TWI236155B - Optical device - Google Patents

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TWI236155B
TWI236155B TW093131227A TW93131227A TWI236155B TW I236155 B TWI236155 B TW I236155B TW 093131227 A TW093131227 A TW 093131227A TW 93131227 A TW93131227 A TW 93131227A TW I236155 B TWI236155 B TW I236155B
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TW
Taiwan
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light
slope
optical device
abutment
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Application number
TW093131227A
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English (en)
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TW200527685A (en
Inventor
Masanori Minamio
Hikaru Sano
Kenji Furumoto
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

1236155 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本Is明,係涉及内藏在攝像機、數碼相攝像機、數碼靜 止攝相機等之攝像機類,或者係CD、DVD、MD等之光讀 取體系中之收發光元件構成之光學器件及其製造方法。 【先前技術】 近年來,内藏在攝像機、數碼相攝像機、數碼靜止相機 等中之攝像機,或者係CD、DVD、MD等之光讀取體系中 之光學器件,在將收發光元件安裝在藉由絕緣性材料構成 _ 之基台之狀態下,收發光區域藉由透光板包封,作為封裝 體提供。 圖ό,為顯示現有光學器件之一種__固體攝像裝置之結構 之剖面圖。如該圖示之,固體攝像裝置備,作為主要部件, 包括··藉由熱硬化性樹脂構成之,在中央部分有開口部分 132之框狀基台131 ;安裝在基台m之下表面一側之藉由 CCD等構成之固體攝像元件135 ;安裝在基台131之上表面 一側夾著開口部分132與攝像元件135對峙之藉由玻璃製成 籲 之透光板136 ;為機械連接透光板136和基台1 3丨之钻結劑層 140 〇 還有,在基台131下表面,設了埋入樹脂内之藉由鍍金層 構成之佈線134。固體攝像元件135,安裳在基台131下^ 面’使受光區域135a從開口部分132露出。 還有’在固體攝像元件135上,設置了用以發送、接收攝 像元件135和外部機器二者之信號之電極墊(未圖示)。還 96669.doc 1236155 有,在佈線134上與開口部分132相鄰之端部内部端子部分 從樹脂露出,佈線134之内部端子部分和固體攝像元件之電 極墊,夾著突起(突起電極)138電氣連接。再有,佈線134 之外端子部分設有焊接棒丨41。並且,固體攝像元件135、 佈線134及突起138,藉由設在基台131下表面之攝像元件 13 5周圍之密封樹脂13 7密封。 該固體攝像裝置,如同圖示之,使透光板136以朝上之方 向安裝在電路基板上。並且,在基台131上,如同圖之虛線 示之,安裝著組合了攝像光學系之鏡筒。該鏡筒和基台131 之相互位置關係,使其在規定之誤差範圍内,規定了其要 求精度。 如上所述,固體攝像元件135之受光區域135a,配置在從 平面看之開口部分132内。並且,通過組合在鏡筒内之攝像 光學系統’來自被攝對象之光線集中在固體攝像元件丨3 5 之受光區域135a,藉由固體攝像元件135進行光電轉換。 且’還知有一種與圖6示之基台131之構造不同,使用在 安裝了攝像元件之面上形成凹陷部分之基台之固體攝像裝 置之例(例如,參考專利文獻2)。 