JP6022888B2 - 電子素子搭載用基板および電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子素子、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）型またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型等の撮像素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子が搭載される電子素子搭載用基板および電子装置に関するもの
である。

従来から、ＣＣＤ型またはＣＭＯＳ型等の撮像素子を基体に搭載したデジタルカメラ、光学センサ等に適用される撮像装置が知られている。このような撮像装置として、中央部に開口部が形成されるとともに、下面に凹部が形成され、平面透視で凹部の内側に開口部が位置するようにした基体と、基体の凹部の底面にフリップチップ実装された撮像素子とを備えているものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。基体には、その下面の貫通孔の周囲に接続電極が、外周部に外部端子がそれぞれ配置されている。このような撮像装置は、例えば、貫通孔を介して撮像素子の受光部に入力された光（画像）を撮像素子によって電気信号に変換し、電気信号を基体の接続電極に伝送するものである。

特開2006−201427号公報

しかしながら、例えば携帯性が重視される携帯電話またはデジタルカメラ等の電子機器に用いられる撮像装置では、より一層の低背化が要求されている。これに対して、上述したような従来の撮像装置では、絶縁基体の厚みを薄くして撮像装置の低背化を行おうとした場合に、絶縁基体の厚みが薄いことにより、例えば撮像素子を絶縁基体に実装する場合に絶縁基体に加わる応力によって絶縁基体の開口部およびその周辺が変形し、変形した絶縁基体の開口部が撮像素子に接触して撮像素子を破損させてしまうことがあった。

本発明は、上記従来技術の問題点を鑑み案出されたもので、その目的は、低背化が可能となる電子素子搭載用基板および電子装置を提供することにある。

本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、開口部を有している絶縁基体と、絶縁基体の表面に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置された電子素子接続用の接続電極とを備えている。絶縁基体は、平面透視における開口部の周辺に電子素子が配置される側へ傾斜した傾斜部を有している。また、電子素子搭載用基板は、絶縁基体の表面の電子素子が配置される側に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置された補助層を有している。電子素子は、平面透視で開口部と重なるように配置される。

本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、開口部を有している、電気絶縁性セラミックスから成る絶縁基体と、絶縁基体の表面に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置された電子素子接続用の接続電極とを備えている。絶縁基体は、平面透視における開口部の周辺に電子素子が配置される側へ傾斜した傾斜部を有している。また、電子素子搭載用基板は、絶縁基体の表面の電子素子が配置される側に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置された、電気絶縁性セラミックスまたは金属層の表面を電気絶縁性セラミックスで覆ったものから成る補助層を有している。電子素子は、平面透視で開口部と重なるように配置される。

本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、開口部を有している絶縁基体と、絶縁基体の表面に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置
された電子素子接続用の接続電極とを備えている。絶縁基体は、平面透視における開口部の周辺に電子素子が配置される側へ傾斜した傾斜部を有している。また、電子素子搭載用基板は、絶縁基体の表面の電子素子が配置される側に設けられているとともに平面透視において絶縁基体の開口部の周辺に配置された補助層を有している。電子素子は、平面透視で開口部と重なるように配置される。これらによって、絶縁基体は平面透視における開口部の周辺に電子素子が配置される側へ傾斜した傾斜部を有していて、例えば、電子素子を電子素子搭載用基板に実装する際に電子素子搭載用基板に応力が加わって絶縁基体の開口部およびその周辺が変形した場合であっても、絶縁基体の開口部の周辺に配置された補助層によって絶縁基体の開口部が電子素子に接触しにくいものとなり、電子素子を破損させるのを効果的に防止することが可能となるものである。

本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板を備えていることによって、電子素子の実装信頼性に関して向上されている。

（ａ）は本発明の第１の実施形態における電子装置を示す平面透視図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示された電子装置のＡ−Ａ線における断面を示す縦断面図である。 （ａ）は本発明の第１の実施形態における電子装置の変形例を示す平面透視図であり、（ｂ）は図２（ａ）に示された電子装置のＡ−Ａ線における断面を示す縦断面図である。 本発明の第２の実施形態における電子装置を示す平面透視図である。 （ａ）は本発明の第３の実施形態における電子装置を示す平面透視図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示された電子装置のＡ−Ａ線における断面を示す縦断面図である。

