JP2007240807A - マイクロレンズ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】第1凹部の開口面積を開口部の開口面積よりも容易に小さくすることができる。すなわち、第1マスク層の層上及び開口部の側面が第2マスク層で覆われると、第1凹部の開口面積は、開口部の側面を覆う第2マスク層自身の層厚によって、開口部よりも小さく形成されることになる。高価な露光装置を用いることなく平面部分の面積を小さくすることができる。これにより、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板を製造することができる。
【選択図】図5
【解決手段】第1凹部の開口面積を開口部の開口面積よりも容易に小さくすることができる。すなわち、第1マスク層の層上及び開口部の側面が第2マスク層で覆われると、第1凹部の開口面積は、開口部の側面を覆う第2マスク層自身の層厚によって、開口部よりも小さく形成されることになる。高価な露光装置を用いることなく平面部分の面積を小さくすることができる。これにより、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板を製造することができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、マイクロレンズ基板の製造方法に関するものである。
液晶装置や有機EL装置などの電気光学装置は、画素領域が設けられた基板によって電気光学材料を保持した構成になっている。これらの電気光学装置は、明るい表示、コントラストの高い表示が求められている。電気光学装置における光の利用効率を向上させることは、この要請に応える有効な方策の一つである。
光の利用効率を向上させる技術の一例として、基板にマイクロレンズを組み込んだマイクロレンズ基板を有する電気光学装置が知られている。マイクロレンズ基板は、基板の画素領域に平面視で重なるように曲面が形成されている基板である。この曲面が画素領域を透過する光を集光するレンズとして機能する。これにより、射出される光の利用効率の向上が実現される。
基板にレンズとなる曲面を形成する方法として、例えば特許文献1に記載の方法が知られている。この方法は、基板のうち曲面を形成する部分に例えばフォトリソグラフィ法によって穴をパターニングし、当該穴を介して基板を等方性エッチングするものである。基板に予め穴を形成してから、当該穴を等方性エッチングすることによって、基板の表面を直接等方性エッチングする場合と比べて、曲面の形状を良好にすることができる。なお、この穴を形成する方法については、穴を形成する領域に開口部を有するようにマスク層を形成し、開口部に露出した基板表面をエッチングして穴を形成する方法が記載されている。
一方、この方法で実際に穴を形成した場合、現状では、当該穴の底の形状を曲面にするのは困難であり、穴の底は平面になってしまう。また、この方法では、曲面を形成したときに、穴の底の平面形状が曲面の中心部分にそのまま残ってしまう。この平面形状の部分ではレンズの集光機能が無く、光の利用効率がその分低下してしまうことになる。
特に近年では、電気光学装置の画素ピッチが小さくなっている。このような電気光学装置では、画素に対して平面形状の部分が占める面積の割合が大きいと、レンズの集光機能が著しく低下してしまう。したがって、光の利用効率を向上させようとするには、この穴の開口面積をできるだけ小さくすることが必須となっている。
特許第3134822号公報
しかしながら、特許文献1の方法で穴を形成する場合、当該穴の開口面積を小さくするには、精密なパターニングが必要となる。このため、穴を製造する際に解像度の高い露光装置が必要になる。このような露光装置は極めて高価であり、マイクロレンズ基板の製造コストが高くなってしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明に係るマイクロレンズ基板の製造方法は、基板上に当該基板の表面を露出する開口部を有する第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、少なくとも前記第1マスク層、前記開口部に露出した前記基板の表面及び前記開口部の側面を覆うと共に前記開口部の開口領域内に第1凹部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、前記第2マスク層のうち少なくとも前記第1凹部の底部に形成された部分を、前記第1凹部に前記基板が露出するまで除去する第1の除去工程と、前記基板のうち前記第1凹部に露出した部分を等方性エッチングする等方性エッチング工程とを具備することを特徴とする。
本発明では、基基板上に当該基板の表面を露出する開口部を有する第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、少なくとも第1マスク層、開口部に露出した基板の表面及び開口部の側面を覆うと共に開口部の開口領域内に第1凹部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程とを有するので、第1凹部の開口面積を開口部の開口面積よりも容易に小さく形成することができる。すなわち、第1マスク層の層上及び開口部の側面が第2マスク層で覆われると、第1凹部の開口面積は、開口部の側面を覆う第2マスク層自身の層厚によって、開口部よりも小さく形成されることになる。
従来では、開口部に露出する基板の領域をそのまま等方性エッチングしていた。これに対して、本発明では、開口部よりも開口面積の小さい第1凹部を形成し、第2マスク層のうち第1凹部の底を形成する部分を除去することによって、開口部ではなく、開口部よりも開口面積が小さい第1凹部に露出する基板の領域が等方性エッチングされることになる。このため、等方性エッチングされる基板の領域を狭くすることができ、マイクロレンズとなる曲面に形成される平面部分の面積を小さくすることができる。
