WO2005060004A1 - 固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ - Google Patents

固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ Download PDF

Info

Publication number
WO2005060004A1
WO2005060004A1 PCT/JP2004/018927 JP2004018927W WO2005060004A1 WO 2005060004 A1 WO2005060004 A1 WO 2005060004A1 JP 2004018927 W JP2004018927 W JP 2004018927W WO 2005060004 A1 WO2005060004 A1 WO 2005060004A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
light
light receiving
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/018927
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takahiko Murata
Shigetaka Kasuga
Takumi Yamaguti
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. filed Critical Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
Priority to US10/583,095 priority Critical patent/US7859586B2/en
Priority to JP2005516367A priority patent/JP4839084B2/ja
Priority to EP04807285A priority patent/EP1699081A4/en
Publication of WO2005060004A1 publication Critical patent/WO2005060004A1/ja
Priority to US12/947,423 priority patent/US8319871B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632Wafer-level processed structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687Wafer level processing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Definitions

  • the present invention relates to a solid-state imaging device, and particularly to a technique for reducing the size of an imaging device and improving productivity.
  • Some of these imaging devices include a solid-state imaging device.
  • Patent Document 1 JP-A-7-086544
  • Patent Document 2 JP-A-10-313070
  • FIG. 1 (b) is a diagram showing a cross section taken along the line AA ′ in FIG. 1 (a).
  • each wiring pattern 122 is collected on the right side of the glass substrate 120, and the other end is connected to the corresponding electrode pad 121.
  • a sealing material 140 made of resin is provided on the glass substrate 120 around the CCD chip 110, for example, to provide moisture resistance.
  • FIG. 2A is a plan view schematically showing a conventional solid-state imaging device 200 described in Patent Document 2.
  • FIG. 2A is a plan view schematically showing a conventional solid-state imaging device 200 described in Patent Document 2.
  • FIG. 2 (b) is a diagram showing a cross section taken along line AA 'in FIG. 2 (a).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-086544
  • the area of the glass substrate 120 is clearly larger than the area of the CCD chip 110.
  • the areas of the base 210 and the seal glass 270 are clearly larger than the area of the CCD chip 230.
  • the outer shape of the entire solid-state imaging device 200 of Patent Document 1 depends on the outer shapes of the base portion 210 and the sealing glass 270, it is considerably larger than the outer shape of the CCD chip 230.
  • the present invention provides a light-receiving chip such as a CCD chip for the area of a light-transmitting protective plate such as a glass substrate.
  • a light-receiving chip such as a CCD chip for the area of a light-transmitting protective plate such as a glass substrate.
  • the area of the glass substrate 120 is clearly larger than the area of the CCD chip 110, so that the CCD chip 110 and the glass substrate 120 are bonded to each other by a wafer. This is done after manufacturing and cutting into chips.
  • the distance from 230 is determined by the thickness of the potting resin layer 260, the distance is likely to vary, making production difficult.
  • a solid-state imaging device includes a light-receiving chip in which a plurality of light-receiving cells are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on one main surface of a base substrate.
  • a light-transmitting protection plate wherein the light-transmitting protection plate is provided on the main surface so as to cover the plurality of light-receiving cells, and an area of the light-transmitting protection plate is equal to the light-receiving chip.
  • a gap is provided between the light receiving cell and the translucent protective plate.
  • a camera according to the present invention includes the solid-state imaging device according to the present invention.
  • a light receiving chip is a light receiving chip in which a plurality of light receiving cells are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on a first main surface of a base substrate. A plurality of input / output lines wired on the first main surface; a plurality of external connection electrodes formed on a second main surface of the base substrate; and one of the input / output lines. And a plurality of conductive means electrically connected to one of the external connection electrodes and insulated from each other.
  • the conductive means may be a through hole formed in a base substrate.
  • the through holes can be generated for each wafer, it is advantageous in manufacturing.
  • the plurality of external connection electrodes may be respectively formed on corresponding through holes of the second main surface. .
  • the external connection electrode is provided on the second main surface different from the first main surface which is the light receiving surface of the light receiving chip, the area of the light-transmitting protective plate is reduced by the area of the light receiving chip. Equivalent to or below.
  • the light receiving area is hermetically sealed, so that the light receiving area can be protected from dust. It is possible to prevent corrosion of the light receiving region.
  • the main surface includes a light receiving area where the plurality of light receiving cells are located and an outer peripheral area surrounding the light receiving area, and the light-transmitting protective plate has a skirt on the outer circumference.
  • the skirt portion is located in the outer peripheral region to hermetically seal the light receiving cell, and a space is formed between the light receiving cell and the light-transmitting protective plate. You can also.
  • the distance between the light-transmitting protective plate and the light-transmitting protective plate in the light-receiving region depends on the accuracy of the shape of the light-transmitting protective plate.
  • the translucent protective plate may be characterized in that a skirt portion is formed by pressing a flat resin.
  • the force S can be produced so that the distance between the light-receiving region and the light-transmitting protective plate is approximately several ⁇ .
  • the force S can be produced so that the distance between the light-receiving region and the light-transmitting protective plate is approximately several ⁇ m.
  • the rib portion can be formed in the diffusion step before cutting into chips. This eliminates the need for a separate process, and is excellent in productivity.
  • the solid-state imaging devices are individually cut after a light-transmitting protective plate is erected on each of a plurality of light-receiving chips in a semiconductor wafer state in a production process. It can also be characterized.
  • the light-transmitting protective plate is attached while the wafer is still in the same state, and then cut into chips. Excellent productivity.
  • the cost of the solid-state imaging device can be reduced, which can contribute to the cost reduction of the camera.
  • the solid-state imaging device may be characterized in that a light-receiving chip and a light-transmitting protective plate are cut at the same time in a production process.
  • the number of steps for cutting the light-receiving chip and the light-transmitting protective plate is one, so that the number of steps is reduced and the cut surfaces of the light-receiving chip and the light-transmitting protective plate can be easily aligned.
  • the main surface has a light receiving region in a central portion, a plurality of electrodes on an outer periphery of the light receiving region, and the translucent protection plate is provided on the main surface that is not on the light receiving chip side.
  • a conductive member is formed on the other main surface different from the plurality of electrodes, and a plurality of terminals electrically connected to one of the electrodes and one of the terminal pads, and insulated from each other.
  • the vertical and horizontal dimensions of the entire solid-state imaging device can be suppressed to substantially the vertical and horizontal dimensions of the solid-state imaging device, and the thickness is approximately the thickness of the solid-state imaging device plus the thickness of the translucent protective plate. Therefore, the size can be significantly reduced as compared with the conventional solid-state imaging device.
  • the light-transmitting protective plate has a plurality of holes penetrating between both main surfaces formed in an area where light does not enter the light-receiving area, and the conductive member Is characterized in that a part thereof is arranged so as to pass through the corresponding hole.
  • each of the holes may be filled with a conductive material, and the conductive material may form a part of the conductive member.
  • holes can be created instead of the conventional bonding pads, so that the design can be performed without considering the conventional design rules that depended on the accuracy of the wiping machine or the like. .
  • holes can be formed in sheet units, which is advantageous in manufacturing.
  • a conductive film may be formed on the side surface instead of the conventional bonding pad, so that the entire area of the bonding pad is not required, and the accuracy depends on the accuracy of a wiping machine or the like. Therefore, the design can be performed without considering the conventional design rules.Therefore, the area of the light receiving chip can be expected to be reduced because the area of the bonding pad becomes unnecessary and the degree of freedom of the layout is increased. Can contribute to miniaturization and weight reduction of
  • the camera according to the present invention includes a printed wiring board having an array of lands that match the array of the terminals of the solid-state imaging device, and each of the terminals is directly connected to the corresponding one of the lands.
  • the solid-state imaging device is mounted on the printed wiring board by flip-chip mounting.
  • the thickness of the solid-state imaging device can be made substantially equal to the thickness of the solid-state imaging device and the thickness of the light-transmitting protective plate adjusted.
  • the main surface includes a light receiving area in which the plurality of light receiving cells are located and an outer peripheral area surrounding the light receiving area.
  • a light-transmitting protective plate having a skirt portion is prepared. Can be characterized by forming a space between
  • the distance between the light-transmitting protective plate and the light-transmitting protective plate in the light-receiving region depends on the accuracy of the shape of the light-transmitting protective plate.
  • the protective plate preparing step is characterized in that a metal skirt portion is formed on a peripheral portion of a flat glass or resin by a plating method.
  • the protective plate preparing step may be characterized in that the skirt portion is formed by pressing a flat resin.
  • the force S can be produced so that the distance between the light-receiving region and the light-transmitting protective plate is approximately several ⁇ .
  • the main surface includes a light-receiving region in which the plurality of light-receiving cells are located and an outer peripheral region surrounding the light-receiving region.
  • the light-receiving cell may be hermetically sealed to form a space between the light-receiving cell and the light-transmitting protective plate.
  • the distance between the light-receiving region and the light-transmitting protective plate depends on the accuracy of the shape of the light-receiving chip, and this distance varies, leading to high productivity.
  • the wafer preparing step may include the step of:
  • the rib portion may be formed of an insulator made of the same material as that of the protective film, thereby manufacturing the light-receiving region with an interval of about several meters between the light-transmitting protective plate and the light-transmitting protective plate. That can be S.
  • the protection plate preparing step prepares a sheet in which a plurality of light-transmitting protection plates are connected, and the erection step includes mounting a plurality of light-receiving chips on a semiconductor wafer.
  • a sheet of a light-transmitting protective plate may be provided on the light-emitting device, and the cutting step may include cutting the light-receiving chip and the light-transmitting protective plate at the same time.
  • the number of steps for cutting the light-receiving chip and the light-transmitting protective plate is one, so that the number of steps can be reduced, and the cut surfaces of the light-receiving chip and the light-transmitting protective plate can be easily aligned. it can.
  • FIG. 1 (a) is a plan view schematically showing a conventional solid-state imaging device 100 described in Patent Document 1.
  • FIG. FIG. 1 (b) is a diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. 1 (a).
  • FIG. 2 (a) is a plan view schematically showing a conventional solid-state imaging device 200 described in Patent Document 2.
  • FIG. 3 (a) is a plan view showing a solid-state imaging device 10 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3B is a diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. 3A.
  • FIG. 4 shows that a skirt portion of metal 12b is formed on the outer peripheral portion of a flat plate 12a of flat glass or acrylic resin by a plating method, and the outer peripheral portion is more condensed than the central portion.
  • FIG. 6 is a view showing a cross section of the light-transmitting protective plate 12 which is made thicker by the thickness of the lens 16+ “H”.
  • FIG. 4 (b) shows that the skirt portion is formed by pressing an acrylic resin or the like, and the outer peripheral portion is formed to be thicker by “the thickness of the condenser lens 16 + ⁇ ” than the central portion.
  • FIG. 3 is a view showing a cross section of a light-transmitting protective plate 12.