以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図１、図２を参照して本発明の第１の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態における電子装置は、電子素子搭載用基板１と、電子素子搭載用基板１に配置された電子素子１１を有している。

電子素子搭載用基板１は、開口部３を有している絶縁基体２と、絶縁基体２の表面に設けられているとともに平面透視において絶縁基体２の開口部３の周辺に配置された電子素子接続用の接続電極５とを有している。

絶縁基体２は、電子素子１１を重なるように配置する開口部３を有し、例えば、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、またはエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の樹脂（プラスティックス）から成る略四角形の絶縁層を複数上下に積層して形成されている。なお、絶縁基体２は、例えば底面に電子素子１１を搭載するための凹部２ｂを有していてもよい。

絶縁基体２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３），シリカ（ＳｉＯ_２），カルシア（ＣａＯ）およびマグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤および溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することに
よってセラミックグリーンシートを得て、次に、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜きまたはレーザー加工を施すとともに必要に応じて複数枚積層し、高温（約１５００〜１８００℃）で焼成することによって製作される。なお、絶縁基体２の開口部３および凹部２ｂを形成するには、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、絶縁基体２用のセラミックグリーンシートのいくつかに、開口部３用および凹部２ｂ用の貫通孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等により形成しておけばよい。また、絶縁基体２に凹部２ｂを形成する場合は、それぞれのセラミックグリーンシートに凹部２ｂ用の貫通孔が開口部３用の貫通孔よりも大きくなるように形成しておけばよい。

また、絶縁基体２が、例えば樹脂から成る場合は、傾斜部２ａを有する形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等によって成形することによって形成することができる。また、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。この場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって形成することができる。

この絶縁基体２において、平面視で略中央部に開口部３が形成されており、平面透視における開口部３の周辺に電子素子１１が配置される側へ傾斜した傾斜部２ａを有している。傾斜部２ａは、図１、図２に示す例のように、絶縁基体２の開口部３の周辺が電子素子の実装面側へ傾斜するように変形しており、絶縁基板２の厚み方向における傾斜部２ａの高さは１０μｍ〜５０μｍ程度である。また、傾斜部２ａは図１、図２に示す例のように開口部３の周辺の傾斜している箇所を傾斜部２ａとしているが、絶縁基板２の電子素子１１が配置される側の面の全体が、電子素子１１が配置される側へ傾斜している場合においても、傾斜している面を傾斜部２ａとしてもよい。なお、傾斜部２ａは、絶縁基体２がセラミックスから成る場合は、平面視で電子素子搭載用基板１と同形状で開口部３の中心に向かって傾斜しているとともに、例えば空気等の気体が通過できる孔を多数設けた治具の上に、電子素子搭載用基板１となる焼成前のセラミックグリーンシートの積層体を乗せた後、治具の下側を真空ポンプ等を用いて減圧し吸引することで形成することができる。

また絶縁基体２において、絶縁基体２の表面の電子素子１１が配置される側に設けられているとともに平面透視において絶縁基体２の開口部３の周辺に補助層４が形成されている。これにより、例えば、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に電子素子搭載用基板１に応力が加わって絶縁基体の開口部およびその周辺が変形した場合であっても、絶縁基体２の開口部３の周辺に配置された補助層４によって絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくいものとなり、電子素子１１を破損させるのを効果的に防止することが可能となるものである。

なお、平面視において、補助層４は開口部３の周辺に複数配置させていると、絶縁基体２と電子素子１１と間に複数の補助層４を介することとなり、絶縁基体２の開口部３が電子素子１１により接触しにくいものとすることができ、好ましい。

また、上記構成において、平面視で補助層４が開口部３の周辺に島状に配置させていると、絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくいものとなり、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際にかかる応力を複数の島状の補助層４で分散することができ、好ましい。

