JP2005260211A - 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ - Google Patents

光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ Download PDF

Info

Publication number
JP2005260211A
JP2005260211A JP2005019251A JP2005019251A JP2005260211A JP 2005260211 A JP2005260211 A JP 2005260211A JP 2005019251 A JP2005019251 A JP 2005019251A JP 2005019251 A JP2005019251 A JP 2005019251A JP 2005260211 A JP2005260211 A JP 2005260211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
source device
emitting chip
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005019251A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Yonekubo
政敏 米窪
Taisuke Yamauchi
泰介 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005019251A priority Critical patent/JP2005260211A/ja
Publication of JP2005260211A publication Critical patent/JP2005260211A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】高い点光源性で、高効率に明るい光を得られる光源装置に好適な光源装置用基台、この基台の製造方法、この基台を有する光源装置、及びこの光源装置を備えるプロジェクタを提供することを提供すること。
【解決手段】光源装置100が備える固体発光チップ101を載置するための平面部110と、平面部110の周辺近傍に形成されている斜面部111とを有するシリコンからなる光源装置用基台102であって、平面部110と斜面部111とは略55°、さらに好ましくは54.7°の角度をなすことを特徴とする光源装置用基台102を提供できる。例えば、固体発光チップ101は、InGaN系のLEDフリップチップである。また、斜面部111は、異方性エッチングにより容易に所定の角度θを形成できる。
【選択図】 図1


