JP2007067317A - 半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供する。
【解決手段】 回路基板１１上に半導体装置１２を実装する半導体装置１２の実装方法である。回路基板１１上に半導体装置１２を設け、半導体装置１２の第１導電部２２と回路基板１１の第２導電部２５とを配線１４により電気的に接続する。そして、半導体装置１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部に、第１の樹脂１６の前駆体である第１前駆体液１６ａを配設する。その後、半導体装置１２と第１前駆体液１６ａとの間に、半導体装置１２及び配線１４を覆うようにして、第２の樹脂１５の前駆体であり、第１前駆体液１６ａより粘度が低い第２前駆体液１５ａを配設する。そして、第１前駆体液１６ａ及び第２前駆体液１５ａを一括して硬化させることで、第１の樹脂１６及び第２の樹脂１５とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法に関する。

従来より、半導体チップを回路基板上に実装するＣＯＢ（Chip On Board）技術においては、ワイヤボンディングと呼ばれる手法を用いて半導体チップの上面に設けられた端子と回路基板上の端子とを電気的に配線接続する技術が一般的になっている。
前記半導体チップ及び前記配線による接続部は、絶縁性を備えた封止樹脂によって封止された構造となっている。そして、前記封止樹脂により封止された半導体チップの周辺には、他の部品が実装されている。

ところで、近年、半導体装置の実装構造の小型化が望まれており、そのためには回路基板上に実装される他の部品を半導体チップの直近に配置することが好ましい。そこで、硬化処理前の前駆体液の状態で粘度の高い樹脂材料を用いることで拡がりを抑えて、硬化処理後の、半導体チップの実装構造の小型化を図ることが考えられる。
しかしながら、粘度の高い樹脂材料によって半導体チップを覆うと、半導体チップを覆う樹脂の膜厚が必要以上に大きくなってしまい、結果として実装構造が大型化してしまう。
一方、膜厚を抑えるために粘度の低い樹脂材料を用いると、樹脂材料が回路基板上で拡がり、半導体チップ又は配線が露出することで絶縁性を低下させるおそれがある。

そこで、回路基板上に別部材として、例えばダム片、又はダムシルクを形成し、この別部材によって樹脂材料の拡がりを抑えることで、粘度の低い樹脂材料を用いて半導体チップを封止することを可能とし、封止部分の膜厚を押さえることで実装構造の小型化を図る技術がある（例えば、特許文献１，２）。
特開平６−２１１１５号公報 特開２００１−２３０３４６号公報

また、回路基板に直接ザグリ（穴）を設け、ザグリにより回路基板に生じた凹部に半導体チップを実装し、半導体チップ（半導体装置）を封止する際に低粘度の樹脂材料を用いた際の樹脂材料の拡がりを前記凹部によって防止する方法が考えられる。しかしながら、同様に、回路基板にザグリを設ける工程が必要となることから、半導体チップを実装する際のコストが高くなるという、改善すべき課題がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供することにある。

本発明の実装方法は、回路基板上に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法において、前記回路基板上に前記半導体装置を設ける工程と、前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを配線により電気的に接続する工程と、前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に、第１の樹脂の前駆体であり所定の粘度の第１前駆体液を配設する工程と、該第１前駆体液を配設した後、前記半導体装置と前記第１前駆体液との間に、前記半導体装置及び前記配線を覆うようにして、第２の樹脂の前駆体であり、前記第１前駆体液より粘度が低い第２前駆体液を配設する工程と、前記第１前駆体液及び前記第２前駆体液を一括して硬化させることで、第１の樹脂及び第２の樹脂とする工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明の半導体装置の実装方法によれば、半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に第１前駆体液を配設しているので、半導体装置と前記第１前駆体液との間に配設された第２前駆体液は、相対的に粘度の高い前記第１前駆体液によって機械的に堰き止められる。さらに、第２前駆体液と第１前駆体液との接触面は互いに引き付け合うことで、前記第２前駆体液が回路基板上で拡がるのを防止する。すなわち、前記第１前駆体液が第２前駆体液を堰きとめるダム構造として機能するようになる。
このように、第１前駆体液により第２前駆体液の拡がりを防止することで、前記半導体装置を封止する樹脂の前駆体液として、粘度の低いもの（第２前駆体液）を採用できる。よって、低粘度の前駆体液によって半導体装置を封止することで、硬化処理後の第２の樹脂の膜厚を抑えることができる。
ここで、前記第１の樹脂、及び前記第２の樹脂は、例えばディスペンサを用いることで、それぞれの前駆体液を回路基板上の所定の位置に配設できるので、樹脂配置及び一括硬化処理によって回路基板上に実装した半導体装置を封止できる。
よって、この実装方法によれば、粘度の低い樹脂を用いて半導体装置を封止する場合にも、封止樹脂の拡がりを防止するための別部材を回路基板上に別途設ける必要が無いので、コストの低減を図った実装構造を提供することができる。

