JPH09214002A - 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法Info
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- JPH09214002A JPH09214002A JP8035808A JP3580896A JPH09214002A JP H09214002 A JPH09214002 A JP H09214002A JP 8035808 A JP8035808 A JP 8035808A JP 3580896 A JP3580896 A JP 3580896A JP H09214002 A JPH09214002 A JP H09214002A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のこの種の表面実装型ＬＥＤ素子は、プ
リント回路基板を素材とする基板を使用するものであ
り、この基板の生産に非常に数多くの工程が必要とな
り、表面実装型ＬＥＤ素子がコストアップする問題点を
生じている。 【解決手段】 本発明により、ハンダ付が可能な金属部
材で形成され、断面が端子部２１と配線部２２とマウン
ト部２３とで略Ｌ字状とされた端子板２の一対をマウン
ト部２３を正対する門構え状に配置し、マウント部２３
を除き樹脂４１を充填して固定し、マウント部２３間に
適宜のピッチでＬＥＤチップ３をマウントした後に樹脂
４２で覆い、ＬＥＤチップ３間を切断して成る表面実装
型ＬＥＤ素子１の製造方法としたことで、予めに所定形
状として形成した端子板２の一対を所定間隔で対峙さ
せ、間に樹脂４１を注入する工程のみでＬＥＤチップ３
のマウントを可能とし、格段の製造工程の短縮を可能と
して課題を解決する。
リント回路基板を素材とする基板を使用するものであ
り、この基板の生産に非常に数多くの工程が必要とな
り、表面実装型ＬＥＤ素子がコストアップする問題点を
生じている。 【解決手段】 本発明により、ハンダ付が可能な金属部
材で形成され、断面が端子部２１と配線部２２とマウン
ト部２３とで略Ｌ字状とされた端子板２の一対をマウン
ト部２３を正対する門構え状に配置し、マウント部２３
を除き樹脂４１を充填して固定し、マウント部２３間に
適宜のピッチでＬＥＤチップ３をマウントした後に樹脂
４２で覆い、ＬＥＤチップ３間を切断して成る表面実装
型ＬＥＤ素子１の製造方法としたことで、予めに所定形
状として形成した端子板２の一対を所定間隔で対峙さ
せ、間に樹脂４１を注入する工程のみでＬＥＤチップ３
のマウントを可能とし、格段の製造工程の短縮を可能と
して課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ素子に関す
るものであり、詳細にはリード線の挿入を行うことなく
回路基板に密着させる状態で直接に取付可能な表面実装
型としたＬＥＤ素子に係るものである。
るものであり、詳細にはリード線の挿入を行うことなく
回路基板に密着させる状態で直接に取付可能な表面実装
型としたＬＥＤ素子に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の表面実装型ＬＥＤ素子９
０の構成の例を示すものが図１４であり、先ず、この表
面実装型ＬＥＤ素子９０はＬＥＤチップ９１と、基板９
２と、ケース９３とで構成され、前記基板９２を形成す
るに当たっては、表裏の両面に導体箔が敷設された両面
プリント回路基板を素材とし、先ず、前記両面プリント
回路基板を所定の寸法に切断する。
０の構成の例を示すものが図１４であり、先ず、この表
面実装型ＬＥＤ素子９０はＬＥＤチップ９１と、基板９
２と、ケース９３とで構成され、前記基板９２を形成す
るに当たっては、表裏の両面に導体箔が敷設された両面
プリント回路基板を素材とし、先ず、前記両面プリント
回路基板を所定の寸法に切断する。
【０００３】次いで、上記の切断面の所定の二辺に無電
解メッキを行い配線部９２ａを形成し、表裏の導体箔を
電気的に接続し、その後に表面側の導体箔には前記ＬＥ
Ｄチップ９１をマウントし配線を行うマウント部９２ｂ
及びワイヤボンド部９２ｃをエッチングで形成し、裏面
側の導体箔には端子部９２ｄを同様にエッチングで形成
して基板９２を完成させる。
解メッキを行い配線部９２ａを形成し、表裏の導体箔を
電気的に接続し、その後に表面側の導体箔には前記ＬＥ
Ｄチップ９１をマウントし配線を行うマウント部９２ｂ
及びワイヤボンド部９２ｃをエッチングで形成し、裏面
