CN101752352A - 发光二极管封装及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种发光二极管封装及其制造方法。该发光二极管封装包括承载器、封装壳体、补强体、静电放电防护元件与发光二极管芯片。承载器具有相对的第一表面与第二表面，且具有相隔间隙的第一电极与第二电极。封装壳体设置于承载器上且具有相对的第一开口与第二开口，第一开口暴露出第一表面，第二开口暴露出第二表面。补强体设置于承载器上且位于间隙处。静电放电防护元件设置于承载器上且位于第二开口内，而静电放电防护元件与承载器电连接。发光二极管芯片设置于承载器上且位于第一开口内，而发光二极管芯片与承载器电连接。通过第一开口、第二开口与补强体的设计，可提升发光二极管封装的制作良率并降低制作成本。

Description

发光二极管封装及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种封装结构与其制造方法，且特别涉及一种发光二极管封装(light emitting diode package，LED package)及其制造方法。
背景技术
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各种仪器的指示灯或光源。近年来，还由于发光二极管朝向多色彩以及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示看板及交通信号灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保功能的照明灯源。
图1A为公知的发光二极管封装的俯视示意图。图1B为图1A的发光二极管封装沿着线A-A’的断面示意图。请同时参照图1A与图1B，公知的发光二极管封装100包括：导线架(leadframe)110、封装壳体(package housing)120、发光二极管芯片130、静电放电防护元件(ESD protector)140、多条引线(bonding wire)150与胶体(encapsulant)160。导线架110具有第一表面111与第二表面112，且具有间隙W。封装壳体120形成于导线架110上、并于第一表面111上形成芯片容纳空间S。发光二极管芯片130设置于导线架110的第一表面111上，且位于芯片容纳空间S中。静电放电防护元件140设置于导线架110的第二表面112上。发光二极管芯片130通过引线150而与导线架110电连接。静电放电防护元件140通过引线150而与导线架110电连接。胶体160包覆发光二极管芯片130与位于芯片容纳空间S中的引线150。值得注意的是，封装壳体120包覆导线架110的整个第二表面112、静电放电防护元件140及让静电放电防护元件140电连接于第二表面的引线150。所以，承载器110可具有足够的强度，适于在承载器110的第一表面111设置发光二极管芯片130。
然而，在上述的发光二极管封装100中，因第二表面112上的引线150被包覆于封装壳体120中，导致引线150容易断裂。所以，发光二极管封装100的制作良率会下降。并且，由于发光二极管封装100的整个第二表面112都被封装壳体120所包覆，所以封装壳体120所需的材料使用量大，而造成材料的浪费。
图1C为公知的另一种发光二极管封装的断面示意图。请参考图1C，和图1B不同之处在于：如图1C所示的发光二极管封装100’利用表面黏着技术，通过凸块142而将静电放电防护元件140与导线架110电连接。使用此技术的发光二极管封装结构100’虽可改善上述引线150的断裂问题，但是由于表面黏着技术较引线焊接技术复杂，制造成本亦将会大幅增加。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种发光二极管封装，通过两侧开口与补强体的设计，可防止封装时所造成的引线断裂问题，使产品良率提升并降低制作成本。
本发明还提供一种发光二极管封装的制造方法，能制作上述的发光二极管封装，具有步骤简单与降低制造成本的优点。
为达上述或是其他目的，本发明提出一种发光二极管封装，其包括：承载器、封装壳体、补强体、静电放电防护元件与发光二极管芯片。承载器具有相对的第一表面与第二表面，且具有相隔间隙的第一电极与第二电极。封装壳体设置于承载器上且具有相对的第一开口与第二开口，第一开口暴露出第一表面，第二开口暴露出第二表面。补强体设置于承载器上且位于间隙处。静电放电防护元件设置于承载器上且位于第二开口内，且与承载器电连接。发光二极管芯片设置于承载器上且位于第一开口内，且与承载器电连接。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，补强体设置于承载器的第二表面。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，补强体与封装壳体为一体成型的结构。