また、上記半導体装置の実装方法においては、前記配線接続は、ワイヤーボンディングにより行われていることが好ましい。
このようにすれば、半導体装置の上面と回路基板の上面との間に段差が生じているが、ワイヤーボンディングを用いることで、段差を介した配線接続を良好に行うことができる。

また、上記半導体装置の実装方法においては、前記第１前駆体液及び前記第２前駆体液は、ディスペンサによってそれぞれ所定の位置に配設されることが好ましい。
このようにすれば、ディスペンサを用いることで第１前駆体液、及び第２前駆体液を所定の位置への配置を同一工程により行うことができ、半導体装置を実装する工程を簡略化できる。

また、上記半導体装置の実装方法においては、前記半導体装置が平面視した形状が角形である場合には、前記第１前駆体液を前記半導体装置の各辺のそれぞれに対応する回路基板上に設けることが好ましい。
ここで、半導体装置上に設けられた第２前駆体液は、各辺から回路基板上に拡がるようになる。そこで、本構成では、前記各辺に対応する回路基板上にそれぞれ第１の樹脂を配置しているので、前記第２前駆体液の拡がりを複数の第１前駆体液によって良好に防止することが可能となる。
さらに、前記第１前駆体液を、半導体装置の各辺の中心部に対応する回路基板上に配設することがより好ましい。
ここで、平面視した形状が角形の半導体装置上に設けられた第２前駆体液は、特に各辺の中央部から回路基板上に拡がりやすくなっている。そこで、本構成では、前記各辺の中央部に対応する回路基板上に前記第１前駆体液を配置しているので、前記第２前駆体液の拡がりをより良好に防止できる。

また、上記半導体装置の実装方法においては、前記第１前駆体液を、前記半導体装置の周辺を環状に覆うように、前記回路基板上に配設することが好ましい。
このようにすれば、第１前駆体液が前記半導体装置の周辺を環状に覆った状態に配設されているので、この第１前駆体液によって囲まれる領域内にのみ、第２前駆体液の拡がりを規制することができ、該第２前駆体液を硬化させることで第２の樹脂により半導体装置を良好に封止できる。

本発明の半導体装置の実装構造は、回路基板上に半導体装置が実装されてなる半導体装置の実装構造において、前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを電気的に接続する配線と、前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に設けられた第１の樹脂と、前記半導体装置及び前記配線を覆い、かつ前記半導体装置と前記第１の樹脂との間に設けられた第２の樹脂と、を備えてなり、前記第２の樹脂の硬化処理前の前駆体液の粘度は、前記第１の樹脂の硬化処理前の前駆体液の粘度よりも低くなっていて、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂とは一括して硬化処理されてなることを特徴とする。

本発明の半導体装置の実装構造によれば、例えば半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に、硬化処理前の第１の樹脂の前駆体液を設けた後、前記半導体装置と前記第１の樹脂の前駆体液との間に硬化処理前の第２の樹脂の前駆体液を設けた場合、相対的に粘度の高い第１の樹脂の前駆体液によって前記第２の樹脂の前駆体液が機械的に堰き止められる。よって、硬化処理後、前記第２の樹脂は半導体装置及び配線を覆う、封止樹脂として機能している。
このように、前記半導体装置を封止する樹脂として、前駆体液の状態で粘度が低い第２の樹脂を採用しているので、半導体装置及び配線を封止する樹脂の膜厚が抑えられたものとなる。また、半導体装置を封止する際に、回路基板上に封止樹脂の拡がりを防止するための別部材を設ける必要が無いので、低コスト化が図られた実装構造となる。

以下に、本発明の半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法における一実施形態について図面を参照し説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