且’在配置了受光元件和發光元件之情況下,採用較小 之發光元件安裝在受光元件上之構造係一般之做法。 還有’最近,配置了受光元件和發光元件之光學器件已 被貫際應用,這種情況下,取代透光板丨,在基台13 i上 變成了安裝全息照片(hologram unit)。 〔專利文獻1〕 96669.doc 1236155 特開2002- 43554號公報 〔專利文獻2〕 特開2000— 58805號公報 (發明所要解決之課題) 然而,在圖6示之現有之固體攝像裝置之結構中,藉由於 有圖6示之尺寸Η之限制嚴格之要求,具有以下缺點。 亦即,圖6示之尺寸η之允許範圍,規定在一定之上限值 以下(如 $ 了確保其強度需要一定程度之厚度,並且考慮到厚度製 w之偏差’所允許之透光板136之上表面和基台i3id上表面 二者二者間隙尺寸B之上限值將會變得極小。然而,要在確 保可信度降低玻璃之厚度係有限度之。 【發明内容】 ,發明之目的,係在保持基台之厚度或者係透光性部件 之阿度方向尺寸具有充分大之同時,通過採取縮小光學器 件全體南度方向尺寸之方法,担Ztf n 又刀U八了(万沄,如供一種小型化且可信度高 之光學器件。 (解決課題之方法) 本A月之光子器件’係在形成了相當於造模樹脂之脫模 斜率之斜度之基台開口部分側面,通過枯結劑層結合具有 相同斜度之透光性部件之侧面而形成之。 藉此’利用造模樹脂之脫模斜率,即便將透光板或者係 分厚’如圖6示之尺寸3 ’亦可以縮小透光板之 上表面和收發光元件之上表面二者之尺寸,或者係,透光 96669.doc 1236155 板和基台兩方之上表面之高度差。還有,通過利用造模樹 脂脫模斜率’不需要另外設置削薄基台開口部分之周圍邊 緣荨之工序,所以,在造模工序中沒有阻礙造模樹腊之流 動及降低基台強度之擔心。因此,可以謀取小型化了之, 可信度高之光學器件之提供。 基台開口部分側面之傾斜角,希望能在1。〜20。之範圍 内’較佳者係在3。〜12。之範圍内。 作為光學器件,可以採用比相當於基台開口部分側面之 上表面一側區域中之脫模斜率斜度之斜度角大之另一個斜 度之做法’或者係在基台開口部分側面形成高低差等之變 形方式。 透光性部件為破璃之情況下,為了小型化,透光性部件 之上表面和基台之上表面之高度差希望在3〇〇 μιη以下,較 佳者係在100 /xrn以下。 透光性部件,即可以係全息照片,亦可以係玻璃窗。 本發明之光學器件之製造方法,係在形成藉由造模樹脂 脫模斜率之側壁包圍之模腔内設置了標準結構後,進行造 模工序,形成擁有相當於脫模斜率之斜度之側面開口部分 之複數個光學器件形成區域之成形體,其後,該開口部分 之側面上’結合相當於脫模斜率之斜度形成之透光性部件 之方法。 藉由該方法,不需要另外設置削薄基台開口部分之周圍 邊緣等之工序,所以,在造模工序中沒有阻礙造模樹脂之 流動及降低基台強度之擔心。因此,在抑制製造成本增大 96669.doc 1236155 之同時,可以謀取小型化了之,可信度高之光學器件之提 供。 在造模工序前,較佳者係將成為佈線之標準結構放置在 絕緣膠布上之狀態下安裝造模模型。 (發明效果) 如本發明之光學器件,通過使用具有形成了相當於基台 開口部分側面之脫模斜率之斜度之透光性部件,可以二: 小型化了之,可信度高之光學器件之提供。 【實施方式】 (第1實施方式) 圖1,係第1實施方式所涉及之光學器件之剖面圖。本實 施方式之光學器件,作為主要部件,包括:藉由環氧樹脂 等可塑性樹脂構成’在中央部分有開口部分12之框狀基台 10 ;裝在基台10下表面一側之收發光元件15 ;在基台⑺之 上表面一侧夾著開口部分12相對於收發光元件15安裝之玻 璃製成之透光板16 ;為機械粘結透光板16和收發光^件^ 之枯結劑層20。在此,本實施方式之收發光元件15,只是 CCD固體攝像元件等之受光元件。但係,係、包含ccd固體 攝像7G件及其上安裝了 +導體激光(發光 亦可。這種情況下,本實施方式之光Μ心)= 十Κ他々忒之尤學态件和光讀取頭等 2時’揭掉透光板16’將第3實施方式所顯示之那樣成為 王心照片女裝到基台10上(hol〇gramunit)。並且,在安裝全 息照片情況下,最終不安裝鏡筒為一般之做法。 還有 在基台10之下表面 設置了藉由埋設在樹脂内之 96669.doc 1236155 金鍍層形成之佈線14。