このように、本発明では、高価な露光装置を用いることなく平面部分の面積を小さくすることができる。これにより、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板を製造することができる。
また、前記第1の除去工程では、前記第2マスク層をエッチバック法によって除去することが好ましい。
本発明によれば、第1の除去工程では、第2マスク層をエッチバック法によって除去することとしたので、第2マスク層のうち少なくとも第1凹部の開口領域に形成された部分を容易に除去することができる。例えば、当該第1凹部の開口領域に形成された部分を局所的に除去する場合、当該開口領域以外の領域を別途マスクを形成して覆う必要がある。本発明では、第2マスク層の全面をエッチバック法によってエッチングするので、このようなマスクは必要が無い。なお、第2マスク層の全面をエッチバック法によってエッチングする場合、当該第1凹部の開口領域に形成された部分を除去した際には、開口部の側面を覆っている部分が残ることになる。このため、第1凹部の開口領域が広がることが無く、等方性エッチングされる領域を狭く保つことができる。
本発明によれば、第1の除去工程では、第2マスク層をエッチバック法によって除去することとしたので、第2マスク層のうち少なくとも第1凹部の開口領域に形成された部分を容易に除去することができる。例えば、当該第1凹部の開口領域に形成された部分を局所的に除去する場合、当該開口領域以外の領域を別途マスクを形成して覆う必要がある。本発明では、第2マスク層の全面をエッチバック法によってエッチングするので、このようなマスクは必要が無い。なお、第2マスク層の全面をエッチバック法によってエッチングする場合、当該第1凹部の開口領域に形成された部分を除去した際には、開口部の側面を覆っている部分が残ることになる。このため、第1凹部の開口領域が広がることが無く、等方性エッチングされる領域を狭く保つことができる。
また、前記第1の除去工程と前記等方性エッチング工程との間に、前記基板のうち前記第1凹部に露出した部分に第1穴部が形成されるように、当該第1凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第1穴部形成工程を更に具備することが好ましい。
本発明によれば、第1の除去工程と等方性エッチング工程との間に、基板のうち第1凹部に露出した部分に第1穴部が形成されるように、当該第1凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第1穴部形成工程を更に具備することとしたので、等方性エッチング工程では、基板の表面を直接等方性エッチングするのではなく、第1穴部を等方性エッチングすることになる。基板に形成する曲面はマイクロレンズとしての機能を有することから、径方向の中央で最も深さが深くなるように形成されることが好ましい。本発明では、第1穴部が形成された分、基板の深さ方向に等方性エッチングする手間を省くことができる上、曲面全体が径方向の中央で最も深くなるように形状を整えやすくすることができる。
本発明によれば、第1の除去工程と等方性エッチング工程との間に、基板のうち第1凹部に露出した部分に第1穴部が形成されるように、当該第1凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第1穴部形成工程を更に具備することとしたので、等方性エッチング工程では、基板の表面を直接等方性エッチングするのではなく、第1穴部を等方性エッチングすることになる。基板に形成する曲面はマイクロレンズとしての機能を有することから、径方向の中央で最も深さが深くなるように形成されることが好ましい。本発明では、第1穴部が形成された分、基板の深さ方向に等方性エッチングする手間を省くことができる上、曲面全体が径方向の中央で最も深くなるように形状を整えやすくすることができる。
また、前記第1穴部形成工程と前記等方性エッチング工程との間に、前記第2マスク層のうち少なくとも前記開口部の開口領域に形成された部分を、前記開口部に前記基板が露出するまで除去する第2の除去工程と、前記基板のうち前記開口部に露出した部分に前記第1穴部よりも深さの浅い第2穴部が形成されるように、当該開口部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第2穴部形成工程とを更に具備することが好ましい。
本発明によれば、第1穴部形成工程と等方性エッチング工程との間に、第2マスク層のうち少なくとも開口部の開口領域に形成された部分を、開口部に基板が露出するまで除去する第2の除去工程と、基板のうち開口部に露出した部分に第1穴部よりも深さの浅い第2穴部が形成されるように、当該開口部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第2穴部形成工程とを更に具備することとしたので、基板の表面には、第1穴部及び第2穴部が形成されることになる。すなわち、第1穴部の周りに第2穴部が形成されることになる。この状態で開口部の開口領域を異方性エッチングして、第1穴部の周りに当該第1穴部よりも深さの浅い第2穴部を形成すると、基板に第1穴部と第2穴部とが階段状に形成されることになる。したがって、等方性エッチング工程では、階段状に形成された第1穴部及び第2穴部を等方性エッチングすることになる。このように、基板の一部を曲面の形状に近い形状にしてから等方性エッチングするため、当該曲面の形状を一層整えやすくすることができる。