図１は、本発明の半導体装置の実装構造の一実施形態を示す図であって、図２のＡ−Ａ線矢視による側断面図である。図２は、前記実装構造を説明する平面図である。
図１に示すように、実装構造１０とは、回路基板１１、該回路基板１１上に搭載される半導体チップ（半導体装置）１２、該半導体チップ１２と前記回路基板１１とを電気的に接続する配線１４、及び前記半導体チップ１２と前記配線１４を封止する樹脂を含んで構成されるものである。

前記回路基板１１には、後述する本発明の半導体装置の実装方法によって半導体チップ１２が実装されている。本実施形態では、前記半導体チップ１２は平面視した形状が角形（具体的には、四角形）となっている。
前記回路基板１１は、基体が樹脂やセラミックなどの絶縁材から構成されたもので、図示されない配線パターンが形成されている。ここで、前記配線パターンは、半導体チップ１２の搭載面１１ａに形成される露出部としての端子（第２導電部）２２を含んでいる。配線パターンは、ランド（ラインよりも幅の広い部分）を有していてもよい。また、回路基板１１は、多層基板（両面基板を含む。）であってもよい。この場合、多層基板は、多層（２層以上）の導体パターンを含む。また、配線パターンは、回路基板１１に内蔵される導体パターンを含んでもよいし、部品内蔵型回路基板でもよい。詳しくは、回路基板１１の内部で、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の受動部品又は集積回路部品等の能動部品が導体パターンに電気的に接続されていてもよい。あるいは、導体パターンの一部を高抵抗値の材料で形成することで、抵抗器を形成してもよい。また、回路基板１１は、搭載する半導体チップ１２に比べて大きい別のチップであってもよい。

前記半導体チップ１２には、例えば集積回路が形成されている。ここで、半導体チップ１２における、回路基板１１に対向配置される側の面を裏面１２ａとし、該裏面１２ａの反対側の面を能動面１２ｂとする。

半導体チップ１２の裏面１２ａは、図示しない集積回路と電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。裏面１２ａには、パッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。裏面１２ａは、半導体（あるいは導体）で形成されていてもよい。

また、半導体チップ１２の裏面１２ａと回路基板１１との間には、接着層２４が介在している。接着層２４は、例えば接着剤からなる。接着層２４が導電性を有していれば、回路基板１１の端子２２と半導体チップ１２の裏面１２ａとを電気的に接続することができる。また、接着層２４が電気的絶縁性を有していれば、回路基板１１の端子２２と半導体チップ１２の裏面１２ａとを電気的に絶縁することができる。
そして、半導体チップ１２の能動面１２ｂには、複数の端子（第１導電部）２５が形成されている。複数の端子２５は、能動面１２ｂの周縁部（端部）に形成されていてもよい。

なお、能動面１２ｂに、少なくとも１層からなる図示しない電気的絶縁膜であるパッシベーション膜が形成されていてもよい。パッシベーション膜は、樹脂でない材料（例えばＳｉＯ_２又はＳｉＮ）のみで形成してもよいし、その上に樹脂（例えばポリイミド樹脂）からなる膜をさらに含んでもよい。この場合、パッシベーション膜には、複数の端子２５の少なくとも一部（例えば中央部）を露出させる開口が形成されている。

そして、前記半導体チップ１２の能動面１２ｂ側に設けられた前記端子２５と、前記回路基板１１上に設けられた端子２２とが配線１４により電気的に接続されている。本実施形態では、前記配線１４として、ワイヤーボンディング技術によって、金属ワイヤー１４を用いて接続している。ここで、半導体チップ１２の上面（能動面１２ｂ）と回路基板１１の上面に設けられた端子２２との間に段差が生じているが、このようにワイヤーボンディングにより、段差を介した配線接続を良好に行うことが可能となっている。

