JP2008117830A - 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射光量を電気信号に変換する光電変換部22を有するもので半導体基板11に形成された複数の画素部21を備え、前記複数の画素部21が形成された領域(第1領域12)の前記半導体基板11は、少なくとも前記画素部21が形成された以外の領域(第2領域13)の前記半導体基板11より薄く形成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図20(1)に示すように、シリコン基板132上に絶縁層133を介してシリコン層134が形成されたSOI基板131の上記シリコン層134に光電変換部122を形成するとともに信号処理部(図示せず)を形成する。次いでシリコン層134上に配線層123を形成する。次に、図20(2)に示すように、上記配線層123上に酸化シリコン膜124を形成し、その表面を平坦化加工する。例えば、化学的機械研磨による鏡面加工を施す。そして、表面が平坦な酸化シリコン膜152が形成された支持基板151を用意する。この酸化シリコン膜152は、例えばTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)を成膜原料に用いた化学的気相成長法により形成する。次に、図20(3)に示すように、酸化シリコン膜124、152の平坦化された面同士を張り合わせる。次に、図20(4)に示すように、SOI基板131のシリコン基板132〔前記図20(1)参照〕を研磨して除去する。さらに、図21(5)に示すように、SOI基板131の絶縁層133〔前記図20(1)参照〕を除去する。その後、図21(6)に示すように、シリコン層134上に絶縁膜126を形成した後、カラーフィルター層127、集光レンズ128を形成する。
Claims (15)
- 入射光量を電気信号に変換する光電変換部を有するもので半導体基板に形成された複数の画素部を備え、
前記複数の画素部が形成された領域の前記半導体基板は、少なくとも前記画素部が形成された以外の領域の前記半導体基板より薄く形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板は前記固体撮像装置が複数形成されたもので、
前記固体撮像装置の複数の画素部が形成された領域の前記半導体基板は、前記固体撮像装置間を区分する領域の前記半導体基板より薄く形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素部が形成された領域の前記基板は、前記光電変換部から得た電気信号を処理する周辺回路部が形成された領域の前記基板より薄く形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 絶縁層上に半導体層を有する基板の該半導体層に入射光量を電気信号に変換する光電変換部が形成された複数の画素部を備え、
前記複数の画素部が形成された領域の前記基板は、少なくとも前記複数の画素が形成された以外の領域の前記基板より薄く形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体層は前記固体撮像装置が複数形成されたもので、
前記固体撮像装置の複数の画素部が形成された領域の前記基板は、前記固体撮像装置間を区分する領域の前記基板より薄く形成されている
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素部が形成された領域の前記基板は、前記光電変換部から得た電気信号を処理する周辺回路部が形成された領域の前記基板より薄く形成されている
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記基板は支持基板上に形成された前記絶縁層上にシリコン層からなる前記半導体層が形成されたSOI基板からなり、
前記複数の画素部が形成された領域の前記SOI基板は、少なくとも前記支持基板が除去されている
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素部が形成された領域の前記SOI基板は、前記支持基板および前記絶縁層が除去されている
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 半導体基板に入射光量を電気信号に変換する光電変換部とともに該光電変換部から出力された電気信号を処理する信号処理部を形成した後、該半導体基板上に配線層を形成して、複数の画素部を形成する工程と、
前記複数の画素部が形成された領域で、前記複数の画素部が形成された側とは反対側の前記半導体基板を、その他の領域の前記半導体基板より薄く形成する工程と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記配線層が形成されている側とは反対側で、前記半導体基板を薄くした領域にカラーフィルター層を形成する工程と、
前記カラーフィルター層上に前記各画素部に対応する集光レンズを形成する工程と
を備えたことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。 - 支持基板上に絶縁層を介して半導体層を有する基板の該半導体層に入射光量を電気信号に変換する光電変換部とともに該光電変換部から出力された電気信号を処理する信号処理部を形成した後、該半導体層上に配線層を形成して、複数の画素部を形成する工程と、
前記複数の画素部が形成された領域で、前記複数の画素部が形成された側とは反対側の前記基板を、その他の領域の前記基板より薄くする工程と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記配線層が形成されている側とは反対側で、前記基板を薄くした領域にカラーフィルター層を形成する工程と、
前記カラーフィルター層上に前記各画素部に対応する集光レンズを形成する工程と
を備えたことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板を薄く形成する工程で、前記絶縁層をエッチングストッパにして前記支持基板をエッチングする
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の製造方法。 - 入射光を集光する集光光学部と、
前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
光電変換された信号を処理する信号処理部とを備え、
前記固体撮像装置は、
入射光量を電気信号に変換する光電変換部を有するもので半導体基板に形成された複数の画素部を備え、
前記複数の画素部が形成された領域の前記半導体基板は、少なくとも前記画素部が形成された以外の領域の前記半導体基板より薄く形成されている
ことを特徴とする撮像装置。 - 入射光を集光する集光光学部と、
前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
光電変換された信号を処理する信号処理部とを備え、
前記固体撮像装置は、
絶縁層上に半導体層を有する基板の該半導体層に入射光量を電気信号に変換する光電変換部が形成された複数の画素部を備え、
前記複数の画素部が形成された領域の前記基板は、少なくとも前記複数の画素が形成された以外の領域の前記基板より薄く形成されている
ことを特徴とする撮像装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006297427A JP2008117830A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 |
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JP2006297427A JP2008117830A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 |
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JP2006297427A Pending JP2008117830A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040621A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 固体撮像デバイス及びその製造方法 |
KR101765913B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2017-08-07 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5251815A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Sony Corp | Solid pickup equipment |
JP2000156523A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-06-06 | Ntt Electornics Corp | 半導体装置 |
JP2006080457A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006229206A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 向上された感度を有するイメージセンサ及びその製造方法 |
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2006
- 2006-11-01 JP JP2006297427A patent/JP2008117830A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5251815A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Sony Corp | Solid pickup equipment |
JP2000156523A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-06-06 | Ntt Electornics Corp | 半導体装置 |
JP2006080457A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006229206A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 向上された感度を有するイメージセンサ及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040621A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 固体撮像デバイス及びその製造方法 |
KR101765913B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2017-08-07 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
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