本発明によれば、第1穴部形成工程と等方性エッチング工程との間に、第2マスク層のうち少なくとも開口部の開口領域に形成された部分を、開口部に基板が露出するまで除去する第2の除去工程と、基板のうち開口部に露出した部分に第1穴部よりも深さの浅い第2穴部が形成されるように、当該開口部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第2穴部形成工程とを更に具備することとしたので、基板の表面には、第1穴部及び第2穴部が形成されることになる。すなわち、第1穴部の周りに第2穴部が形成されることになる。この状態で開口部の開口領域を異方性エッチングして、第1穴部の周りに当該第1穴部よりも深さの浅い第2穴部を形成すると、基板に第1穴部と第2穴部とが階段状に形成されることになる。したがって、等方性エッチング工程では、階段状に形成された第1穴部及び第2穴部を等方性エッチングすることになる。このように、基板の一部を曲面の形状に近い形状にしてから等方性エッチングするため、当該曲面の形状を一層整えやすくすることができる。
また、前記第2マスク層形成工程と前記第1の除去工程との間に、少なくとも前記第2マスク層、前記第1凹部の底部及び前記第1凹部の側部を覆うと共に前記第1凹部の領域内に第2凹部を有する第3マスク層を形成する第3マスク層形成工程と、前記第3マスク層のうち少なくとも前記第2凹部の底部に形成された部分及び前記第2マスク層のうち少なくとも第2凹部に平面的に重なる領域に形成された部分を、前記第2凹部に前記基板が露出するまで除去する第3の除去工程と、前記基板のうち前記第2凹部に露出した部分に前記第1穴部よりも深さの深い第3穴部が形成されるように、当該第2凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第3穴部形成工程と、前記第3マスク層のうち少なくとも前記第1凹部内に形成された部分を除去する第4の除去工程とを更に具備することが好ましい。
本発明によれば、第1穴部を形成する前に、当該第1穴部よりも深さの深い第3穴部を形成するので、基板に第3穴部、第1穴部、第2穴部が階段状に形成されることになる。したがって、穴部を更に3段階に形成した状態で等方性エッチングすることになる。これにより、穴部を2段階に形成した場合と比べて、基板の一部を曲面の形状により近い形状にしてから等方性エッチングするため、レンズ曲面の形状を更に整えやすくすることができる。
本発明によれば、第1穴部を形成する前に、当該第1穴部よりも深さの深い第3穴部を形成するので、基板に第3穴部、第1穴部、第2穴部が階段状に形成されることになる。したがって、穴部を更に3段階に形成した状態で等方性エッチングすることになる。これにより、穴部を2段階に形成した場合と比べて、基板の一部を曲面の形状により近い形状にしてから等方性エッチングするため、レンズ曲面の形状を更に整えやすくすることができる。
また、前記第3の除去工程では、前記第3マスク層をエッチバック法によって除去することが好ましい。
本発明によれば、第3の除去工程では、第3マスク層をエッチバック法によって除去することとしたので、上記同様、例えば別途マスクを形成することなく、第3マスク層のうち少なくとも第2凹部の開口領域に形成された部分を容易に除去することができる。また、第2凹部の開口領域が広がることが無く、等方性エッチングされる領域を狭く保つことができる。
本発明によれば、第3の除去工程では、第3マスク層をエッチバック法によって除去することとしたので、上記同様、例えば別途マスクを形成することなく、第3マスク層のうち少なくとも第2凹部の開口領域に形成された部分を容易に除去することができる。また、第2凹部の開口領域が広がることが無く、等方性エッチングされる領域を狭く保つことができる。
[第1実施形態]
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態を説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
(マイクロレンズ基板)
図1は、マイクロレンズ基板の構成を示す断面図である。
同図に示すように、マイクロレンズ基板1は、基板2と、樹脂層3と、カバーガラス4とを主体として構成されている。
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態を説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
(マイクロレンズ基板)
図1は、マイクロレンズ基板の構成を示す断面図である。
同図に示すように、マイクロレンズ基板1は、基板2と、樹脂層3と、カバーガラス4とを主体として構成されている。
基板2は、光を透過可能な材料からなる基板であり、本実施形態では、例えばガラスからなる。基板2の表面2aには、複数の曲面5が形成されている。曲面5は、基板2の表面2aに対して凹状に設けられており、マイクロレンズ基板1の基板2側からカバーガラス4側へ透過する光を集光することができるようになっている。すなわち、各曲面5はマイクロレンズとして機能するようになっている。
樹脂層3は、基板2の表面2a側に設けられた樹脂の層であり、光を透過可能な樹脂、例えばアクリルなどからなる。この樹脂層3は、基板の表面2aを覆うと共に、曲面5の凹状の内部を充填するように設けられている。樹脂層3の上面3aは平坦になっている。カバーガラス4は、樹脂層3の上面3aに貼り付けられたガラス部材である。
(液晶装置)
このマイクロレンズ基板1は、例えば図2に示すように、液晶装置100などの電気光学装置の基板として用いられる。図2は、液晶装置100の断面構成を示す図である。
同図に示すように、液晶装置100は、TFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置であり、TFT基板10と、対向基板20と、液晶層30と、シール材31とを主体として構成されている。TFT基板10と対向基板20とが液晶層30を挟持し、シール材31が当該基板間に液晶層30を封入した構成になっている。
このマイクロレンズ基板1は、例えば図2に示すように、液晶装置100などの電気光学装置の基板として用いられる。図2は、液晶装置100の断面構成を示す図である。
同図に示すように、液晶装置100は、TFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置であり、TFT基板10と、対向基板20と、液晶層30と、シール材31とを主体として構成されている。TFT基板10と対向基板20とが液晶層30を挟持し、シール材31が当該基板間に液晶層30を封入した構成になっている。
TFT基板10は、透明な材料からなる板状部材10aを主体として構成されており、板状部材10aの内面(液晶層30側)には、画素電極11と、スイッチング素子を構成するTFT12と、当該画素電極11及びTFT12を覆うように形成された配向膜13とが設けられている。
対向基板20は、板状部材として上述したマイクロレンズ基板1が用いられており、当該マイクロレンズ基板1のカバーガラス4側がTFT基板10と対向するように配置されている。マイクロレンズ基板1の内面(カバーガラス4上)には、遮光層22と、共通電極21と、配向膜23とが設けられている。マイクロレンズを構成する曲面5は、液晶装置100の画素領域9に平面視で重なる領域にそれぞれ配置されている。
例えば対向基板20側から液晶装置100に入射する光Lは、基板2の曲面5において画素領域9の中央へ集光され、樹脂層3、カバーガラス4を透過して、液晶層30に入射する。この光は、液晶層30を透過してTFT基板10に入射し、当該TFT基板10から射出される。このように、曲面5がレンズとして光を集光することで、光の利用効率を向上することができるようになっている。
(マイクロレンズ基板の製造方法)
次に、このように構成されたマイクロレンズ基板1の製造方法について、図3〜図9をもとにして説明する。
まず、図3に示すように、ガラスからなる基板2上に、ポリシリコンからなる第1マスク層40を形成する(第1マスク層形成工程)。このとき、曲面5を形成する領域には、基板2の表面2aが露出するように開口部41を形成する。開口部41を形成する場合、平面視でほぼ円形をなすように形成すると共に、開口部41の径R1が約1μmになるように形成する。
次に、このように構成されたマイクロレンズ基板1の製造方法について、図3〜図9をもとにして説明する。
まず、図3に示すように、ガラスからなる基板2上に、ポリシリコンからなる第1マスク層40を形成する(第1マスク層形成工程)。このとき、曲面5を形成する領域には、基板2の表面2aが露出するように開口部41を形成する。開口部41を形成する場合、平面視でほぼ円形をなすように形成すると共に、開口部41の径R1が約1μmになるように形成する。
次に、図4に示すように、開口部41を塞ぐように窒化物からなる第2マスク層50を形成する(第2マスク層形成工程)。第2マスク層50は、第1マスク層40の上面40a、開口部41の側面41a及び開口部41に露出した基板2の表面2aを覆うように形成されると共に、第1マスク層40の開口部41内に平面視でほぼ円形の第1凹部51が形成されるようにする。
例えば、開口部41が設けられた第1マスク層40にスパッタリング法などによって全面に第2マスク層50を形成する。そうすると、図4に示すように、第1マスク層40の上面40a、側面41a及び開口部41に露出した基板2の表面2aにほぼ均一に第2マスク層50が形成されることになる。
ここで、第1凹部51の径R2は、開口部41の側面41aを覆う第2マスク層50自身の層厚によって、開口部41の径R1よりも小さくなるように形成される。すなわち、第1凹部51の開口面積が、開口部41の開口面積よりも小さくなるように形成される。第1凹部51の径R2は、第2マスク層50の層厚t2を調節することによって、所望の径となるよう調節することができる。
例えば、層厚t2を厚く形成する場合、開口部41の側面41aを覆う第2マスク層50も厚くなるため、その分第1凹部51の径R2は小さくなる。逆に、層厚t2を薄く形成する場合、開口部41の側面41aを覆う第2マスク層50も薄くなるため、その分第1凹部51の径R2は大きくなる。
本実施形態では、第1凹部51の径R2を約0.2μm〜0.5μmとすることが好ましい。第1凹部51の径R2を上記値に調節する場合、第2マスク層50の層厚t2を約0.9μm〜1.2μm程度に調節することが好ましい。このように、第2マスク層50の層厚t2を調節することによって、第1凹部51の径R2を所望の値に調節する。
次に、第2マスク層50の全面を、エッチバック法によってエッチングする(第1の除去工程)。この工程により、図5に示すように、第2マスク層50のうち第1凹部51の開口領域に形成された部分(開口領域部分)52が除去されると共に、第1マスク層40の上面40aに積層された部分が除去される。その一方で、第2マスク層50のうち開口部41の側面41aを覆う部分は、例えば第1マスク層40と同じ高さに残存する。開口領域部分52が除去されることによって、第1凹部51に表面2aが露出する(露出部分2b)。なお、この工程では、別途エッチングマスクを用いて開口領域部分52のみを除去しても構わない。また、例えばこの段階で開口部51(露出部分2b)を初期穴として等方性エッチングを行い、レンズ形成を行っても良い。
次に、当該露出部分2bを、基板2の深さ方向にドライエッチング(異方性エッチング)する(第1穴部形成工程)。この工程では、図6に示すように、露出部分2bが削られて第1穴部60が形成される。第1穴部60の底面は、異方性エッチングによって平坦に形成される。