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，补强体的厚度为不低于0.25μm。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括至少一条引线，静电放电防护元件通过引线而与承载器电连接。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括多个凸块，静电放电防护元件通过凸块而与承载器电连接。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，静电放电防护元件为齐纳二极管芯片、红光发光二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型红光发光二极管封装、电容器、变阻器或突波吸收器。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，承载器为导线架。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括至少一条引线，所述发光二极管芯片通过引线而与承载器电连接。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括多个凸块，发光二极管芯片通过凸块而与承载器电连接。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括胶体，胶体包覆发光二极管芯片与由第一开口所暴露的承载器。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，还包括掺杂荧光粉的胶体，包覆发光二极管芯片与由第一开口所暴露的承载器。
在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装，封装壳体的材料为塑料、金属或金属氧化物。
基于上述，本发明还提出一种发光二极管封装的制造方法。首先，提供承载器，承载器具有相对的第一表面与第二表面，且承载器具有相隔间隙的第一电极与第二电极。接着，形成与承载器接合的封装壳体，封装壳体具有相对的第一开口与第二开口，第一开口暴露出第一表面，第二开口暴露出第二表面。接着，在承载器上且位于间隙处形成补强体。继之，将静电放电防护元件设置于由第二开口所暴露的承载器上，且电连接静电放电防护元件与承载器。之后，将发光二极管芯片设置于由第一开口所暴露的承载器上，且电连接发光二极管芯片与承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，补强体形成于承载器的第二表面。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，补强体与封装壳体为一体成型。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，补强体的厚度为不低于0.25μm。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，静电放电防护元件是通过表面粘着技术而设置于承载器上，且电连接至承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，静电放电防护元件是通过芯片倒装焊接技术而设置于承载器上，且电连接至承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，静电放电防护元件是通过引线焊接技术而电连接至承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，发光二极管芯片是通过芯片倒装焊接技术而设置于承载器上且电连接至承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，发光二极管芯片是通过引线焊接技术而电连接至承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，在电连接发光二极管芯片与承载器的步骤之后，还包括形成胶体，包覆发光二极管芯片与由第一开口所暴露的承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，在电连接发光二极管芯片与承载器的步骤之后，还包括形成掺杂荧光粉的胶体，包覆发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的承载器。
在本发明的实施例中，上述发光二极管封装的制造方法，形成与承载器接合的封装壳体的方式为塑料射出成型工艺或压铸成型工艺。
本发明的发光二极管封装及其制造方法因采用两侧开口的设计，而可以改善引线断裂的问题，并且还可减少封装壳体所使用的材料，以降低制造成本。特别是，配合两侧开口，可再通过补强体使得承载器的强度提升，以提升发光二极管封装的制作良率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的优选实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1A为公知的发光二极管封装的俯视示意图。