  • FIG. 5 is a diagram showing a cross section of the solid-state imaging device 11 around the through hole 17.
  • FIG. 6B is a diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. 6A.
  • FIG. 9 is a diagram showing a detailed cross section of a solid-state imaging device 41 around a conductive wiring 45 in Modification 2 of the present invention.
  • FIG. 12 shows a method of manufacturing the solid-state imaging device 10 when the skirt portion of the translucent protective plate 12 is formed by pressing acrylic resin or the like as shown in FIG. 4 (b). It is a figure showing an outline.
  • FIG. 13 (a) is a view showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated in step S11-15 of the production method 2.
  • FIG. 13B is a diagram showing a sheet of the translucent protective plate 12 generated in step S16 of the production method 2.
  • FIG. 3A is a plan view illustrating the solid-state imaging device 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3B is a diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. 3A.
  • the solid-state imaging device 10 includes a solid-state imaging device 11, a light-transmitting protective plate 12, and a sealing material 13.
  • the solid-state imaging device 11 is a light receiving chip such as a CCD chip or an MS chip, and includes a base substrate 14, electrodes 15, a condenser lens 16, and a through hole 17.
  • the first main surface of the base substrate 14 (the upper surface in FIG. 3 (b), hereinafter referred to as a “light receiving surface”) has a plurality of light receiving cells corresponding to one pixel arranged one-dimensionally or two-dimensionally.
  • a light receiving area 18 includes an outer peripheral area 19 arranged on the outer periphery of the light receiving area and a circuit other than the light receiving cell is integrated. In the present embodiment, it is assumed that light receiving cells for 300,000 pixels are arranged two-dimensionally in the light receiving area.
  • the sealing material 13 fixes the base substrate 14 and the light-transmitting protective plate 12 in the outer peripheral region 19.
  • the translucent protective plate 12 has an annular hanging portion (hereinafter referred to as a “skirt portion”) on the outer periphery, and the portion covering the light receiving region 18 of the translucent protective plate 12 corresponds to the portion covering the outer peripheral region 19.
  • the skirt portion of the translucent protective plate 12 is located in the outer peripheral area 19 and the light receiving cell is hermetically sealed with the sealing material 13 or the solid-state imaging device 11 is annularly formed on the outer peripheral area 19.
  • the outer peripheral area 19 is higher than the light receiving area 18, and the outer periphery of the transparent protective plate 12 is located on the rib of the solid-state imaging device 11. Then, the light receiving cells are hermetically sealed with the sealing material 13, and a gap 20 is formed between the condenser lens 16 and the translucent protective plate 12.
  • the refractive index in the gap 20 is smaller than the refractive index of the condenser lens 16.
  • the gap 20 Is preferably about 1.0.
  • the void 20 is air or a vacuum or vacuum filled with an inert gas.
  • vacuum indicates a pressure region lower than the atmospheric pressure and such a state.
  • FIG. 11 is a diagram showing a cross section of the solid-state imaging device 11 which is thicker by 16 thicknesses + thicknesses.
  • the distance between the solid-state imaging device 11 and the translucent protection plate 12 can be set to “the thickness of the condenser lens 16 + ⁇ ”. It should be noted that a plurality of FIG. 4 (a)-(c) may be used in combination. Further, considering the thickness of the sealing material 13, the thickness may be reduced accordingly. Also, the thickness of the condensing lens 16 + a can be set with the sealing material 13 alone.
  • FIG. 6A is a plan view showing a solid-state imaging device 30 according to Modification 1 of the present invention.
  • the solid-state imaging device 30 of the first modification includes a solid-state imaging device 31, a light-transmitting protective plate 12, and a sealing material 13.
  • the solid-state imaging device 31 is a light-receiving chip such as a CCD chip or a MOS chip as in the first embodiment, and includes a base substrate 14, an electrode 32, a condenser lens 16, and a through hole 17, and includes the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • the electrode 32 is located directly above the through hole 17 on the light receiving surface, and the structure around the through hole 17 is different.
  • a hole 21 penetrates through a silicon base substrate 14, both sides of the base substrate 14 and the inside of the hole 21 are coated with an insulating material 22, and the light receiving surface of the base substrate 14 (in FIG.
  • the input / output line 23 wired to the vicinity of the hole 21 on the upper surface is electrically connected to the conductor 33 at the contact portion 24, and the conductor 33 passes through the inside of the hole 21 from the light receiving surface and penetrates the base substrate 14. Then, it reaches the rear surface (the lower surface in FIG. 7) of the base substrate 14, the center of the hole 21 is filled with the filler 27, and the electrode 32 is formed on the hole 21 on the rear surface.
  • the solid-state imaging device 40 of Modification 2 includes a solid-state imaging device 41, a light-transmitting protective plate 12, and a sealing material 13.
  • both sides and the side surface 44 of the base substrate 42 are coated with the insulating material 46, and the input / output wiring is routed to the vicinity of the side surface 44 of the light receiving surface (the top surface in FIG. 9) of the base substrate 42.
  • the wire 47 is electrically connected to the conductor 49 at the contact portion 48, and the conductor 49 passes from the light receiving surface to the back surface (the lower surface in FIG. 9) of the base substrate 42 through the side surface 44 and the pad 50 for the electrode 43.
  • the electrode 43 is formed on the pad 50 on the back surface.
  • FIG. 10 is a diagram schematically illustrating a method of producing the solid-state imaging device 10 when the skirt portion of the translucent protective plate 12 is formed by the plating method as shown in FIG. 4A.
  • the sheet of the solid-state imaging device 11 and the light-transmitting protective plate 12 including a plurality of light-transmitting protective plates each having an area equal to or smaller than one area are obtained by the protective plate preparing step of Step S6. Generated.
  • FIG. 11 (a) is a diagram showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated by steps S1-5 of the production method 1.
  • FIG. 11 (a) is a diagram showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated by steps S1-5 of the production method 1.
  • FIG. 11 (b) is a diagram showing a sheet of the light-transmitting protective plate 12 generated in step S6 of the production method 1.
  • step S1- erection process, step S1- on a sheet of the solid-state imaging device 11 which is generated by the 5 to erection the sheet generated translucent protective plate 12 in step S6 (step S7) 0
  • the sheet of the solid-state imaging device 10 is generated in step S7.
  • step S8 the sheet of the solid-state imaging device 10 generated in step S7 is cut into chips (step S8).
  • the dicing saw is used to simultaneously cut the solid-state imaging device 11 and the light-transmitting protective plate 12 individually.
  • FIG. 12 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing the solid-state imaging device 10 when the skirt portion of the light-transmitting protective plate 12 is formed by pressing an acrylic resin or the like as shown in FIG. 4 (b). It is.
  • a semiconductor wafer is cut in a diffusion step to manufacture a wafer for a solid-state imaging device (Step S11).
  • the electrodes 15 are formed on the wafer (step S15).
  • a sheet for the solid-state imaging device 11 is generated by the wafer preparation process in step S11-15.
  • step S16 a sheet of the translucent protective plate 12 generated in step S16 is erected on the sheet of the solid-state imaging device 11 generated in step S11-15 (step S17). ).
  • the sheet of the solid-state imaging device 10 is generated in step S17.
  • FIG. 13A is a diagram showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated by steps S11 to S15 of the production method 2.
  • FIG. 13A is a diagram showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated by steps S11 to S15 of the production method 2.
  • FIG. 13B is a diagram showing a sheet of the light-transmitting protective plate 12 generated in step S16 of the production method 2.
  • step S18 the sheet of the solid-state imaging device 10 generated in step S17 is cut into chips (step S18).
  • the solid-state imaging device 11 and the translucent protective plate 12 are simultaneously cut individually.
  • a semiconductor wafer is cut in a diffusion step to manufacture a wafer for a solid-state imaging device.
  • a rib portion is formed on each outer peripheral portion of the base substrate 14 with the same insulating material 11a as a protective film such as a nitride film or an oxide film, and each outer peripheral portion is located closer to the central portion. Is also increased by “the thickness of the condenser lens 16 + ⁇ ” (step S21).
  • FIG. 15A is a diagram showing a sheet of the solid-state imaging device 11 generated by steps S21-25 of the production method 3.
  • FIG. 15 (b) is a diagram showing a sheet of the translucent protective plate 12 generated in step S26 of the production method 2.
  • the number of the electrodes 65 is the same as the number of input / output lines wired on the light receiving surface, and in this embodiment, the number is 20.
  • step S52 the light-transmitting protective plate 62 generated in step S52 is laid on each solid-state imaging element 61 of the sheet of the solid-state imaging element 61 generated in step S51 (step S52). 54).
  • the solid-state imaging device 304 has a light receiving unit 310 at the center of the upper surface (the surface facing the translucent protection plate 306).
  • the light receiving section 310 is composed of a large number of two-dimensional pixels (not shown) each composed of a photodiode and a vertical switch (MOS transistor). Also, a microlens (not shown) is added as a condenser for each pixel (photodiode).
  • FIG. 22 is a plan view of the solid-state imaging device 302
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line II-III of FIG.
  • each recess 316 is formed by press working (step P2).
  • a pair of dies including an upper die and a lower die are used.
  • the lower mold is a mold in which convex portions matching the concave portion 316 are arranged vertically and horizontally
  • the upper mold is a mold having a flat surface, and the softened resin sheet is pressed by the upper and lower molds to press the same. Processing is performed.
  • a plurality of terminal pads 354 are provided on the upper surface of the translucent protection plate 352 in a region that does not prevent light from entering the light receiving region 312 of the solid-state imaging device 304. Individually formed. Note that the formation position of the terminal pad 354 is the same as the formation position of the terminal pad 308 (see FIG. 22) in the third embodiment.
  • each terminal pad on the lower surface of the frame portion 356 of the light-transmitting protective plate 352 is A conductive pad 358 connected to the electrode 314 is formed at a position facing the pad 354.
  • the shape of the conductive pad 358 is the same as that of the terminal pad 354.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of the light-transmitting protective plate 352 at the position where the terminal pad 354 and the conductive pad 358 are formed.
  • a conductive film 360 as a conductive member is formed on a surface from one main surface of the light-transmitting protective plate 352 to the other main surface via the side surface.
  • One end of conductive film 360 is connected to terminal pad 354, and the other end is connected to conductive pad 358.
  • the conductive film 360 is made of gold (Au) or aluminum (A1), and can be formed by plating.
  • the mounting space on the printed wiring board 370 is also reduced in the vertical and horizontal dimensions to substantially the size of the solid-state imaging device 304 (sensor chip).
  • the height substantially equal to the thickness of the solid-state imaging device 304 plus the thickness of the translucent protection plate 306 (352).
  • conventional solid-state imaging It is possible to further contribute to downsizing of the photographing device as compared with the case where the imaging device is used.
  • FIG. 32 is a block diagram showing a schematic configuration of a digital camera 380 using the solid-state imaging device 302 (350).
  • An image of the subject is formed on the light receiving surface of the light receiving section 310 of the solid-state imaging device 302 (350) by the camera lens 382.
  • the solid-state imaging device 302 (350) photoelectrically converts the formed image for each pixel, and outputs the charge to the AZD converter 384 one pixel at a time.
  • the A / D converter 384 converts the electric charge input from the solid-state imaging device 302 (350) into digital data one pixel at a time, and outputs the digital data to the DSP (digital signal processor) 388 via the CPU 386.
  • DSP digital signal processor
  • MOS image sensor chip is used as a solid-state imaging device.
  • the present invention is not limited to a MOS image sensor chip, and may be, for example, a CCD image sensor chip. It is also applicable when using. Further, the present invention is applicable regardless of whether it is a linear image sensor or an area image sensor.
  • the present invention can be applied not only to home use but also to any camera.
  • the light receiving area is arranged in a two-dimensional manner in the light receiving area.
  • a light receiving cell may be arranged one-dimensionally, such as a force line sensor.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