收發光元件15,安裝在基台ι〇之下 表面,配置為受光區域15a露出在開口部分12。 還有,收發光元件15上,在收發光元件15和外部機器二 者5又置了為接受信號之電極塾15 b。還有,佈線14中與開口 部分12相鄰連接之端部形成有内部端子部分14a,佈線14之 内部端子部分14a和電極塾15a夾著凸起(凸起電極)18電連 接。再有,在佈線14之外部端子部分上設置有焊接棒21。 並且’收發光元件15、佈線14及凸起18,在基台1〇下表面 上藉由設置在收發光元件15周圍之密封樹脂22密封。 該光學器件,如同圖示之,使透光板丨6以向上方之狀態 女裝在電路基板上。並且,在基台上,如同圖之虛線示 之,安裝著組裝了攝像光學系統之鏡筒。該鏡筒和基台1〇 之相互位置關係,為控制在所規定之誤差内,規定了其要 求精度。 收發光元件15之受光區域15a,從平面看設置在開口部分 12範圍内。並且,通過組合在鏡筒内之光學系統,來自被 攝像對象之光線集中在收發光元件15之受光區域上。 在此,本實施方式中,如圖丨示之,在基台1〇之開口部分 12之側面25上,形成了造模樹脂脫模斜率之斜度,並且係 朝上開口擴大之形式。另一方面,透光板16之側面26上, 亦形成朝上擴大之與脫模斜率實際上係一致之斜度,各侧 面25、26相互結合。所謂之“實際上係一致之,,,意味著若 係忽視各部件之製造上或者係使用溫度上之誤差設定為一 致。並且,粘結劑層20,形成為埋入相互結合之基台⑺之 96669.doc -11- 1236155 開口部分12之側面25和透光板16之側面26二者間隙。 並且,本實施方式中,透光板16之上表面位於基台1〇上 表面以上之位置,而二者之上表面實際上合為同一個平面 亦可,透光板16之上表面位於基台1〇之上表面之下方亦 可。並且,使用了這樣之光學器件之玻璃板之厚度規格為 t士 c(/xm) ’本實施方式中,透光板16和基台各自之上表面 之面度差可為(t — c)〇m)。具體之講,例如透光板之厚度為 3 50±50〇111)(係光讀取頭專業中透光板之一般規格),透光 板16和基台1〇各自上表面之高度差最好在3〇〇 以下。還 有’若考慮透光板16之侧面26和基台10之側面25收發光元 件之安定性’透光板16和基台1 〇之各自上表面之高度差較 佳者係在100 μιη以下。 如本實施方式,利用在基台10之開口部分12之側面25上 形成之造模樹脂脫模斜率,通過使透光板丨6之側面26之至 少一部分結合在基台1〇之開口部分12之側面25上,將透光 板16和基台1〇之厚度做之充分後,圖6示之尺寸Β,亦即減 小透光板16之上表面和收發光元件15之上表面二者之尺 寸’或者係’透光板16和基台1〇各自之上表面之高度位置 差。還有,通過利用造模樹脂脫模斜率,不需要另外設置 削薄基台10之開口部分12之周邊部分之工序,在造模工序 中〉又有阻礙造模樹脂之流動及降低基台強度之擔心。因 此,在抑制製造成本增大之同時,可以謀取小型化了之, 可信度高之光學器件之提供。 一光學器件之製造工序一 96669.doc -12- 1236155 圖2(a)〜圖2(f),係顯示第一實施方式之光學器件之製造 工序剖面圖。但係,圖2(a)〜圖2(f)示之工序中,只顯示了 兩個光學器件形成區域,而一般地圖2(a)〜圖2(f)示之工序 中,已經進入到使用多個光學器件形成區域具有棋盤格狀 標準結構之製造工序。 還有,圖3(a)、圖3(b),係顯示第一實施方式所涉及之光 學器件之製造工序中造模工序之剖面圖。
首先,圖2⑷示之工序中,將形成了佈線圖案之標準結構 14x放到絕緣膠布31上。標準結構Μχ之大部分,在其下部 δ又置了错由打擊或者係擠壓形成之凹陷部A,只是成為外 部端子部分14b或者係内部端子部分14a之部分,從凹陷部 分之底面向下突出之構造。
