JP5475954B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)などの発光素子を利用した発光装置に関するものである。
従来から、レンズ状封止部を設けることで外部への光取り出し効率を高めた表面実装型発光装置として、図12に示すように、LEDチップからなる発光素子1’と、発光素子1’を収納する収納凹所2a’が一表面に形成され発光素子1’が実装された実装基板2’と、発光素子1’を封止した透光性樹脂からなり実装基板2’の上記一表面から突出したレンズ状封止部3’とを備えた発光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。なお、上述の図12に示した構成の発光装置では、実装基板2’の基板材料として、液晶ポリマー樹脂、PBT樹脂、セラミックスなどを用いている。
特開2001−196644号公報
ところで、図12に示した構成の発光装置では、発光素子1’やレンズ状封止部3’の経時劣化や、周囲温度の変化に起因して、発光素子1’を一定の駆動電流で動作させても光出力が変化してしまうという問題があり、また、レンズ状封止部3’が実装基板2’の上記一表面から突出しているので、発光装置全体の高さが高くなってしまうという問題があった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、発光素子の光出力をモニタリングでき且つ低背化が可能な発光装置を提供することにある。
請求項1の発明は、発光素子と、前記発光素子が収納される収納凹所が一表面に形成され前記発光素子が実装される実装基板と、前記発光素子を封止した透光性材料からなるレンズ状封止部とを備え、前記実装基板の前記一表面側において前記収納凹所の周部から内側に張り出した張出部に前記発光素子から放射された光を検出する受光素子が設けられ、前記レンズ状封止部が、前記実装基板の前記収納凹所内に形成されてなり、前記レンズ状封止部の表面の周部に前記発光素子から放射された光を屈折させて前記受光素子へ導く光屈折部が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、実装基板の一表面側において収納凹所の周部から内側に張り出した張出部に発光素子から放射された光を検出する受光素子が設けられ、レンズ状封止部が、実装基板の収納凹所内に形成されているので、発光素子の光出力をモニタリングでき且つ低背化が可能になる。
また、この発明によれば、前記レンズ状封止部の表面の周部に前記発光素子から放射された光を屈折させて前記受光素子へ導く光屈折部が形成されてなるので、前記受光素子の受光量を増やすことができ、前記受光素子の検出精度を向上できる
請求項2の発明は、前記実装基板は、前記発光素子が一表面側に搭載されるベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置され光取出窓が形成されるとともに前記受光素子が形成された受光素子形成基板と、前記ベース基板と前記受光素子形成基板との間に介在し前記光取出窓に連通する開口窓が形成された中間層基板とで構成され、前記受光素子形成基板において前記中間層基板の前記開口窓上に張り出した部位が前記張出部を構成しており、前記光屈折部が前記レンズ状封止部の表面の周部の全周に亘って形成されており、前記受光素子形成基板が、n形のシリコン基板を用いて形成され、前記受光素子を構成するフォトダイオードのp形領域が前記フォトダイオードのn形領域を構成する前記シリコン基板において前記光取出窓を全周に亘って囲むように形成されていることを特徴とする。
請求項1の発明では、発光素子の光出力をモニタリングでき且つ低背化が可能になるという効果がある。
(実施形態1)
以下、本実施形態の発光装置について図1〜図10に基づいて説明する。
本実施形態の発光装置は、表面実装型発光装置であり、LEDチップからなる発光素子1と、発光素子1が収納される収納凹所2aが一表面に形成され発光素子1が実装された実装基板2と、発光素子1を封止した透光性材料(例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラスなど)からなるレンズ状封止部3とを備え、実装基板1の上記一表面側において収納凹所2aの周部から内側に張り出した張出部2cに発光素子1から放射された光を検出する受光素子4が設けられ、レンズ状封止部3が、実装基板2の収納凹所2a内に形成されている。