 透光性保護板の面積を受光チップの面積以下にすることができ、実装にベース部を必要としない受光チップを提供することによってカメラの小型化及び軽量化に寄与し、また生産性に優れた固体撮像装置を提供することによってカメラを低価格化する。  複数の受光セルがベース基板の一方の主表面に1次元、又は2次元状に配列されてなる固体撮像素子11(受光チップ)と、透光性保護板12とを備える固体撮像装置10であって、透光性保護板は複数の受光領域18(受光セル)を覆う状態で主表面上に架設され、透光性保護板の面積が受光チップの面積以下であり、前記受光セルと前記透光性保護板との間には空隙20があることを特徴とする。

Description

固体撮像装置、 その生産方法、 及びその固体撮像装置を備えるカメラ、 並
びに受光チップ
[0001] 本発明は、固体撮像装置に関し、特に、撮像機器を小型化し、生産性を向上させ るための技術に関する。
背景技術
[0002] 近年、家庭用ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの撮像機器が一般に普及し ている。
これらの撮像機器には、固体撮像装置を備えるものがある。
例えば、従来の固体撮像装置は、特開平 7 - 086544号公報(以下「特許文献 1」) 及び特開平 10-313070号公報(以下「特許文献 2」)に開示されている。
[0003] 図 1 (a)は、特許文献 1に記載された従来の固体撮像装置 100の概略を示す平面 図である。
図 1 (b)は、図 1 (a)における A— A'の断面を示す図である。
図 1 (a)及び (b)に示したように、従来の固体撮像装置 100は、 CCDチップ 110力 S ガラス基板 120上に異方導電性接着剤 130を介して搭載された構造である。
[0004] CCDチップ 110は、正方形であり、入出力端子パッド 111が左右両側に 8個ずつ 設けられ、さらに入出力端子パッド 111の下面に高さ数 10 z m程度のバンプ 112が 設けられている。
ガラス基板 120は、 CCDチップ 110より大きい長方形であり、 CCDチップ 110が備 えるバンプ 112のそれぞれに対応する電極パッド 121が左右両側に 8個ずつ設けら れ、さらに上面に 16本の配線パターン 122が形成されている。
[0005] ここでそれぞれの配線パターン 122の一端はガラス基板 120の右側に集められ、他 端はそれぞれに対応する電極パッド 121に接続されている。
また耐湿性を持たせる等のために、 CCDチップ 110の周囲におけるガラス基板 12 0上に樹脂からなる封止材 140が設けられている。
図 2 (a)は、特許文献 2に記載された従来の固体撮像装置 200の概略を示す平面 図である。
[0006] 図 2 (b)は、図 2 (a)における A— A'の断面を示す図である。
図 2 (a)及び (b)に示したように、従来の固体撮像装置 200は、ベース部 210 (モー ルド樹脂製)の中央部に位置するチップボンディング部 211 (凹溝)に銀ペースト 220 によって CCDチップ 230が固着され、 CCDチップ 230上のボンディングパットとリー ドフレーム 240とがボンディングワイヤ 250によって接続され、さらに、ベース部 210 上にポッティング樹脂層 260によってシールガラス 270が固着され、 CCDチップ 230 がボンディングワイヤ 250と共に気密封止されている。
特許文献 1:特開平 7 - 086544号公報
特許文献 2 :特開平 10 - 313070号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] ここで、特許文献 1の固体撮像装置 100において、ガラス基板 120の面積は CCD チップ 110の面積よりも明らかに大きい。
なぜならガラス基板 120は、外部とを接続する部分を、 CCDチップ 110側の面の C CDチップ 110と重ならない部分に形成しなければならないからである。
従って、特許文献 1の固体撮像装置 100全体の面積は、ガラス基板 120の面積に 依存することになるので、 CCDチップ 110の面積よりも大きくなつてしまう。
[0008] また、特許文献 2の固体撮像装置 200において、ベース部 210及びシールガラス 2 70の面積は CCDチップ 230の面積よりも明らかに大きい。
従って、特許文献 1の固体撮像装置 200全体の外形は、ベース部 210及びシール ガラス 270の外形に依存するので、 CCDチップ 230の外形よりもかなり大きくなつてし まフ。
[0009] 一方、撮像機器の小型化及び軽量化に対する要望は高ぐ特にカメラ付き携帯電 話においては寸法や重さの僅かな差が売り上げを大きく左右する程の切実な問題で あり、カメラ付きでない携帯電話との差分をできるだけ小さくする為にも、固体撮像装 置の小型化及び軽量化が切望されてレ、る。
そこで、本発明は、ガラス基板等の透光性保護板の面積を CCDチップ等の受光チ ップの面積以下にすることができ、かつ実装にベース部を必要としない受光チップを 提供することによって固体撮像装置全体を小型化及び軽量化し、これを実装する力 メラの小型化及び軽量化に寄与することを第 1の目的とする。
[0010] ここで、特許文献 1の固体撮像装置 100においては、ガラス基板 120の面積は CC Dチップ 110の面積よりも明らかに大きいので、 CCDチップ 110とガラス基板 120と の着接は、ウェハーを製造してチップにカットした後に行なわれている。
また、特許文献 2の固体撮像装置 200においては、ウェハーを製造してチップに力 ットした後、チップ単位で、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程、ポッテ イング樹脂層塗布工程、シールガラス着接工程、ポッティング樹脂層硬化工程、及び リードフレームフォーミング工程等の多くの工程を施す必要があり、生産性に課題が ある。
[0011] また、特許文献 2の固体撮像装置 200においては、シールガラス 270と CCDチップ
230との間隔がポッティング樹脂層 260の厚さにより決定されるため、その間隔にば らつきが生じやすレ、ので生産が難しレ、。
そこで、本発明は、生産性に優れた固体撮像装置、及び、生産性に優れた固体撮 像装置の生産方法を提供することによって固体撮像装置を低価格化し、またこれを 実装する低価格のカメラを提供することを第 2の目的とする。
課題を解決するための手段
[0012] 上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、複数の受光セルが ベース基板の一方の主表面に 1次元又は 2次元状に配列されてなる受光チップと透 光性保護板とを備える固体撮像装置であって、前記透光性保護板は前記複数の受 光セルを覆う状態で前記主表面上に架設され、前記透光性保護板の面積が前記受 光チップの面積以下であり、前記受光セルと前記透光性保護板との間には空隙があ ることを特徴とする。
[0013] 上記目的を達成するために、本発明に係るカメラは、本発明に係る固体撮像装置 を備える。
上記目的を達成するために、本発明に係る受光チップは、複数の受光セルがベー ス基板の第 1の主表面に 1次元又は 2次元状に複数個配列されてなる受光チップで あって、前記第 1の主表面に配線されている複数の入出力線と、ベース基板の第 2の 主表面に形成された複数の外部接続用電極と、前記入出力線のうちの 1つと前記外 部接続用電極のうちの 1つとを電気的に接続しかつ互いに絶縁されている複数の導 電手段とを備えることを特徴とする。
[0014] 上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置の生産方法は、複数の 受光セルがベース基板の主表面に 1次元又は 2次元状に配列されてなる受光チップ と透光性保護板とを備える固体撮像装置の生産方法であって、 1個当たりの面積が 前記受光チップ 1個の面積以下である複数の透光性保護板を準備する保護板準備 工程と、半導体ウェハの状態の複数の受光チップのそれぞれの上に、準備した複数 の透光性保護板をそれぞれの受光セルを覆う状態で架設する架設工程と、半導体ゥ ェハの状態の複数の受光チップの全てにそれぞれ透光性保護板を架設した後で個 々に切断する切断工程とを有することを特徴とする。
発明の効果
[0015] 課題を解決するための手段に記載した固体撮像装置及びカメラによれば、固体撮 像装置の面積が受光チップの面積よりも大きくならないので、生産過程において、ゥ ヱハーを製造しチップにカットする前に、ゥヱハーの状態のままで透光性保護板を取 り付け、その後でチップにカットすることができ、従来に較べて格段に生産性に優れる また、受光セルと透光性保護板との間の空隙における屈折率は、通常受光セル上 に配置される集光レンズの屈折率よりも小さいので、この空隙により良好な集光特性 を得ること力できる。
[0016] 従って、固体撮像装置を低価格化することができ、カメラの低価格化に寄与するこ とができる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記受光チップは、前記複数の受光セ ルが配列されている側の第 1の主表面に配線されている複数の入出力線と、前記複 数の受光セルが配列されていない側の第 2の主表面に形成された複数の外部接続 用電極と、前記入出力線のうちの 1つと前記外部接続用電極のうちの 1つとを電気的 に接続し、かつ、互いに絶縁されている複数の導電手段とを含むことを特徴とするこ とちできる。
[0017] これらの固体撮像装置及びカメラ、ないしは、課題を解決するための手段に記載し た受光チップによれば、外部接続用電極を受光面である第 1の主表面とは異なる第 2 の主表面に備えるので、透光性保護板の面積を受光チップの面積と同等もしくは以 下にすることができる。
従って、固体撮像装置全体を小型化及び軽量化することができ、カメラの小型化及 び軽量化に寄与することができる。
[0018] また例えば従来のボンディングワイヤを気密封止するタイプであれば、ボンディング ワイヤとの干渉を避けるために受光チップの表面位置から透光性保護板との間の間 隔をボンディングワイヤの高さ分程度以下にはできないが、上記構成によればボンデ イングワイヤを用いなくてもよいので、当該間隔をボンディングワイヤの高さ分以下と すること力 Sでき、固体撮像装置の厚みが従来よりも薄くなり、面積が従来よりも減少す る効果と相乗してカメラの小型化に寄与することができる。
[0019] また、固体撮像装置、カメラ、及び受光チップにぉレ、て、前記導電手段は、ベース 基板に形成されたスルーホールであることを特徴とすることもできる。
これらにより、従来のボンディングパッドの代わりにスルーホールを生成すればよい 事になるので、ワイボン機等の精度に依存していた従来の設計ルールを考慮せずに 設計をすることができるようになる。
[0020] 従って、レイアウトの自由度が高くなる分受光チップの面積が減少することが期待で き、カメラの小型化及び軽量化に寄与することができる。
また、スルーホールはウェハ単位で生成できるので、製造上有利である。 また、固体撮像装置、カメラ、及び受光チップにおいて、前記複数の外部接続用電 極は、それぞれ、前記第 2の主表面の対応するスルーホール上に形成されていること を特徴とすることもできる。
[0021] これらにより、第 2の主表面に配線パターンを生成しなくてもよくなるので、生産工程 が簡略となり生産コストの削減効果が期待できる。
また、固体撮像装置、カメラ、及び受光チップにおいて、前記導電手段は、ベース 基板の側面に形成された配線パターンであることを特徴とすることもできる。 これらにより、従来のボンディングパッドの代わりに側面に配線パターンを生成すれ ばよい事になるので、ボンディングパッドの面積分の全てが不要となり、ワイボン機等 の精度に依存していた従来の設計ルールを考慮せずに設計をすることができるよう になる。
[0022] 従って、ボンディングパッドの面積分が不要となりレイアウトの自由度が高くなる分 受光チップの面積が減少することが期待でき、カメラの小型化及び軽量化に寄与す ること力 Sできる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記受光チップは、前記複数の受光セ ルが配列されている側の第 1の主表面に配線されている複数の入出力線と、前記複 数の受光セルが配列されていない側の第 2の主表面に形成された複数の外部接続 用電極と、前記入出力線のうちの 1つと前記外部接続用電極のうちの 1つとを電気的 に接続し、かつ、互いに絶縁されている複数の導電手段と、前記受光領域上に配置 された集光レンズとを含み、前記空隙は集光レンズと透光性保護板との間にあり当該 空隙における屈折率が当該集光レンズの屈折率よりも小さいことを特徴とすることも できる。
[0023] これらによれば、外部接続用電極を受光チップの受光面である第 1の主表面とは異 なる第 2の主表面に備えるので、透光性保護板の面積を受光チップの面積と同等も しくは以下にすることができる。
従って、固体撮像装置全体を小型化及び軽量化することができ、カメラの小型化及 び軽量化に寄与することができる。
[0024] また、受光面側にバンプ等による接続部分やワイヤーボンディング等の突出物が無 レ、ので、集光レンズと透光性保護板との間の空隙を小さくすることができる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記第 1の主表面は前記受光セルが複 数個配列されている受光領域と当該受光領域を囲繞する外周領域とからなり、当該 固体撮像装置は、さらに、前記外周領域に前記ベース基板と前記透光性保護板とを 固定する封止材を備え、前記ベース基板と前記透光性保護板と封止材とによって前 記空隙を気密封止してレ、ることを特徴とすることもできる。
[0025] これらにより、受光領域が気密封止されているので受光領域を塵埃から守ることが でき、受光領域の腐食を防ぐことができる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記主表面は前記複数の受光セルが位 置する受光領域と当該受光領域を囲繞する外周領域とからなり、前記透光性保護板 は外周にスカート部を有し、前記外周領域に前記スカート部が位置して前記受光セ ルを気密封止し前記受光セルと前記透光性保護板との間に空間が形成されているこ とを特 ί敫とすることもできる。
[0026] これらにより、受光領域における透光性保護板との間隔が、透光性保護板の形状 の精度に依存するので、この間隔にばらつきが生じにくくなり生産性に優れる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記透光性保護板は、平板状のガラス又 は樹脂の外周部分にメツキ工法により金属のスカート部が形成されたものであること を特徴とすることもできる。
[0027] また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記透光性保護板は、平板状の樹脂を プレスすることによりスカート部が形成されたものであることを特徴とすることもできる。 これらにより、受光領域における透光性保護板との間隔を、数 μ ΐη程度の精度で製 造すること力 Sできる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記主表面は前記複数の受光セルが位 置する受光領域と当該受光領域を囲繞する外周領域とからなり、前記受光チップは 、前記外周領域に環状のリブ部を有し、前記リブ部に前記透光性保護板の外周が位 置して前記受光セルを気密封止し前記受光セルと前記透光性保護板との間に空間 が形成されてレ、ることを特徴とすることもできる。
[0028] これらにより、受光領域における透光性保護板との間隔が、受光チップの形状の精 度に依存するので、この間隔にばらつきが生じにくくなり生産性に優れる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記受光チップは、前記外周領域に保 護膜と同一の材質の絶縁物によりリブ部が形成されたものであることを特徴とすること あでさる。
[0029] これらにより、受光領域における透光性保護板との間隔を、数 μ m程度の精度で製 造すること力 Sできる。