また、上記構成において、平面視で補助層４が開口部３の周辺に対向するように配置させていると、絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくく、対向するように配置された補助層４により電子素子１１が傾きにくいものとすることが可能となる。このとき、補助層４を同じ高さとなるように形成すると電子素子１１の傾きがより低減されたもの
とすることができ、好ましい。また、上記構成において、電子素子１１が補助層４にそれぞれ接触するように実装させると、例えば電子素子１１として撮像素子を用いる場合には、撮像素子の傾きがより低減され、外部の光すなわち像を良好に入射することができ、その結果良好に撮像することが可能となる。また、電子素子１１として発光素子を用いる場合には、所定の方向に良好に光を放射することができる。

また、上記構成において、平面視で補助層４が開口部に沿って帯状に配置させていると、電子素子搭載用基板１に電子素子１１を実装する際、開口部に沿って形成された補助層４の全体が絶縁基体２と電子素子１１との間に介するものとすることができるので、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際にかかる応力を、帯状に配置された補助層４で分散することができる。なお、帯状に配置された補助層４は実装される電子素子１１の対応する１辺よりも長さが長いと、電子素子１１を実装する際に位置ずれを起こした場合でも補助層４が絶縁基体２と電子素子１１との間に介するものとすることができ、好ましい。

また、上記構成において、平面視で補助層４が開口部３の傾斜部２ａよりも外側に配置させていると、補助層４を絶縁基体２に形成する場合に、補助層４の高さを一定かつ平坦に形成しやすく、電子素子１１が補助層４に接触した際に、補助層４により電子素子１１が傾きにくいものとすることが可能となり、好ましい。

補助層４は、絶縁基体２がセラミックスからなる場合は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属メタライズから成る金属層、もしくは、窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等から成る絶縁層により形成される。

金属層から形成される補助層４は絶縁基体２の表面に被着形成されている。補助層４は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属メタライズから成り、絶縁基体２用のセラミックグリーンシートに金属ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、絶縁基体２用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の絶縁基体２のそれぞれの所定位置に形成される。このような金属ペーストは、タングステン，モリブデン，マンガン，銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基体２との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。

絶縁層から形成される補助層４は、絶縁基体２の表面に形成される。補助層４は例えば、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等からなり、絶縁基体２のセラミックグリーンシートと同様に製作された補助層４用のセラミックグリーンシートを形成し、このセラミックグリーンシートを打ち抜き加工して、開口部３の周辺に配置し絶縁基体２用のグリーンシートと積層をして焼成することによって形成する。また、絶縁基体２用のセラミックペーストを開口部３の周辺に印刷した後、焼成することによって形成することもできる。このように補助層４が絶縁層から形成される場合、例えば補助層４が絶縁基体２に形成される電子素子１１接続用の接続電極５または配線導体に接触しても短絡等を発生することがなく好ましい。

また、補助層４は、絶縁基体２が樹脂から成る場合には、銅，金，アルミニウム，ニッケル，クロム，モリブデン，チタンおよびそれらの合金等の金属材料もしくは、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の樹脂（プラスティックス）から成る絶縁層
により形成される。

金属層から形成される補助層４は絶縁基体２の表面に被着形成されている。補助層４は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）およびそれらの合金等の金属材料から成る。例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に配線導体の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、金属箔または金属柱を樹脂から成る絶縁基体に一体化させたり、絶縁基体２にスパッタリング法，蒸着法等またはめっき法等を用いて被着させたりして形成される。

絶縁層から形成される補助層４は、絶縁基体２の表面に形成される。補助層４は例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の樹脂（プラスティックス）から形成され、絶縁基体２を形成する場合と同様に作成することができる。

補助層４は、金属層から成るもの、絶縁層から成るもの、金属層の表面を絶縁層で覆ったもの、もしくは、金属層の上面に絶縁層を積層させたもの等がある。

なお、補助層４が金属層からなるもの、または露出した金属層を絶縁層で覆ったもの、または金属層の上面に絶縁層を積層させたもののように、補助層４が金属層を有する場合、補助層４の硬度が大きいため、補助層４が変形にくく、より絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくいものとすることができる。

補助層４が金属層からなる場合、補助層４は電子素子１１の配線がない箇所もしくは配線から離間した箇所に設けると、補助層４と電子素子１１の配線との電気的短絡を抑制される。