側の導体箔には端子部９２ｄを同様にエッチングで形成
して基板９２を完成させる。
【０００４】そして、前記マウント部９２ｂにＬＥＤチ
ップ９１を一方の極でマウントし、他の一方の極とワイ
ヤボンド部９２ｃとをワイヤボンダで配線を行い、透明
樹脂によりケース９３を前記ＬＥＤチップ９１を覆い形
成することで、表面実装型ＬＥＤ素子９０が完成する。
ップ９１を一方の極でマウントし、他の一方の極とワイ
ヤボンド部９２ｃとをワイヤボンダで配線を行い、透明
樹脂によりケース９３を前記ＬＥＤチップ９１を覆い形
成することで、表面実装型ＬＥＤ素子９０が完成する。
【０００５】尚、実際の製造に当たっては生産効率を向
上させるために、基板９２は複数の表面実装型ＬＥＤ素
子９０が並列に接続された状態として形成しておき、そ
の状態の基板９２にＬＥＤチップ９１の取付け、ケース
９３の形成を行った後に切断し、個々の表面実装型ＬＥ
Ｄ素子９０を得るものとしている。
上させるために、基板９２は複数の表面実装型ＬＥＤ素
子９０が並列に接続された状態として形成しておき、そ
の状態の基板９２にＬＥＤチップ９１の取付け、ケース
９３の形成を行った後に切断し、個々の表面実装型ＬＥ
Ｄ素子９０を得るものとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の表面実装型ＬＥＤ素子９０においては、基板９
２を作成するにあたっては、図１５に工程Ｓ０１〜工程
Ｓ２７で示すように２７工程もの工程を必要とし、この
基板９２が高価なものとなり、表面実装型ＬＥＤ素子９
０全体がコストアップする問題点を生じると共に、無電
解メッキで形成されている配線部９２ａは密着性に劣
り、回路基板に実装した際に剥離するなどの問題点も生
じ、これらの点の解決が課題とされるものと成ってい
る。
た従来の表面実装型ＬＥＤ素子９０においては、基板９
２を作成するにあたっては、図１５に工程Ｓ０１〜工程
Ｓ２７で示すように２７工程もの工程を必要とし、この
基板９２が高価なものとなり、表面実装型ＬＥＤ素子９
０全体がコストアップする問題点を生じると共に、無電
解メッキで形成されている配線部９２ａは密着性に劣
り、回路基板に実装した際に剥離するなどの問題点も生
じ、これらの点の解決が課題とされるものと成ってい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した従来
の課題を解決するための具体的な手段として、ハンダ付
が可能な金属部材で形成され、端子部と、先端側にマウ
ント部が設けられる配線部とで断面が略Ｌ字状とされた
一対の端子板が前記マウント部を正対させて門構え状に
配置され、前記マウント部間にはＬＥＤチップがマウン
トされ、前記端子部間には樹脂が充填されて成ることを
特徴とする表面実装型ＬＥＤ素子及びその製造方法を提
供することで、課題を解決するものである。
の課題を解決するための具体的な手段として、ハンダ付
が可能な金属部材で形成され、端子部と、先端側にマウ
ント部が設けられる配線部とで断面が略Ｌ字状とされた
一対の端子板が前記マウント部を正対させて門構え状に
配置され、前記マウント部間にはＬＥＤチップがマウン
トされ、前記端子部間には樹脂が充填されて成ることを
特徴とする表面実装型ＬＥＤ素子及びその製造方法を提
供することで、課題を解決するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１〜図５は本発明に係
る表面実装型ＬＥＤ素子１の製造工程を、工程の順に示
すものであり、本発明においては、予めに例えば銅など
ハンダ付が可能な金属部材で端子部２１と、該端子部２
１の一方の面から略直角方向に突出する配線部２２と、
該配線部２２の先端側にマウント部２３とが設けられて
断面を略Ｌ字状とする端子板２をプレス成型或いは押出
成型などで形成しておく。
態に基づいて詳細に説明する。図１〜図５は本発明に係
る表面実装型ＬＥＤ素子１の製造工程を、工程の順に示
すものであり、本発明においては、予めに例えば銅など
ハンダ付が可能な金属部材で端子部２１と、該端子部２
１の一方の面から略直角方向に突出する配線部２２と、
該配線部２２の先端側にマウント部２３とが設けられて
断面を略Ｌ字状とする端子板２をプレス成型或いは押出
成型などで形成しておく。
【０００９】続いて、前記端子板２の一対を図１に示す
ようにマウント部２３が正対する門構え状であり、且
つ、前記マウント部２３間の寸法を、この間にマウント
されるＬＥＤチップ３の厚み寸法（Ｐ極及びＮ極側の寸
法）に略対応する間隙を有するものとして対峙させ、図