さらに、チップにカットする前の拡散工程においてリブ部を形成することができるの で、別工程を設けなくてよく生産性に優れる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、当該固体撮像装置は、生産過程におい て半導体ウェハの状態の複数の受光チップの全てにそれぞれ透光性保護板が架設 された後で個々に切断されたものであることを特徴とすることもできる。
[0030] これらにより、生産過程において、ウェハーを製造しチップにカットする前に、ウェハ 一の状態のままで透光性保護板を取り付け、その後でチップにカットするので、従来 に較べて格段に生産性に優れる。
従って、固体撮像装置を低価格化することができ、カメラの低価格化に寄与するこ とができる。
[0031] また、固体撮像装置及びカメラにおいて、当該固体撮像装置は、生産過程におい て受光チップと透光性保護板とが同時に切断されたものであることを特徴とすることも できる。
これらにより、受光チップと透光性保護板とを切断する工程が 1つなので、工数が少 なくてすみ、また受光チップと透光性保護板との切断面を容易に揃えることができる。 また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記主表面は中央部に受光領域を有し 前記受光領域の外周に複数の電極を有し、前記透光性保護板は、前記受光チップ 側でない前記主表面とは異なるもう一方の主表面に形成された複数の端子パッドと、 前記電極のうちの 1つと前記端子パッドのうちの 1つとを電気的に接続し、かつ、互い に絶縁されている複数の導電部材とを含むことを特徴とすることもできる。
[0032] これらにより、固体撮像装置全体の縦'横寸法をほぼ固体撮像素子の縦'横寸法に 抑制できると共に、厚みもほぼ固体撮像素子の厚みに透光性保護板の厚みを加え た厚みとなるので、従来の固体撮像装置よりも格段に小型化が図れる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記透光性保護板は前記受光領域への 光の進入を妨げない領域に開設された両主面間を貫通する複数の孔を有し、前記 導電性部材はその一部が対応する前記孔を経由する形で配されていることを特徴と することちでさる。
[0033] また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記各孔の側壁には導電性膜が付着さ れており、当該導電性膜が前記導電部材の一部を構成していることを特徴とすること あでさる。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記各孔には導電性材料が充填されて おり、当該導電性材料が前記導電部材の一部を構成していることを特徴とすることも できる。
これらにより、従来のボンディングパッドの代わりに孔を生成すればよい事になるの で、ワイボン機等の精度に依存していた従来の設計ルールを考慮せずに設計をする ことができるようになる。
[0034] 従って、レイアウトの自由度が高くなる分受光チップの面積が減少することが期待で き、カメラの小型化及び軽量化に寄与することができる。
また、孔はシート単位で生成できるので、製造上有利である。
また、固体撮像装置及びカメラにおいて、前記導電部材は、前記透光性保護板の 一方の主面から側面を経由して他方の主面に至る表面に付着された導電性膜によ つて構成されてレ、ることを特徴とすることもできる。
[0035] これらにより、従来のボンディングパッドの代わりに側面に導電性膜を生成すればよ い事になるので、ボンディングパッドの面積分の全てが不要となり、ワイボン機等の精 度に依存していた従来の設計ルールを考慮せずに設計をすることができるようになる 従って、ボンディングパッドの面積分が不要となりレイアウトの自由度が高くなる分 受光チップの面積が減少することが期待でき、カメラの小型化及び軽量化に寄与す ること力 Sできる。
[0036] また、本発明に係るカメラは、前記固体撮像装置の前記端子の配列に合致した配 列のランドを有するプリント配線板を備え、前記端子の各々が対応する前記ランドと 直接接合されるフリップチップ実装によって、前記固体撮像装置が前記プリント配線 板に搭載されてレ、ることを特徴とする。
これにより、固体撮像装置の厚みをほぼ固体撮像素子の厚みに透光性保護板の 厚みをカ卩えた厚みとすることができる。
[0037] 課題を解決するための手段に記載した固体撮像装置の生産方法によれば、生産 過程において、ウェハーを製造しチップにカットする前に、ウェハーの状態のままで透 光性保護板を取り付け、その後でチップにカットするので、従来に較べて格段に生産 性に優れる。
従って、固体撮像装置を低価格化することができ、カメラの低価格化に寄与するこ とができる。
[0038] また、固体撮像装置の生産方法において、前記主表面は前記複数の受光セルが 位置する受光領域と当該受光領域を囲繞する外周領域とからなり、前記保護板準備 工程は、それぞれの外周にスカート部を有する透光性保護板を準備し、前記架設ェ 程は、前記外周領域に前記スカート部を位置させて前記受光セルを気密封止し前記 受光セルと前記透光性保護板との間に空間を形成することを特徴とすることもできる
[0039] これにより、受光領域における透光性保護板との間隔が、透光性保護板の形状の 精度に依存するので、この間隔にばらつきが生じにくくなり生産性に優れる。
また、固体撮像装置の生産方法において、前記保護板準備工程は、平板状のガラ ス又は樹脂の外周部分にメツキ工法により金属のスカート部を形成することを特徴と することちでさる。
[0040] また、固体撮像装置の生産方法において、前記保護板準備工程は、平板状の樹 脂をプレスすることによりスカート部を形成することを特徴とすることもできる。
これらにより、受光領域における透光性保護板との間隔を、数 μ ΐη程度の精度で製 造すること力 Sできる。
また、固体撮像装置の生産方法において、前記主表面は前記複数の受光セルが 位置する受光領域と当該受光領域を囲繞する外周領域とからなり、当該固体撮像装 置の生産方法は、さらに、半導体ウェハの状態の前記外周領域に環状のリブ部を有 する複数の受光チップを準備するウェハ準備工程を有し、前記架設工程は、前記リ ブ部に前記透光性保護板の外周を位置させて前記受光セルを気密封止し前記受光 セルと前記透光性保護板との間に空間を形成することを特徴とすることもできる。
[0041] これにより、受光領域における透光性保護板との間隔が、受光チップの形状の精度 に依存するので、この間隔にばらつきが生じに《なり生産性に優れる。
また、固体撮像装置の生産方法において、前記ウェハ準備工程は、前記外周領域 に保護膜と同一の材質の絶縁物によりリブ部を形成することを特徴とすることもできる これにより、受光領域における透光性保護板との間隔を、数/ m程度の精度で製 造すること力 Sできる。
[0042] またチップにカットする前の拡散工程にぉレ、てリブ部を形成することができるので、 別工程を設けなくてよく生産性に優れる。
また、固体撮像装置の生産方法において、前記保護板準備工程は、複数の透光 性保護板が連結した状態のシートを準備し、前記架設工程は、半導体ウェハの状態 の複数の受光チップの上に透光性保護板のシートを架設し、前記切断工程は、受光 チップと透光性保護板とを同時に切断することを特徴とすることもできる。
[0043] これにより、受光チップと透光性保護板とを切断する工程が 1つなので、工数が少 なくてすみ、また受光チップと透光性保護板との切断面を容易に揃えることができる。 図面の簡単な説明
[0044] [図 1]図 1 (a)は、特許文献 1に記載された従来の固体撮像装置 100の概略を示す平 面図である。 図 1 (b)は、図 1 (a)における A— A 'の断面を示す図である。
[図 2]図 2 (a)は、特許文献 2に記載された従来の固体撮像装置 200の概略を示す平 面図である。
[0045] 図 2 (b)は、図 2 (a)における A— A 'の断面を示す図である。
[図 3]図 3 (a)は、本発明の実施例 1における固体撮像装置 10を示す平面図である。 図 3 (b)は、図 3 (a)における A— A 'の断面を示す図である。
[図 4]図 4 (a)は、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等の平板 12aの外周部分にメ ツキ工法により金属 12bのスカート部を形成して、外周部分を中央部分よりも「集光レ ンズ 16の厚さ +ひ」だけ厚くした透光性保護板 12の断面を示す図である。
[0046] 図 4 (b)は、アクリル樹脂等をプレス加工することによりスカート部を形成して、外周 部分が中央部分よりも「集光レンズ 16の厚さ + α」だけ厚い形に成形した透光性保 護板 12の断面を示す図である。
図 4 (c)は、拡散工程において、外周領域 19に、窒化膜や酸化膜等の保護膜と同 様の絶縁物材質 11aによりリム部を形成して、外周部分を中央部分よりも「集光レンズ 16の厚さ + α」だけ厚くした固体撮像素子 11の断面を示す図である。
[図 5]図 5は、スルーホール 17周辺の固体撮像素子 11の断面を示す図である。
[図 6]図 6 (a)は、本発明の変形例 1における固体撮像装置 30を示す平面図である。
[0047] 図 6 (b)は、図 6 (a)における A— A'の断面を示す図である。
[図 7]図 7は、本発明の変形例 1おけるスルーホール 17周辺の固体撮像素子 31の詳 細な断面を示す図である。
[図 8]図 8 (a)は、本発明の変形例 2における固体撮像装置 40を示す平面図である。
[0048] 図 8 (b)は、図 8 (a)における A— A'の断面を示す図である。
[図 9]図 9は、本発明の変形例 2おける導電性配線 45周辺の固体撮像素子 41の詳 細な断面を示す図である。
[図 10]図 10は、図 4 (a)に示したように、透光性保護板 12のスカート部をメツキ工法に より形成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の概略を示す図である。
[図 11]図 11 (a)は、生産方法 1のステップ S 1— 5により生成される固体撮像素子 11 のシートを示す図である。
[0049] 図 11 (b)は、生産方法 1のステップ S6により生成される透光性保護板 12のシートを 示す図である。
[図 12]図 12は、図 4 (b)に示したように、透光性保護板 12のスカート部をアクリル樹脂 等をプレス加工することにより形成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の 概略を示す図である。
[図 13]図 13 (a)は、生産方法 2のステップ S11— 15により生成された固体撮像素子 1 1のシートを示す図である。
[0050] 図 13 (b)は、生産方法 2のステップ S16により生成された透光性保護板 12のシート を示す図である。
[図 14]図 14は、図 4 (c)に示したように、固体撮像素子 11のリブ部を拡散工程におい て形成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の概略を示す図である。
[図 15]図 15 (a)は、生産方法 3のステップ S21 25により生成された固体撮像素子 1 1のシートを示す図である。
[0051] 図 15 (b)は、生産方法 2のステップ S26により生成された透光性保護板 12のシート を示す図である。
[図 16]図 16 (a)は、本発明の実施例 2における固体撮像装置 60を示す平面図であ る。 図 16 (b)は、図 16 (a)における A— A 'の断面を示す図である。
[図 17]図 17は、透光性保護板 62のスカート部をメツキ加工により形成する場合にお ける固体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
[図 18]図 18は、透光性保護板 62のスカート部をアクリル樹脂等をプレス加工すること により形成する場合における固体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
[図 19]図 19は、固体撮像素子 61のリブ部を拡散工程において形成する場合におけ る固体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
[図 20]図 20は、実施例 3に係る固体撮像装置 302の概略構成を示す斜視図である。
[図 21]図 21は、固体撮像素子 4の概略構成を表す斜視図である。
[図 22]図 22は、固体撮像装置 302の平面図である。
[図 23]図 23は、図 22における Α·Α線断面図である。
[図 24]図 24は、図 23における Β部拡大図である。
[図 25]図 25は、実施例 3の変形例を示す図であって、(a)は、透光性保護板 6の平面 図の一部であり、(b)は、(a)における C ' C線断面図である。
[図 26]図 26 (a)は、固体撮像素子 4が縦横に整然と配列されて形成されたウェハ 32 8の概略を示す平面図である。
図 26 (b)は、透光性保護板 6が同一平面上に複数枚連結されてなる透光性保護 板連結体 330の概略構成を示す平面図である。
[図 27]図 27は、固体撮像素子 4の製造工程図である。
[図 28]図 28は、実施例 4に係る固体撮像装置 350の平面図である。
[図 29]図 29は、図 28における D' D線断面図である。
[図 30]図 30は、実施例 4に係る固体撮像装置 350の、透光性保護板 352の端子パッ ド 354、導電パッド 358の形成位置における断面図である。
[図 31]図 31は、固体撮像装置 302 (350)の実装される部分のプリント配線板 370の 斜視図である。
[図 32]図 32は、固体撮像装置 302 (350)を使用したデジタルカメラ 380の概略構成 を示すブロック図である。 符号の説明
10 固体撮像装置
11 固体撮像素子
11a 絶縁物材質
12 透光性保護板
12a 平板
12b 金属
12c スカート部
13 封止材
14 ベース基板
15 電極
16 集光レンズ
17 スノレーホ一ノレ
18 受光領域
19 外周領域
20 空隙
21 孔
22 絶縁材料
23 入出力線
24 接触部
25 導電体
26 パッド、
27 充填材
30 固体撮像装置
31 固体撮像素子
32 電極
33 導電体 固体撮像装置 固体撮像素子 ベース基板 電極
側面
導電性配線 絶縁材料 入出力線 接触部 導電体 パッド、 固体撮像装置 固体撮像素子 透光性保護板 封止材 ベース基板 電極
集光レンズ 受光領域 外周領域 空隙
固体撮像装置 固体撮像素子 透光性保護板 端子ノヽ0ッド、 当該端子パッド 垂直走査回路部 受光部 311 水平走査回路部
312 受光領域
313 タイミング発生回路部
314 電極
315 外周回路部
316 凹部
318 枠部
320 導電パッド
322 孔
324 導電性膜
325 スノレーホ一ノレ
326 接着層
328 ウェハ
330 透光性保護板連結体
332 導電性材料
334 スノレーホ一ノレ
336 端子パッド
338 導電パッド
350 固体撮像装置
352 透光性保護板
354 端子パッド
356 枠部
358 導電パッド
360 導電性膜
370 プリント配線板
372 ランド
374
380 デジタノレカメラ 382 カメラレンズ
384 A/Dコンバータ
386 CPU
388 DSP
390 ワークメモリ
392 チップ
394 記録用メモリ
発明を実施するための最良の形態
[0054]
実施例 1
[0055] ぐ構成 >
図 3 (a)は、本発明の実施例 1における固体撮像装置 10を示す平面図である。 図 3 (b)は、図 3 (a)における A— A'の断面を示す図である。
図 3 (a)及び (b)に示すように、実施例 1の固体撮像装置 10は、固体撮像素子 11、 透光性保護板 12、及び封止材 13から構成される。
[0056] 固体撮像素子 11は、例えば CCDチップや M〇Sチップ等の受光チップであり、ベ ース基板 14、電極 15、集光レンズ 16、及びスルーホール 17を備える。
ベース基板 14の第 1の主表面(図 3 (b)においては上面、以下「受光面」と言う)は、 1画素に相当する複数の受光セルが 1次元、又は 2次元状に配列されている受光領 域 18と、当該受光領域の外周に配置され受光セル以外の回路が集積されている外 周領域 19とからなる。本実施例では、受光領域には 2次元状に 30万画素分の受光 セルが配列されてレ、るものとする。