また、補助層４は、金属層の表面を絶縁層で覆ったものとすることで、電気的短絡を抑制することができる。

また、補助層４の電子素子１１との当接面は、平坦であることが好ましい。ここで、平坦とは、当接面に鋭角な角部などがなく、当接面が平面もしくは滑らかな曲面である状態である。補助層４の当接面が平坦であることにより、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に電子素子１１が補助層４と接触した場合、補助層４により電子素子１１が破損することが抑制される。

また、補助層４の厚みは、絶縁基板２の厚み方向における傾斜部２ａの最も高い箇所よりも厚くすなわち高く形成されている。このことにより、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に、絶縁基体２と電子素子１１と間に補助層４を介することとなり、補助層４によって絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくいものとなり、電子素子１１を破損させるのを効果的に防止することが可能となる。

このような補助層４は、あらかじめ補助層４を備えていない電子素子搭載用基板１を製作しておき、この電子素子搭載用基板１の開口部３の全周にわたって傾斜部２ａの高さを計測し、この高さよりも高くなるように製作すればよい。なお、補助層４の高さは傾斜部２ａの高さよりも５μｍ程度高くしておくことが好ましい。

また、１つの電子素子搭載用基板１において、補助層４は少なくとも１つ形成されている。補助層４の形状は平面視で角部が円弧の矩形状でもよく、角部が起点となって剥がれ等が起きにくいものとなり好ましい。なお十字形状、長円の形状でもよい。また、１つの
電子素子搭載用基板１において、各補助層４の形状は互いに異なるものであっても良い。

図１に示す例において、絶縁基体２において、例えば絶縁基体２の凹部２ｂの底面に電子素子接続用の接続電極５が被着形成されており、また絶縁基体２の凹部２ｂの底面から絶縁基体２内部、下面にかけてビアホール導体またはスルーホール導体等の貫通導体を含む配線導体（図示せず）が被着形成されている。これにより、電子素子接続用の接続電極５が配線導体を介して外部回路基板（図示せず）に電気的に接続される。電子素子接続用の接続電極５および配線導体は、絶縁基体２がセラミックスから成る場合は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属メタライズから成り、絶縁基体２用のセラミックグリーンシートに電子素子接続用電極および配線導体用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体２の所定位置に形成される。内部導体のうち、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する貫通導体は、金属ペーストを印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填しておけばよい。このような金属ペーストは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基体２との接合強度を高めるために、ガラスまたはセラミックスを含んでいても構わない。

電子素子接続用の接続電極５は、絶縁基体２の凹部２ｂの底面に複数形成されており、金バンプ等の接続導体６により電子素子１１の各電極にそれぞれ電気的に接続されている。

電子素子１１は、平面透視で開口部３と重なるように凹部２ｂに配置されている。また、電子素子１１は、複数の電極を有している。電子素子１１の各電極は、金バンプ等の接続導体６により絶縁基体２の凹部２ｂの底面に形成された複数の電子素子接続用の接続電極５のそれぞれに電気的に接続されている。すなわち、電子素子１１は電子素子接続用の接続電極５にフリップチップ実装されている。

次に、本実施形態の電子素子搭載用基板１の製造方法について説明する。

絶縁基体２は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体からなり、例えば底面に電子素子１１を搭載するための凹部２ｂを有しており、平面透視において電子素子１１を実装する側へ傾斜している傾斜部２ａをもつ開口部３が凹部２ｂ内に形成されている。この絶縁基体２は、主成分が酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Ａｌ_２Ｏ_３の粉末に焼結助材としてシリカ（ＳｉＯ_２），マグネシア（ＭｇＯ）またはカルシア（ＣａＯ）等の粉末を添加し、さらに適当なバインダ、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。

このセラミックグリーンシートを用いて、以下の（１）〜（５）の工程により電子素子搭載用基板１が作製される。

（１）凹部２ｂの側壁および絶縁基体２の開口部３となる部位の打ち抜き金型を用いた打ち抜き工程。

（２）平面視において絶縁基体２の開口部３の周辺となる部位に形成される補助層４、また絶縁基体２の凹部２ｂの底面となる部位に形成される電子素子接続用の接続電極５、また絶縁基体２の凹部２ｂの底面から絶縁基体２内部、下面となる部位にかけてビアホー
ル導体またはスルーホール導体等の貫通導体を含む配線導体をそれぞれ形成するための金属ペーストの印刷塗布工程。

