JP6120075B2 - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法。 - Google Patents

固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法。 Download PDF

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Description

本技術は、固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関し、特に、固体撮像素子チップのサイズをより縮小化できるようにすると共に、光学特性を向上できるようにした固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関する。
従来から半導体装置を構成する上で、チップ上に積層する回路を電気的に接続した後、封止樹脂剤により接続部を封止する技術が一般的なものとして利用されてきた。
このような技術として、例えば、チップ上に積層される回路の周辺部に凸状の封止樹脂の流れ止め構造を設けるようにすることで、ダム構造を形成し、封止樹脂を流し込んだ際に、周辺に不要な樹脂が流れ込むのを防止する技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００７−０６７３１７号公報
ところで、固体撮像装置を構成する場合、光学膜層としての固体撮像素子、またその周辺に各種の回路を構成する必要があるが、高機能化を実現するためには、回路構成が複雑になるため、より広い平面空間が必要となる。ところが、回路構成に固体撮像素子周辺の広い空間が必要になると、固体撮像素子が大型化してしまう。
そこで、光学膜層上の固体撮像素子周辺に多機能チップを積層して設け、この多機能チップを封止樹脂により封止する構成とすることで、固体撮像素子周辺で必要とされる平面空間を縮小し、固体撮像装置の高機能化と小型化を実現することが提案されている。
しかしながら、特許文献１に記載の凸状の封止樹脂の流れ止め構造を設けるようにしてダム構造を形成し、封止樹脂を堰き止める構成とした場合、凸状の封止樹脂の流れ止め構造を設けるための平面空間が必要となるため、この平面空間が固体撮像装置の小型化を阻む要因となっていた。
また、光学画素領域の周辺に設けられた空間において凸状の封止樹脂の流れ止め構造が設けられることになるため、凸状の封止樹脂の流れ止めに反射する反射迷い光が発生し、この反射迷い光を含む入射光が光学画素領域で受光されるので画質を低減させてしまう恐れがあった。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、特に、凸状の封止樹脂の流れ止め構造に代えて、凹状の堀込段差を設けることで封止樹脂の流れ止め構造を設け、固体撮像素子の周辺空間の利用面積を縮小させ、反射迷い光の発生を抑制することで撮像される画像の画質の低減を抑制するものである。
本技術の一側面の固体撮像装置は、固体撮像素子が搭載された光学膜層と、前記光学膜層において前記固体撮像素子の周辺領域に、前記光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップと、前記光学膜層上で、前記多機能チップが積層される周辺領域を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層の周辺領域において、前記封止樹脂層が形成される際の液状の封止樹脂の流れ止め用の凹型流れ止め構造とを含み、前記凹型流れ止め構造は、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差である。
前記凹型流れ止め構造を構成する前記堀込段差の内壁は、前記光学膜層の表面に対して略６０乃至９０°の傾斜角範囲で、前記光学膜層の周囲を囲むように堀込段差加工されるようにすることができる。
前記光学膜層の配線上と配線間上とでは、前記光学膜層の前記堀込段差加工により形成される形状が異なるようにすることができる。
前記光学膜層の堀込段差加工は、積層される多機能チップの周辺を囲むパターンとすることができる。