[0057] また受光面には、電源入力線、各制御信号の入力線、及び画像信号の出力線等 の複数の入出力線が配線されている。
ベース基板 14は、通常シリコン製の半導体基板であり、電極 15、スノレーホ一ノレ 17 、及び入出力線と接触する部分等が、酸化シリコンゃ窒化シリコン等の絶縁材料で 覆われている。
[0058] 電極 15は、ベース基板 14の受光面の裏面にあたる第 2の主表面(図 3 (b)におい ては下面、以下「裏面」と言う)のスルーホール 17近傍に形成されたバンプ等の外部 接続用電極であり、固体撮像装置 10を回路基板に実装する際に、回路基板上の対 応する各端子と接続する為に利用される。
集光レンズ 16は、受光領域 18上に配置され、受光領域 18上に投影された被写体 像を、受光セル単位で集光するものであり、受光感度を高める役割がある。
[0059] スノレーホ一ノレ 17は、受光面と裏面とを電気的に接続する導電体であり、各スルー ホールは互いに絶縁され、入出力線のうちの 1つと、電極 15のうちの 1つとを電気的 に接続する。
ここで電極 15の数、及びスルーホール 17の数は、受光面に配線されている入出力 線と同数であり、本実施例では共に 20個とする。
[0060] 透光性保護板 12は、例えばガラスあるいはアクリル樹脂等の入射光の光学的特性 を著しく変化させずに透過するものであり、受光セルの全てを覆う状態で架設され、 固体撮像素子 11の受光領域 18及び集光レンズ 16を外界からの物理的損傷を受け ない様に保護しかつ塵埃力 守る役割がある。なお、透光性保護板 12の面積は固 体撮像素子 11の面積以下とすることができる力 本実施例においては両者は同程 度の面積とする。
[0061] 封止材 13は、外周領域 19において、ベース基板 14と透光性保護板 12とを固定す る。
ここで、透光性保護板 12が外周に環状の垂下部分 (以下「スカート部」と言う)を有 し、透光性保護板 12の受光領域 18を覆う部分が外周領域 19を覆う部分に較べて凹 んでおり、外周領域 19に透光性保護板 12のスカート部が位置して封止材 13により 受光セルを気密封止するか、又は、固体撮像素子 11が外周領域 19上に環状の隆 起部分 (以下「リブ部」と言う)を有し、外周領域 19が受光領域 18に較べて隆起して おり、固体撮像素子 11のリブ部に透光性保護板 12の外周が位置して封止材 13によ り受光セルを気密封止し、集光レンズ 16と透光性保護板 12との間に空隙 20を形成 する。
[0062] また空隙 20における屈折率は集光レンズ 16の屈折率よりも小さい。
例えば、集光レンズ 16に屈折率 1. 5程度の樹脂材料等を用いたとすると、空隙 20 の屈折率は 1. 0程度が望ましい。ここでは、空隙 20は、空気、又は不活性ガスで満 たされているカ あるいは真空である。ここで、「真空」とは大気圧よりも低い圧力領域 及びそのような状態を示す。
[0063] また、集光レンズ 16に例えば屈折率 2. 0程度あるいはそれ以上の材質を用レ、、空 隙 20を例えば屈折率が 1. 5程度の樹脂等で充填してもよい。
また、ここで充填する空気はドライエアーが望ましぐ不活性ガスとは、ヘリウム、ネ オン、アルゴン、窒素、及びこれらの混合物等である。
また、空隙 20における集光レンズ 16と透光性保護板 12との間の間隔は、部品のば らつきや製造精度等の精度のみを考慮した最低限の寸法「ひ」だけあればょレ、ので 、ベース基板 14と透光性保護板 12との間の間隔は、「集光レンズ 16の厚さ + ひ」と なり、従来のボンディングワイヤを気密封止するタイプにおいてボンディングワイヤと の干渉を避けるために必要であったボンディングワイヤの高さ分程度以下にすること ができる。ここで αは、部品のばらつきや製造精度等の精度の数十倍程度でよぐ例 えば当該精度が数 μ m程度である場合には、 αは数 10 /i m— 100 /i m程度である
[0064] ここで、ベース基板 14と透光性保護板 12との間の間隔を「集光レンズ 16の厚さ + a」にするための具体例を示す。
図 4 (a)は、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等の平板 12aの外周部分にメツキ 工法により金属 12bのスカート部を形成して、外周部分を中央部分よりも「集光レンズ
16の厚さ + ひ」だけ厚くした透光性保護板 12の断面を示す図である。
[0065] 図 4 (b)は、アクリル樹脂等をプレス加工することによりスカート部を形成して、外周 部分が中央部分よりも「集光レンズ 16の厚さ + ひ」だけ厚い形に成形した透光性保 護板 12の断面を示す図である。
図 4 (c)は、拡散工程において、外周領域 19に、窒化膜や酸化膜等の保護膜と同 様の絶縁物材質 1 1 aによりリム部を形成して、外周部分を中央部分よりも「集光レンズ
16の厚さ + ひ」だけ厚くした固体撮像素子 1 1の断面を示す図である。
[0066] 図 4 (a)の透光性保護板 12、図 4 (b)の透光性保護板 12、又は、図 4 (c)の固体撮 像素子 1 1を用いて、外周領域 19において、ベース基板 14と透光性保護板 12とを封 止材 13にて固定することにより、固体撮像素子 1 1と透光性保護板 12との間の間隔 を「集光レンズ 16の厚さ + α」にすることができる。なお、図 4 (a)—(c)のうちの複数 を併用してもよい。また、封止材 13の厚み分を考慮して、その分だけ薄くしてもよい。 また封止材 13のみで「集光レンズ 16の厚さ + a」にしてもょレ、。
[0067] 結像レンズ (図示せず)により形成された被写体像は、透光性保護板 12、及び空隙 20を透過して受光領域 18上に投影され、集光レンズ 16により集光されて、各受光セ ルが当該被写体像を光電変換することにより、固体撮像素子 1 1は画像信号を出力 すること力 Sできる。
図 5は、スルーホール 17周辺の固体撮像素子 1 1の断面を示す図である。
[0068] 図 5に示すように、ベース基板 14に孔 21が貫通しており、ベース基板 14の両面と 孔 21の内側が絶縁材料 22でコートされ、受光面(図 5においては上面)の孔 21の近 傍まで配線された入出力線 23が接触部 24において導電体 25と電気的に接続され、 導電体 25は受光面から孔 21の内側を通ってベース基板 14を貫通して、ベース基板 14の裏面(図 5においては下面)まで達して電極 15用のパッド 26を形成し、孔 21の 中心に充填材 27が充填され、裏面のパッド 26上に電極 15が形成されている。
[0069] なお、充填材 27のかわりに導電体 25で孔全体を充填してもよい。
<変形例 1 >
本発明の変形例 1は、実施例 1と比較して電極の位置のみが異なるものであり、そ の他の部分は実施例 1と同様である。
図 6 (a)は、本発明の変形例 1における固体撮像装置 30を示す平面図である。
[0070] 図 6 (b)は、図 6 (a)における A— A 'の断面を示す図である。
図 6 (a)及び (b)に示すように、変形例 1の固体撮像装置 30は、固体撮像素子 31、 透光性保護板 12、及び封止材 13から構成される。
固体撮像素子 31は、実施例 1と同様に例えば CCDチップや MOSチップ等の受光 チップであり、ベース基板 14、電極 32、集光レンズ 16及びスルーホール 17を備え、 実施例 1の固体撮像素子 1 1と較べて、電極 32が受光面のスルーホール 17の真上 に位置し、スルーホール 17周辺の構造が異なる。
[0071] なお、実施例 1において説明した構成要素と同様の構成要素には同一番号を付し 、その説明を省略する。
電極 32は、裏面のスルーホール 17上に形成されたバンプ等の外部接続用電極で あり、実施例 1の電極 15と同様に、固体撮像装置 30を回路基板に実装する際に、回 路基板上の対応する各端子と接続する為に利用される。
[0072] ここで電極 32の数は、スルーホール 17及び受光面に配線されている入出力線と同 数であり、本実施例では共に 20個とする。
図 7は、本発明の変形例 1おけるスルーホール 17周辺の固体撮像素子 31の詳細 な断面を示す図である。
図 7に示すように、シリコン製のベース基板 14に孔 21が貫通しており、ベース基板 14の両面と孔 21の内側が絶縁材料 22でコートされ、ベース基板 14の受光面(図 7 においては上面)の孔 21の近傍まで配線された入出力線 23が接触部 24において 導電体 33と電気的に接続され、導電体 33は受光面から孔 21の内側を通ってベース 基板 14を貫通して、ベース基板 14の裏面(図 7において下面)まで達し、孔 21の中 心に充填材 27が充填され、裏面の孔 21上に電極 32が形成されている。
[0073] <変形例 2 >
本発明の変形例 2は、実施例 1のスルーホール 17を、固体撮像素子の側面に形成 した導電性配線に置き換えたものであり、その他の部分は実施例 1と同様である。 図 8 (a)は、本発明の変形例 2における固体撮像装置 40を示す平面図である。 図 8 (b)は、図 8 (a)における A— A'の断面を示す図である。
[0074] 図 8 (a)及び (b)に示すように、変形例 2の固体撮像装置 40は、固体撮像素子 41、 透光性保護板 12、及び封止材 13から構成される。
固体撮像素子 41は、実施例 1と同様に例えば CCDチップや MOSチップ等の受光 チップであり、ベース基板 42、電極 43、集光レンズ 16、及び導電性配線 45を備える
[0075] なお、実施例 1において説明した構成要素と同様の構成要素には同一番号を付し 、その説明を省略する。
電極 43は、裏面に形成されたバンプ等の外部接続用電極であり、実施例 1の電極 15と同様に、固体撮像装置 30を回路基板に実装する際に、回路基板上の対応する 各端子と接続する為に利用される。
[0076] 導電性配線 45は、ベース基板 42の側面に形成された受光面と裏面とを電気的に 接続する導電体であり、各導電性配線は互いに絶縁され、当該入出力線のうちの 1 つと、電極 15のうちの 1つとを電気的に接続する。
ここで電極 43の数、及び導電性配線 45の数は、受光面に配線されている入出力 線と同数であり、本実施例では共に 20個とする。
[0077] 図 9は、本発明の変形例 2おける導電性配線 45周辺の固体撮像素子 41の詳細な 断面を示す図である。
図 9に示すように、ベース基板 42の両面と側面 44とが絶縁材料 46でコートされ、ベ ース基板 42の受光面(図 9においては上面)の側面 44の近傍まで配線された入出力 線 47が接触部 48において導電体 49と電気的に接続され、導電体 49は受光面から 側面 44を通ってベース基板 42の裏面(図 9においては下面)まで達して電極 43用の パッド 50を形成し、裏面のパッド 50上に電極 43が形成されている。
[0078] <生産方法 1 >
図 10は、図 4 (a)に示したように、透光性保護板 12のスカート部をメツキ工法により 形成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の概略を示す図である。
以下に、図 4 (a)、図 5及び図 10を用いて固体撮像装置 10の生産方法の概略を説 明する。
[0079] (1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する (ス テツプ Sl)。
(2)ウェハの状態で、孔 21を開ける(ステップ S2)。
(3)ウェハの状態で、孔 21の内面に絶縁材料 22をコートする(ステップ S3)。
(4)ウェハの状態で、導電体 25及びパッド 26を形成する (ステップ S4)。
[0080] (5)ウェハの状態で、電極 15を形成する(ステップ S5)。
ここでステップ SI— 5のウェハ準備工程により固体撮像素子 11のシートが生成され る。
(6)保護板準備工程において、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等の平板 12a のシート上のそれぞれの外周部分に、メツキ工法により金属 12bのスカート部を形成 する(ステップ S6)。
[0081] ここでステップ S6の保護板準備工程により、 1個当たりの面積が固体撮像素子 11、 1個の面積以下である複数の透光性保護板からなる透光性保護板 12のシートが生 成される。
図 11 (a)は、生産方法 1のステップ S 1— 5により生成される固体撮像素子 11のシ ートを示す図である。
[0082] 図 11 (b)は、生産方法 1のステップ S6により生成される透光性保護板 12のシートを 示す図である。
図 11 (b)に示すように、透光性保護板 12のシートは、平板 12aのそれぞれの外周 部分に金属 12bのスカート部が形成されており、図 11 (a)に示すように、固体撮像素 子 11のシートには隆起部分が形成されていない。
[0083] (7)架設工程において、ステップ S1— 5により生成された固体撮像素子 11のシート 上に、ステップ S6により生成された透光性保護板 12のシートを架設する (ステップ S7 ) 0
ここでステップ S7により固体撮像装置 10のシートが生成される。
(8)切断工程において、ステップ S7により生成された固体撮像装置 10のシートを チップ単位にカットする(ステップ S8)。ここでは、ダイシングソーを用いて、固体撮像 素子 11と透光性保護板 12とを同時に個々に切断する。
[0084] <生産方法 2 >
図 12は、図 4 (b)に示したように、透光性保護板 12のスカート部をアクリル樹脂等を プレス加工することにより形成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の概略 を示す図である。
以下に、図 4 (b)、図 5及び図 12を用いて固体撮像装置 10の生産方法の概略を説 明する。
[0085] (1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する (ス テツプ S 11)。
(2)ウェハの状態で、孔 21を開ける (ステップ S 12)。
(3)ウェハの状態で、孔 21の内面に絶縁材料 22をコートする(ステップ S13)。 [0086] (4)ウェハの状態で、導電体 25及びパッド 26を形成する(ステップ S 14)。
(5)ウェハの状態で、電極 15を形成する(ステップ S 15)。
ここでステップ S11— 15のウェハ準備工程により固体撮像素子 11のシートが生成 される。
(6)保護板準備工程において、アクリル樹脂等のシートをプレス加工することにより スカート部を形成して、それぞれの外周部分が中央部分よりも厚ぐ 1個当たりの面積 が固体撮像素子 11、 1個の面積以下である複数の透光性保護板からなる透光性保 護板 12のシートを生成する(ステップ S16)。
[0087] (7)架設工程において、ステップ S11— 15により生成された固体撮像素子 11のシ ート上に、ステップ S16により生成された透光性保護板 12のシートを架設する(ステツ プ S17)。
ここでステップ S17により固体撮像装置 10のシートが生成される。
図 13 (a)は、生産方法 2のステップ S 11 - 15により生成された固体撮像素子 11の シートを示す図である。
[0088] 図 13 (b)は、生産方法 2のステップ S16により生成された透光性保護板 12のシート を示す図である。
図 13 (b)に示すように、透光性保護板 12のシート上のそれぞれの外周部分にスカ ート部 12cが形成されており、図 13 (a)に示すように、固体撮像素子 11のシートには 隆起部分が形成されてレ、なレ、。
[0089] (8)切断工程において、ステップ S17により生成された固体撮像装置 10のシートを チップ単位にカットする(ステップ S18)。ここでは、ダイシングソーを用いて、固体撮 像素子 11と透光性保護板 12とを同時に個々に切断する。
<生産方法 3 >
図 14は、図 4 (c)に示したように、固体撮像素子 11のリブ部を拡散工程において形 成する場合における固体撮像装置 10の生産方法の概略を示す図である。