（３）各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程。

（４）このセラミックグリーンシート積層体を焼成して、各開口部３および補助層４を有する絶縁基体２が複数配列された多数個取り基板を得る工程。

（５）焼成して得られた多数個取り基板に電子素子搭載用基板１の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法、またはスライシング法等により電子素子搭載用基板１の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することもできるが、多数個取り基板用の生成形体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置により生成形体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。

なお、セラミックグリーンシートに形成する補助層４は、印刷塗布した金属ペーストの代わりに、（３）の積層工程で、開口部３の周辺となる位置に補助層４の形状をしたセラミックグリーンシートを積層して形成してもよい。また、（２）の印刷塗布工程で形成した補助層４となる金属ペーストの表面にセラミックスラリーから成る絶縁層を塗布してもよい。

また、電子素子搭載用基板１に樹脂等から成る絶縁層を電子素子搭載用基板１に設けることで補助層４を形成してもよい。

また、絶縁基体２の表面に露出した金属層から成る補助層４、電子素子接続用の接続電極５および配線導体を保護して酸化防止をするために補助層４、電子素子接続用の接続電極５および配線導体の露出した表面に、厚さ０.５〜１０μｍのＮｉめっき層を被着させ
るか、またはこのＮｉめっき層および厚さ０.５〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層を順次被
着させてもよい。

開口部３の周辺の傾斜部２ａは、例えば平面視で電子素子搭載用基板１と同形状で開口部３の中心に向かって傾斜しているとともに、例えば空気等の気体が通過できる孔を多数設けた治具の上に、電子素子搭載用基板１となる焼成前のセラミックグリーンシート積層体を乗せた後、治具の下側を真空ポンプ等を用いて減圧し吸引することで形成することができる。

このようにして形成された電子素子搭載用基板１に、電子素子１１が平面透視で開口部３と重なるように凹部２ｂ内に電子素子１１をフリップチップ実装して、電子素子１１の各電極が金バンプ等の接続導体６により絶縁基体２の凹部２ｂの底面に形成された複数の電子素子接続用の接続電極５のそれぞれに電気的に接続されるとともに、いわゆるアンダーフィルとして例えばエポキシ樹脂等の樹脂からなる接合材を開口部３に沿って電子素子搭載用基板１と電子素子１１との間に注入することで電子装置となる。なお、電子素子１１の各電極と複数の電子素子接続用の接続電極５との電気的な接続に、上述の金バンプ等の接続部材６を用いる代わりにはんだまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）から成る接続部材６を用いてもよい。

電子素子１１は例えばＣＣＤ型電子素子またはＣＭＯＳ型撮像素子等の半導体素子、ＬＥＤ等の発光素子である。

なお、図２のように、電子素子搭載用基板１は平板形状であってもよい。この場合の電子素子搭載用基板１は、上述の電子素子搭載用基板１の作製工程において、凹部２ｂの側壁となる部位を省略することにより作製される。

本実施形態の電子素子搭載用基板１は、開口部３を有している絶縁基体２と、絶縁基体２の表面に設けられているとともに平面透視において絶縁基体２の開口部３の周辺に配置された電子素子接続用の接続電極５とを有している。絶縁基体２は、平面視で略中央部に開口部３が形成されており、平面透視における開口部３の周辺に電子素子１１が配置される側へ傾斜した傾斜部２ａを有している。電子素子搭載用基板１は、絶縁基体２の表面の電子素子１１が配置される側に設けられているとともに平面透視において絶縁基体２の開口部３の周辺に補助層４が形成されている。電子素子１１は、平面透視で開口部３と重なるように配置される。これらによって、例えば、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に電子素子搭載用基板１に応力が加わって絶縁基体の開口部およびその周辺が変形した場合であっても、絶縁基体２の開口部３の周辺に配置された補助層４が絶縁基体２と電子素子１１と間に介することとなり、絶縁基体２の開口部３が電子素子１１に接触しにくいものとなり、電子素子１１を破損させるのを効果的に防止することが可能となるものである。