接下來’在圖2(b)示之工序中,進行造模卫序”亦即, 如圖2(a)、圖2(b)示之,將在標準結構14χ上安裝了絕緣膠 布31之物件,安裝到造模模具3〇上,將環氧樹脂等之熱硬 ^性樹月旨(造模樹脂)填充到造型模型3〇之型腔術,形成將 心準、、’。構14χ之内部端子部分Ma及外部端子部分⑽以外 之刀埋入造型樹脂内之成形體。隔開造型模型30之各個 型腔30a二者之分隔部分规上不填充造模樹脂,所以成形 體之各光學器件形成區域之令央部分,形成了為安裝收發 光兀件之開口部分12。還有,造型模型3〇之型腔術之側壁 上,形成了造模樹脂脫模斜率之斜度。亦即,開口部分Η 之侧面上形成了作為脫模斜率之斜度。 接下來,圖2⑷示之工序中’將絕緣膠布31從成形體上剝 96669.doc -13- 1236155 下’將成形體以内部端子部分14&及外部端子部分i4b之露 出面朝上方設置,在外部端子部分l4b上形成焊接棒2 i。 接下來,圖2(d)示之工序中,用刀從成形體相鄰之光學 裔件形成區域之分界部分之切入部分中央切斷,藉由成形 體形成一個一個之光學器件之基台1〇。此時,基台1〇上, 埋入了具有各個内部端子部分14a及外部端子部分! 4b之佈 線14。 接下來’圖2(e)示之工序中,在基台1〇上使收發光元件15 之受光區域15a朝下安裝收發光元件15。此時,在各基台1〇 之内部端子部分14a上設置凸起18,在凸起18上連接收發光 兀件15之電極墊15b,再用密封樹脂22填埋連接部分二者間 隙。 接下來,圖2(f)示之工序中,將基台1〇之安裝了收發光元 件1 5 —側(下表面)朝下,通過粘結劑,結合基台丨〇之開口部 分12之透光板16。 透光板16之側面26上,預先形成了相當於基台1〇之開口 4为12側面25之脫模斜率之斜度。並且,在透光板μ之側 面2 6和基台1 〇之開口部分12之側面2 5二者間隙中埋入厚度 10 /xm之粘結劑層20,密封開口部分12。 如本實施方式之製造方法,圖2(f)示之工序中,具有形成 了和在基台10之側面25上形成之相當於造模樹脂脫模斜率 之斜度(參照圖2(b)圖3(b))同樣斜度側面26之透光板16,將 透光板16結合到基台10之開口部分12。因此,可以容易地 形成具有圖1示之結構之光學器件。並且,圖2(b)、圖3(b) 96669.doc -14- 1236155 示之造模工序中’不需要削薄基台10之開口部分12之周圍 邊緣,阻礙造模樹脂之流動及不會降低基台10之強度。 且’在圖2(d)示之切斷工序’在圖2(e)示之收發光元件之 安裝工序後,或者係圖2(f)示之窗部件安裝工序後進行亦係 可能之。 且,貫施方式之製造工序中,係在將標準結構安置在絕 緣膝布上之狀恶下進行了造模工序,但係並非一定要使用 絕緣躁布。但係,如果使用絕緣膠布時,將標準結構之上 下表面’通過用上模型和下模型夾緊,可以得到模型面和 標準結構之上下表面緊密相接之安定狀態。其結果,通過 成形在抑制樹脂毛刺之發生之同時,藉由於得到外部端子 部分14b從密封樹脂突出之構造,在光學器件安裝到主印刷 電路板(mother board)之際之焊接就變得容易等,可以謀求 實際安裝容易化、迅速化。並且,使用絕緣膠布3〗之情況 下,與收發光元件15之受光區域15a相對朝著光線射入一側 擴大之斜度作為密封模型3〇之脫模斜度設置,所以,通過 採用將使用絕緣膠布3 1之樹脂密封工序作為圖丨示之構造 之製造工序,可使其發揮顯著效果。 (第2實施方式) 圖4,係第2實施方式所涉及之光學器件之剖面圖。本實 施方式之光學器件,作為主要部件,包括:藉由環氧樹脂 等可塑性樹脂構成,在中央部分有開口部分12之框狀基台 10,裝在基台10下表面一側之CCD及在CCD上安裝之半導 體激光製成之收發光元件15 ;在基台1〇之上表面一側夾著 96669.doc -15- 1236155 開口部分12相料收發光元件15安裝之樹脂製成之全息照 片η ;為機械粘結全息照片17和收發光元件15之粘社^ 20。 、口 θ « 還有,在基台Η)之下表面,設置了藉由埋設在樹脂内之 金鍍層形成之佈線14。收發光元件15,安裝在基台ι〇之下 表面’配置為受光區域15a露出在開口部分12。 還有,收發光元件15上,在收發光元件15和外部機器二 者設置了為接受信號之電極墊l5b。還有,佈線14中與開口 部分12相鄰連接之端部形成有内部端子部分14&,佈線“之 内部端子部分14a和電極墊15a夾著凸起(凸起電極)18電連 接。再有,在佈線14之外部端子部分上設置有焊接棒21。 並且,收發光元件15、佈線14及凸起18,在基台1〇下表面 上藉由設置在收發光元件15周圍之密封樹脂22密封。 該光學器件,如同圖示之,使全息照片17以向上方之狀 態安裝在電路基板上。 如上所述,收發光元件15之受光區域15a,從平面看設置 在開口部分12範圍内。並且,在本實施方式之光學器件中, 取代透光板16,全息照片17安裝在基台1 〇上。