図２に示すように、前記実装構造１０には、前記半導体チップ１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部に高粘度樹脂（第１の樹脂）１６が設けられている。
また、前記半導体チップ１２と前記高粘度樹脂１６との間には、図２中２点鎖線で示される低粘度樹脂（第２の樹脂）１５が設けられていて、この低粘度樹脂１５は、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を覆っている。前記高粘度樹脂１６及び低粘度樹脂１５の前駆体液は、後述するように、例えばディスペンサにより所定の位置に塗布した後、一括して硬化処理されることで形成されたものである。
ここで、前記高粘度樹脂１６、及び前記低粘度樹脂１５における粘度とは、以下の意味を含んでいる。前記低粘度樹脂１５は、後述する製造工程における硬化処理前の前駆体液（第２前駆体液）の状態での粘度が、前記高粘度樹脂１６の硬化処理前の前駆体液（第１前駆体液）の粘度よりも低くなっている。
このように、低粘度樹脂１５の前駆体液は粘度が低いため、硬化するまでに回路基板１１１上で拡がってしまい、前記半導体チップ１２及び前記金属ワイヤー１４を露出させ、短絡が生じさせるおそれがある。
そこで、本実施形態の実装構造１０は、回路基板１１上に設けられている高粘度樹脂１６の前駆体液が低粘度樹脂１５の前駆体液の拡がりを防止し、硬化処理の後に、低粘度樹脂１５によって半導体チップ１２を覆った状態とする構成を備えている。なお、前記高粘度樹脂１６の前駆体液と前記低粘度樹脂１５の前駆体液とは、後述するように、一括して硬化処理されている。

具体的に、本実施形態では、平面視四角形の形状の半導体チップ１２を回路基板１１上に実装しているので、前記高粘度樹脂１６が前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれに対応する前記回路基板１１上の位置に設けられている。ここで、対応する位置とは、半導体チップ１２上に設けた低粘度樹脂１５の前駆体液が回路基板１１上に拡がりやすい位置を意味しており、具体的には半導体チップ１２の各辺の中央部である。
このような構成により、低粘度樹脂１５の前駆体液を配置した際に、高粘度樹脂１６の前駆体液によって、低粘度樹脂１５の前駆体液が回路基板１１上に拡がってしまい、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を露出させてしまうのを防止している。また、本半導体チップ１２の実装構造１０では、半導体チップ１２を封止している低粘度樹脂１５の前駆体液が低粘度となっているので、半導体チップ１２を封止する樹脂の膜厚が抑えられたものとなっている。

本実施形態における半導体チップ１２の実装構造１０によれば、前記半導体チップ１２を封止する樹脂として、前駆体の状態で粘度が低粘度樹脂１５を採用しているので、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を封止する樹脂の膜厚が抑えられたものとなる。
また、前記高粘度樹脂１６、及び前記低粘度樹脂１５は、例えばディスペンサを用いることでそれぞれの前駆体液を回路基板１１上に配設して構成されたものであり、樹脂の塗布、硬化工程により、半導体チップ１２を低粘度樹脂１５によって封止することができる。よって、低粘度樹脂１５の拡がりを防止するための別部材を回路基板１１上に設ける工程が不要となるので、低コスト化が図られた実装構造１０となる。

なお、本実施形態では、前記低粘度樹脂１５は半導体チップ１２の全面を覆った状態に設けているが、前記低粘度樹脂１５は、前記半導体チップ１２の端子２５と回路基板１１の端子２２と該端子２２，２５間を接続する金属ワイヤー１４とを少なくとも覆っていれば封止樹脂として機能する。
また、前記端子２２，２５間を接続する配線としては、金属ワイヤー１４（ワイヤーボンディング）に限定されることはなく、例えば半導体チップ１２の能動面１２ｂから、側面を通って、回路基板１１の上面を通るように配線を引き回し、前記端子２２，２５間を接続するようにしてもよい。

（半導体チップの実装方法）
次に、本発明の半導体装置の実装方法の一実施形態として、前記半導体チップ１２の実装構造１０を例に挙げ、回路基板１１上に半導体チップ１２を実装する実装方法について説明する。図３は、前記回路基板１１上に半導体チップ１２を実装する方法を示す図である。なお、図３（ａ）〜（ｄ）に示される工程図は、図２のＡ−Ａ線矢視による実装構造１０の側断面形状に対応するもので、後述する高粘度樹脂１６、及び低粘度樹脂１５が配置される位置は、図２における平面図に対応するものとなっている。

まず始めに、図３（ａ）に示すように、回路基板１１上に、平面視した形状が角形、具体的には四角形となる半導体チップ１２を搭載する。詳しくは、半導体チップ１２は、その裏面１２ａが回路基板１１に対向し、かつ能動面１２ｂが回路基板１１に対して非対向になるように搭載される（フェイスアップ搭載）。また、本実施形態では、接着層２４を、回路基板１１及び半導体チップ１２の間に介在させている。