実装基板2は、図1〜図3に示すように、発光素子1が一表面側に搭載される矩形板状のベース基板20と、ベース基板20の上記一表面側に対向配置され円形状の光取出窓41が形成されるとともに受光素子4が形成された受光素子形成基板40と、ベース基板20と受光素子形成基板40との間に介在し光取出窓41に連通する矩形状の開口窓31が形成された中間層基板30とで構成されており、ベース基板20と中間層基板30と受光素子形成基板40とで囲まれた空間が上記収納凹所2aを構成している。ここにおいて、ベース基板20および中間層基板30および受光素子形成基板40の外周形状は矩形状であり、中間層基板30および受光素子形成基板40はベース基板20と同じ外形寸法に形成されている。また、受光素子形成基板40の厚み寸法はベース基板20および中間層基板30の厚み寸法に比べて小さく設定されている。なお、本実施形態の発光装置では、受光素子形成基板40において中間層基板30の開口窓31上に張り出した部位が、上述の張出部2cを構成している。
上述のベース基板20、中間層基板30、受光素子形成基板40は、それぞれ、導電形がn形で主表面が(100)面のシリコン基板20a,30a,40aを用いて形成してあり、中間層基板30の内側面が、アルカリ系溶液(例えば、TMAH溶液、KOH溶液など)を用いた異方性エッチングにより形成された(111)面により構成されており(つまり、中間層基板30は、開口窓31の開口面積がベース基板20から離れるにつれて徐々に大きくなっており)、中間層基板30の内側面が発光素子1から側方へ放射された光を前方へ反射するミラー面2dを構成している。
ベース基板20は、図4および図5に示すように、シリコン基板20aの一表面側(図4(c)における左面側)に、発光素子1の両電極それぞれと電気的に接続される2つの導体パターン25a,25aが形成されるとともに、中間層基板30に形成された後述の2つの貫通孔配線34,34を介して受光素子4と電気的に接続される2つの導体パターン25b,25bが形成されており、各導体パターン25a,25a,25b,25bとシリコン基板20aの他表面側(図4(c)における右面側)に形成された4つの外部接続用電極27a,27a,27b,27bとがそれぞれ貫通孔配線24を介して電気的に接続されている。また、ベース基板20は、シリコン基板20aの上記一表面側に、中間層基板30と接合するための接合用金属層29も形成されている。
本実施形態における発光素子1は、結晶成長用基板として導電性基板を用い厚み方向の両面に電極(図示せず)が形成されたLEDチップである。そこで、ベース基板20は、発光素子1が電気的に接続される2つの導体パターン25a,25aのうちの一方の導体パターン25aを、発光素子1がダイボンディングされる矩形状のダイパッド部25aaと、ダイパッド部25aaに連続一体に形成され貫通孔配線24との接続部位となる引き出し配線部25abとで構成してある。要するに、発光素子1は、上記一方の導体パターン25aのダイパッド部25aaにダイボンディングされており、ダイパッド部25aa側の電極がダイパッド部25aaに接合されて電気的に接続され、光取り出し面側の電極がボンディングワイヤ14を介して他方の導体パターン25aと電気的に接続されている。
また、ベース基板20は、シリコン基板20aの上記他表面側に、シリコン基板20aよりも熱伝導率の高い金属材料からなる矩形状の放熱用パッド部28が形成されており、ダイパッド部25aaと放熱用パッド部28とがシリコン基板20aよりも熱伝導率の高い金属材料(例えば、Cuなど)からなる複数(本実施形態では、9つ)の円柱状のサーマルビア26を介して熱的に結合されており、発光素子1で発生した熱が各サーマルビア26および放熱用パッド部28を介して放熱されるようになっている。
ところで、ベース基板20は、シリコン基板20aに、上述の4つの貫通孔配線24それぞれが内側に形成される4つの貫通孔22aと、上述の9つのサーマルビア26それぞれが内側に形成される9つの貫通孔22bとが厚み方向に貫設され、シリコン基板20aの上記一表面および上記他表面と各貫通孔22a,22bの内面とに跨って熱酸化膜(シリコン酸化膜)からなる絶縁膜23が形成されており、各導体パターン25a,25a,25b,25b、接合用金属層29、各外部接続用電極27a,27a,27b,27b、放熱用パッド部28、各貫通孔配線24および各サーマルビア26がシリコン基板20aと電気的に絶縁されている。
