CN100373641C - 发光二极管的封装结构 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管封装结构，包含一基座，此基座上具有一凹陷部。此基座包含一导电层，部分固定于基座中且暴露于凹陷部内。导电层其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将导电层延伸至基座底面，其中弯折部分的宽度与导电层其它部分相同或更大。发光二极管芯片固定于凹陷部内，并与导电层电性连接。填入模塑构件于凹陷部内，用以封装发光二极管芯片。该发光二极管封装结构可以减少因温度提升因而对光电组件造成损害，进而增加封装结构的使用寿命。此外，因为封装结构在弯折部分较宽，使得封装结构可以用侧面与载板固定。

Description

发光二极管的封装结构

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别涉及一种改良的发光二极管封装结构。

背景技术

近年来，发光二极管组件在照明领域上的使用呈现级数成长。例如，发光二极管广泛地应用在手机、PDA及其它电子产品内。

请参照图1A和1B所示公知的一种发光二极管封装结构的上视图和侧视图。发光二极管芯片18，固定于基座11的凹陷部内。基座11固定两片导电层16/17，用来与发光二极管芯片18作电性连接。因为工艺的需求(使导电层16/17容易弯折)，导电层16/17的弯折部分16a/17a的宽度，均设计为较导电层16/17的其它部分小。

未来手机和PDA等电子产品的趋势是发光二极管所需的发光功率势必越来越高。伴随发光二极管高功率而来的是导线的高热问题。上述所提及的发光二极管封装结构，导电层16/17为发光二极管芯片18传导电源的途径。然而，导电层16/17的弯折部分16a/17a的宽度设计显然无法应付高热的需求。

因此，如何设计出散热良好的发光二极管封装结构，成为制造商需面对的挑战。

发明内容

因此本发明的目的就是在提供一种改良的发光二极管封装结构，用以增加封装结构的使用寿命。

根据本发明的上述目的，提出一种发光二极管封装结构。此封装结构包含一基座，且此基座上具有一凹陷部。此基座还包含一导电层，部分固定于基座中且暴露于凹陷部内。导电层其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将导电层延伸至基座底面，其中弯折部分的宽度与导电层其它部分相同或更大。发光二极管芯片固定于凹陷部内，并与导电层电性连接。填入模塑构件于凹陷部内，用以封装发光二极管芯片。

具体地说，本发明提供一种发光二极管封装结构，至少包含：一基座，具有一凹陷部；一导电层，固定于该基座中且部分暴露于该凹陷部内，其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将该导电层延伸至基座底面，其中该弯折部分的宽度与该导电层其它部分相同；一发光二极管芯片，固定于该凹陷部内，并与该导电层连接；以及一模塑构件，填入该凹陷部内，用以封装该发光二极管芯片。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该基座材质为环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件材质为环氧树脂、压克力、硅胶或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件以压模、灌胶或粘着的方式覆盖填入该凹陷部内。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该导电层包含金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁。

本发明还提供一种发光二极管封装结构，至少包含：一基座，具有一凹陷部；一导电层，固定于该基座中且部分暴露于该凹陷部内，其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将该导电层延伸至基座底面，其中该弯折部分的宽度较该导电层其它部分宽度大；一发光二极管芯片，固定于该凹陷部内，并与该导电层连接；以及一模塑构件，填入该凹陷部内，用以封装该发光二极管芯片。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该基座材质为环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件材质为环氧树脂、压克力、硅胶或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件以压模、灌胶或粘着的方式覆盖填入该凹陷部内。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该导电层系含金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁。

本发明还提供一种发光二极管封装结构，至少包含：一基座，具有一凹陷部；一导电层，固定于该基座中且部分暴露于该凹陷部内，其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将该导电层延伸至基座底面，其中该弯折部分的宽度较该导电层其它部分宽度大，且具有至少一V型切口，以利于弯折加工；一发光二极管芯片，固定于该凹陷部内，并与该导电层连接；以及一模塑构件，填入该凹陷部内，用以封装该发光二极管芯片。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该基座材质为环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件材质为环氧树脂、压克力、硅胶或上述材料的组合。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该模塑构件以压模、灌胶或粘着的方式覆盖填入该凹陷部内。