本発明の他の態様によれば、電子装置は上記の電子素子搭載用基板１を備えていることによって、電子素子１１の実装信頼性に関して向上されている。

（第２の実施形態）
図３を参照して本発明の第２の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置は、開口部３は平面視で矩形状であり、補助層４が平面透視で開口部３の電子素子接続用の接続電極５が形成された辺を除く３辺にそれぞれ補助層４を形成しており、補助層４は連なり１つのコの字状となっている。このように補助層４がコの字状に設けられていると、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に、絶縁基体２と電子素子１１と間に広範囲で補助層４を介することとなり、補助層４によって絶縁基体２の開口部３が電子素子１１により効果的に接触しにくいものとなる。また、アンダーフィルとして例えばエポキシ樹脂等の樹脂からなる接合材を電子素子搭載用基板１と電子素子１１との間に設ける場合に、コの字状に設けられた補助層４がダムの役割を果たし接合材が絶縁基体２の開口部３側すなわち電子素子１１の中央へ流出するのを防ぐことが可能となる。

（第３の実施形態）
図４を参照して本発明の第３の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置は、開口部３は円状であり補助層４が平面透視で開口部３の開口縁と重なるように設けられている。このように、補助層４が平面透視で開口部３の開口縁と重なるように設けられていると、絶縁基板２の厚み方向における傾斜部２ａの最も高い箇所に補助層４が配置されることとなり、電子素子１１を電子素子搭載用基板１に実装する際に、絶縁基体２と電子素子１１と間に確実に補助層４を介することとなり、補助層４によって絶縁基体２の開口部３が電子素子１１により効果的に接触しにくいものとなる。なお、このような場合は、補助層４は、絶縁基体２に樹脂等からなる絶縁層を塗布することで形成することが好ましい。なお、補助層４は開口部３の開口縁から開口部３の内壁面まで形成されていてもよく、例えば電子素子１１が撮像素子であった場合、光の乱反射等を防止することもできる。

なお、本発明は、上述の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変形は可能である。例えば、電子素子接続用の接続電極５、配線導体の配置、数、形状などは指定され
ない。

１・・・・・電子素子搭載用基板
２・・・・・絶縁基体
２ａ・・・・傾斜部
２ｂ・・・・凹部
３・・・・・開口部
４・・・・・補助層
５・・・・・電子素子接続用の接続電極
１１・・・・電子素子

Claims (7)

1. 開口部を有しており、平面透視で前記開口部と重なるように電子素子が配置される、電気絶縁性セラミックスから成る絶縁基体と、
   該絶縁基体の表面に設けられているとともに平面透視において前記絶縁基体の前記開口部の周辺に配置された前記電子素子接続用の接続電極とを備えており、
   前記絶縁基体は、平面透視における前記開口部の周辺に前記電子素子が配置される側へ傾斜した傾斜部を有しており、
   該絶縁基体の表面の前記電子素子が配置される側に設けられているとともに平面透視において前記絶縁基体の前記開口部の周辺に配置された、電気絶縁性セラミックスまたは金属層の表面を電気絶縁性セラミックスで覆ったものから成る補助層を有していることを特徴とする電子素子搭載用基板。
2. 平面視において、前記補助層は前記開口部の周辺に複数配置されていることを特徴とする請求項１記載の電子素子搭載用基板。
3. 平面視において、前記補助層は前記開口部の周辺に島状に配置されていることを特徴とする請求項２記載の電子素子搭載用基板。
4. 平面視において、前記補助層は前記開口部の周辺に対向するように配置されていることを特徴とする請求項２記載の電子素子搭載用基板。
5. 平面視において、前記補助層は前記開口部に沿って帯状に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電子素子搭載用基板。
6. 平面視において、前記補助層は前記傾斜部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電子素子搭載用基板。
7. 請求項１に記載された電子素子搭載用基板と、
   平面透視で該電子素子搭載用基板に形成された前記開口部と重なるように配置された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。

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