全息照片17, 係利用平面偏光進行偏光之部件,將與從半導體激光照射 到記錄媒體等之光線之變譜進行相反之變諧,實施於反射 到CCD之光線。構成全息照片1 7之材料,在本實施方式中 為樹脂(塑料),亦可以係玻璃。 在此’本貫施方式中,如圖4示之,在基台1〇之開口部分 12之側面2 5上,形成了造模樹脂脫模斜率之斜度,並且係 96669.doc -16 - 1236155 朝上開口擴大之形式。另一方面,全息照片工7之下部側面 27上,亦形成朝上擴大之與脫模斜率實際上係一致之斜 度。所謂之"實際上係一致之”,意味著若係忽視各部件之 製造上或者係使用溫度上之誤差設定為—致。並且,枯結 劑層20,形成為埋入相互結合之基台1〇之開口部分12之側 面25和全息照片17之下部側面27二者間隙。 如本只轭方式,利用在基台1〇之開口部分12之側面乃上 形成之造模樹脂脫模斜率,通過使全息照片17之側面^之 至少一部分結合在基台1〇之開口部分12之侧面25上,將全 息照片17和基台10之厚度做之充分後,圖6示之尺寸b,亦 即減小全息照片17之上表面和收發光元件15之上表面二者 之尺寸,或者係,全息照片17和基台1〇各自之上表面之高 度位置差。因此,可以謀取小型化了之,可信度高之光學 器件之提供。 特別係,通過利用造模樹脂脫模斜率,不需要另外設置 形成基台10之開口部分12側面之斜度之工序,可以抑制製 造成本之增大。 —第1及第2實施方式之變形例一 圖5(a)、圖5(b)、圖5(c),按照各自之順序,顯示第丨及第 只施方式之弟1、第2、第3變形例所涉及之光學器件之一 部分之部分剖面圖。 圖5(a)示之第1變形例中,在基台1〇之開口部分之侧面乃 形成有階梯之斜度。並且,透光板16之侧面26或者係全息 照片17之下部側面27之至少一部分只和基台1〇之開口部分 96669.doc -17- 1236155 25之上部(一部分)結合,透光板16或者係全息照片17之下表 面,通過粘結劑層20安裝在基台1〇之開口部分之側面乃之 階梯部分。這種情況下,圖3(a)、圖3(b)示之密封模型3〇之 型腔30a之側壁亦形成有同樣階梯之斜度作為脫模斜率。 如第1變形例,通過在基台10之開口部分之側面25形成有 階梯之斜度,透光板16或者係全息照片17之下部之到達位 置係一定之,可以確實防止透光板16或者係全息照片丨了之 下表面與收發光元件15之接觸,且,還可以控制光學器件 兩度尺寸之製造誤差。具有該階梯之斜度之側面之階梯 鲁 4刀之水平方向尺寸’較佳者係在1〇〇 〜3〇〇 之範圍。 八要在δ亥範圍’可以在基台1〇之開口部分12之側面之階 梯部分安定地安裝透光板16或者係全息照片17之同時,圖 2(b)、圖3(b)示之造模工序中,既防止了造模樹脂之流動, 亦不會降低基台10之強度。 圖5(b)示之第2變形例中,在透光板16之側面26或者係全 息照片17之下部側面27上,形成了平坦部分。並且,只是 籲 透光板16之側面26或者係全息照片17之下部側面27之一部 分和基台10之開口部分25結合,透光板16之侧面26或者係 王息知、片17之下部側面27之平坦部分,通過粘結劑層2〇安 裝。 如第2變形例’通過在透光板16之側面26或者係全息照片 · 17之下部側面27上形成了平坦部分,透光板丨6或者係全息 照片17之下部之到達位置係一定之,可以確實防止透光板 16或者係全息照片丨7之下表面與收發光元件丨5之接觸, 96669.doc -18- 1236155 且,還可以控制光學器件之高度尺寸之製造誤差。 圖5(c)示之第3變形例中,在基台1〇之開口部分,形成有 斜度角相異之下部側面25a及上部側面25b。並且,透光板 16之側面26或者係全息照片17之下部側面27之至少一部分 和基台ίο之開口部分之下部側面25a結合,接合部二者間隙 猎由粘結劑層20填埋。這種情況下,圖3(a)、圖3(b)示之密 封模型30之型腔3〇a之側壁亦形成有相當於下部側面25a及 上部側面25b之形狀。 如第3變形例,通過在基台1〇之開口部分形成有斜度角相 異之下部側面25a及上部側面25b,彳以加厚枯結劑層別之 上鈿邛刀所以,可以確保透光板16或者係全息照片J 7和 基台之機械點結強度。 且,上述各實施方式及變形例中,相當於圖5(c)示之造模 樹脂脫模斜率之斜度角W#望其在i。〜2〇。之㈣,較佳 者係在3°〜12。之範圍。 還有,第1、第2實施方式之第3變形例中之上部側面w 之斜度角02,較佳者係大於Η且在6〇。