图1B为图1A的发光二极管封装沿着线A-A’的断面示意图。
图1C为公知的另一种发光二极管封装的断面示意图。
图2A为本发明优选实施例的一种发光二极管封装的俯视示意图。
图2B为图2A的发光二极管封装沿着线B-B’的断面示意图。
图3A为本发明优选实施例的另一种发光二极管封装的俯视示意图。
图3B为图3A的发光二极管封装沿着线C-C’的剖视示意图。
图3C为同时制作补强体与封装壳体的示意图。
图4A为本发明优选实施例的又一种发光二极管封装的俯视示意图。
图4B为图4A的发光二极管封装沿着线D-D’的断面示意图。
图5A为本发明优选实施例的再一种发光二极管封装的俯视示意图。
图5B为图5A的发光二极管封装沿着线E-E’的断面示意图。
图6A至图6D为本发明优选实施例的一种发光二极管封装的制造方法的步骤流程示意图
附图标记说明
100、100’、200a～200d：发光二极管封装
110：导线架
120、220：封装壳体
130、250：发光二极管芯片
140、240：静电放电防护元件
150、260：引线
160、270：胶体
210：承载器
211：第一表面
212：第二表面
230：补强体
262：凸块
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’：剖面线
d：补强体的厚度
E1：第一电极
E2：第二电极
G：凹槽
M1：第一模具
M2：第二模具
R：塑料层
S：芯片容纳空间
S1：第一开口
S1：第二开口
W：间隙
具体实施方式
以下结合附图及优选实施例，对依据本发明提出的发光二极管封装的技术方案以及技术效果，详细说明如后。
图2A为本发明优选实施例的一种发光二极管封装的俯视示意图。图2B为图2A的发光二极管封装沿着线B-B’的断面示意图。请同时参照图2A与图2B，此发光二极管封装200a包括：承载器210、封装壳体220、补强体230、静电放电防护元件240与发光二极管芯片250。承载器210具有相对的第一表面211与第二表面212，且具有相隔间隙W的第一电极E1与第二电极E2。封装壳体220设置于承载器210上、且具有相对的第一开口S1与第二开口S2，第一开口S1暴露出第一表面211，第二开口S2暴露出第二表面212。补强体230设置于承载器210上、且位于间隙W处。静电放电防护元件240设置于承载器210上、且位于第二开口S2内，而静电放电防护元件240与承载器210电连接。发光二极管芯片250设置于承载器210上且位于第一开口S1内，而发光二极管芯片250与承载器210电连接。
请继续参照图2A，承载器210例如为导线架，但并不限定于此。此外，封装壳体220的材料可为塑料、金属或金属氧化物。另外，发光二极管封装200a还包括至少一条引线260，静电放电防护元件240通过引线260而与承载器210电连接，且发光二极管芯片250通过引线260而与承载器210电连接。
值得注意的是，当采用引线260形成发光二极管芯片250、静电放电防护元件240与承载器210之间的电性连接时，由于上述的封装壳体220采用第一开口S1、第二开口S2的设计，所以引线260不会受到封装壳体220的影响而断裂。另外，第一开口S1与第二开口S2的设计还可以减少封装壳体220的材料使用量。值得注意的是，在承载器210的间隙处W还设置了补强体230，以提升承载器210整体的强度。以下将继续对补强体230进行详细的说明。
请继续参照图2A与图2B，补强体230可设置于承载器210的第二表面212。由于补强体230为非透光性的材料，因此将补强体230设置于第二表面212，可避免发光二极管芯片250所发出的光线被补强体230所吸收，以利于提升发光二极管芯片250的发光效率。要注意的是，补强体230的位置并不限定设置于第二表面212，换句话说，亦可将补强体230设置于承载器210的第一表面211(未图示)。
请再参考图2B，补强体230的厚度d可依照设计时的需要作调整。优选的例子是，补强体230的厚度d不低于0.25μm。此时，补强体230可提供承载器210良好的支撑力，并能节省补强体230所使用的材料。
图3A为本发明优选实施例的另一种发光二极管封装的俯视示意图。图3B为图3A的发光二极管封装沿着线C-C’的剖视示意图。请同时参考图3A及图3B，此发光二极管封装200b与发光二极管封装200a的元件组成大致相同，相同的元件标示以相同的符号。两者的差别在于：图3A～图3B所示的补强体230与封装壳体220为一体成型的结构，而图2A～图2B的补强体230是另一道步骤所制作的结构。