ここにおいて、各導体パターン25a,25a,25b,25b、接合用金属層29、各外部接続用電極27a,27a,27b,27b、放熱用パッド部28は、絶縁膜23上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜23上のTi膜の膜厚を15〜50nm、Ti膜上のAu膜の膜厚を500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、各Au膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Au膜と絶縁膜23との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、貫通孔配線24およびサーマルビア26の材料としては、Cuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Ni、Alなどを採用してもよい。
中間層基板30は、図6および図7に示すように、シリコン基板30aの一表面側(図6(c)における右面側)に、ベース基板20の2つの導体パターン27b,27bと接合されて電気的に接続される2つの導体パターン35,35が形成されるとともに、ベース基板20の接合用金属層29と接合される接合用金属層36が形成されている。また、中間層基板30は、シリコン基板30aの他表面側(図6(c)における左面側)に、貫通孔配線34,34を介して導体パターン35,35と電気的に接続される導体パターン37,37が形成されるとともに、受光素子形成基板40と接合するための接合用金属層38が形成されている。
また、中間層基板30は、上述の2つの貫通孔配線34それぞれが内側に形成される2つの貫通孔32がシリコン基板30aの厚み方向に貫設され、シリコン基板30aの上記一表面および上記他表面と各貫通孔32の内面とに跨って熱酸化膜(シリコン酸化膜)からなる絶縁膜33が形成されており、各導体パターン35,35,37,37および各接合用金属層36,38がシリコン基板30aと電気的に絶縁されている。ここにおいて、各導体パターン35,35,37,37および各接合用金属層36,38は、絶縁膜33上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜33上のTi膜の膜厚を15〜50nm、Ti膜上のAu膜の膜厚を500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Au膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Au膜と絶縁膜33との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、貫通孔配線34の材料としては、Cuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Ni、Alなどを採用してもよい。
受光素子形成基板40は、図8および図9に示すように、シリコン基板40aの一表面側(図8(c)における右面側)に、中間層基板30の2つの導体パターン37,37と接合されて電気的に接続される2つの導体パターン47a,47bが形成されるとともに、中間層基板30の接合用金属層38と接合される接合用金属層48が形成されている。ここにおいて、受光素子4は、フォトダイオードにより構成されており、受光素子形成基板40に形成された2つの導体パターン47a,47bの一方の導体パターン47a(図9における上側の導体パターン47a)は、受光素子4を構成するフォトダイオードのp形領域4aに電気的に接続され、他方の導体パターン47b(図9における下側の導体パターン47b)は、上記フォトダイオードのn形領域4bを構成するシリコン基板40aに電気的に接続されている。
また、受光素子形成基板40は、シリコン基板40aの上記一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜43が形成されており、当該絶縁膜43がフォトダイオードの反射防止膜を兼ねている。また、受光素子形成基板40は、上記一方の導体パターン47aが、絶縁膜43に形成したコンタクトホール43aを通してp形領域4aと電気的に接続され、上記他方の導体パターン47bが絶縁膜43に形成したコンタクトホール43bを通してn形領域4bと電気的に接続されている。ここにおいて、各導体パターン47a,47bおよび接合用金属層48は、絶縁膜43上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、本実施形態では、絶縁膜43上のTi膜の膜厚を15〜50nm、Ti膜上のAu膜の膜厚を500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Au膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Au膜と絶縁膜43との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。