次に、第1穴部60を等方性エッチングする(等方性エッチング工程)。この工程により、図7に示すように、曲面5がほぼ球面に形成される。また、曲面5を形成した後、第1マスク層40及び第2マスク層50を完全に除去する。曲面5の底部には、第1穴部60の底面の平坦形状が平面部分5aとして残存することになる。その後、図8に示すように基板2上に樹脂層3を形成し、さらに図9に示すように当該樹脂層3上にカバーガラス4を貼り付けると、マイクロレンズ基板1が完成する。
なお、第1マスク層40をエッチングする場合は、第1マスク層40を溶解し、第2マスク層50及び基板2を溶解しないもしくは選択比が稼げるエッチャント、例えばフッ酸過水を用いる。第2マスク層50をエッチングする場合は、第2マスク層50を溶解し、第1マスク層40及び基板2を溶解しないエッチャントもしくは選択比が稼げる、例えば熱燐酸を用いる。また、基板2をエッチングする場合は、基板2を溶解し、第1マスク層40及び第2マスク層50を溶解しないもしくは選択比が稼げるエッチャント、例えばフッ酸を用いる。また、前述のエッチャントに対応するようなガス等を使用しドライエッチによる除去、エッチングを行ってもよい。
本実施形態によれば、第1凹部51の開口面積を開口部41の開口面積よりも容易に小さくすることができる。すなわち、第1マスク層40の層上及び開口部41の側面が第2マスク層50で覆われると、第1凹部51の開口面積は、開口部41の側面を覆う第2マスク層50自身の層厚によって、開口部41よりも小さく形成されることになる。
従来では基板のうち開口部によって露出された領域を等方性エッチングしていたのに対して、本実施形態では基板2のうち開口部41よりも開口面積の小さい第1凹部51に露出した領域を等方性エッチングすることになる。このため、等方性エッチングする基板2の露出領域を狭くすることができるので、曲面5を形成した後に残存する平面部分5aの面積を従来に対して小さくことができる。
このように、本実施形態では、高価な露光装置を用いることなく平面部分5aの面積を小さくすることができる。これにより、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板を製造することができる。
このように、本実施形態では、高価な露光装置を用いることなく平面部分5aの面積を小さくすることができる。これにより、安価な製造コストで光の利用効率を向上させることができるマイクロレンズ基板を製造することができる。
また、第1の除去工程では、第2マスク層50をエッチバック法によって除去することとしたので、第2マスク層50のうち少なくとも開口部分52を容易に除去することができる。例えば、開口部分52を局所的に除去する場合、開口領域以外の領域を別途マスクで覆ってエッチングする必要がある。本発明では、第2マスク層50の全面をエッチバック法によってエッチングするので、このようなマスクは必要が無い。なお、第2マスク層50の全面をエッチバック法によってエッチングする場合、開口部分52を除去した際には、開口部41の側面41aを覆う部分が残ることになる。このため、第1凹部51の開口領域が広がることはなく、等方性エッチングされる領域を狭く保持することができる。
また、本実施形態によれば、基板2に等方性エッチングを行う前に、基板2に第1穴部60を形成することとしたので、等方性エッチング工程では、基板2の表面2aを直接等方性エッチングするのではなく、第1穴部60を等方性エッチングすることになる。基板2に形成する曲面5はマイクロレンズとして機能を有することから、径方向の中央で最も深さが深くなるように形成されることが好ましい。本実施形態では、第1穴部60が形成された分、基板2の深さ方向に等方性エッチングする手間を省くことができる上、曲面5全体が径方向の中央で最も深くなるように形状を整えやすくすることができる。
[第2実施形態]
次に、図10〜図15を参照して本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態では、マイクロレンズ基板の製造方法の一部が第1実施形態とは異なっているので、この点を中心に説明する。
次に、図10〜図15を参照して本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態では、マイクロレンズ基板の製造方法の一部が第1実施形態とは異なっているので、この点を中心に説明する。
まず、第1実施形態と同様、図10に示すように、開口部141を有するように基板102上にポリシリコンからなる第1マスク層140を形成する(第1マスク層形成工程)。また、第1マスク層140の上面140a、開口部141の側面141a及び開口部141に露出した基板102の表面102aを覆うように窒化層である第2マスク層150を形成すると共に、開口部141の開口領域内に第1凹部151が形成されるようにする(第2マスク層形成工程)。なお、第2マスク層150を形成したとき、当該第2マスク層150のうち開口部141の側面141aを覆う部分の層厚によって、開口部141よりも径の小さい第1凹部151が開口部141の開口領域内に形成される。また、第1実施形態と同様、開口部141及び第1凹部151は平面視で円形を成している。
次に、第2マスク層150の全面を、エッチバック法によってエッチングする(第1の除去工程)。この工程では、図11に示すように、第2マスク層150のうち開口領域部分152(図10参照)が除去されると共に、第1マスク層140の上面140aに積層された部分が除去される。また、第2マスク層150のうち開口部141の側面141aを覆う部分は、例えば第1マスク層140と同じ高さに残存する。開口領域部分152が除去されることによって、第1凹部151に表面102aが露出する(露出部分102b)。
次に、当該露出部分102bを、基板102の深さ方向に異方性エッチングする(第1穴部形成工程)。この工程では、図12に示すように、露出部分102bが削られて第1穴部160が形成される。第1穴部160の底面は、異方性エッチングによって平坦に形成される。