以下之範圍。 且,上述實施方式之圖i、圖2、圖4示之構造,只在凸起 18及墊電極15b之外側填充了密封樹脂22,但係,只要不干 涉受光元件之像素面,為提高㈣性在凸起财^電極⑽ 之内外兩側填充密封樹脂22亦可。 (產業上利用之可能性) 本發明涉及之光學器件’㈣載了使用在攝像機、數碼 相攝像機、數碼靜止攝相機等之攝像機類,或者係 96669.doc -19- 1236155 DVD、MD等之光讀取體系中之收發光元件構成之,亦可作 為圖像傳感器、全息照片單元而利用。 【圖式簡單說明】 圖1,係顯示第一實施方式所涉及之光學器件之構造剖面 圖。 圖2(a)〜圖2(f),係顯示第一實施方式之光學器件之製造 工序剖面圖。 圖3(a)和圖3(b),係顯示第一實施方式所涉及之光學器件 之製造工序中造模工序之剖面圖。 圖4,係顯示第二實施方式所涉及之光學器件之剖面圖。 圖5(a)、圖5⑻、圖5(c),係按照各自之順序,顯示第一、 第二實施方式之第卜第2及第3變形例所涉及之光學器件之 一部分之部分剖面圖。 圖6,係顯示現在之光學器件之構造剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 基台 12 開口部分 14 佈線 14a 内部端子部分 14b 外部端子部分 14x 標準結構 15 收發光元件 15a 收發光區域 15b 墊電極 96669.doc 1236155 16 透光板 17 全息照片 18 凸起 20 粘結劑層 21 焊接棒 22 密封樹脂 25 側面
25a 下部側面 25b 上部側面 26 側面 27 下部側面 30 造模模型 30a 型腔
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Claims (1)

1236155 十、申請專利範圍: 1· 一種光學器件,其特徵為包括: 設置有側面相當於造模樹脂脫模斜率,具有上表面一 側大之斜率之環狀基台; 安裝為從平面看在受光區域位於上述基台之開口部分 内之收發光元件; 具有側面之至少一部分與上述基台之開口部分側面結 合之下表面一側擴大之斜度之透光性部件; 没置在上述基台側面和上述透光性部件之側面二者間 隙之粘結劑層。 2·如請求項1之光學器件,其中: 上述基台之開口部分側面之斜度角在!。〜2〇。之範圍。 3 ·如請求項1之光學器件,其中: 上述基台之開口部分側面之斜度角在3。〜12。之範圍。 4 _如請求項1之光學器件,其中: 位於上述基台之開口部分側面之上表面一側區域,形 成了比相當於上述脫模斜率之斜度之斜度角大之又一個 斜度。 5·如請求項1之光學器件,其中: 上述基台之開口部分側面,形成有階梯。 6·如請求項i〜5中任何一項之光學器件,其中: 上述透光性部件,係玻璃窗, 上述透光性部件之上表面和上述基台之上表面之高度 位置差,在3〇〇 μχη以下。 96669.doc 1236155 7·如請求項1〜5中任何一項之光學器件,其中·· 上述透光性部件,係玻璃窗, 上述透光性部件之上表面和上述基台之上表面之高度 位置差,在100 以下。 8·如請求項1〜5中任何一項之光學器件,其中: 上述透光性部件,係全息照片。 9· 一種光學器件之製造方法,其特徵為包括: 將具有佈線圖案之標準結構,設置到形成了側壁從標 準結構越遠越窄之脫模斜率之型腔之工序(a); 在上述工序(a)之後,進行造模工序,形成了具有圍繞 具有形成了相當於上述脫模斜率之斜度之開口部分之複 數個光學器件形成區域之成形體之工序(b); 在上述工序(b)之後,通過切斷上述成形體,形成藉由 上述成形體分離而成之分離體之工序(c); 在上述工序(b)之後,在上述成形體或者係分離體之上 述開口部分之下側安裝收發光元件之工序(d); 在上述工序(b)之後,在上述成形體或者係分離體之上 述開口部分之側面上,通過粘結劑層結合相當於上述脫 模斜率之斜度形成之透光性部件側面之至少一部分之工 序(e) 〇 10·如請求項9之光學器件之製造方法,其中: 上述工序(a)中,將成為上述佈線之標準結構放置在絕 緣膠布上之狀態下安裝造模模型。 96669.doc
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4170968B2 (ja) * 2004-02-02 2008-10-22 松下電器産業株式会社 光学デバイス