また、上述のレンズ状封止部3の形状は発光素子1から放射された光を集光する集光レンズとしての機能を有する形状であれば特に限定するものではなく、例えば、半球状、楕円球状などの形状に形成すればよい。
上述の実装基板2の形成にあたっては、例えば、図10に示すように、受光素子4、絶縁膜43、各導体パターン47a,47b、および接合用金属層48が形成されたシリコン基板40aと中間層基板30とを接合する第1の接合工程を行った後、シリコン基板40aを所望の厚みまで研磨する研磨工程を行い、その後、誘導結合プラズマ(ICP)型のドライエッチング装置などを用いてシリコン基板40aに光取出窓41を形成する光取出窓形成工程を行うことで受光素子形成基板40を完成させてから、発光素子1が搭載されボンディングワイヤ14(図2参照)の結線が行われ更に発光素子1およびボンディングワイヤ14を封止するレンズ状封止部3が成形されたベース基板20と中間層基板30とを接合する第2の接合工程を行うようにすればよい。ここにおいて、第1の接合工程、第2の接合工程では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する常温接合法を採用しているが、常温接合法に限らず、第1の接合工程ではAuSnや半田などの低融点共晶材料を用いた接合法を採用してもよい。また、第1の接合工程および第2の接合工程では、上述の各接合表面の正常化・活性化を行ってから、接合表面を接触させ常温よりも高い規定温度(例えば、80℃)で直接接合するようにしてもよい。
上述の第1の接合工程では、シリコン基板40aの接合用金属層48と中間層基板30の接合用金属層38とが接合されるとともに、シリコン基板40aの導体パターン47a,47bと中間層基板30の導体パターン37,37とが接合され電気的に接続される。ここで、導体パターン47a,47bと導体パターン37,37との接合部位は、貫通孔配線34に重なる領域からずらしてあるので、導体パターン47a,47bと導体パターン37,37との互いの接合面の平坦度を高めることができ、特に常温接合法により接合する際の接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。また、第2の接合工程では、ベース基板20の接合用金属層29と中間層基板30の接合用金属層36とが接合されるとともに、ベース基板20の導体パターン25b,25bと中間層基板30の導体パターン35,35とが接合され電気的に接続される。ここで、導体パターン25b,25bと導体パターン35,35との接合部位は、貫通孔配線24に重なる領域および貫通孔配線34に重なる領域からずらしてあるので、導体パターン25b,25bと導体パターン35,35との互いの接合面の平坦度を高めることができ、特に常温接合法により接合する際の接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。
本実施形態の発光装置の製造にあたっては、上述の各シリコン基板20a,30a,40aとして、それぞれベース基板20、中間層基板30、受光素子形成基板40を多数形成可能なシリコンウェハを用い、上述の第1の接合工程、研磨工程、光取出窓形成工程、第2の接合工程などの各工程をウェハレベルで行うことでウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、ダイシング工程により実装基板2のサイズに分割されている。したがって、ベース基板20と中間層基板30と受光素子形成基板40とが同じ外形サイズとなり、小型のパッケージを実現できるとともに、製造が容易になる。また、中間層基板30におけるミラー面2dと受光素子形成基板40における受光素子4との相対的な位置精度を高めることができ、発光素子1から側方へ放射された光がミラー面2dにより反射されて受光素子4へ導かれる。
以上説明した本実施形態の発光装置では、実装基板2の上記一表面側において収納凹所2aの周部から内側に張り出した張出部2cに発光素子1から放射された光を検出する受光素子4が設けられ、レンズ状封止部3が、実装基板2の収納凹所2a内に形成されている(実装基板2の上記一表面を含む平面から突出しないように形成されている)ので、発光素子1の光出力をモニタリングでき且つ低背化が可能になる。