也就是说，如图3A～图3B所示补强体230与封装壳体220为同时形成。图3C为同时制作补强体与封装壳体的示意图。请参照图3C，在实际制作上，只要先在承载器210上形成塑料层R，之后再利用第一模具M1从上方往塑料层R冲压、且利用第二模具M2从下方往塑料层R冲压。第二模具M2具有互补于补强体230的凹槽G，在冲压完成后，将第一模具M1与第二模具M2向外移开，即可自然同时形成封装壳体220与补强体230。特别是，由于补强体230的存在，当第一模具M1与第二模具M2向外拉扯时，仍能够确保承载器210的强度，而不致使承载器210受到过大的应力而损坏。
另外，上述使补强体230与封装壳体220为一体成型的结构可简化制造流程，并可帮助承载器210得到良好的支撑强度。要注意的是，补强体230可以有不同的形状，只要变更凹槽G的设计即可。上述实施例仅为说明，本领域的普通技术人员当可依需要改变形状设计。
请继续参照图2A～图2B，静电放电防护元件240可为齐纳二极管芯片(zener diode chip)、红光发光二极管芯片(red-light LED chip)、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型红光发光二极管封装、电容器、变阻器(varistor)或突波吸收器(surge absorber)。
静电放电防护元件240可通过引线焊接技术或是芯片倒装焊接技术(flipchip bonding)与承载器210电连接；若静电放电防护元件240为表面粘着型齐纳二极管封装或表面粘着型红光发光二极管封装，则静电放电防护元件240可直接通过锡膏(solder paste)(未绘示)而与承载器210电连接。若静电放电防护元件240为变阻器，则静电放电防护元件240的功能为提供高电阻保护方式或变电阻保护方式(后者即为在某一电压时，变电阻为导电性)。在此必须说明的是，为了方便说明起见，本实施例以下将以芯片形态的静电放电防护元件240(也即齐纳二极管芯片或红光发光二极管芯片)为例进行说明。
请继续参照图2A～图2B，上述的发光二极管封装200a还可进一步包括胶体270，胶体270包覆发光二极管芯片250与由第一开口S1所暴露的承载器210。胶体270可保护所包覆的元件，以避免元件受到外界温度、湿气的影响。一般而言，可采用硅胶(silicone resin)作为胶体270的材料。另外，还可使用掺杂荧光粉的胶体(未绘示)，所以当发光二极管封装200a的发光二极管芯片250发光时，荧光粉受到发光二极管芯片250所发出光线激发，而发出另一颜色的可见光。例如，发光二极管芯片250可发出蓝光，而荧光粉受到蓝光激发而发出黄光，如此一来，蓝光与黄光即可混光为白光。
上述的发光二极管封装200a除了可以使用引线260来电连接发光二极管芯片250、静电放电防护元件240与承载器210之外，电连接的方式还可运用采用凸块方式的芯片倒装焊接技术、或是运用锡膏的表面黏着技术。
图4A为本发明优选实施例的又一种发光二极管封装的俯视示意图。图4B为图4A的发光二极管封装沿着线D-D’的断面示意图。请同时参照图2A～图2B、图4A～图4B，此发光二极管封装200c与发光二极管封装200a的元件组成大致相同，相同的元件标示以相同的符号。两者的不同之处在于：发光二极管封装200c还包括多个凸块(bump)262，静电放电防护元件240可通过这些凸块262而与承载器210电连接。换言之，静电放电防护元件240可通过芯片倒装焊接技术而设置于承载器210上、且电连接至承载器210。
图5A为本发明优选实施例的再一种发光二极管封装的俯视示意图。图5B为图5A的发光二极管封装沿着线E-E’的断面示意图。请同时参照图2A～图2B以及图5A～图5B，此发光二极管封装200d与发光二极管封装200a的元件组成大致相同，相同的元件标示以相同的符号。两者的不同之处在于：发光二极管封装200d还包括多个凸块(bump)262，其中发光二极管芯片250可通过这些凸块262而与承载器210电连接。换言之，发光二极管芯片250是通过芯片倒装焊接技术而设置于承载器210上、且电连接至承载器210。
上述电性连接的方式仅为举例，并非用以限定本发明。本领域的普通技术人员当可依其考量，运用不同的电连接方式。
综上所述，上述的发光二极管封装200a～200d通过第一开口S1、第二开口S2的设计，可大幅减少封装壳体220需要使用的材料，而降低生产成本。同时，两侧开口S1、S2的设计还可避免引线260容易断裂的问题，因此可提升引线焊接技术的良率。值得注意的是，补强体230可给予承载器210支撑的作用，使得在承载器210上在设置静电放电防护元件240、发光二极管芯片250时，承载器210不会因承受过多应力而导致变形。
以下将继续说明发光二极管封装200的制造方法，此处以图3A～图3C的发光二极管封装200b为例进行说明。图6A至图6D为本发明优选实施例的一种发光二极管封装的制造方法的步骤流程示意图。图6A至6D的各图中皆表示了发光二极管封装的俯视示意图与延着线C-C’的断面示意图。
首先，请参照图6A，提供承载器210，此承载器210具有相对的第一表面211与第二表面212，且承载器210具有相隔间隙W的第一电极E1与第二电极E2。以下为方便说明，将承载器210将以导线架为例，导线架可通过冲压(punching)工艺或蚀刻(etching)工艺而成型，由于导线架是用来承载发光二极管芯片250，因此导线架通常具有两引脚(即第一电极E1与第二电极E2)。