２に示すように前記マウント部２３間を除いてエポキシ
樹脂など透明な樹脂４１を充填し、両端子板２を接着固
定する。
ようにマウント部２３が正対する門構え状であり、且
つ、前記マウント部２３間の寸法を、この間にマウント
されるＬＥＤチップ３の厚み寸法（Ｐ極及びＮ極側の寸
法）に略対応する間隙を有するものとして対峙させ、図
２に示すように前記マウント部２３間を除いてエポキシ
樹脂など透明な樹脂４１を充填し、両端子板２を接着固
定する。
【００１０】その後に、図３及び図４に示すように、複
数のＬＥＤチップ３を所定ピッチとして、Ｐ極及びＮ極
でマウント部２３間に導電接着剤で接着し、マウント及
び配線を行い、しかる後に図５に示すように前記マウン
ト部２３間にエポキシ樹脂など透明な樹脂４２を充填
し、前記ＬＥＤチップ３を外気から覆い、前記ＬＥＤチ
ップ３がマウントされた中間の位置で切断し分離させれ
ば、図６に示す本発明の表面実装型ＬＥＤ素子１（第一
実施形態）が得られるものと成る。
数のＬＥＤチップ３を所定ピッチとして、Ｐ極及びＮ極
でマウント部２３間に導電接着剤で接着し、マウント及
び配線を行い、しかる後に図５に示すように前記マウン
ト部２３間にエポキシ樹脂など透明な樹脂４２を充填
し、前記ＬＥＤチップ３を外気から覆い、前記ＬＥＤチ
ップ３がマウントされた中間の位置で切断し分離させれ
ば、図６に示す本発明の表面実装型ＬＥＤ素子１（第一
実施形態）が得られるものと成る。
【００１１】よって、本発明の製造方法によれば、予め
に所定形状として形成しておいた端子板２の一対を治具
などで所定間隔で対峙させて保持しておき、その間に樹
脂４１を注入する工程のみで、ＬＥＤチップ３のマウン
トが可能な従来例の基板と同等なものが得られるものと
なり格段の製造工程の短縮が可能となる。また、ＬＥＤ
チップ３はマウント部２３間に取付けるのみで両極の配
線が行われるのでワイヤボンダによる配線工程も不要と
なり、この点でも製造工程が簡素化される。
に所定形状として形成しておいた端子板２の一対を治具
などで所定間隔で対峙させて保持しておき、その間に樹
脂４１を注入する工程のみで、ＬＥＤチップ３のマウン
トが可能な従来例の基板と同等なものが得られるものと
なり格段の製造工程の短縮が可能となる。また、ＬＥＤ
チップ３はマウント部２３間に取付けるのみで両極の配
線が行われるのでワイヤボンダによる配線工程も不要と
なり、この点でも製造工程が簡素化される。
【００１２】次いで、上記の製造工程で生産される表面
実装型ＬＥＤ素子１においては、従来例のプリント回路
基板の導体箔（標準的には０．０３mm厚）と比較して格
段に厚く形成することが可能な端子板２にＬＥＤチップ
３がマウントされるので、点灯時のＬＥＤチップ３の放
熱効果が格段に向上し、これにより、点灯電流或いは最
高使用温度など最大定格の向上を可能とする。
実装型ＬＥＤ素子１においては、従来例のプリント回路
基板の導体箔（標準的には０．０３mm厚）と比較して格
段に厚く形成することが可能な端子板２にＬＥＤチップ
３がマウントされるので、点灯時のＬＥＤチップ３の放
熱効果が格段に向上し、これにより、点灯電流或いは最
高使用温度など最大定格の向上を可能とする。
【００１３】また、上記の製造工程により、端子板２の
マウント部２３でＬＥＤチップ３の両極を挟持する構成
と成ることでＬＥＤチップ３の内部の電流密度が均一化
され、従来例のワイヤボンドのように一方の極が一点で
配線されて、その一点に電流が集中し部分的な温度上昇
を生じることをなくし、ＬＥＤチップ３の劣化防止も可
能とする。
マウント部２３でＬＥＤチップ３の両極を挟持する構成
と成ることでＬＥＤチップ３の内部の電流密度が均一化
され、従来例のワイヤボンドのように一方の極が一点で
配線されて、その一点に電流が集中し部分的な温度上昇
を生じることをなくし、ＬＥＤチップ３の劣化防止も可
能とする。
【００１４】加えて、上記の製造工程により、前記端子
板２の端子部２１の面積が拡大し且つ剥離の恐れもない
堅牢なものとなるので、図７に示すように配線部２２を
下方として回路基板１０と密着させた状態、図８に示す
ように配線部２２を上方とした状態での回路基板１０へ
の取付けが可能であり、更には、図９に示すように配線
部２２を側方として取付け、回路基板１０と平行方向へ
の光の放射も可能とする。
板２の端子部２１の面積が拡大し且つ剥離の恐れもない
堅牢なものとなるので、図７に示すように配線部２２を
下方として回路基板１０と密着させた状態、図８に示す
ように配線部２２を上方とした状態での回路基板１０へ