ここにおいて、本実施形態の発光装置は、実装基板2に受光素子4が設けられているので、実装基板2あるいは外部(例えば、発光装置を実装する回路基板など)に受光素子4の出力に基づいて受光素子の出力が目標値に保たれるように発光素子1の駆動電流をフィードバック制御する制御部(制御回路部)を設けることにより、所望の光強度の光を再現性良く得ることが可能となる。なお、本実施形態の発光装置では、実装基板2を3枚のシリコン基板20a,30a,40aを用いて形成してあるので、上述の制御部をIC製造プロセスなどにより製造することで実装基板2に集積化することができる。
また、本実施形態の発光装置は、上述のように実装基板2に受光素子4が設けられているので、例えば、発光素子1として赤色LEDチップを採用した発光装置と、発光素子1として緑色LEDチップを採用した発光装置と、発光素子1として青色LEDチップを採用した発光装置とを同一の回路基板上に近接して配置して、当該回路基板に各発光装置の発光素子1を駆動する駆動回路部と、各受光素子4により検出される光強度がそれぞれの目標値に保たれるように駆動回路部から各発光色の発光素子1に流れる電流をフィードバック制御する制御回路部などを設けておくことにより、各受光素子4それぞれの出力に基づいて各発光色の発光素子1の光出力を各別に制御することができ、各発光色ごとの発光素子1の光出力の経時変化の違いなどによらず混色光(ここでは、白色光)の光色や色温度の精度を向上することができる。要するに、所望の混色光を安定して得ることができる。
また、本実施形態の発光装置では、上述の張出部2cに受光素子4が設けられていることにより、実装基板2の一表面側において収納凹所2aの周囲に受光素子4を配置するためのスペースを別途に確保する必要がなく、受光素子4を実装基板2に設けながらも小型化が可能になる。
また、本実施形態の発光装置では、実装基板2に、当該実装基板2の他表面側の外部接続用電極27aと発光素子1とを電気的に接続する貫通孔配線24が形成されているので、実装基板2の上記一表面側において発光素子1と電気的に接続される配線を引き回す場合に比べて、実装基板2の小型化を図れる。また、本実施形態では、実装基板2を複数のシリコン基板20a,30a,40aを用いて形成しているので、フォトダイオードのような受光素子4を実装基板2中に容易に形成することが可能となり、低コスト化を図れる。
また、本実施形態では、実装基板2の形成にあたって上述の第2の接合工程において、低温での直接接合が可能な常温接合法を採用しているので、第2の接合工程で発光素子1のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えるのを防止することができるとともに、レンズ状封止部3が変形したり劣化するのを防止することができる。
また、本実施形態の発光装置では、実装基板2のベース基板20に発光素子1と熱結合するサーマルビア26を設けてあるので、発光素子1で発生した熱を効率よく外部へ逃がすことができ、発光素子1のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
(実施形態2)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図11に示すように、レンズ状封止部3の表面の周部(一部)に発光素子1から放射された光を屈折させて受光素子4へ導く光屈折部3bが形成されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態における受光素子4は、受光素子形成基板4において光取出窓41を全周に亘って囲むように当該受光素子4を構成するフォトダイオードのp形領域4aが形成されており、レンズ状封止部3は、表面の周部の全周に亘って光屈折部3bが形成されている。なお、光屈折部3bは、発光素子1から放射された光の全反射を抑制する微細凹凸構造により構成されている。
しかして、本実施形態の発光装置では、レンズ状封止部3の一部に発光素子1から放射された光を屈折させて受光素子4へ導く光屈折部3bが形成されているので、受光素子4の受光量を増やすことができ、受光素子4の検出精度を向上できる。
なお、上記各実施形態の発光装置において、中間層基板30の内側面により構成されるミラー面2dにレンズ状封止部3と同じ透光性材料により形成され発光素子1から放射された光を受光素子4へ導光する導光部を設けてもよい。
ところで、上述の各実施形態では、発光素子1として可視光LEDチップを用いているが、発光素子1は、可視光LEDチップに限らず、紫外光LEDチップや、LEDチップと当該LEDチップに積層され少なくとも当該LEDチップから放射された光によって励起されて当該LEDチップよりも長波長の光を放射する蛍光体により形成された蛍光体層とで構成されたものや、有機EL素子でもよい。また、発光素子1としては、例えば、結晶成長用基板の主表面側に発光部などをエピタキシャル成長した後に発光部を支持する導電性基板(例えば、Si基板など)を発光部に固着してから、結晶成長用基板などを除去したものを用いてもよい。また、発光素子1は、厚み方向の両面に電極が形成されたものに限らず、厚み方向の一表面側に各電極が形成されたものでもよい。