接着，请同时参照图3C与图6B，形成与承载器210接合的封装壳体220，封装壳体220具有相对的第一开口S1与第二开口S2，第一开口S1暴露出第一表面211，第二开口S2暴露出第二表面212，并可在所述承载器210上且位于所述间隙W处形成补强体230。更详细而言，如上述图3C所示，可通过第一模具M1与具有凹槽G的第二模具M2，同时来形成一体成形的封装壳体220与补强体230。当然，也可在封装壳体220完成之前或之后，利用另外的步骤来进行补强体230的制作。另外，形成与承载器210接合的封装壳体220的方式可为塑料射出成型工艺或压铸成型工艺，且可配合封装壳体220的材料(塑料、金属或金属氧化物)进行运用，然而并不限定于此。
再来，请参照图6C，将静电放电防护元件240设置于由第二开口S2所暴露的承载器210上，且电连接静电放电防护元件240与承载器210。静电放电防护元件240可通过表面粘着技术(例如银胶，图中未示)而设置于承载器210上、且电连接至承载器210；或者，静电放电防护元件240可通过芯片倒装焊接技术而设置于承载器210上、且电连接至承载器210；或者，静电放电防护元件240可通过引线焊接技术以引线260电连接至承载器210。
之后，请参照图6D，将发光二极管芯片250设置于由第一开口S1所暴露的承载器210上，且电连接发光二极管芯片250与承载器210。同样地，可通过芯片倒装焊接技术、或引线焊接技术，将发光二极管芯片250电连接到承载器210。
请继续参照图6D，在完成电连接发光二极管芯片250与承载器210的步骤之后，还可形成胶体270，包覆发光二极管芯片250与由第一开口S1所暴露的承载器210。胶体270可为硅胶之类的透明胶材。另外，也可使用掺杂荧光粉的胶体(未绘示)，由此可得到不同颜色的色光。
另外，上述的发光二极管封装200一般会再进行剪裁(trimming)与成型(forming)步骤。剪裁的目的在于将承载器210上已经包覆的多个成品分离开来。成型的目的在于将承载器210外露于封装壳体220外与胶体270之外的部分形成所设计的外形，以便电连接下一层级的电子装置(图中未示)。通过上述步骤，即可将发光二极管200应用到不同的产品，如灯具、显示面板等之中。
上述的发光二极管200封装的制作方法，关于两侧开口S1、S2与补强体230的设计，可利用模具M1、M2的变更而顺利进行。因此，制作过程简单、且能降低制作成本。再加上配合技术成熟、便宜的引线焊接技术，两侧开口S1、S2的设计还可避免引线260因封装壳体220的影响而断裂，并能提升制作良率。
综上所述，本发明的发光二极管封装及其制造方法至少具有下列优点：
通过发光二极管封装的两侧开口设计，可以减少封装壳体所需使用的材料，降低制造成本。并且，两侧开口设计适于搭配便宜的导线焊接技术，引线不会受到封装壳体的影响而造成断裂，可使发光二极管封装的制作良率提升。再者，补强体可加强承载器承受应力的能力，可避免在安装发光二极管芯片或静电放电防护元件时，承载器受到过大的应力而弯曲。再者，上述的发光二极管封装的制作方法只要变更模具的设计即可实施两侧开口与补强体的制作，并且，补强体于制作过程中可使承载器具有一定的强度。上述发光二极管封装的制作方法具有相当简单的制作步骤、并可节省材料的使用。
以上所述，仅是本发明的优选实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以优选实施例披露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (25)

1.一种发光二极管封装，其特征是包括：
承载器，具有相对的第一表面与第二表面，且所述承载器具有相隔间隙的第一电极与第二电极；
封装壳体，设置于所述承载器上，所述封装壳体具有相对的第一开口与第二开口，所述第一开口暴露出所述第一表面，所述第二开口暴露出所述第二表面；
补强体，设置于所述承载器上且位于所述间隙处；
静电放电防护元件，设置于所述承载器上且位于所述第二开口内，而所述静电放电防护元件与所述承载器电连接；以及