の取付けが可能であり、更には、図９に示すように配線
部２２を側方として取付け、回路基板１０と平行方向へ
の光の放射も可能とする。
【００１５】図１０〜図１３に示すものは、本発明に係
る表面実装型ＬＥＤ素子１の別の実施形態であり、先
ず、図１０に示すものは、予めに配線部２２が設けられ
た側から光を放射させることが定められている場合、即
ち、図８に示した状態で回路基板１０への取付けが行わ
れる場合の第二実施形態である。
る表面実装型ＬＥＤ素子１の別の実施形態であり、先
ず、図１０に示すものは、予めに配線部２２が設けられ
た側から光を放射させることが定められている場合、即
ち、図８に示した状態で回路基板１０への取付けが行わ
れる場合の第二実施形態である。
【００１６】この場合には、樹脂４１の充填に先立っ
て、配線部２２が設けられたのと反対側のマウント部２
３の端部間を、例えばアルミ蒸着などで鏡面とした反射
テープ５で施蓋しておけば、この反射テープ５が反射面
として作用し、配線部２２方向への光を増加することが
できる。尚、このときには前記樹脂４１は透明である必
要はない。
て、配線部２２が設けられたのと反対側のマウント部２
３の端部間を、例えばアルミ蒸着などで鏡面とした反射
テープ５で施蓋しておけば、この反射テープ５が反射面
として作用し、配線部２２方向への光を増加することが
できる。尚、このときには前記樹脂４１は透明である必
要はない。
【００１７】図１１に示すものは端子板２の端子部２１
の配線部２２が設けられた端部とは反対側となる端部に
も例えば折曲加工を行うことで第二端子部２４を設け、
この表面実装型ＬＥＤ素子１が図８に示したように配線
部２２を上方とした状態で取付けが行われる場合にも、
回路基板１０とのハンダ付けが行われる面積の増加を図
る第三実施形態である。
の配線部２２が設けられた端部とは反対側となる端部に
も例えば折曲加工を行うことで第二端子部２４を設け、
この表面実装型ＬＥＤ素子１が図８に示したように配線
部２２を上方とした状態で取付けが行われる場合にも、
回路基板１０とのハンダ付けが行われる面積の増加を図
る第三実施形態である。
【００１８】図１２に示すものは、上記と同様に図８に
示したように配線部２２を上方とした状態で取付けが行
われる場合に、マウント部２３の光の放射方向となる配
線部２２側にテーパー面とした反射面部２５を設け、こ
の反射面部２５でＬＥＤチップ３からの光を反射させ、
光量の増加を図る第四実施形態であり、例えば、図１０
に示した反射テープ５（第二実施形態）と併用すること
で、一層にその効果は確実なものとなる。また、この場
合には図１１に示す第三実施形態と併せて実施すること
も有効である。
示したように配線部２２を上方とした状態で取付けが行
われる場合に、マウント部２３の光の放射方向となる配
線部２２側にテーパー面とした反射面部２５を設け、こ
の反射面部２５でＬＥＤチップ３からの光を反射させ、
光量の増加を図る第四実施形態であり、例えば、図１０
に示した反射テープ５（第二実施形態）と併用すること
で、一層にその効果は確実なものとなる。また、この場
合には図１１に示す第三実施形態と併せて実施すること
も有効である。
【００１９】図１３に示すものは、上記の図７に示した
状態で回路基板１０に取付けるときの反射面部２６の形
成の例（第五実施形態）であり、この場合には、マウン
ト部２３の配線部２２とは反対側となる端部にテーパー
面とした反射面部２６を設ければ良い。尚、図１１〜図
１３の何れの実施形態においても、前に説明したのと基
本的に同一の製造工程で製造可能である。
状態で回路基板１０に取付けるときの反射面部２６の形
成の例（第五実施形態）であり、この場合には、マウン
ト部２３の配線部２２とは反対側となる端部にテーパー
面とした反射面部２６を設ければ良い。尚、図１１〜図
１３の何れの実施形態においても、前に説明したのと基
本的に同一の製造工程で製造可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、ハ
ンダ付が可能な金属部材で形成され、断面が、端子部
と、配線部と、マウント部とで略Ｌ字状とされた端子板
の一対を、前記マウント部を正対する門構え状に配置
し、前記マウント部を除く部分に樹脂を充填して両端子
板を固定し、前記マウント部間に適宜のピッチで前記Ｌ
ＥＤチップをマウントした後にＬＥＤチップを樹脂で覆
い、その後に前記ＬＥＤチップ間を切断して成る表面実
装型ＬＥＤ素子の製造方法としたことで、予めに所定形
状として形成しておいた端子板の一対を治具などで所定
間隔で対峙させて保持しておき、その間に樹脂を注入す