本技術の一側面の固体撮像装置の製造方法は、固体撮像素子が搭載された光学膜層と、前記光学膜層において前記固体撮像素子の周辺領域に、前記光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップと、前記光学膜層上で、前記多機能チップが積層される周辺領域を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層の周辺領域において、前記封止樹脂層が形成される際の液状の封止樹脂の流れ止め用の凹型流れ止め構造とを含み、前記凹型流れ止め構造は、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差である固体撮像装置の製造方法において、前記光学膜層を形成し、前記光学膜層の前記多機能チップが積層される周辺に、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差からなる前記凹型流れ止め構造を形成し、前記多機能チップを前記光学膜層上に積層し、前記凹型流れ止め構造で囲まれた範囲内において、前記封止樹脂を塗布供与し、硬化させて、前記多機能チップの周辺に前記封止樹脂層を形成する工程を含む。
本技術の一側面によれば、光学膜層において前記固体撮像素子の周辺領域に、前記光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップと、固体撮像素子の周辺領域であって、光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップの周辺領域を封止する封止樹脂層の周辺領域において、封止樹脂の流れ止め用の凹型流れ止め構造とが形成され、前記凹型流れ止め構造は、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差である。
本技術の一側面によれば、固体撮像装置における固体撮像素子チップのサイズを縮小化すると共に、反射迷い光による光学特性の劣化を抑制させることが可能となる。
一般的な固体撮像素子チップの構成例を説明する図である。 本技術の固体撮像素子チップの構成例を説明する図である。 本技術の固体撮像素子チップによる縮小化の効果を説明する図である。 封止樹脂塗布量と多機能チップ-流れ止め構造間距離との関係から封止樹脂の流れを止める条件を説明するための図である。 封止樹脂塗布量と多機能チップ-流れ止め構造間距離との関係を説明するための図である。 一般的な固体撮像素子チップと本技術の固体撮像素子チップとの迷い光の違いを説明する図である。 一般的な固体撮像素子チップと本技術の固体撮像素子チップとの迷い光の違いを説明する図である。 本技術の固体撮像素子チップの製造方法を説明するフローチャートである。
［一般的な固体撮像素子チップの構造］
図１は、固体撮像装置に用いられる一般的な固体撮像素子チップの構成を模した側面断面を示している。
図１の最上段で示されるように、一般的な固体撮像素子チップは、シリコン（Si）およびシリコン上配線１１上に、光学膜層としての固体撮像素子２１を構成する周辺回路領域２１ａおよび光学画素領域２１ｂ、並びに、光学画素領域２１ｂに設けられた撮像素子により生成される画素信号を出力するためのワイヤ２２が接続されるワイヤボンド領域から構成されている。光学画素領域２１ｂには、画素単位で、撮像素子が設けられており、それぞれの上部にRGB（Red,Green,Blue）のカラーフィルタおよびオンチップレンズが配設されている。撮像素子は、入射光を受光すると光電変換により画素信号を生成して周辺回路領域２１ａに設けられている信号処理回路に出力する。周辺回路領域２１ａには、光学画素領域２１ｂ上に設けられた撮像素子より画素単位で供給されてくる画素信号に所定の処理を施す信号処理回路が設けられている。この信号処理回路は、画素信号に各種の処理を施してワイヤボンド領域にボンディングされたワイヤ２２を介して出力する。
ところで、近年の信号処理技術の進歩により、画素信号には、より高度で複雑な信号処理を施すニーズが高まっている。しかしながら、周辺回路領域２１ａに２次元的に回路を構成すると、より高度で複雑な信号処理を実現させるには、物理的に、より広大な平面空間と、複雑な構成が必要となる。このため、大型で複雑な回路を実現するためには、より広大な周辺回路領域２１ａが必要となるので、結果として、固体撮像素子チップ全体が大型化してしまう。また、固体撮像素子全体を製造するプロセスにおいて、光学画素領域２１ｂにおける撮像素子を構成するための画素プロセスと、周辺回路領域２１ａに回路を構成するための回路プロセスとが、それぞれに必要となるので、製造歩留まりを低減させてしまう恐れがあった。