[0090] 以下に、図 4 (c)、図 5及び図 14を用いて固体撮像装置 10の生産方法の概略を説 明する。
(1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する。 ここで、拡散工程において、ベース基板 14のそれぞれの外周部分に、窒化膜や酸 化膜等の保護膜と同様の絶縁物材質 11aによりリブ部を形成して、それぞれの外周 部分を中央部分よりも「集光レンズ 16の厚さ + α」だけ厚くする(ステップ S21)。
[0091] (2)ウェハの状態で、孔 21を開ける(ステップ S22)。
(3)ウェハの状態で、孔 21の内面に絶縁材料 22をコートする(ステップ S23)。
(4)ウェハの状態で、導電体 25及びパッド 26を形成する(ステップ S24)。
(5)ウェハの状態で、電極 15を形成する(ステップ S25)。
[0092] ここでステップ S21— 25のウェハ準備工程により固体撮像素子 11のシートが生成 される。
(6)保護板準備工程において、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等により 1個 当たりの面積が固体撮像素子 11、 1個の面積以下である複数の透光性保護板から なる透光性保護板 12のシートを形成する (ステップ S26)。
[0093] (7)架設工程において、ステップ S21— 25により生成された固体撮像素子 11のシ ート上に、ステップ S26により生成された透光性保護板 12のシートを架設する(ステツ プ S27)。
ここでステップ S27により固体撮像装置 10のシートが生成される。
図 15 (a)は、生産方法 3のステップ S21— 25により生成された固体撮像素子 11の シートを示す図である。
[0094] 図 15 (b)は、生産方法 2のステップ S26により生成された透光性保護板 12のシート を示す図である。
図 15 (a)に示すように、固体撮像素子 11のシート上のそれぞれの外周部分に絶縁 物材質 11aのリブ部が形成されており、図 15 (b)に示すように、透光性保護板 12の シートには垂下部分が形成されてレ、なレ、。
[0095] (8)切断工程において、ステップ S27により生成された固体撮像装置 10のシートを チップ単位にカットする(ステップ S28)。ここでは、ダイシングソーを用いて、固体撮 像素子 11と透光性保護板 12とを同時に個々に切断する。
ぐまとめ >
以上のように、本発明の実施例 1、変形例 1、及び変形例 2によれば、受光面側の 入出力線と受光面の裏の面側の外部接続用電極とが電気的に接続されるので、外 部回路基板からの電源入力や制御信号入力等の入力を受光面の裏の面側の外部 接続用電極から受け付けて導電体を介して受光面側の入出力線に伝えることにより 固体撮像素子を駆動し、固体撮像素子からの画像信号等の出力を受光面側の入出 力線を経由して導電体を介して受光面の裏の面側の外部接続用電極から出力して 外部回路基板に伝えることができる。
[0096] よって、透光性保護板の面積を受光チップの面積と同等もしくは以下にすることが でき、本発明の固体撮像装置を実装するカメラの小型化及び軽量化に寄与すること ができる。
また、本発明の実施例 1、変形例 1、及び変形例 2によれば、受光チップと透光性保 護板との間隔を従来よりも狭くすることができ、面積が従来よりも減少する上記効果と 相乗して、本発明の固体撮像装置を実装するカメラの小型化及び軽量化に寄与する こと力 Sできる。
[0097] また以上のように、本発明の実施例 1、変形例 1、及び変形例 2によれば、固体撮像 装置の面積が受光チップの面積よりも大きくならず、生産過程において、ウェハーを 製造しチップにカットする前に、ウェハーの状態のままで透光性保護板をまとめて取り 付け、その後でチップにカットするので、従来に較べて格段に生産性に優れる。 また、受光領域における透光性保護板との間隔が、透光性保護板及び受光チップ の形状の精度に依存するので、この間隔にばらつきが生じにくくなり生産性に優れる 実施例 2
[0098] ぐ構成 >
図 16 (a)は、本発明の実施例 2における固体撮像装置 60を示す平面図である。 図 16 (b)は、図 16 (a)における A— A'の断面を示す図である。
図 16 (a)及び (b)に示すように、実施例 2の固体撮像装置 60は、固体撮像素子 61
、透光性保護板 62、及び封止材 63から構成される。
[0099] 固体撮像素子 61は、例えば CCDチップや MOSチップ等の受光チップであり、ベ ース基板 64、電極 65、及び集光レンズ 66を備える。 ベース基板 64の第 1の主表面(図 16 (b)においては上面、以下「受光面」と言う)は 、 1画素に相当する受光セルが 1次元、又は 2次元状に複数個配列されている受光 領域 68と、当該受光領域の外周に配置され受光セル以外の回路が集積されている 外周領域 69とからなる。本実施例では、受光領域には 2次元状に 30万画素分の受 光セルが配列されてレ、るものとする。
[0100] また受光面には、電源入力線、各制御信号の入力線、及び画像信号の出力線等 の複数の入出力線が配線されている。
ベース基板 64は、通常シリコン製の半導体基板であり、電極 65、及び入出力線と 接触する部分等が、酸化シリコンゃ窒化シリコン等の絶縁材料で覆われている。 電極 65は、ベース基板 64の受光面の外周領域 69に形成された外部接続用電極 であり、それぞれ入出力線のうちの 1つと電気的に接続されており、固体撮像装置 60 を回路基板に実装する際に、回路基板上の対応する各端子と接続する為に利用さ れる。
[0101] 集光レンズ 66は、受光領域 68上に配置され、受光領域 68上に投影された被写体 像を、受光セル単位で集光するものであり、受光感度を高める役割がある。
ここで電極 65の数は、受光面に配線されている入出力線と同数であり、本実施例 では共に 20個とする。
透光性保護板 62は、例えばガラスあるいはアクリル樹脂等の入射光の光学的特性 を著しく変化させずに透過するものであり、受光セルの全てを覆い、かつ電極 65を覆 わない状態で架設され、固体撮像素子 61の受光領域 68及び集光レンズ 66を外界 力 の物理的損傷を受けない様に保護しかつ塵埃力 守る役割がある。なお、透光 性保護板 62の面積は固体撮像素子 61の面積より小さい。
[0102] 封止材 63は、外周領域 69において、ベース基板 64と透光性保護板 62とを固定す る。
ここで、透光性保護板 62が外周にスカート部を有し、透光性保護板 62の受光領域 68を覆う部分が外周領域 69を覆う部分に較べて凹んでおり、外周領域 69に透光性 保護板 62のスカート部が位置して封止材 63により受光セルを気密封止するカ 又は 、固体撮像素子 61が外周領域 69上にリブ部を有し、外周領域 69が受光領域 68に 較べて隆起しており、固体撮像素子 61のリブ部に透光性保護板 62の外周が位置し て封止材 63により受光セルを気密封止し、集光レンズ 66と透光性保護板 62との間 に空隙 70を形成する。
[0103] また空隙 70の特徴については、実施例 1の空隙 20と同様であるので、その説明を 省略する。
また、空隙 70における集光レンズ 66と透光性保護板 62との間の間隔につレ、ては、 実施例 1の空隙 20における集光レンズ 16と透光性保護板 12との間の間隔と同様で あるので、その説明を省略する。
[0104] 結像レンズ (図示せず)により形成された被写体像は、透光性保護板 62、及び空隙 70を透過して受光領域 68上に投影され、集光レンズ 66により集光されて、各受光セ ルが当該被写体像を光電変換することにより、固体撮像素子 61は画像信号を出力 すること力 Sできる。
<生産方法 1 >
図 17は、透光性保護板 62のスカート部をメツキ加工により形成する場合における 固体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
[0105] 以下に、図 17を用いて固体撮像装置 60の生産方法の概略を説明する。
(1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する (ス テツプ S41)。
ここでステップ S41のウェハ準備工程により固体撮像素子 61のシートが生成される
[0106] (2)保護板準備工程において、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等の平板のシ ート上のそれぞれの外周部分に、メツキ工法により金属のスカート部を形成する(ステ ップ S42)。
ここでステップ S42の保護板準備工程により 1個当たりの面積が固体撮像素子 61、 1個の面積以下である複数の透光性保護板からなる透光性保護板 62のシートが生 成される。
[0107] (3)第 1切断工程において、ステップ S42の保護板準備工程により生成された透光 性保護板 62のシートをチップ単位にカットする(ステップ S43)。 (4)架設工程において、ステップ S41により生成された固体撮像素子 61のシートの それぞれの固体撮像素子 61上に、ステップ S42により生成された透光性保護板 62 を架設する (ステップ S44)。
[0108] ここでステップ S44により固体撮像装置 60のシートが生成される。
(5)第 2切断工程において、ステップ S44により生成された固体撮像装置 60のシー トをチップ単位にカットする(ステップ S45)。
<生産方法 2 >
図 18は、透光性保護板 62のスカート部をアクリル樹脂等をプレス加工することによ り形成する場合における固体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
[0109] 以下に、図 18を用いて固体撮像装置 60の生産方法の概略を説明する。
(1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する (ス テツプ S51)。
ここでステップ S51のウェハ準備工程により固体撮像素子 61のシートが生成される
[0110] (2)保護板準備工程において、アクリル樹脂等のシートをプレス加工することにより スカート部を形成して、それぞれの外周部分が中央部分よりも厚ぐ 1個当たりの面積 が固体撮像素子 61、 1個の面積以下である複数の透光性保護板からなる透光性保 護板 62のシートを生成する(ステップ S52)。
(3)第 1切断工程において、ステップ S52の保護板準備工程により生成された透光 性保護板 62のシートをチップ単位にカットする(ステップ S53)。
[0111] (4)架設工程において、ステップ S51により生成された固体撮像素子 61のシートの それぞれの固体撮像素子 61上に、ステップ S52により生成された透光性保護板 62 を架設する (ステップ S 54)。
ここでステップ S54により固体撮像装置 60のシートが生成される。
(5)第 2切断工程において、ステップ S54により生成された固体撮像装置 60のシー トをチップ単位にカットする(ステップ S55)。
[0112] <生産方法 3 >
図 19は、固体撮像素子 61のリブ部を拡散工程において形成する場合における固 体撮像装置 60の生産方法の概略を示す図である。
以下に、図 19を用いて固体撮像装置 60の生産方法の概略を説明する。 (1)半導体ウェハを拡散工程にてカ卩ェし、固体撮像素子用のウェハを製造する。
[0113] ここで、拡散工程において、ベース基板 64のそれぞれの外周部分の電極 65の内 側に、窒化膜や酸化膜等の保護膜と同様の材質によりリブ部を形成して、それぞれ の外周部分を中央部分よりも厚くする (ステップ S61)。
ここでステップ S61のウェハ準備工程により固体撮像素子 61のシートが生成される
[0114] (2)保護板準備工程において、平板状のガラスあるいはアクリル樹脂等により 1個 当たりの面積が固体撮像素子 61、 1個の面積以下である複数の透光性保護板から なる透光性保護板 62のシートを形成する (ステップ S62)。
(3)第 1切断工程において、ステップ S62の保護板準備工程により生成された透光 性保護板 62のシートをチップ単位にカットする(ステップ S63)。
[0115] (4)架設工程において、ステップ S61により生成された固体撮像素子 61のシートの それぞれの固体撮像素子 61上に、ステップ S62により生成された透光性保護板 62 を架設する (ステップ S64)。
ここでステップ S64により固体撮像装置 60のシートが生成される。
(5)第 2切断工程において、ステップ S64により生成された固体撮像装置 60のシー トをチップ単位にカットする(ステップ S65)。
[0116] <まとめ >
以上のように、本発明の実施例 2によれば、固体撮像装置の面積が受光チップの 面積よりも大きくならず、生産過程において、ウェハーを製造しチップにカットする前 に、ウェハーの状態のままで透光性保護板をそれぞれ取り付け、その後でチップに力 ットするので、従来に較べて格段に生産性に優れる。
[0117] また、受光領域における透光性保護板との間隔が、透光性保護板及び受光チップ の形状の精度に依存するので、この間隔にばらつきが生じにくくなり生産性に優れる 実施例 3 [0118] 図 20は、実施例 3に係る固体撮像装置 302の概略構成を示す斜視図である。 固体撮像装置 302は、略方形板状をした固体撮像素子 304と、固体撮像素子 304 よりも一回り小さな面積の略方形板状をした透光性保護板 306とを有する。
固体撮像素子 304は、シリコン基板を用い半導体プロセスによって作製されている 受光チップである。本実施例では、 M〇S型イメージセンサチップを例にして説明す る。なお、固体撮像素子 304には、従来一般に製造されている MOS型イメージセン サチップを用いることができる。
[0119] 透光性保護板 306は、透光性を有する合成樹脂(例えば、アクリル)で形成されて いる。なお、透光性保護板 306には、アクリルに限らず、他の合成樹脂や、あるいは、 ガラスを用いることができる。要は、入射光の光学的特性を著しく変化させてしまうよう な材料以外の材料であって、透光性を有するものであればよいのである。透光性保 護板 306は、その上面(固体撮像素子 304とは反対側の主面)に、外部と信号のやり とりをするための端子パッド (入力端子パッドまたは出力端子パッド) 308を複数個有 している。端子パッド 308は、金 (Au)で形成されている。なお、端子パッドはアルミ二 ゥム (A1)で形成することとしても良レ、。
[0120] 図 21に固体撮像素子 304の概略構成を表す斜視図を示す。
固体撮像素子 304は、その上面 (透光性保護板 306と対向する面)の中央部に、受 光部 310を有している。受光部 310は、フォトダイオードと垂直スィッチ(MOS型トラ ンジスタ)とからなる画素(不図示)が 2次元状に多数ならんでなるものである。また、 画素(フォトダイオード)毎に、集光器としてマイクロレンズ (不図示)が付加されてレ、る
[0121] さらに、固体撮像素子 304は、受光部 310の外周に形成された垂直走查回路部 30 9、水平走查回路部 311、タイミング発生回路部 313等(以下、これら回路部を合わ せてレ、う場合には「外周回路部 315」と称する。 )を有してレ、る。
そして、タイミング発生回路部 313の発生するタイミング信号に従い垂直走查回路 部 309が 1行分の垂直スィッチをオンすることにより、フォトダイオードに蓄積された電 荷の内当該 1行分の電荷を水平走查回路部 311へ送る。水平走查回路部 311は、 水平シフトレジスタ(不図示)を有しており、送られてきた電荷を、後述する電極 314を 介して 1画素ずつ順次水平転送して外部へ出力する。これを各行について繰り返し、 すべての行電荷の転送によって 1フレーム分の画素電荷を出力する。
[0122] 固体撮像素子 304は、外周回路部 315を動作させる入力信号電圧を印加するため 、または、光電変換により得られた電荷(出力信号電圧)を取り出すための複数の電 極 314が前記受光部 310の外周に形成されている。
図 22に、固体撮像装置 302の平面図を、図 23に、図 22における Α·Α線断面図を それぞれ示す。
