JP5192667B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5192667B2 JP5192667B2 JP2006203962A JP2006203962A JP5192667B2 JP 5192667 B2 JP5192667 B2 JP 5192667B2 JP 2006203962 A JP2006203962 A JP 2006203962A JP 2006203962 A JP2006203962 A JP 2006203962A JP 5192667 B2 JP5192667 B2 JP 5192667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- led chip
- light
- silicon substrate
- optical sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 227
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
以下、本実施形態の発光装置について図1〜図11を参照しながら説明する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図12に示すように、リフレクタ用基板30の内側面に、LEDチップ1から放射された光を反射する金属材料(例えば、Au、Ag、Ni、Cr、Al、Al−Siなど)からなる金属膜39が形成されており、当該金属膜39の表面がLEDチップ1から放射された光を反射により光センサ4へ導くミラー2dを構成している点が相違するだけである。ここで、金属膜39は、例えばスパッタ法とリフトオフ法とを利用して形成すればよい。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図13に示すように、リフレクタ用基板30の内側面が、シリコン基板30aの等方性エッチングが可能なエッチング液(例えば、フッ酸と硝酸との混合液など)あるいはICP型のドライエッチング装置を用いた等方性エッチングにより形成された滑らかに連続する曲面からなる点が相違するだけである。ここで、ICP型のドライエッチング装置は、一般的に、エッチング対象をエッチングするエッチングモードと被エッチング面へ有機物を堆積させるデポジションモードとを交互に繰り返すエッチング条件の設定が可能となっており、エッチングモードの時間をデポジションモードの時間に比べて比較的長く設定してエッチングモードとデポジションモードとを交互に繰り返すことにより略垂直なエッチングが可能となるが、エッチングガスとして例えばSF6ガスを採用し、デポジションモードの時間をゼロとするようにエッチング条件を設定すれば、等方性エッチングを行うことが可能となる。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態3と略同じであり、図15に示すように、リフレクタ用基板30の内側面に、LEDチップ1から放射された光を反射する金属材料(例えば、Au、Ag、Ni、Cr、Al、Al−Siなど)からなる金属膜39が形成されており、当該金属膜39の表面がLEDチップ1から放射された光を反射により光センサ4へ導くミラー2dを構成している点が相違するだけである。ここで、金属膜39は、例えばスパッタ法とリフトオフ法とを利用して形成すればよい。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 実装基板
2b 壁部
2c 庇部(張出部)
2d ミラー
3 透光性部材
4 光センサ
5 封止部
20 LED実装用基板(ベース基板部)
20a シリコン基板(第1のシリコン基板)
30 リフレクタ用基板
30a シリコン基板(第2のシリコン基板)
39 金属膜
40 光センサ形成基板
40a シリコン基板(第3のシリコン基板)
Claims (4)
- LEDチップと、LEDチップが実装されるベース基板部およびLEDチップを囲む形でベース基板部から突設された壁部を有する実装基板とを備え、実装基板は、壁部の先端部から内方へ張り出した張出部を有し、当該張出部におけるベース基板部側にLEDチップから放射される光の一部を光電変換する光センサが設けられ、壁部に、LEDチップから放射された光の一部を光センサへ反射により導くミラーが形成されてなるものであり、実装基板は、ベース基板部が第1のシリコン基板を用いて形成されるとともに、壁部が第2のシリコン基板と第3のシリコン基板とを用いて形成されてなり、第2のシリコン基板にミラーが形成され第3のシリコン基板において張出部となる部分における第1のシリコン基板側に光センサが設けられてなることを特徴とする発光装置。
- 前記第2のシリコン基板の主表面が(100)面であり、前記壁部のうち前記第2のシリコン基板を用いて形成された部分の内側面が、アルカリ系溶液を用いた異方性エッチングにより形成された(111)面からなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記壁部のうち前記第2のシリコン基板を用いて形成された部分の内側面が、等方性エッチングにより形成された滑らかに連続する曲面からなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記ミラーは、前記壁部の内側面に被着された金属膜の表面からなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006203962A JP5192667B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006203962A JP5192667B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034486A JP2008034486A (ja) | 2008-02-14 |
JP5192667B2 true JP5192667B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=39123625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006203962A Expired - Fee Related JP5192667B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5192667B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5652100B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 表示パネル、表示装置、照明パネルおよび照明装置、ならびに表示パネルおよび照明パネルの製造方法 |
US10091852B2 (en) * | 2014-10-24 | 2018-10-02 | Phoseon Technology, Inc. | Lighting system and methods for reducing noise at light sensing device |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2842132B2 (ja) * | 1993-03-05 | 1998-12-24 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイス |
DE59305898D1 (de) * | 1993-12-22 | 1997-04-24 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4050802B2 (ja) * | 1996-08-02 | 2008-02-20 | シチズン電子株式会社 | カラー表示装置 |
JPH11311721A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光結合モジュールおよびその製造方法 |
US6271049B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-08-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing an optoelectronic component |
JP2000294831A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Omron Corp | 半導体発光装置、半導体発光装置アレイ、フォトセンサおよびフォトセンサアレイ |
JP4582489B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2010-11-17 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置 |
JP2005260211A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-09-22 | Seiko Epson Corp | 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ |
JP4572312B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-11-04 | スタンレー電気株式会社 | Led及びその製造方法 |
JP2006135276A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-07-26 JP JP2006203962A patent/JP5192667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008034486A (ja) | 2008-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5192666B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5243806B2 (ja) | 紫外光発光装置 | |
US7719099B2 (en) | Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same | |
KR101091304B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI389328B (zh) | 光電半導體構件及其製造方法 | |
TWI424251B (zh) | 發光單元陣列、用以製造其之方法及成像裝置 | |
JP2009238957A (ja) | 基板へのビアの形成方法 | |
JP2009054895A (ja) | 発光素子 | |
JP5010198B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5010366B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4877239B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5010199B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5192667B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2009177095A (ja) | 発光装置 | |
JP5390938B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5351624B2 (ja) | Ledモジュール | |
JP2009177099A (ja) | 発光装置 | |
JP2009010048A (ja) | 発光装置 | |
JP5475954B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5351620B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2009177101A (ja) | 発光装置 | |
JP5102605B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2009206186A (ja) | 発光装置 | |
JP2009130294A (ja) | 実装方法 | |
JP5192847B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090313 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5192667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |