSiの貼り合わせができなかったり、できたとしても大きな反りが発生する。このために、TSVを形成するときにプロセスの装置の搬送、チャッキングに支障をきたし実現することが困難である。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.撮像装置の構成例
2.制御膜(多層膜)の構成および機能
3.カメラモジュールの構成例
図6は、本実施形態に係る撮像装置の構成例を示す図である。
本実施形態においては、光学センサとしては一例としてCMOSイメージセンサ(CIS:CMOS Image Sensor)が適用される。
本実施形態において、前面とは撮像装置の光学センサの受光部が形成された被写体の像光の入射側をいい、裏面とは光入射が行われず、バンプ等の接続電極等が配置される面側をいう。
本実施形態において、制御膜140は中間層としての樹脂層130とシール材120との間の第1の制御膜およびシール材120の光入射面(被写体側面)に形成される第の2制御膜を含んで形成される。
すなわち、本実施形態の撮像装置100は、樹脂層130とシール材120の対向する第1面121との間に配置された第1の制御膜141と、シール材の第1面と反対側の第2面122に配置された第2の制御膜142と、を含み、反りを抑制した構造を有する。
後で詳述するように、制御膜140は膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする多層膜により形成されている。
本実施形態の撮像装置100は、この制御膜140により、フレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能となっている。
なお、中間層としての樹脂層130およびシール材120は、光を透過する光に対して透明な材料により形成され、これらの屈折率は空気の屈折率より高く、たとえば屈折率1.5程度の材料により形成される。
また、図6の構成において、シール材120はガラスにより形成される例を示しており、シール材120をシールガラスあるいはカバーガラスという場合もある。
光学センサ110において、センサチップの前面と裏面間を貫通するTSV(貫通ビア)114により電極115を形成することでワイヤーボンドによる配線を失くしクリーンルーム内においてウェハー状態でガラスを貼り合わせることができる。
受光部112は、センサ基板111の前面111aに形成されており、複数の画素(受光素子)がマトリクス状に配置された受光面(画素アレイ部)1121を有する。
受光部112は、画素アレイ部1121のさらに前面側にカラーフィルタ1122が形成されている。
カラーフィルタ1122は、色の3原色であるR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルタが、たとえば図7に示すように、ベイヤー(Bayer)配列をもってオンチップカラーフィルタ(OCCF)としてアレイ状に形成されている。ただし、カラーフィルタの配置パターンはベイヤーパターンに限る必要はない。
なお、一般には、図7の例のように、カラーフィルタ1122に重なるように、赤外カットフィルタ(IRCF)150が形成される。
これに対して、本実施形態においては、制御膜140がIRCFの機能を併せ持つことから、制御膜140とは個別に配置しない構成が採用されている。
受光部112は、このマイクロレンズアレイ1123のさらに前面側に、たとえば反射防止膜等が形成される。
第1の制御膜141は、シール材120の受光部112との対向面である第1面121に形成(成膜)されている。
第2の制御膜142は、シール材120の第1面121の反対側の第2面122に形成(成膜)されている。
そして、本実施形態においては、センサ面である受光部112に近いシールガラス120の第1面121に分光特性の中でカットオフ半値650nm前後を反射させる膜が形成されている。
以下に、撮像装置100のさらに具体的な構成および機能を、本実施形態の特徴的な構成要素である制御膜140の構成および機能、並びに、シールガラス120の第1面および第2面に制御膜を形成した理由を中心に説明する。
制御膜140は、反射型の多層膜であり、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする機能を有している。
そして、フレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得るには、少なくともシールガラス120の第1面121側に制御膜を形成する必要がある。
図8(A)〜(C)は、シールガラスの受光部との対向面に制御膜を成膜した場合のフレア抑制の効果を説明するための図である。
図8(A)は概略構成を、図8(B)は対策後の画像の概念図を、図8(C)は制御膜(多層膜)による画像を示す図である。
すなわち、光学センサ110で反射した光はほとんどの光がシールガラス下面で反射するので、図8(B)に示すように、高輝度光にフレア光の位相が大きくずれて問題になっていたものが、位相が非常に小さくなり、高輝度光と一体になるため問題にならなくなる。
図8(C)は、対策後のフレア状態の画像で、図5(B)のような全反射の特異なフレアの発生が見られない。
多層膜141Aは、2種以上の膜材料を高屈折率、低屈折率の順に交互に配置されている。多層膜141Aは、この2種以上の膜材料のうち屈折率最大の材料と屈折率最小の材料の間の屈折率差Δが0.5より大きいように形成される。
多層膜140Aは、1層あたりの膜厚が50nm〜150nmの厚みを有する膜が6層以上配置される。
図9(A)は、この17層の多層膜141Aを形成した際に実現できる光学特性を示しており、カットオフ(cut off)波長は650nmに設定されている。
すなわち、制御膜140である多層膜141Aは、赤外領域の光を遮断する赤外カットフィルタIRCFとしての機能を含む。
特に、長波長側のカットオフは650nmの波長前後で半値になるように設計される。
前面側(第2面122側)からの光は分光特性の通り可視光だけを透過させる。
この多層膜141Aは、上述したように、斜めに入射する光に対してはその角度に応じてカットオフ波長が短波にシフトする性質を持つ。
この性質を利用することで光学センサからの反射回折光のうち、全反射に寄与する高次回折成分を多層膜部分で選択的に反射させ、フレア光の拡散を防ぐ。
λCF(θ) =λCF(0) * cos(θ) ・・・(2)
ここで、λCF(θ)は入射角θのカットオフ波長を、λCF(0)は入射角0度のカットオフ波長をそれぞれ示している。
図9(B)の分光特性の斜線部が反射できる光である。
反射型多層膜のIRCFは、図9(B)の分光特性を得るために30〜60層の多層膜が必要となる。
この応力による、8インチ、12インチのサイズに成膜するために大きな反りとなるため、センサSiと貼り合わせを行ってTSV加工を行う工程がこの大きな反りによって、加工ができない場合が生じるおそれがある。
その際に、図11(B)の符号Aで示す○部分のカットオフ半値650nmの付近の分光特性を決めている層の配置はシールガラスの第1面(下面)121になるように配置を行う。
これにより、シールガラスの第1面(下面)でフレアを反射させる膜の配置はそのままでガラスの両面に反射型の多層膜を配置することで反りの応力を均衡させて反りを抑制することができる。
その結果、ウェハーレベルの8インチ、12インチのサイズでも問題なくIRCF付きガラスでTSVの加工を行うことができる。
多層膜である制御膜の蒸着型のIRCFを両面に成膜することで反りを抑制できるため、CSP構造のガラスにIRCFを直接成膜することが可能となり、別部品でIRCFの貼り合わせを行なう構造に対してCSPを薄く小型化でき、コストを下げることができる。
キャビティレスCSPの課題である高輝度光の全反射のフレアの対策としてガラス下面に反射させることができるため、光学センサ面と非常に距離が近いガラス下面に配置される。
このため、ガラス500μm、接着厚50μmとした場合、位相差は{(50×2)/(50×2+500×2)=1/11}と約1/10となるため高輝度光と近い部分になるために対策される。
このため、大きな光学センサへのキャビティレスCSPの展開が可能となり、カメラの小型、軽量化が実現できる。
以上のように、本実施形態の撮像装置によれば、反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能となる。
反りが小さいためウェハーレベルで製作するCSPで装置のバキューム吸着や静電チャックなどのワーク保持のための機能で不具合を起こすことがない。
反りが小さいためにセンサの光学的精度が高い。
反りが小さいため絶縁膜(SiO2)やCuなどの成膜の残留応力が小さくなる
完成したCSPは貼り合わせたガラスにIRCF機能を持つため、別部品でIRCFを光学的に入れるよりも部品を削減でき、コストダウン、セットの薄型化が可能となる。
また、シールガラス両面にIRCFの成膜の内、センサに近いシールガラス下面(第1面)に半値650nm付近の分光特性を配置することにより、次の効果がある。
すなわち、高輝度の光入射のOCLの反射光に対し、ガラス上面で全反射していたフレアが大部分がガラス下面で反射するため、高輝度の光と位相が近くなりフレアが目立たない効果がある。
図12は、本実施形態に係るカメラモジュールの構成例を示す図である。
カメラモジュール200は、撮像レンズ220に加えて、図示しない信号処理部等を有する。
図13の一般的なカメラモジュール200Aは、レンズバレル210Aの光学センサ配置領域に、基板230、光学センサ240が配置されて、配線のワイヤーボンドWBにより基板230と光学センサ240が電気的に接続される。
そして、光学センサ240の受光面241と対向するようにIRCF250が配置されている。
(1)受光部を含む光学センサと、
上記光学センサの上記受光部側を保護するためのシール材と、
少なくとも上記受光部と上記シール材の当該受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、
膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、
上記制御膜は、
上記シール材の上記受光部との対向面である上記第1面に形成された第1の制御膜と、
上記シール材の上記第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含む