そこで、周辺回路領域２１ａに大型で複雑な回路を実現しつつ、２次元における空間を縮小化し、製造歩留を向上させるため、図１の下段で示されるように、周辺回路領域２１ａに、別工程で製造された信号処理回路からなる多機能チップ３１を積層することが提案されている。
すなわち、図１の下段では、周辺回路領域２１ａにおいて、これまで２次元的に構成された信号処理回路に代えて、別工程で、かつ、３次元構造に製造された多機能チップ３１が積層されている例が示されている。多機能チップ３１は、金属製の配線３４を介して周辺回路領域２１aと電気的に接続されており、光学画素領域２１ｂに設けられた撮像素子より供給されてくる画素信号に所定の処理を加えてワイヤボンド領域に接続されたワイヤ２２を介して出力する。
より詳細には、多機能チップ３１は、その周囲が封止樹脂層３２により封止されており、金属体から成る配線３４が吸収される構成とされている。さらに、封止樹脂層３２の周辺には、封止樹脂層３２を取り囲むように、封止樹脂を注入する際に必要とされる、凸型流れ止め構造３３が設けられている。この凸型流れ止め構造３３は、封止樹脂が液状の状態で注入されて硬化するまでの間、封止樹脂の流れを堰き止めるダム構造として機能する。結果として、この凸型流れ止め構造３３により、製造工程において、液状の封止樹脂が硬化するまでの間に、拡散し光学画素領域２１ｂを汚染してしまうのを防止している。
このように多機能チップ３１を周辺回路領域２１ａに積層とすることで、周辺回路領域２１ａは、多機能チップ３１を積層する面積が確保されれば、それ以上の空間が不要となるので、回路構成が複雑になっても、固体撮像素子チップの大きさを全体として小さくすることが可能となる。
しかしながら、多機能チップ３１を周辺回路領域２１a上に積層するようにすると、凸型流れ止め構造３３を配置するための空間（凸型流れ止め構造３３の幅）として、例えば、50μmが必要であり、さらに、配置精度として、例えば、±30μm、加えて、凸型流れ止め構造３３の幅精度として、例えば、±10μmが必要である。このため、凸型流れ止め構造３３は、例えば、１本につき、合計90μm（＝（50＋10＋30）μm）程度の幅が必要となる。このため、多機能チップ３１のサイズと、流れ止め構造を構成するために必要な空間サイズとが必須となるため、これ以上に固体撮像素子チップのサイズを小さくすることができなかった。
また、凸型流れ止め構造３３は、光学画素領域２１ｂから近い空間に設けられるものであるにもかかわらず、周辺回路領域２１aの表面より突出した構造のものであるため、入射光の一部を反射させ、いわゆる反射迷い光を発生させて、光学画素領域２１ｂに設けられた撮像素子に入射させるので、固体撮像素子としての光学特性を低減させていた。
［本技術を適用した固体撮像素子チップの構造］
図２は、本技術を適用した固体撮像装置に用いられる固体撮像素子チップの一実施の形態の構成例を示したものである。すなわち、上述したようなことから、本技術を適用した固体撮像素子チップにおいては、図２で示されるように、凸型流れ止め構造３３に代えて、凹型流れ止め構造４１を設ける構成としている。尚、図２において、図１と同様の機能を備えた構成については、同一の名称および符号を付すものとし、その説明は適宜省略するものとする。
すなわち、図２で示されるように、本技術を適用した固体撮像素子チップにおいては、凸型流れ止め構造３３に代えて、凹型流れ止め構造４１が設けられている。
凹型流れ止め構造４１は、図２の右下部にも示されるように、周辺回路領域２１a上に、多機能チップ３１を取り囲むように配設される堀込段差である。凹型流れ止め構造４１を構成する堀込段差は、部位４１ａで示される周辺回路領域２１aの表面に対して成す角は、６０乃至９０°の傾斜角範囲とされる。また、凹型流れ止め構造４１を構成する堀込段差は、ウェハ工程のドライエッチングにより堀込段差加工されることにより部位４１ａにおける周辺回路領域２１aの表面に対して成す角を９０°にすることが可能となる。
このように構成されることにより、封止樹脂層３２を形成する工程において、液状の封止樹脂が硬化するまでの間、拡散しようとする封止樹脂については、堀込段差となっている凹型流れ止め構造４１の中に流れ込む。結果として、液状の封止樹脂は、硬化するまでの間に凹型流れ止め構造４１により取り囲まれた範囲外には流れ出さない状態となるため、封止樹脂の流出を抑制し、封止樹脂による光学画素領域２１ｂの汚染を防止することが可能となる。
また、図３で示されるように、凹型流れ止め構造４１に必要とされる堀込段差の幅は、凸型流れ止め構造３３において、例えば、50μmであるのに対して、例えば、3μm程度でよい。また、このように必要とされる幅が1/10以下となることから、凹型流れ止め構造４１に必要とされる配置精度および幅精度についても、ウェハ工程のドライエッチングで製造できることから、例えば、それぞれ1μmおよび0.5μm程度とすることができる。結果として、固体撮像素子チップの幅以外に必要とされる空間の幅は、1本に付き、例えば、4.5μm（＝（3+1+0.5）μm）となり、多機能チップ３１を積層させるために必要とされる、多機能チップ３１の幅以外の幅を90%以上縮小させることができる。
［多機能チップと流れ止め構造との距離］
また、凹型流れ止め構造４１を採用することにより、多機能チップ３１の端部から凹型流れ止め構造４１の位置までの距離を縮小することが可能となる。すなわち、図４の上部で示されるように、封止樹脂層３２を構成するために、凹型流れ止め構造４１を設けた場合、図４の下部で示されるように、凹型流れ止め構造４１の端部である部位４１ａ（以降、堀込段差のかど４１ａと称する）における、周辺回路領域２１ａの表面と、硬化する前の（液状の）封止樹脂との成す角を、接触角θで表すものとすると、以下のような関係が成立する。すなわち、接触角θにおける周辺回路領域２１ａの表面張力γは、堀込段差のかど４１ａの摩擦力γ１と、硬化する前の封止樹脂の表面張力γ２×cosθとの和となる。従って、接触角θ＝90°の場合、cosθ＝0となることから、硬化する前の封止樹脂の表面張力γ２は0となり、周辺回路領域２１ａの表面張力γと、堀込段差のかど４１ａの摩擦力γ１とが一致することで、硬化前の封止樹脂は、凹型流れ止め構造４１内に流れ込まない。
そこで、このような関係に基づいて、試験チップの表面が酸化シリコン（Si02）であって、封止樹脂硬化完了後であるときの、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離と、流れ止め構造を乗り越えない封止樹脂塗布量の最大量との関係を示したのが、図５のグラフである。尚、図５においては、四角印が本技術を適用した凹型流れ止め構造４１を使用した場合の、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離と、流れ止め構造を乗り越えないときの封止樹脂塗布量との関係を示す分布である。用いた樹脂供試材は25℃の窒化シリコン（SiN）表面において接触角10°乃至12°の粘性特性を示す材料である。さらに、丸印が、前記同樹脂における、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離と、凸型流れ止め構造３３を乗り越えないときの封止樹脂塗布量との関係を示している。また、三角印が、前記同表面での接触角15°乃至16°の粘性特性を示す別樹脂供試材を用いた時の、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離と、凸型流れ止め構造３３を乗り越えないときの封止樹脂塗布量との関係を示している。尚、バツ印は、流れ止め構造を乗り越えて、光学画素領域２１ｂを汚染してしまったことを示している。
すなわち、図５の四角印の分布で示されるように、凹型流れ止め構造４１を採用した場合については、封止樹脂塗布量が2.5mgよりも多いにもかかわらず、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離は200μmよりも近い位置でも封止樹脂がこぼれ出すことはない。一方、三角印および丸印で示される凸型流れ止め構造３３を採用した場合、多機能チップ３１の端部から流れ止め構造までの距離は、400μm程度が限界であり、封止樹脂塗布量も2.0mg程度が限界となっている。従って、多機能チップ３１と凹型流れ止め構造４１までの距離を短くし、かつ、封止樹脂の塗布量を増やしても、封止樹脂が凹型流れ止め構造４１を乗り越えて、光学画素領域２１ｂを汚染することがないので、多機能チップ３１を積層するために必要とする面積そのものを小さくすることが可能となり、結果として、固体撮像素子チップの大きさを全体として縮小させることが可能となる。