JP4591297B2 (ja) * 2005-09-28 2010-12-01 株式会社デンソー 半導体装置の取付構造および半導体装置の取付方法
JP2008277593A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板、それを用いた光学デバイス、カメラモジュール、およびその製造方法
KR100896645B1 (ko) * 2007-10-29 2009-05-08 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지
JP2009277950A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Panasonic Corp 光学半導体装置
JP5093121B2 (ja) * 2009-01-06 2012-12-05 日立電線株式会社 光モジュール
JP5348271B2 (ja) * 2012-03-22 2013-11-20 日本精工株式会社 玉軸受
JP5389970B2 (ja) * 2012-03-26 2014-01-15 シャープ株式会社 撮像モジュール、および撮像モジュールの製造方法
JP2013229675A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Sony Corp 撮像ユニット及び撮像装置
US11942496B2 (en) * 2020-06-04 2024-03-26 Stmicroelectronics Pte Ltd Slanted glass edge for image sensor package
KR20220051486A (ko) * 2020-10-19 2022-04-26 삼성전자주식회사 투명 커버를 갖는 이미지 센서 패키지 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1187227A3 (de) * 1989-05-31 2002-08-28 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
ATE149743T1 (de) * 1990-04-27 1997-03-15 Omron Tateisi Electronics Co Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit fresnel-linse
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP4372241B2 (ja) 1998-08-05 2009-11-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法
TW454309B (en) 2000-07-17 2001-09-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure of CCD image-capturing chip
JP2002043553A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Canon Inc 固体撮像装置
DE10151113B4 (de) * 2001-10-15 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Opto-elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2003174574A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
KR100514917B1 (ko) * 2002-05-07 2005-09-14 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 고체 촬상소자 장착용 패키지

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