次に、開口部141の開口領域に残存する第2マスク層150を異方性エッチングによって除去する(第2の除去工程)。この工程では、図13に示すように、開口部141に基板102の表面102aが露出する(露出部分102c)。
次に、開口部141に露出する部分、すなわち、第1穴部160及び露出部分102cを異方性エッチングする(第2穴部形成工程)。この工程では、図14に示すように、第1穴部160が更に深く掘り下げられると共に、露出部分102cが削られて第2穴部170が形成される。第2穴部170は、第1穴部160よりも深さが浅くなるように形成され、第1穴部160と第2穴部170とが階段状になるように形成される。
次に、開口部141に露出する部分、すなわち、第1穴部160及び露出部分102cを異方性エッチングする(第2穴部形成工程)。この工程では、図14に示すように、第1穴部160が更に深く掘り下げられると共に、露出部分102cが削られて第2穴部170が形成される。第2穴部170は、第1穴部160よりも深さが浅くなるように形成され、第1穴部160と第2穴部170とが階段状になるように形成される。
次に、階段状に形成された第1穴部160及び第2穴部170を等方性エッチングする。この工程により、図15に示すように、曲面105が非球面に形成される。曲面105の底部には、第1穴部160の底部の形状が平面部分105aとして残存する。曲面105を形成した後は、第1マスク層140を完全に除去し、基板102上に樹脂層を形成し、当該樹脂層上にカバーガラスを貼り付けると、マイクロレンズ基板が完成する。
なお、上記工程でエッチング(異方性エッチング、等方性エッチング)をする際のエッチャントについては、第1マスク層140、第2マスク層150及び基板102について、それぞれ第1実施形態で用いたエッチャントと同一のエッチャントを用いている。
なお、上記工程でエッチング(異方性エッチング、等方性エッチング)をする際のエッチャントについては、第1マスク層140、第2マスク層150及び基板102について、それぞれ第1実施形態で用いたエッチャントと同一のエッチャントを用いている。
本実施形態によれば、基板102に第1穴部160と第2穴部170とが階段状に形成された状態で当該第1穴部160及び第2穴部170に等方性エッチングすることになる。形成する曲面105の形状に沿うように階段状に第1穴部160及び第2穴部170を形成することによって、曲面105の形状を一層整えやすくすることができる。
[第3実施形態]
次に、図16〜図25を参照して本発明の第3実施形態を説明する。本実施形態では、マイクロレンズ基板の製造方法の一部が第1実施形態とは異なっているので、この点を中心に説明する。
次に、図16〜図25を参照して本発明の第3実施形態を説明する。本実施形態では、マイクロレンズ基板の製造方法の一部が第1実施形態とは異なっているので、この点を中心に説明する。
まず、第1実施形態と同様、図16に示すように、開口部241を有するように例えばポリシリコンからなる第1マスク層240を基板202上に形成し(第1マスク層形成工程)、第1マスク層240の上面240a、開口部241の側面241a及び開口部241に露出する基板202の表面202a上を覆うように窒化物からなる第2マスク層250を形成する(第2マスク層形成工程)。第2マスク層250を形成したとき、当該第2マスク層250のうち開口部241の側面241aを覆う部分の層厚によって、開口部241よりも径の小さい第1凹部251が開口部241の開口領域内に形成される。
次に、同じく図16に示すように、第2マスク層250の上面250a、第1凹部251の側面251a及び第1凹部251の底面251bを覆うように、第1マスク層240と同一の材質であるポリシリコンからなる第3マスク層280を形成する(第3マスク層形成工程)。第3マスク層280を形成したとき、当該第3マスク層280のうち第1凹部251の側面251aを覆う部分の層厚によって、第1凹部251よりも径の小さい第2凹部281が第1凹部251内に形成される。なお、第1実施形態と同様、開口部241、第1凹部251及び第2凹部281は平面視でほぼ円形になっている。
次に、第3マスク層280の全面を、エッチバック法によってエッチングする(第3の除去工程)。この工程では、第3マスク層280のうち第2凹部281の開口領域に形成された開口領域部分282(図16参照)が除去されて、図17に示すように、第1凹部251の底面251bが露出する。また、第3マスク層280のうち第2マスク層250の上面250aを覆う部分が一部除去される。
次に、第2凹部281に露出した第1凹部251の底面251bを異方性エッチングする(第3の除去工程)。この工程では、第2凹部281に露出した第1凹部251の底面251b、すなわち、第2マスク層250のうち第2凹部281の開口領域に形成された開口領域部分252(図17参照)が除去されて、図18に示すように、第2凹部281に基板202の表面202aが露出する(露出部分202b)。
次に、露出部分202bを、基板202の深さ方向に異方性エッチングする(第3穴部形成工程)。この工程では、図19に示すように、露出部分202bが削られて、第3穴部290が形成される。第3穴部290の底面は、異方性エッチングによって平坦に形成される。
次に、第3マスク層280全面をエッチバック法によってエッチングする(第4の除去工程)。この工程では、図20に示すように、第3マスク層280が除去され、第2マスク層250が露出する。
次に、第2マスク層250のうち第1凹部251の開口領域に形成された部分253を異方性エッチングして除去する。この工程では、図21に示すように、基板202の表面202aのうち第3穴部290の周囲が露出する(露出部分202c)。
次に、第2マスク層250のうち第1凹部251の開口領域に形成された部分253を異方性エッチングして除去する。この工程では、図21に示すように、基板202の表面202aのうち第3穴部290の周囲が露出する(露出部分202c)。