る工程のみで、ＬＥＤチップのマウントが可能な従来例
の基板と同等なものが得られるものとなり、格段の製造
工程の短縮が可能となって、この種の表面実装型ＬＥＤ
素子のコストダウンに極めて優れた効果を奏するもので
ある。
ンダ付が可能な金属部材で形成され、断面が、端子部
と、配線部と、マウント部とで略Ｌ字状とされた端子板
の一対を、前記マウント部を正対する門構え状に配置
し、前記マウント部を除く部分に樹脂を充填して両端子
板を固定し、前記マウント部間に適宜のピッチで前記Ｌ
ＥＤチップをマウントした後にＬＥＤチップを樹脂で覆
い、その後に前記ＬＥＤチップ間を切断して成る表面実
装型ＬＥＤ素子の製造方法としたことで、予めに所定形
状として形成しておいた端子板の一対を治具などで所定
間隔で対峙させて保持しておき、その間に樹脂を注入す
る工程のみで、ＬＥＤチップのマウントが可能な従来例
の基板と同等なものが得られるものとなり、格段の製造
工程の短縮が可能となって、この種の表面実装型ＬＥＤ
素子のコストダウンに極めて優れた効果を奏するもので
ある。
【００２１】また、上記の製造方法としたことで、得ら
れる表面実装型ＬＥＤ素子は従来例のプリント回路基板
の導体箔と比較して格段に厚く形成することが可能な端
子板にＬＥＤチップ３がマウントされるものとなり、点
灯時のＬＥＤチップ３の放熱効果が格段に向上し、これ
により、点灯電流或いは最高使用温度など最大定格の向
上が可能となるなど性能向上と信頼性の向上に極めて優
れた効果を奏するものと成る。
れる表面実装型ＬＥＤ素子は従来例のプリント回路基板
の導体箔と比較して格段に厚く形成することが可能な端
子板にＬＥＤチップ３がマウントされるものとなり、点
灯時のＬＥＤチップ３の放熱効果が格段に向上し、これ
により、点灯電流或いは最高使用温度など最大定格の向
上が可能となるなど性能向上と信頼性の向上に極めて優
れた効果を奏するものと成る。
【図１】 本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子の製造方
法の第一工程を示す説明図である。
法の第一工程を示す説明図である。
【図２】 同じく表面実装型ＬＥＤ素子の製造方法の第
二工程を示す説明図である。
二工程を示す説明図である。
【図３】 同じく表面実装型ＬＥＤ素子の製造方法の第
三工程を示す説明図である。
三工程を示す説明図である。
【図４】 図３のＡ―Ａ線に沿う断面図である。
【図５】 同じく表面実装型ＬＥＤ素子の製造方法の第
四工程を示す説明図である。
四工程を示す説明図である。
【図６】 本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子の第一実
施形態を示す説明図である。
施形態を示す説明図である。
【図７】 本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子の回路基
板への取付状態を示す説明図である。
板への取付状態を示す説明図である。
【図８】 同じ表面実装型ＬＥＤ素子の回路基板への別
の取付状態を示す説明図である。
の取付状態を示す説明図である。
【図９】 同じ表面実装型ＬＥＤ素子の回路基板への更
に別の取付状態を示す説明図である。
に別の取付状態を示す説明図である。
【図１０】 同じく本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子
の第二実施形態を示す説明図である。
の第二実施形態を示す説明図である。
【図１１】 同じく本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子
の第三実施形態を示す説明図である。
の第三実施形態を示す説明図である。
【図１２】 同じく本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子
の第四実施形態を示す説明図である。
の第四実施形態を示す説明図である。
【図１３】 同じく本発明に係る表面実装型ＬＥＤ素子
の第五実施形態を示す説明図である。
の第五実施形態を示す説明図である。
【図１４】 従来例を示す説明図である。
【図１５】 従来例における基板の製造工程を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
１……表面実装ＬＥＤ素子 ２……端子板 ２１……端子部 ２２……配線部 ２３……マウント部 ２４……第二端子部 ２５、２６……反射面部 ３……ＬＥＤチップ ４１、４２……樹脂 ５……反射テープ