发光二极管芯片，设置于所述承载器上且位于所述第一开口内，而所述发光二极管芯片与所述承载器电连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体设置于所述承载器的所述第二表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体与所述封装壳体为一体成型的结构。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体的厚度为不低于0.25μm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括至少一条引线，所述静电放电防护元件通过所述引线而与所述承载器电连接。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括多个凸块，所述静电放电防护元件通过所述凸块而与所述承载器电连接。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述静电放电防护元件为齐纳二极管芯片、红光发光二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型红光发光二极管封装、电容器、变阻器或突波吸收器。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述承载器为导线架。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括至少一条引线，所述发光二极管芯片通过所述引线而与所述承载器电连接。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括多个凸块，所述发光二极管芯片通过所述凸块而与所述承载器电连接。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括胶体，所述胶体包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括掺杂荧光粉的胶体，包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。
13.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述封装壳体的材料为塑料、金属或金属氧化物。
14.一种发光二极管封装的制造方法，其特征是包括：
提供承载器，所述承载器具有相对的第一表面与第二表面，且所述承载器具有相隔间隙的第一电极与第二电极；
形成与所述承载器接合的封装壳体，所述封装壳体具有相对的第一开口与第二开口，所述第一开口暴露出所述第一表面，所述第二开口暴露出所述第二表面；
在所述承载器上且位于所述间隙处形成补强体；
将静电放电防护元件设置于由所述第二开口所暴露的所述承载器上、且电连接所述静电放电防护元件与所述承载器；以及
将发光二极管芯片设置于由所述第一开口所暴露的所述承载器上、且电连接所述发光二极管芯片与所述承载器。
15.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体形成于所述承载器的所述第二表面。
16.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体与所述封装壳体为一体成型。
17.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体的厚度为不低于0.25μm。
18.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述静电放电防护元件是通过表面粘着技术而设置于所述承载器上、且电连接至所述承载器。
19.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述静电放电防护元件是通过芯片倒装焊接技术而设置于所述承载器上、且电连接至所述承载器。
20.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述静电放电防护元件是通过引线焊接技术而电连接至所述承载器。
21.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述发光二极管芯片是通过芯片倒装焊接技术而设置于所述承载器上且电连接至所述承载器。
22.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述发光二极管芯片是通过引线焊接技术而电连接至所述承载器。
23.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是在电连接所述发光二极管芯片与所述承载器的步骤之后，还包括形成胶体，包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。
24.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是在电连接所述发光二极管芯片与所述承载器的步骤之后，还包括形成掺杂荧光粉的胶体，包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。
25.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是形成与所述承载器接合的所述封装壳体的方式为塑料射出成型工艺或压铸成型工艺。
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