次に、第1凹部251に露出する部分、すなわち、第3穴部290及び露出部分202cを異方性エッチングする。この工程では、図22に示すように、第3穴部290が更に深く掘り下げられると共に、露出部分202cが削られて、第3穴部よりも深さが浅い第1穴部260が形成される。第3穴部290と第1穴部260とは、階段状に形成される。
次に、第2マスク層250全面をエッチバック法によってエッチングする。この工程では、図23に示すように、第2マスク層250が除去され、第1マスク層240が露出する。また、基板202の表面202aのうち開口部241の開口領域内の部分が新たに露出する(露出部分202d)。
次に、開口部241に露出する部分、すなわち、第3穴部290、第1穴部260及び露出部分202dを異方性エッチングする。この工程では、図24に示すように、第3穴部290及び第1穴部260が更に深く掘り下げられると共に、露出部分202dが削られて、第2穴部270が形成される。第2穴部270は、第1穴部260よりも深さが浅くなるように形成され、第3穴部290、第1穴部260及び第2穴部270が階段状に形成される。
次に、階段状に形成された第3穴部290、第1穴部260及び第2穴部270を等方性エッチングする。この工程により、図25に示すように、曲面205が非球面に形成される。曲面205の底部には、第3穴部290の底部の平坦形状が平面部分205aとして残存する。曲面205を形成した後は、第1マスク層240を完全に除去し、基板202上に樹脂層を形成し、当該樹脂層上にカバーガラスを貼り付けると、マイクロレンズ基板が完成する。
なお、本実施形態では、第1マスク層240と第3マスク層280との材料が同一(ポリシリコン)であるため、上記工程でエッチングする際には同一のエッチャントを用いる。また、第1マスク層240及び第3マスク層280をエッチングする場合は、当該第1マスク層240及び第3マスク層280を溶解し、第2マスク層250及び基板202を溶解しないもしくは選択比が稼げる(つまり、第1及び第3マスク層の方が第2マスク層及び基板よりもエッチングレートが高くなるような)エッチャント、例えばフッ酸過水を用いる。第2マスク層250をエッチングする場合は、当該第2マスク層250を溶解し、第1マスク層240、第3マスク層280及び基板202を溶解しないエッチャント、例えばもしくは選択比が稼げる熱燐酸を用いる。基板202をエッチングする場合は、当該基板202を溶解し、第1マスク層240、第2マスク層250及び第3マスク層280を溶解しないもしくは選択比が稼げる(つまり、基板の方が第1乃至第3マスク層よりもエッチングレートが高くなるような)エッチャント、例えばフッ酸を用いる。また、前述のエッチャントに対応するようなガス等を使用しドライエッチによる除去、エッチングを行ってもよい。
本実施形態によれば、第1穴部260を形成する前に、当該第1穴部260よりも深さの深い第3穴部290を形成するので、基板202に第3穴部290、第1穴部260、第2穴部270が階段状に形成されることになる。したがって、3段階に穴部を形成した状態で等方性エッチングすることになる。これにより、穴部を2段階に形成した場合と比べて、曲面205をより非球面に形成することができるので、レンズの性能を更に向上させることができる。
本実施形態によれば、第1穴部260を形成する前に、当該第1穴部260よりも深さの深い第3穴部290を形成するので、基板202に第3穴部290、第1穴部260、第2穴部270が階段状に形成されることになる。したがって、3段階に穴部を形成した状態で等方性エッチングすることになる。これにより、穴部を2段階に形成した場合と比べて、曲面205をより非球面に形成することができるので、レンズの性能を更に向上させることができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、第1実施形態においては、第1マスク層40と第2マスク層50とが異なる材料(第1マスク層40がポリシリコン、第2マスク層50が窒化物)で形成されていると説明したが、同じ材料(例えば第1マスク層40、第2マスク層ともポリシリコン)によって形成しても構わない。また、第3実施形態の第1マスク層240と第3マスク層280とを異なる材料で形成しても構わない。
例えば、第1実施形態においては、第1マスク層40と第2マスク層50とが異なる材料(第1マスク層40がポリシリコン、第2マスク層50が窒化物)で形成されていると説明したが、同じ材料(例えば第1マスク層40、第2マスク層ともポリシリコン)によって形成しても構わない。また、第3実施形態の第1マスク層240と第3マスク層280とを異なる材料で形成しても構わない。
また、第2実施形態及び第3実施形態では、階段状に穴部が設けられた状態で等方性エッチングを行うように説明したが、このように等方性エッチングを行うと、曲面105及び205に継ぎ目が形成されることがある。このような継ぎ目が形成されるとレンズとしての集光機能が低下することになるため、上記各工程とは別に、曲面105及び曲面205の継ぎ目を滑らかにする工程を別途設けても良い。
また、上記実施形態においては、基板の材質をガラスとして説明したが、これに限られることは無く、例えば石英などの透明な材料を用いても勿論構わない。
また、上記実施形態においては、基板を等方性エッチングする際に穴部を形成するとして説明した。例えば第1実施形態では1段(第1穴部のみが形成された状態)であり、第2実施形態では2段(第1穴部及び第2穴部が形成された状態)であり、第3実施形態では3段(第1穴部、第2穴部及び第3穴部が形成された状態)である。これに加えて、穴部の段数を4段以上に形成した状態で等方性エッチングするようにしても、勿論構わない。穴部の段数を増加させることによって、より曲面を非球面形成することができ、レンズの集光機能を向上させることができる。