Claims (2)
- 【請求項１】 ハンダ付が可能な金属部材で形成され、
帯状とした端子部と、該端子部の一方の面から長手方向
に沿う壁状で且つ前記面と略直角方向に突出する配線部
と、該配線部の先端側にマウント部とが設けられて断面
を略Ｌ字状とされた端子板の一対を、前記マウント部が
このマウント部間にマウントされるＬＥＤチップの寸法
に対応する間隔で正対する門構え状に配置して、前記一
方の面の間の前記マウント部を除く部分に樹脂を充填し
て両端子板を固定し、前記マウント部間に適宜のピッチ
で前記ＬＥＤチップをマウントした後にＬＥＤチップを
樹脂で覆い、しかる後に前記ＬＥＤチップ間を切断して
成ることを特徴とする表面実装型ＬＥＤ素子の製造方
法。 - 【請求項２】 ハンダ付が可能な金属部材で形成され、
端子部と、先端側にマウント部が設けられる配線部とで
断面が略Ｌ字状若しくは略Ｔ字状とされた一対の端子板
が前記マウント部を正対させて門構え状に配置され、前
記マウント部間にはＬＥＤチップがマウントされ、前記
端子部間には樹脂が充填されて成ることを特徴とする表
面実装型ＬＥＤ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035808A JP2960882B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035808A JP2960882B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214002A true JPH09214002A (ja) | 1997-08-15 |
| JP2960882B2 JP2960882B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12452237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035808A Expired - Fee Related JP2960882B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2960882B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307820A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| JP2006216765A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
| KR100658350B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2006-12-15 | (주)비스로 | 엘이디 조명 모듈 및 그 제조방법 |
| KR100811206B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2008-03-07 | (주) 아모센스 | 엘이디 패키지 |
| JP2015076454A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP8035808A patent/JP2960882B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307820A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| JP2006216765A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
| KR100811206B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2008-03-07 | (주) 아모센스 | 엘이디 패키지 |
| KR100658350B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2006-12-15 | (주)비스로 | 엘이디 조명 모듈 및 그 제조방법 |
| JP2015076454A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2960882B2 (ja) | 1999-10-12 |
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