[0123] なお、図 22において、二点鎖線で囲んだ領域は前記受光部 310が形成されている 領域である(以下、当該領域を「受光領域 312」と称する。)。各端子パッド 308は、前 記各電極 314 (図 21)に対応して、その直上 (透光性保護板 306を介して各電極 31 4と対向する位置)に形成されている。また、各端子パッド 308は、図 22から分かるよ うに、透光性保護板 306の外周(4辺)に沿い、受光領域 312への光の進入を妨げな レ、位置 (領域)に形成されてレ、る。
[0124] 透光性保護板 306は、図 23に示すように、受光部 310と透光性保護板 306との間 であって、受光部 310の受光面に垂直な方向(光の進入方向)に空隙を形成するた めの凹部 316を有する。当該凹部 316は、上記マイクロレンズよりも光の屈折率の小 さい空気の層を受光部 310周辺に創出することにより、マイクロレンズの集光機能を 効果的に発揮させることを目的として形成されている。
[0125] また、上記凹部 316を設けた結果、透光性保護板 306には方形の枠部 318が形成 されている。図 23における Β部拡大図、すなわち、枠部 318およびその周辺の拡大 図を図 24に示す。
図 24に示すように、枠部 318において、各端子パッド 308と対向する透光性保護 板 306の下面には、当該端子パッド 308と同様のパターン形状をした導電パッド 320 が形成されている。各導電パッド 320は対応する電極 314と電気的に接続されている 。また、枠部 318において、各端子パッド 308と対応する導電パッド 320間を連絡す るように、透光性保護板 306の上下両面を貫通する孔 322が開設されている。孔 32 2の側壁には、導電性膜 324が付着されていて、当該孔 322と導電性膜 324とでス ルーホール 325が構成されてレ、る。導電性膜 324の上端は端子パッド 308と接続さ れており、下端は導電パッド 320と接続されている。したがって、電極 314は、導電パ ッド 320と導電性膜 324からなる導電部材を介して端子パッド 308と電気的に接続さ れることとなる。これにより、上記外周回路部 315 (図 21)への入力信号の印加または 出力信号の取り出しが、端子パッド 308を介して行えることとなる。なお、スルーホー ノレ 325の空隙に絶縁材料を充填することとしても構わない。
[0126] 透光性保護板 306の枠部 318下面とこれと対向する固体撮像素子 304の上面部 分との間は、接着剤を硬化してなる接着層 326で封着されており、これによつて、受 光部 310が気密封止されている。
以上説明したように、実施例 3に係る固体撮像装置 302は、固体撮像素子 304の 主面とほぼ同じ面積の主面を有する透光性保護板 306によって受光部 310を気密 封止すると共に、透光性保護板 306の固体撮像素子 304とは反対側の主面上に固 体撮像素子 304の電極と電気的に接続された端子パッド 308を形成する構成として いる。したがって、固体撮像装置 302の縦 X横寸法を、ほぼ固体撮像素子 304 (セン サーチップ)の寸法に抑制できると共に、その厚みも、ほぼ固体撮像素子 304の厚み に透光性保護板 306の厚みをカ卩えた厚みとすることが可能となる。その結果、従来の 固体撮像装置よりも格段に小型化が図られることとなる。
[0127] なお、上記した形態では、孔 322の側壁に導電性膜 324を付着させてスルーホー ノレ 325を構成することとした力 これに限らず、例えば、図 25に示すようにしても構わ なレ、。すなわち、孔 322に導電性材料 332を充填してスルーホール 334を構成する こととしてもよレ、。この場合は、端子パッド 336および導電パッド 338は、完全な方形 状とすることができる。なお、導電性材料 332としては、例えば、シルバーペイントを 用いることができる。
[0128] 次に、上記の構成からなる固体撮像装置 302の製造方法について、図 26、図 27を 参照しながら説明する。
図 26 (a)は、固体撮像素子 304が縦横に整然と配列されて形成されたウェハ 328 の概略を示す平面図である。なお、ウェハ 328には、従来一般に製造されているもの 、すなわち、シリコン基板からなるベース基板上の一方の主表面に、受光部 310、外 周回路部 315、電極 314等が半導体プロセスによって形成され、個々の固体撮像素 子 304が連結されたダイシング直前状態のものを用いることができる。図 26 (b)は、 透光性保護板 6が同一平面上に複数枚連結されてなる透光性保護板連結体 330の 概略構成を示す平面図である。透光性保護板連結体 330における、透光性保護板 3 06の配歹 1Jは、上記ウェハ 328における固体撮像素子 304の配列に合致させている。
[0129] 上記ウェハ 328と上記透光性保護板連結体 330とを用いる固体撮像装置 302の製 造方法について、図 27に示す工程図を参照しながら説明する。
先ず、透光性保護板連結体 330の製造方法について説明する。
樹脂シート(不図示)を準備し、当該樹脂シートを加熱して軟化させたのち、プレス 加工によって、各凹部 316 (図 23参照)を形成する(工程 P2)。プレス加工には、上 型と下型とからなる一対の金型を用いる。下型は、上記凹部 316に合致する凸部が 縦横に配列されてなる型とし、上型は、平坦面を有する型として、軟化した樹脂シート を、当該上下の型で挟圧することにより当該プレス加工がなされる。
[0130] 次に、各孔 322 (図 24参照)を開設する(工程 P4)。当該孔 322の開設には、例え ば、ダイスとポンチによるパンチンダカ卩ェを用いることができる。あるいは、サンドブラ スト法を用いることもできる。すなわち、孔 322の開設予定領域だけを露出させる保護 板を、上記凹部の形成された樹脂シートの上面(凹部と反対側の面)に密着させて配 置し、当該孔 322の開設予定領域に向けて硬質粒子を吹き付けることにより穿孔す るのである。
[0131] 続いて、上記孔 322並びに電極 314および導電パッド 320 (図 24参照)の形成予 定部以外の領域をマスキングした後、メツキ法によって、金 (Au)又はアルミニウム (A 1)の膜の付着させて、導電性膜 324、電極 314、および導電パッド 320を形成する( 工程 P6)。マスク上に付着した金 (Au)又はアルミニウム (A1)の膜は、次工程に行く 前に、当該マスクと共に除去される。工程 P6によりスルーホール 325 (図 24参照)が 形成される。なお、スルーホールを図 25に示したスルーホール 334とする場合には、 工程 P6に先立ち、孔 322にペースト状をした導電性材料を注入した後、当該導電性 材料を硬化させて前記導電性材料 332を形成する工程を揷入することとなる。
[0132] 以上の工程 P2 P6によって、上記透光性保護板連結体 330 (図 26 (b) )が完成 する。なお、図 26 (b)では表していなレ、が、透光性保護板連結体 330の周囲には、 前記樹脂シートの残余の部分が連なった状態で存在している。
透光性保護板連結体 330の枠部 318 (図 24参照)下面(凹部 316形成側面)に接 着剤を塗布した(工程 P8)後、当該透光性保護板連結体 330を前記ウェハ 328に重 ねて押圧し、当該枠部 318下面をウェハ 328に密着させる(工程 P12)。このとき、導 電パッド 320 (図 24参照)は、接着剤をその周囲に排除することとなり、当該導電パッ ド 320と電極 314とが接触されることとなる。なお、接着剤は、透光性保護板連結体 3 30側ではなぐウェハ 328側に塗布するようにしても構わなレ、。この場合には、ウェハ 328に透光性保護板連結体 330を各固体撮像素子 304に対応する透光性保護板 3 06が重なるように重ねた際に、枠部 318が対向する領域に、スクリーン印刷法によつ て接着剤を塗布することとする。また、透光性保護板連結体 330とウェハ 328の貼着 に際しては、各導電パッド 320と対応する電極 314との間にバンプを介在させることと しても構わない。あるいは、透光性保護板連結体 330とウェハ 328の両方に接着剤 を塗布することとしても構わなレ、。
[0133] そして、接着剤が硬化するのを待って、透光性保護板連結体 330が貼着されたゥ ェハ 328を、当該透光性保護板連結体 330ごとダイシングにより個片に分離して(ェ 程 P14)、固体撮像装置 302 (図 20参照)が完成する。
実施例 4
[0134] 実施例 4に係る固体撮像装置は、透光性保護板上の端子パッドと導電パッドとの間 の接続態様が異なる他は、基本的に実施例 3の固体撮像装置 302と同様の構成をし ている。したがって、共通の構成部分には実施例 3と同じ符号を付してその説明は省 略するか簡略にするにとどめ、上記接続態様を中心に説明する。
図 28は、実施例 4に係る固体撮像装置 350の平面図であり、図 29は、図 28におけ る D' D線断面図である。
[0135] 図 28に示すように、固体撮像装置 350においても、透光性保護板 352上面の、固 体撮像素子 304の受光領域 312への光の進入を妨げない領域に端子パッド 354が 複数個形成されている。なお、端子パッド 354の形成位置は、実施例 3の端子パッド 308 (図 22参照)の形成位置と同様である。
また、図 29に示すように、透光性保護板 352の枠部 356下面における各端子パッ ド 354と対向する位置には、電極 314と接続された導電パッド 358が形成されている 。なお、導電パッド 358の形状は、端子パッド 354と同様である。
[0136] 図 30に、透光性保護板 352の端子パッド 354、導電パッド 358の形成位置におけ る断面図を示す。図 30に示すように、透光性保護板 352の一方の主面から側面を経 由して他方の主面に至る表面に導電部材である導電性膜 360が形成されている。導 電性膜 360の一端側は端子パッド 354と接続されており、他端側は導電パッド 358と 接続されている。これにより、端子パッド 354と導電パッド 358とが電気的に接続され ることとなる。導電性膜 360は、金 (Au)またはアルミニウム (A1)などからなり、メツキ によって形成することができる。
[0137] 実施例 3に係る固体撮像装置 302、実施例 4に係る固体撮像装置 350は、いずれ も、デジタルカメラ等の撮影機器の構成部品として、当該機器内に配されるプリント配 線板に実装されて使用される。
図 31に、固体撮像装置 302 (350)の実装される部分のプリント配線板 370の斜視 図を示す。プリント配線板 370は、固体撮像装置 302 (350)の端子パッド 308 (354) の配列と合致した配列をしたランド 372を有する。ランド 372の配された内側には、方 形の窓 374が開設されている。そして、各端子パッド 308 (354)と対応するランド 372 とがバンプ (不図示)を介して直接接合されるフリップチップ実装によって、固体撮像 装置 302 (350)がプリント配線板 370に搭載される。なお、この他には、フリップチッ プ実装の一種である、 ACF (異方性導電膜)を用いた ACF実装によっても構わなレヽ
[0138] プリント配線板 370に実装された状態で、固体撮像装置 302 (350)の前方 (紙面に 対して左側)には、カメラレンズ(図 31では不図示)が設けられており、当該カメラレン ズからの光が上記窓 374を通過して、固体撮像装置 302 (350)に入射し、撮影が行 われることとなる。
このように、本実施例に係る固体撮像装置 302 (350)によれば、プリント配線板 37 0への実装スペースも、縦 X横寸法が、ほぼ固体撮像素子 304 (センサーチップ)の 寸法に抑制できると共に、その高さが、ほぼ固体撮像素子 304の厚みに透光性保護 板 306 (352)の厚みをカ卩えた厚みとすることが可能となる。その結果、従来の固体撮 像装置を用いた場合よりも一層、撮影機器の小型化に寄与することができる。
[0139] また、本実施例に係る固体撮像装置 302 (350)によれば、カメラレンズの光軸方向 における撮影機器の小型化 (薄型化)も図ることができる。すなわち、図 2に示した従 来の固体撮像装置 200を用いた場合には、カメラレンズの焦点距離 (カメラレンズと 固体撮像素子の受光面との間)外にプリント配線板が配置されるのに対して、本実施 例に係る固体撮像装置 302 (350)を用いた場合には、カメラレンズの焦点距離内に プリント配線板を配置することが可能となるからである。特に、本実施例に係る固体撮 像装置 302 (350)を、カメラレンズの光軸方向に撮影機器の厚みを有するカメラ付き 携帯電話に用いることで、当該カメラ付き携帯電話の薄型化に大きく貢献することと なる。
[0140] さらに、本実施例に係る固体撮像装置 302 (350)によれば、図 2に示した従来の固 体撮像装置 200よりも、固体撮像素子の受光面とカメラレンズとの間の位置精度が向 上する。すなわち、両技術ともプリント配線板を基準にカメラレンズと固体撮像装置の 位置合わせがなされる。この際、従来の固体撮像装置 200においては、 CCDチップ (固体撮像素子) 230とプリント配線板との間には、ベース部 210とリードフレーム 240 の 2個の部材が介在し、当該 2個の部材の製作誤差およびこれら部品相互間の取付 誤差が累積されて上記位置精度に影響を及ぼす。これに対し、実施例に係る固体撮 像装置 302 (350)の場合には、固体撮像素子 304とプリント配線板との間には透光 性保護板 306 (352)の 1個の部材しか介在しないので、上記した製作誤差および取 付誤差の累積が、従来の固体撮像装置 200と比べて少なくなるからである。
[0141] 図 32は、固体撮像装置 302 (350)を使用したデジタルカメラ 380の概略構成を示 すブロック図を示す。カメラレンズ 382によって被写体の像が固体撮像装置 302 (35 0)の受光部 310の受光面に結像する。固体撮像装置 302 (350)は、結像画像を画 素毎に光電変換し、電荷を 1画素ずつ、 AZDコンバータ 384へ出力する。 A/Dコ ンバータ 384は、固体撮像装置 302 (350)から入力される電荷を 1画素ずつデジタ ルデータに変換して、 CPU386経由で DSP (デジタルシグナルプロセッサ) 388へ出 力する。 DSP388は、入力されるデジタルデータに色調補正や解像度変換などの画 像処理を施し、デジタル画像として、 CPU386へ出力し、 CPU386は、当該デジタ ル画像を一次的にワークメモリ 390に格納する。ワークメモリ 390に格納されたデジタ ル画像は、 DCT (離散コサイン変換)チップ 392において圧縮された上で、記録用メ モリ 394に格納される。なお、 CPU386は、図 32に示すシステム全体を統合的に制 御する。
[0142] 以上、本発明を実施例に基づいて説明してきた力 本発明は上記した形態のもの に限らないことは勿論であり、例えば、以下のような形態とすることも可能である。
(1)上記実施例では、固体撮像素子として、 MOS型イメージ 'センサチップを用いた 例を示したが、本発明は、 MOS型イメージ 'センサチップに限らず、例えば、 CCDィ メージ ·センサチップを用いた場合にも適用可能である。また、本発明の適用は、リニ ァ'イメージ.センサであるとエリア 'イメージ.センサであると問わない。
(2)また、本発明に係る撮影機器は、デジタルカメラに限らず、カメラ付き携帯電話な どあらゆる撮影機器、すなわち、およそ固体撮像装置を用いて撮影する構成とした機 器に適用可能である。
産業上の利用可能性
[0143] 本発明は、家庭用ビデオカメラやデジタルスチルカメラ及びカメラ付き携帯電話な どの撮像機器に適用することができる。本発明によって、従来よりも面積、及び体積 が小さく軽量な固体撮像装置を提供することができ、カメラの小型化及び軽量化に寄 与すること力 Sできる。
また、本発明によって、従来に較べて格段に生産性に優れる固体撮像装置を提供 することができ、カメラの低価格化に寄与することができる。
[0144] よって、その産業的利用価値は極めて高い。
また、家庭用だけでなくあらゆるカメラに適用することができる。
なお、本実施例では受光領域には 2次元状に受光セルが配列されているものとした 力 ラインセンサ等のように 1次元状に受光セルが配列されているものであってもよい