1…マイクロレンズ基板 2…基板 2a…表面 5…曲面 5a…平面部分 20…対向基板 40…第1マスク層 41…開口部 41a…側面 51…第1凹部 52…開口領域部分 60…第1穴部 170…第2穴部 281…第2凹部 290…第3穴部
Claims (6)
- 基板上に当該基板の表面を露出する開口部を有する第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、
少なくとも前記第1マスク層、前記開口部に露出した前記基板の表面及び前記開口部の側面を覆うと共に前記開口部の開口領域内に第1凹部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、
前記第2マスク層のうち少なくとも前記第1凹部の底部に形成された部分を、前記第1凹部に前記基板が露出するまで除去する第1の除去工程と、
前記基板のうち前記第1凹部に露出した部分を等方性エッチングする等方性エッチング工程と
を具備することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。 - 前記第1の除去工程では、前記第2マスク層をエッチバック法によって除去する
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。 - 前記第1の除去工程と前記等方性エッチング工程との間に、
前記基板のうち前記第1凹部に露出した部分に第1穴部が形成されるように、当該第1凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第1穴部形成工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。 - 前記第1穴部形成工程と前記等方性エッチング工程との間に、
前記第2マスク層のうち少なくとも前記開口部の開口領域に形成された部分を、前記開口部に前記基板が露出するまで除去する第2の除去工程と、
前記基板のうち前記開口部に露出した部分に前記第1穴部よりも深さの浅い第2穴部が形成されるように、当該開口部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第2穴部形成工程と
を更に具備することを特徴とする請求項3に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。 - 前記第2マスク層形成工程と前記第1の除去工程との間に、
少なくとも前記第2マスク層、前記第1凹部の底部及び前記第1凹部の側部を覆うと共に前記第1凹部の領域内に第2凹部を有する第3マスク層を形成する第3マスク層形成工程と、
前記第3マスク層のうち少なくとも前記第2凹部の底部に形成された部分及び前記第2マスク層のうち少なくとも第2凹部に平面的に重なる領域に形成された部分を、前記第2凹部に前記基板が露出するまで除去する第3の除去工程と、
前記基板のうち前記第2凹部に露出した部分に前記第1穴部よりも深さの深い第3穴部が形成されるように、当該第2凹部に露出した部分を深さ方向に異方性エッチングする第3穴部形成工程と、
前記第3マスク層のうち少なくとも前記第1凹部内に形成された部分を除去する第4の除去工程と
を更に具備することを特徴とする請求項4に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。 - 前記第3の除去工程では、前記第3マスク層をエッチバック法によって除去する
ことを特徴とする請求項5に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006062148A JP2007240807A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | マイクロレンズ基板の製造方法 |
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JP (1) | JP2007240807A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009116600A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2006062148A patent/JP2007240807A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009116600A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
JP2009229749A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sharp Corp | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
US20110096213A1 (en) * | 2008-03-21 | 2011-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wafer-shaped optical apparatus and manufacturing method thereof, electronic element wafer module, sensor wafer module, electronic element module,sensor module, and electronic information device |
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