また、受光素子4は、フォトダイオードに限らず、例えば、フォトダイオードとカラーフィルタとを組み合わせたカラーセンサや、フォトダイオードと波長選択フィルタとを組み合わせた光検出素子などでもよい。
また、上述の各実施形態では、実装基板2の収納凹所2aの内底面に1つの発光素子1を実装してあるが、発光素子1の数は特に限定するものではなく、発光色が同じ複数の発光素子1を収納凹所2aの内底面に実装するようにしてもよいし、発光色の異なる複数の発光素子1を収納凹所2aの内底面に実装するようにしてもよい。
また、上述の各実施形態では、ベース基板20、中間層基板30、受光素子形成基板40それぞれをシリコン基板20a,30a,40aを用いて形成してあるが、シリコン基板20a,30a,40aに限らず、半導体基板であればよく、例えば、シリコンカーバイド基板(SiC基板)を用いて形成してもよい。また、各実施形態では、実装基板2を3枚のシリコン基板20a,30a,40aを用いて形成してあるが、ベース基板20と中間層基板30とを1枚のシリコン基板を用いて形成してもよいし、受光素子形成基板40と中間層基板30とを1枚のシリコン基板を用いて形成するようにしてもよい。また、ベース基板20および中間層基板30については、必ずしも半導体基板により形成する必要はなく、例えば、金属板などを用いて形成してもよく、シリコン基板20aの代わりに、金属板を用いた場合には、発光素子1で発生した熱をより効率良く放熱させることが可能となる。
実施形態1の発光装置の概略断面図である。 同上の発光装置の概略分解斜視図である。 同上における実装基板を示し、(a)は概略平面図、(b)は(a)のB−B’概略断面図、(c)は(a)のC−C’概略断面図である。 同上におけるベース基板を示し、(a)は概略平面図、(b)は(a)のB−B’概略断面図、(c)は(a)のC−C’概略断面図である。 同上におけるベース基板の概略下面図である。 同上における中間層基板を示し、(a)は概略平面図、(b)は(a)のB−B’概略断面図、(c)は(a)のC−C’概略断面図である。 同上における中間層基板の概略下面図である。 同上における受光素子形成基板を示し、(a)は概略平面図、(b)は(a)のB−B’概略断面図、(c)は(a)のC−C’概略断面図である。 同上における受光素子形成基板の概略下面図である。 同上の発光装置の製造方法の説明図である。 実施形態2の発光装置の概略断面図である。 従来例を示す発光装置の概略断面図である。
符号の説明
1 発光素子
2 実装基板
2a 収納凹所
2c 張出部
3 レンズ状封止部
3b 光屈折部
4 受光素子

Claims (2)

  1. 発光素子と、前記発光素子が収納される収納凹所が一表面に形成され前記発光素子が実装される実装基板と、前記発光素子を封止した透光性材料からなるレンズ状封止部とを備え、前記実装基板の前記一表面側において前記収納凹所の周部から内側に張り出した張出部に前記発光素子から放射された光を検出する受光素子が設けられ、前記レンズ状封止部が、前記実装基板の前記収納凹所内に形成されてなり、前記レンズ状封止部の表面の周部に前記発光素子から放射された光を屈折させて前記受光素子へ導く光屈折部が形成されてなることを特徴とする発光装置。
  2. 前記実装基板は、前記発光素子が一表面側に搭載されるベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置され光取出窓が形成されるとともに前記受光素子が形成された受光素子形成基板と、前記ベース基板と前記受光素子形成基板との間に介在し前記光取出窓に連通する開口窓が形成された中間層基板とで構成され、前記受光素子形成基板において前記中間層基板の前記開口窓上に張り出した部位が前記張出部を構成しており、前記光屈折部が前記レンズ状封止部の表面の周部の全周に亘って形成されており、前記受光素子形成基板が、n形のシリコン基板を用いて形成され、前記受光素子を構成するフォトダイオードのp形領域が前記フォトダイオードのn形領域を構成する前記シリコン基板において前記光取出窓を全周に亘って囲むように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
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