根据上述构想的发光二极管封装结构，其中该导电层包含金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁。

由上述可知，应用本发明的发光二极管封装结构可以减少因温度提升因而对光电组件造成损害，进而增加封装结构的使用寿命。此外，因为封装结构在弯折部分较宽，使得封装结构可以用侧面与载板固定。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图作详细说明如下：

图1A和1B说明公知的一种发光二极管封装结构的上视图和侧视图；

图2A和2B说明依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的上视图和侧视图；

图3说明依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构固定的示意图；以及

图4说明依照本发明一较佳实施例另一种发光二极管封装结构固定的示意图。

11：基座

15：模塑构件

16：导电层

16a：导电层弯折部

17：导电层

17a：导电层弯折部

18：发光二极管芯片

21：基座

23：焊接剂

25：模塑构件

26：导电层

26a：V型切口

27：导电层

27a：V型切口

28：发光二极管芯片

29：导电端子

31a/31b：导线

具体实施方式

为了改善公知发光二极管封装结构散热效率不佳的情形，本发明的较佳实施例提出一种新型封装结构。此新型封装结构，其导电层在弯折的部分不减小其宽度。此外，为了使弯折加工更容易，本较佳实施例在弯折设计一V型切口。

请参照图2A和2B，其绘示依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的上视图和侧视图。基座21具有一凹陷部，作为固定光电组件之用。基座21的材质可以是环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷等材料。发光二极管芯片28通过导线31a/31b分别与导电层26/27电性连接。导电层26/27在弯折的部分还包含V型切口26a/27a，使弯折加工更容易。此外，导电层26/27在弯折部分的宽度与导电层26/27其它同宽或更大。通过压模、灌胶或粘着的方式填入环氧树脂、压克力、硅胶等材料，形成模塑构件25，将发光二极管芯片28封装于该凹陷部内。

在此领域的技术人员都知道半导体光电组件在导电动作时，其一部分能量会产生热能，其热能若持续累积在光电组件上，会发生温度提升，因而对光电组件造成损害，进而降低其使用上的寿命。所以如何将其热能有效的导引出为一重要课题。一般而言，散热效果与其传导物的截面积成正比，因此本发明在导电层26/27延伸于基座外的区域设计成均一或更大的宽度，可提升其散热上的效果。

请参照图3，其说明依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构固定后的示意图。图2A中完成封装的结构20通过焊接剂23(比如锡膏)与载板22上的导电端子29固定。

请参照图4，其说明依照本发明一较佳实施例另一种发光二极管封装结构固定后的示意图。在此图中，图2A中完成封装的结构通过焊接剂23(比如锡膏)以侧面与载板22上的导电端子29固定。本发光二极管封装结构，因导电层的弯折部26/27并未缩小宽度，所以可以用侧面与载板22上的导电端子29固定。

由上述本发明的较佳实施例可知，应用本发明的发光二极管封装结构可以减少因温度上提升因而对光电组件造成损害，进而增加封装结构的使用寿命。此外，因为封装结构在弯折部分较宽，使得封装结构可以用侧面与载板固定。

虽然本发明已以一较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求范围的界定为准。

Claims (5)

1.一种发光二极管封装结构，其中至少包含：

一基座，具有一凹陷部；

一导电层，固定于该基座中且部分暴露于该凹陷部内，其余部分由内而外延伸，并通过一弯折将该导电层延伸至基座底面，其中该弯折部分的宽度较该导电层其它部分宽度大，且具有至少一V型切口，以利于弯折加工；

一发光二极管芯片，固定于该凹陷部内，并与该导电层连接；以及

一模塑构件，填入该凹陷部内，用以封装该发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基座材质为环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组合。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该模塑构件材质为环氧树脂、压克力、硅胶或上述材料的组合。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该模塑构件以压模、灌胶或粘着的方式覆盖填入该凹陷部内。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该导电层包含金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁。

Images