続いて、図３（ｂ）に示すように、前記半導体チップ１２に設けられた端子（第１導電部）２５と前記回路基板１１に設けられた端子（第２導電部）２２とを、ワイヤーボンディング技術を用いて、金属ワイヤー（配線）１４によって電気的に接続する。よって、半導体チップ１２の端子２５と回路基板１１の端子２２とが金属ワイヤー１４によって電気的に接続し、回路基板１１上に半導体チップ１２が実装される。なお、上述したように、前記端子２２，２５間を配線接続する方法としてはワイヤーボンディングに限られず、例えばスパッタ法を用いることで、半導体チップ１２の能動面１２ｂから側面を通って、回路基板１１の上面を通る配線を引き回し、前記端子２２，２５間を接続するようにしてもよい。

続いて、図３（ｃ）に示すように、前記半導体チップ１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部にディスペンサ（図示せず）等を用いて、例えばエポキシ系の材料から構成される所定の粘度を有する高粘度前駆体液（第１前駆体液）１６ａを塗布する。なお、この高粘度前駆体液１６ａは、図１及び図２に示した高粘度樹脂１６の後述する硬化処理前の前駆体液である。
具体的には、回路基板１１上に搭載した半導体チップ１２の形状が平面視角形（本実施形態では、四角形）となっているので、前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれに対応する回路基板１１上に前記高粘度前駆体液１６ａを配置する。

その理由として、半導体チップ１２上に樹脂の前駆体液を塗布すると、半導体チップ１２が角形であると各辺の中央部から回路基板１１上に前駆体液が拡がりやすいということが実験等により求められているためである。
そこで、本実装方法では、平面視した状態で、図２に示したように、前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれ中央部に対応する回路基板１１上に高粘度前駆体液１６ａを配置した。このとき、高粘度前駆体液１６ａは、相対的に粘度が高いことから回路基板１１上に塗布された位置から大きく拡がることはない。なお、前駆体液の粘度は、含有する溶媒の量を調整することで調整可能となっている。

前記回路基板１１上に高粘度前駆体液１６ａを配設した後、図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１２及び高粘度前駆体液１６ａとの間に、前記金属ワイヤー１４、及びこの金属ワイヤー１４と前記端子２２，２５との接続部分を覆うようにして、前記高粘度前駆体液１６ａよりも粘度が低い、低粘度前駆体液１５ａをディスペンサにより配置する。なお、この低粘度前駆体液１５ａは、図１及び図２に示した低粘度樹脂１５の後述する硬化処理前の前駆体液である。

すなわち、前記高粘度前駆体液１６ａ、及び前記低粘度前駆体液１５ａは、それぞれディスペンサを用いた樹脂塗布工程によって回路基板１１上に配置している。このように、ディスペンサを用いることで前記高粘度前駆体液１６ａ、及び前記低粘度前駆体液１５ａを所定の位置に配置するのを同じ工程内で行うことができ、半導体チップ１２を実装する工程を簡略化できる。
具体的には、前記金属ワイヤー１４及び半導体チップ１２の全面を覆うように低粘度前駆体液１５ａを配設する（図２参照）。

このとき、低粘度前駆体液１５ａよりも粘度の高い高粘度前駆体液１６ａを、前記半導体チップ１２上の低粘度前駆体液１５ａが拡がりやすい位置（各辺の中央部）に対応する回路基板１１上に設けているので、低粘度前駆体液１５ａは高粘度前駆体液１６ａによって機械的に堰き止られる。

また、高粘度前駆体液１６ａと低粘度前駆体液１５ａとはそれぞれ粘度が異なるため、低粘度前駆体液１５ａと回路基板１１上の高粘度樹脂との接触面は、お互いを引き付け合うようになっている。すなわち、前記高粘度前駆体液１６ａが前記低粘度前駆体液１５ａを堰きとめるダム構造として機能するようになる。したがって、低粘度前駆体液１５ａは、前記半導体チップ１２及び前記金属ワイヤー１４等を良好に覆った状態となる。

その後、高粘度前駆体液１６ａと低粘度前駆体液１５ａとを一括に処理して硬化する。このとき、例えば高粘度前駆体液１６ａ及び低粘度前駆体液１５ａが共に熱硬化性を有する場合には、加熱することで回路基板１１上に実装された半導体チップ１２を、前記低粘度樹脂１５によって封止することができる。
このような工程により、前記実装構造１０を製造することができる。