［反射迷い光に対する効果］
図６の上段で示されるように、光学画素領域２１ｂに隣接するように周辺回路領域２１ａが存在し、周辺回路領域２１ａ内に多機能チップ３１が積層される場合の凸型流れ止め構造３３および凹型流れ止め構造４１のそれぞれにおける、光学画素領域２１ｂの迷い光の光強度分布（放射照度分布）が図７の上段および下段にそれぞれ示されている。
尚、図７の分布は、図６の下段で示されるように、ハロゲン光源からなる光線Ｌ１を発光させ、レンズ群１０１を透過させて固体撮像素子チップを照射した場合の光学画素領域２１ｂをXY空間で表したときの各座標上における光強度分布（放射照度分布）の例である。図７の上部の分布は、凸型流れ止め構造３３が利用されている場合のものである。また、このときの凸型流れ止め構造３３は、図６の下段上部で示されるように、半径50μmの半球状の金属材（Sn）であるものとしている。一方、図７の下部の分布は、凹型流れ止め構造４１が利用されている場合のものであり、このときの凹型流れ止め構造４１は、図６の下段下部で示されるように、幅3μmで深さ1μmの堀込段差であるものとしている。そして、いずれにおいても、多機能チップ３１の端部から光学画素領域２１ｂにおける有効画素の存在する位置までの最短距離が50μmであるものとする。
ここで、凸型流れ止め構造３３を採用した場合の図７の上段で示される分布においては、光学画素領域２１ｂにおける中央付近に強いピークが現れ、光学画素領域２１ｂの全範囲に反射迷い光が検出されていることが示されている。これに対して、凹型流れ止め構造４１を採用した場合の図７の下段で示される分布においては、光学画素領域２１ｂにおけるほぼ半分の領域には反射迷い光が検出されていないことが示されている。これらの比較から、全体として、凹型流れ止め構造４１を採用することで、反射迷い光を低減させることが明らかとなっている。尚、凹型流れ止め構造４１における堀込段差の深さについては、配線上であるかまたは配線間上であるかに応じた深さとすることにより、配線への影響を考慮するようにしてもよい。
［製造処理］
次に、図８のフローチャートを参照して、凹型流れ止め構造４１を備えた固体撮像素子チップの製造処理について説明する。
ステップＳ１１の工程において、光学画素領域２１ｂ等が形成される。
ステップＳ１２の工程において、多機能チップ３１が積層される領域を取り囲むパターンとなるように、ドライエッチングなどにより堀込段差加工がなされることにより凹型流れ止め構造４１が形成される。
ステップＳ１３の工程において、多機能チップ３１が、金属などからなる配線３４を介して電気的に接続された状態で周辺回路領域２１a上に積層される。
ステップＳ１４の構成において、周辺回路領域２１aに積層された多機能チップ３１と、多機能チップ３１を取り囲むように設けられた凹型流れ止め構造４１で囲まれた範囲内に封止樹脂が塗布供与されることにより、凹型流れ止め構造４１により流れが堰き止められるので、充填され、紫外線照射、補助熱の付与等により硬化されることで、封止樹脂層３２が形成される。
以上の処理により図２で示されるような、凹型流れ止め構造４１を備えた固体撮像素子チップが製造される。
尚、以上においては、多機能チップ３１を取り囲むように、１本の凹型流れ止め構造４１のみが構成される例について説明してきたが、例えば、同様の構造のものを、多機能チップ３１を取り囲むように複数の本数設けるようにして、多重に取り囲むようにしてもよい。このようにすることで、封止樹脂層３２を構成する封止樹脂塗布量をさらに多くしても、硬化するまでの間の封止樹脂の拡散を抑制することができ、光学画素領域２１ｂへの汚染をより確実に防止することが可能となる。
また、以上の処理により製造される図２で示されるような凹型流れ止め構造４１を備えた固体撮像素子チップにおいては、流れ止めに必要とされる空間を縮小することが可能となるので、サイズを小型化することが可能となる。例えば、光学画素領域２１ｂを構成する固体撮像素子が11×11mmで、かつ、多機能チップ３１が1.5×10mmである場合、4%程度縮小させることが可能となる。
また、多機能チップ３１と光学画素領域２１ｂとの距離を縮小することが可能となるので、多機能チップ３１の実装面積を縮小することが可能となる。例えば、多機能チップ３１が1.5×10mmである場合、配置精度、幅精度、および凹型流れ止め構造の幅の合算値を3%程度縮小化することが可能となる。
さらに、固体撮像素子チップのサイズを縮小することができるので、１枚のウェハから製造可能な固体撮像素子チップの枚数を増加させることが可能となり、製造効率を向上させ、コストの低減を図ることが可能となる。例えば、固体撮像素子11×11mmの場合、固体撮像素子チップの300mmウェハにおける取り個数を、従来構造と比較して3.2%増加させることが可能となる。同様に、例えば、固体撮像素子チップが6×6mmの場合、取り個数を6.2%増加することが可能となる。
また、凹型流れ止め構造は、凸型流れ止め構造よりも、封止樹脂の接触角を大きくすることができ、表面張力を大きくすることができるので、封止樹脂塗布量のばらつきに対してより大きな許容量を設定することが可能となる。例えば、凸型流れ止め構造における場合、封止樹脂塗布量の製造バラツキに対する許容範囲は10%程度であるが、凹型流れ止め構造の場合、20%程度までとすることが可能となる。
さらに、流れ止めから光学画素領域内への反射迷い光の入射を低減することが可能となり、より高画質化することが可能となる。
１１ シリコンおよびシリコン上配線， ２１ 固体撮像素子， ２１ａ 周辺回路領域， ２１ｂ 光学画素領域， ２２ ワイヤ， ３１ 多機能チップ， ３２ 封止樹脂， ３３ 凸型流れ止め構造， ４１ 凹型流れ止め構造， １０１ レンズ群

Claims (5)

  1. 固体撮像素子が搭載された光学膜層と、
    前記光学膜層において前記固体撮像素子の周辺領域に、前記光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップと、
    前記光学膜層上で、前記多機能チップが積層される周辺領域を封止する封止樹脂層と、
    前記封止樹脂層の周辺領域において、前記封止樹脂層が形成される際の液状の封止樹脂の流れ止め用の凹型流れ止め構造とを含み、
    前記凹型流れ止め構造は、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差である
    固体撮像装置。
  2. 前記凹型流れ止め構造を構成する前記堀込段差の内壁は、前記光学膜層の表面に対して略６０乃至９０°の傾斜角範囲で、前記多機能チップの周囲を囲むように堀込段差加工される
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記光学膜層の配線上と配線間上では、前記光学膜層の前記堀込段差加工により形成される形状が異なる
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記光学膜層の前記堀込段差加工は、積層される前記多機能チップの周辺を囲むパターンである
    請求項３のいずれかに記載の固体撮像装置。
  5. 固体撮像素子が搭載された光学膜層と、
    前記光学膜層において前記固体撮像素子の周辺領域に、前記光学膜層と金属体を介して電気的に接続された状態で積層される多機能チップと、
    前記光学膜層上で、前記多機能チップが積層される周辺領域を封止する封止樹脂層と、
    前記封止樹脂層の周辺領域において、前記封止樹脂層が形成される際の液状の封止樹脂の流れ止め用の凹型流れ止め構造とを含み、
    前記凹型流れ止め構造は、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差である固体撮像装置の製造方法において、
    前記光学膜層を形成し、
    前記光学膜層の前記多機能チップが積層される周辺に、前記多機能チップの周囲を多重に囲むようにウェハ工程のドライエッチングにより前記光学膜層のみが堀込まれて構成される堀込段差からなる前記凹型流れ止め構造を形成し、
    前記多機能チップを前記光学膜層上に積層し、
    前記凹型流れ止め構造で囲まれた範囲内において、前記封止樹脂を塗布供与し、硬化させて、前記多機能チップの周辺に前記封止樹脂層を形成する
    工程を含む固体撮像素子の製造方法。
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