撮像装置。
(2)上記第1の制御膜は、
赤外領域の光を遮断する赤外カットフィルタとしての機能を含む
上記(1)記載の撮像装置。
(3)上記制御膜は、
屈折率が異なる複数の膜の多層膜により形成され、
上記第1の制御膜および上記第2の制御膜は、
反りの応力が均衡するように膜数が振り分けて形成されている
上記(1)または(2)記載の撮像装置。
(4)上記多層膜は、
2種以上の膜材料を高屈折率、低屈折率の順に交互に配置されている
上記(3)記載の撮像装置。
(5)受光部を含む光学センサと、
上記光学センサの上記受光部側を保護するためのシール材と、
少なくとも上記受光部と上記シール材の当該受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、
膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、
上記光学センサの上記受光部に被写体像を結像するレンズと、を有し、
上記制御膜は、
上記シール材の上記受光部との対向面である上記第1面に形成された第1の制御膜と、
上記シール材の上記第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含む
カメラモジュール。
(6)上記第1の制御膜は、
赤外領域の光を遮断する赤外カットフィルタとしての機能を含む
上記(5)記載のカメラモジュール。
(7)上記制御膜は、
屈折率が異なる複数の膜の多層膜により形成され、
上記第1の制御膜および上記第2の制御膜は、
反りの応力が均衡するように膜数が振り分けて形成されている
上記(5)または(6)記載のカメラモジュール。
(8)上記多層膜は、
2種以上の膜材料を高屈折率、低屈折率の順に交互に配置されている
上記(7)記載のカメラモジュール。
Claims (6)
- 受光部を含む光学センサと、
上記光学センサの上記受光部側を保護するためのシール材と、
少なくとも上記受光部と上記シール材の当該受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、
屈折率が異なる複数の膜の多層膜により形成され、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、
上記制御膜は、
上記シール材の上記受光部との対向面である上記第1面に形成された第1の制御膜と、
上記シール材の上記第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含み、
上記第1の制御膜および上記第2の制御膜は、
反りを抑制するために上記シール材の第1面と第2面に形成され、かつ、カットオフ半値付近の分光特性を決めている層は上記第1の制御膜に配置されている
撮像装置。 - 上記第1の制御膜は、
赤外領域の光を遮断する赤外カットフィルタとしての機能を含む
請求項1記載の撮像装置。 - 上記多層膜は、
2種以上の膜材料を高屈折率、低屈折率の順に交互に配置されている
請求項1または2記載の撮像装置。 - 受光部を含む光学センサと、
上記光学センサの上記受光部側を保護するためのシール材と、
少なくとも上記受光部と上記シール材の当該受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、
屈折率が異なる複数の膜の多層膜により形成され、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、
上記光学センサの上記受光部に被写体像を結像するレンズと、を有し、
上記制御膜は、
上記シール材の上記受光部との対向面である上記第1面に形成された第1の制御膜と、
上記シール材の上記第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含み、
上記第1の制御膜および上記第2の制御膜は、
反りを抑制するために上記シール材の第1面と第2面に形成され、かつ、カットオフ半値付近の分光特性を決めている層は上記第1の制御膜に配置されている
カメラモジュール。 - 上記第1の制御膜は、
赤外領域の光を遮断する赤外カットフィルタとしての機能を含む
請求項4記載のカメラモジュール。 - 上記多層膜は、
2種以上の膜材料を高屈折率、低屈折率の順に交互に配置されている
請求項4または5記載のカメラモジュール。
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JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2005043755A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法、光学ローパスフィルタ、及び電子機器装置 |
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JP2009171065A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、およびその固体撮像装置を用いた撮影装置 |
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