上述した半導体チップ１２の実装方法によれば、半導体チップ１２と高粘度前駆体液１６ａとの間に配設された低粘度前駆体液１５ａは、高粘度前駆体液１６ａによって機械的に堰き止められる。さらに、低粘度前駆体液１５ａは、高粘度前駆体液１６ａに引き付けられることにより回路基板１１上での拡がりが防止される。すなわち、高粘度前駆体液１６ａが低粘度前駆体液１５ａを堰きとめるダム構造として機能している。
このように、高粘度前駆体液１６ａにより低粘度前駆体液１５ａの拡がりを防止することで、低粘度樹脂１５によって半導体チップ１２を封止することができる。よって、回路基板１１上に半導体チップ１２を実装した際の封止樹脂による厚みを抑えて、小型な実装構造１０を提供できる。
本実施形態では、前記高粘度樹脂１６、及び前記低粘度樹脂１５をディスペンサにより、回路基板１１上のそれぞれ所定の位置に配設しているので、樹脂を配置する工程、及び該前駆体液の一括硬化処理で半導体チップ１２を良好に封止できる。
この実装方法によれば、粘度の低い低粘度樹脂１５を用いて半導体チップ１２を封止する際にも、樹脂の前駆体液が回路基板１１上での拡がりを防止するために、別部材を別途設ける必要が無いので、コストが低減された実装構造１０を提供することができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、半導体チップ１２の各辺のそれぞれに対応する回路基板１１上にのみ高粘度樹脂１６を設けていたが、前記半導体チップ１２の周辺を環状に覆うように、前記回路基板１１上に前記高粘度樹脂１６を配設するようにしてもよい。このように高粘度樹脂１６が前記半導体チップ１２の周辺を環状に覆った状態に配設すれば、高粘度樹脂１６によって囲まれる領域内にのみ、低粘度樹脂１５の拡がりを規制することができ、拡がりを抑えた低粘度樹脂１５によって半導体チップ１２を確実に封止できる。

半導体装置の実装構造を含む半導体装置を示す側断面図である。 半導体装置の平面図を示す図ある。 回路基板上に半導体チップを実装する方法を示す工程説明図である。

符号の説明

１０…実装構造、１１…回路基板、１２…半導体チップ（半導体装置）、１４…金属ワイヤー（配線）、１５…低粘度樹脂（第２の樹脂）、１５ａ…低粘度前駆体液（第２前駆体液）、１６…高粘度樹脂（第１の樹脂）、１６ａ…高粘度前駆体液（第１前駆体液）、２２…端子（第２導電部）、２５…端子（第１導電部）

Claims (7)

1. 回路基板上に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法において、
   前記回路基板上に前記半導体装置を設ける工程と、
   前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを配線により電気的に接続する工程と、
   前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に、第１の樹脂の前駆体であり所定の粘度の第１前駆体液を配設する工程と、
   該第１前駆体液を配設した後、前記半導体装置と前記第１前駆体液との間に、前記半導体装置及び前記配線を覆うようにして、第２の樹脂の前駆体であり、前記第１前駆体液より粘度が低い第２前駆体液を配設する工程と、
   前記第１前駆体液及び前記第２前駆体液を一括して硬化させることで、第１の樹脂及び第２の樹脂とする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
2. 前記配線接続は、ワイヤーボンディングにより行われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
3. 前記第１前駆体液及び前記第２前駆体液は、ディスペンサによってそれぞれ所定の位置に配設されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の実装方法。
4. 前記半導体装置が平面視した形状が角形である場合には、
   前記第１前駆体液を前記半導体装置の各辺のそれぞれに対応する回路基板上に設けることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
5. 前記第１前駆体液を、半導体装置の各辺の中心部に対応する回路基板上に配設することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の実装方法。
6. 前記第１前駆体液を、前記半導体装置の周辺を環状に覆うように、前記回路基板上に配設することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
7. 回路基板上に半導体装置が実装されてなる半導体装置の実装構造において、
   前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを電気的に接続する配線と、
   前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に設けられた第１の樹脂と、
   前記半導体装置及び前記配線を覆い、かつ前記半導体装置と前記第１の樹脂との間に設けられた第２の樹脂と、を備えてなり、
   前記第２の樹脂の硬化処理前の前駆体液の粘度は、前記第１の樹脂の硬化処理前の前駆体液の粘度よりも低くなっていて、
   前記第１の樹脂と前記第２の樹脂とは一括して硬化処理されてなることを特徴とする半導体装置の実装構造。
   
   

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