Claims

請求の範囲
[1] 複数の受光セルがベース基板の一方の主表面に 1次元、又は 2次元状に配列されて なる受光チップと、透光性保護板とを備える固体撮像装置であって、
前記透光性保護板は、前記複数の受光セルを覆う状態で前記主表面上に架設さ れ、
前記透光性保護板の面積が、前記受光チップの面積以下であり、前記受光セルと 前記透光性保護板との間には空隙があること
を特徴とする固体撮像装置。
[2] 前記受光チップは、
前記複数の受光セルが配列されている側の第 1の主表面に配線されている複数の 入出力線と、
前記複数の受光セルが配列されていない側の第 2の主表面に形成された複数の 外部接続用電極と、
前記入出力線のうちの 1つと、前記外部接続用電極のうちの 1つとを電気的に接続 し、かつ、互いに絶縁されている複数の導電手段とを含むこと
を特徴とする請求項 1に記載の固体撮像装置。
[3] 前記導電手段は、
ベース基板に形成されたスルーホールであること
を特徴とする請求項 2に記載の固体撮像装置。
[4] 前記複数の外部接続用電極は、それぞれ、
前記第 2の主表面の、対応するスルーホール上に形成されていること
を特徴とする請求項 3に記載の固体撮像装置。
[5] 前記導電手段は、
ベース基板の側面に形成された配線パターンであること
を特徴とする請求項 2に記載の固体撮像装置。
[6] 前記受光チップは、
前記複数の受光セルが配列されている側の第 1の主表面に配線されている複数の 入出力線と、 前記複数の受光セルが配列されていない側の第 2の主表面に形成された複数の 外部接続用電極と、
前記入出力線のうちの 1つと、前記外部接続用電極のうちの 1つとを電気的に接続 し、かつ、互いに絶縁されている複数の導電手段と、
前記受光領域上に配置された集光レンズとを含み、
前記空隙は集光レンズと透光性保護板との間にあり、当該空隙における屈折率が 、当該集光レンズの屈折率よりも小さいこと
を特徴とする請求項 1に記載の固体撮像装置。
[7] 前記第 1の主表面は、前記受光セルが複数個配列されている受光領域と、当該受光 領域を囲繞する外周領域とからなり、
当該固体撮像装置は、さらに、
前記外周領域に、前記ベース基板と前記透光性保護板とを固定する封止材を備え 前記ベース基板と、前記透光性保護板と、封止材とによって、前記空隙を気密封止 していること
を特徴とする請求項 6に記載の固体撮像装置。
[8] 前記主表面は、前記複数の受光セルが位置する受光領域と、当該受光領域を囲繞 する外周領域とからなり、
前記透光性保護板は、外周にスカート部を有し、
前記外周領域に、前記スカート部が位置して、前記受光セルを気密封止し、前記 受光セルと前記透光性保護板との間に空間が形成されていること
を特徴とする請求項 1記載の固体撮像装置。
[9] 前記透光性保護板は、
平板状のガラス又は樹脂の外周部分に、メツキ工法により金属のスカート部が形成 されたものであること
を特徴とする請求項 8に記載の固体撮像装置。
[10] 前記透光性保護板は、
平板状の樹脂をプレスすることにより、スカート部が形成されたものであること を特徴とする請求項 8に記載の固体撮像装置。
[11] 前記主表面は、前記複数の受光セルが位置する受光領域と、当該受光領域を囲繞 する外周領域とからなり、
前記受光チップは、
前記外周領域に環状のリブ部を有し、
前記リブ部に、前記透光性保護板の外周が位置して、前記受光セルを気密封止し 、前記受光セルと前記透光性保護板との間に空間が形成されていること
を特徴とする請求項 1に記載の固体撮像装置。
[12] 前記受光チップは、
前記外周領域に、保護膜と同一の材質の絶縁物によりリブ部が形成されたものであ ること
を特徴とする請求項 11に記載の固体撮像装置。
[13] 当該固体撮像装置は、
生産過程において、半導体ウェハの状態の複数の受光チップの全てに、それぞれ 透光性保護板が架設された後で、個々に切断されたものであること
を特徴とする請求項 1に記載の固体撮像装置。
[14] 当該固体撮像装置は、
生産過程において、受光チップと透光性保護板とが同時に切断されたものであるこ と
を特徴とする請求項 13に記載の固体撮像装置。
[15] 前記主表面は、中央部に受光領域を有し、前記受光領域の外周に複数の電極を有 し、
前記透光性保護板は、
前記受光チップ側でない前記主表面とは異なるもう一方の主表面に形成された複 数の端子パッドと、
前記電極のうちの 1つと、前記端子パッドのうちの 1つとを電気的に接続し、かつ、 互いに絶縁されてレ、る複数の導電部材とを含むこと
を特徴とする請求項 1記載の固体撮像装置。
[16] 前記透光性保護板は、前記受光領域への光の進入を妨げない領域に開設された
、両主面間を貫通する複数の孔を有し、
前記導電性部材は、その一部が対応する前記孔を経由する形で配されていること を特徴とする請求項 15記載の固体撮像装置。
[17] 前記各孔の側壁には導電性膜が付着されており、当該導電性膜が前記導電部材 の一部を構成していることを特徴とする請求項 16記載の固体撮像装置。
[18] 前記各孔には導電性材料が充填されており、当該導電性材料が前記導電部材の 一部を構成していることを特徴とする請求項 16記載の固体撮像装置。
[19] 前記導電部材は、前記透光性保護板の一方の主面から側面を経由して他方の主 面に至る表面に付着された導電性膜によって構成されていることを特徴とする請求 項 15記載の固体撮像装置。
[20] 請求項 1、 2、 6、 8、 11、 13、 15のいずれ力、 1項に記載の固体撮像装置を備える力 メラ。
[21] 前記固体撮像装置の前記端子の配列に合致した配列のランドを有するプリント配 ' 板を備え、
前記端子の各々が対応する前記ランドと直接接合されるフリップチップ実装によつ て、前記固体撮像装置が前記プリント配線板に搭載されていることを特徴とする請求 項 1に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。
[22] 複数の受光セルが、ベース基板の第 1の主表面に、 1次元、又は 2次元状に複数個 酉己列されてなる受光チップであって、
前記第 1の主表面に配線されている複数の入出力線と、
ベース基板の第 2の主表面に形成された複数の外部接続用電極と、
前記入出力線のうちの 1つと、前記外部接続用電極のうちの 1つとを電気的に接続 し、かつ、互いに絶縁されている複数の導電手段と
を備えることを特徴とする受光チップ。
[23] 前記導電手段は、
ベース基板に形成されたスルーホールであること
を特徴とする請求項 22に記載の受光チップ。
[24] 前記複数の外部接続用電極は、それぞれ、
前記第 2の主表面の、対応するスルーホール上に形成されていること
を特徴とする請求項 23に記載の受光チップ。
[25] 前記導電手段は、
ベース基板の側面に形成された配線パターンであること
を特徴とする請求項 22に記載の受光チップ。
[26] 複数の受光セルがベース基板の主表面に 1次元、又は 2次元状に配列されてなる受 光チップと、透光性保護板とを備える固体撮像装置の生産方法であって、
1個当たりの面積が、前記受光チップ 1個の面積以下である複数の透光性保護板 を準備する保護板準備工程と、
半導体ウェハの状態の複数の受光チップのそれぞれの上に、準備した複数の透光 性保護板を、それぞれの受光セルを覆う状態で架設する架設工程と、
半導体ウェハの状態の複数の受光チップの全てに、それぞれ透光性保護板を架設 した後で、個々に切断する切断工程とを有すること
を特徴とする固体撮像装置の生産方法。
[27] 前記主表面は、前記複数の受光セルが位置する受光領域と、当該受光領域を囲繞 する外周領域とからなり、
前記保護板準備工程は、
それぞれの外周にスカート部を有する透光性保護板を準備し、
前記架設工程は、
前記外周領域に、前記スカート部を位置させて、前記受光セルを気密封止し、前記 受光セルと前記透光性保護板との間に空間を形成すること
を特徴とする請求項 26に記載の固体撮像装置の生産方法。
[28] 前記保護板準備工程は、
平板状のガラス又は樹脂の外周部分に、メツキ工法により金属のスカート部を形成 すること
を特徴とする請求項 27に記載の固体撮像装置の生産方法。
[29] 前記保護板準備工程は、 平板状の樹脂をプレスすることにより、スカート部を形成すること
を特徴とする請求項 27に記載の固体撮像装置の生産方法。
[30] 前記主表面は、前記複数の受光セルが位置する受光領域と、当該受光領域を囲繞 する外周領域とからなり、
当該固体撮像装置の生産方法は、さらに、
半導体ウェハの状態の、前記外周領域に環状のリブ部を有する複数の受光チップ を準備するウェハ準備工程を有し、
前記架設工程は、
前記リブ部に、前記透光性保護板の外周を位置させて、前記受光セルを気密封止 し、前記受光セルと前記透光性保護板との間に空間を形成すること
を特徴とする請求項 26に記載の固体撮像装置の生産方法。
[31] 前記ウェハ準備工程は、
前記外周領域に、保護膜と同一の材質の絶縁物によりリブ部を形成すること を特徴とする請求項 30に記載の固体撮像装置の生産方法。
[32] 前記保護板準備工程は、
複数の透光性保護板が連結した状態のシートを準備し、
前記架設工程は、
半導体ウェハの状態の複数の受光チップの上に、透光性保護板のシートを架設し 前記切断工程は、
受光チップと透光性保護板とを同時に切断すること
を特徴とする請求項 26に記載の固体撮像装置の生産方法。
PCT/JP2004/018927 2003-12-18 2004-12-17 固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ WO2005060004A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/583,095 US7859586B2 (en) 2003-12-18 2004-12-17 Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip
JP2005516367A JP4839084B2 (ja) 2003-12-18 2004-12-17 固体撮像装置
EP04807285A EP1699081A4 (en) 2003-12-18 2004-12-17 TUBE-FREE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, CAMERA WITH THE TUBE-FREE IMAGING DEVICE AND LIGHT RECEPTION CHIP
US12/947,423 US8319871B2 (en) 2003-12-18 2010-11-16 Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-421119 2003-12-18
JP2003-421118 2003-12-18
JP2003-421117 2003-12-18
JP2003421118 2003-12-18
JP2003421119 2003-12-18
JP2003421117 2003-12-18

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/583,095 A-371-Of-International US7859586B2 (en) 2003-12-18 2004-12-17 Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip
US12/947,423 Division US8319871B2 (en) 2003-12-18 2010-11-16 Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005060004A1 true WO2005060004A1 (ja) 2005-06-30

Family

ID=34704869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/018927 WO2005060004A1 (ja) 2003-12-18 2004-12-17 固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7859586B2 (ja)
EP (2) EP1699081A4 (ja)
JP (1) JP4839084B2 (ja)
WO (1) WO2005060004A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007298276A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2014199949A (ja) * 2014-07-01 2014-10-23 オリンパス株式会社 撮像ユニット
WO2017033504A1 (ja) * 2015-08-21 2017-03-02 株式会社フジクラ 光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法
JP2021028979A (ja) * 2015-08-10 2021-02-25 大日本印刷株式会社 インターポーザ基板

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007060632A1 (de) * 2007-12-17 2009-06-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Kappenwafers für einen Sensor
JP5175620B2 (ja) * 2008-05-29 2013-04-03 シャープ株式会社 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
JP5671890B2 (ja) * 2010-08-31 2015-02-18 株式会社ニコン 撮像装置
US9275949B2 (en) * 2011-06-01 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP6791584B2 (ja) * 2017-02-01 2020-11-25 株式会社ディスコ 加工方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326904A (ja) * 1992-05-18 1993-12-10 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Ccd用リッド
JPH0969618A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Sony Corp Ccd固体撮像素子パッケージ及びその封止方法
JPH1174496A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2000286401A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Miyota Kk 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2003116066A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2003303947A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2003347529A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786544A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Casio Comput Co Ltd Ccd素子
JPH10313070A (ja) 1997-05-12 1998-11-24 Sony Corp 固体撮像素子用中空パッケージ
US6534340B1 (en) 1998-11-18 2003-03-18 Analog Devices, Inc. Cover cap for semiconductor wafer devices
EP1041628A3 (en) 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP4298857B2 (ja) 1999-07-16 2009-07-22 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6266197B1 (en) * 1999-12-08 2001-07-24 Amkor Technology, Inc. Molded window array for image sensor packages
JP2002094082A (ja) 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
US6342406B1 (en) 2000-11-15 2002-01-29 Amkor Technology, Inc. Flip chip on glass image sensor package fabrication method
JP2002231918A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP2002231921A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US7074638B2 (en) 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
JP4443865B2 (ja) 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4551638B2 (ja) 2003-08-01 2010-09-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326904A (ja) * 1992-05-18 1993-12-10 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Ccd用リッド
JPH0969618A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Sony Corp Ccd固体撮像素子パッケージ及びその封止方法
JPH1174496A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2000286401A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Miyota Kk 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2003116066A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2003303947A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2003347529A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1699081A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007298276A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2014199949A (ja) * 2014-07-01 2014-10-23 オリンパス株式会社 撮像ユニット
JP2021028979A (ja) * 2015-08-10 2021-02-25 大日本印刷株式会社 インターポーザ基板
JP7095723B2 (ja) 2015-08-10 2022-07-05 大日本印刷株式会社 インターポーザ基板
WO2017033504A1 (ja) * 2015-08-21 2017-03-02 株式会社フジクラ 光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1699081A8 (en) 2007-03-07
JP4839084B2 (ja) 2011-12-14
EP1699081A1 (en) 2006-09-06
EP1981084A2 (en) 2008-10-15
US20070247534A1 (en) 2007-10-25
US8319871B2 (en) 2012-11-27
JPWO2005060004A1 (ja) 2007-12-13
US20110109779A1 (en) 2011-05-12
US7859586B2 (en) 2010-12-28
EP1981084A3 (en) 2009-02-18
EP1699081A4 (en) 2007-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8319871B2 (en) Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip
US6930327B2 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
CN1985379B (zh) 微电子成像器的覆盖物及微电子成像器的晶片级封装方法
JP5175620B2 (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
EP2393116B1 (en) Wafer level image sensor packaging structure and manufacturing method for the same
KR101547091B1 (ko) 반도체 장치
CN109274876B (zh) 感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备
CN109246348B (zh) 镜头模组及其封装方法、电子设备
JP2003198897A (ja) 光モジュール、回路基板及び電子機器
KR20030091389A (ko) 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정
KR20110139648A (ko) 고체 촬상 장치, 전자 기기
JP2004063751A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JP4174247B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP4720120B2 (ja) 半導体イメージセンサ・モジュール
JP5658466B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2004063786A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP4271904B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP4271909B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20110111547A1 (en) Backside-illuminated imaging device and manufacturing method of the same
JP4145619B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4961393B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像素子の製造方法
JP2004063765A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20090315130A1 (en) Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the same
JP2004165240A (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びに固体撮像カメラモジュール及びその製造方法
JP2011077554A (ja) 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480037744.5

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005516367

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004807285

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004807285

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10583095

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10583095

Country of ref document: US