Description

本発明は、光源装置用基台、特に固体発光チップを備える光源装置のための基台、この基台の製造方法、この基台を有する光源装置、及びこの光源装置を備えるプロジェクタに関するものである。
近年、光源装置、特に固体発光素子を備える光源装置の研究・開発が進んでいる。固体発光素子の代表例として発光ダイオード(以下、「LED」という。)が挙げられる。そして、LEDの高出力化のための研究・開発が進んでいる(例えば、非特許文献1参照)。LEDでは、発光光を効率良く用いることが望ましい。
ジェラルド ハーバーズ(Gerard Herbers)、マッティクス コーパー(Matthijs Keuper)、スティーブ パオリーニ(Steve Paolini)著、「ハイ パワーLED イルミネーターズ フォー データ アンド ビデオ プロジェクターズ(Highpower LED illuminators for data and video projectors)」、(日本国)、アイ デー ダブリュー'02 プロシーディングス オブ ザ ナインス インターナショナルディスプレイ ワークショップス(IDW'02 Proceedings of The Ninth International Display Workshops)、December4-6,2002
従来技術のLEDは、半導体層に挟まれた活性層からあらゆる方向へ光が放出される。これに対して、LEDを備える光源装置は、所定の照明方向へ光を供給することが多い。このため、LEDの活性層から、照明方向とは異なる方向へ射出する光は、有効に利用されない。この結果、光量の損失を生じてしまうため問題である。また、空間光変調装置を備えるプロジェクタにおいては、光源装置と空間光変調装置とを含めた光学系において、有効に扱える光束が存在する空間的な広がりを面積と立体角との積(エテンデュー、Geometrical Extent)として表すことができる。この面積と立体角の積は、光学系において保存される。従って、光源の空間的な広がりが大きくなると、空間光変調装置に入射する光束が存在する空間的な広がりが大きくなる。これに対して、空間光変調装置で取り込むことができる角度は限られているため、光源からの光束を有効に用いることが困難となる。従って、プロジェクタに用いる光源装置では、エテンデューを考慮したうえで、高効率化が求められる。このため、他の光学素子を用いてLEDの活性層から照明方向とは異なる方向へ射出する光を照明方向へ導く構成では、エテンデューが大きくなってしまい問題である。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高い点光源性で、高効率に明るい光を得られる光源装置に好適な光源装置用基台、この基台の製造方法、この基台を有する光源装置、及びこの光源装置を備えるプロジェクタを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、第1の本発明によれば、光源装置が備える固体発光チップを載置するための平面部と、平面部の周辺近傍に形成されている斜面部とを有するシリコンからなる光源装置用基台であって、平面部と斜面部とは略55°の角度をなすことを特徴とする光源装置用基台を提供できる。例えばLED等の固体発光チップは、平面形状の活性層から光を射出する。活性層からの光は、あらゆる方向へ放射される。このため、照明する方向とは異なる方向へ進行する光は有効に用いることができない。本発明では、平面部には、固体発光チップが載置される。固体発光チップは、照明方向に光を射出する射出面と、射出面に略直交する側面とを有する。固体発光チップの側面から射出した光は、平面部の周辺近傍に形成されている斜面部に入射する。斜面部に入射した光は、斜面部により、照明方向へ反射される。これにより、高効率に明るい光を得られる。また、斜面部は、平面部の周辺近傍に形成されている。このため、固体発光チップの側面と斜面部との間隔を小さくできる。この結果、固体発光チップの側面から射出した光は、他の光学素子、例えばミラーを別途設けるときに比較して、小さな領域から照明方向へ導かれる。従って、エテンデューを増加させることなく、高い点光源性の光を得ることができる。また、本発明の好ましい態様によれば、斜面部が固体発光チップの周囲を取り囲んでいることが望ましい。これにより、固体発光チップからの光をさらに効率良く照明方向へ導くことができる。
また、本発明の好ましい態様によれば、斜面部には、固体発光チップからの光を反射する反射面が形成されていることが望ましい。これにより、固体発光チップを含む光源装置からの光を、効率良く照明方向へ反射させて導くことができる。
また、第2の本発明によれば、平板状のシリコン基板をエッチングして斜面部を形成するエッチング工程と、シリコン基板に所定の電極パターンをパタ−ニングする電極パターン形成工程と、斜面部に反射面を形成する反射面形成工程とを含むことを特徴とする光源装置用基台の製造方法を提供できる。例えばシリコン単結晶のエッチングは、等方性エッチングと、異方性エッチングとの2つに大別される。等方性エッチングでは、シリコンの結晶面の方向とは無関係に全方向に同じ速度でエッチングが進行する。これに対して、異方性エッチングでは、結晶面の方向によりエッチング速度が大きく異なる。このため、エッチングされた領域は結晶面に沿った、極めて正確な角度を持った平滑面として現われる。異方性エッチングでは、一般的に、単結晶シリコンをアルカリ溶液やアンモニウム水酸化溶液でエッチングする。例えば、KOH(水酸化カリウム)で単結晶シリコンの(100)面をエッチングすると、54.7°の角度を持った(111)面が現われる。本発明では、シリコン基板の(100)面を、エッチング、特に異方性エッチングすることにより、(111)面を形成する。そして、(111)面を斜面部として利用する。次に、固体発光チップを駆動するための電極パターンを形成する。さらに、斜面部に反射面を形成する。これにより、平面部に対して所定角度を有する斜面部を形成できる。この結果、上述したような光源装置用基台を極めて容易に製造できる。
また、第3の発明によれば、所定の波長領域の光を供給する固体発光チップと、固体発光チップを載置するための光源装置用基台とを有し、光源装置用基台は、平面部と、平面部の周辺近傍に所定の角度をなす斜面部とを有し、斜面部には、所定の波長領域の光を反射する反射面が形成されていることを特徴とする光源装置を提供できる。本発明では、斜面部により、固体発光チップの側面方向へ射出する光を、例えば照明方向へ導くことができる。これにより、高効率に明るい光を得られる。また、斜面部は、平面部の周辺近傍に形成されている。このため、固体発光チップの側面と斜面部との間隔を小さくできる。この結果、固体発光チップの側面から射出した光は、他の光学素子、例えばミラーを別途設けるときに比較して、小さな領域から照明方向へ導かれる。従って、エテンデューを増加させることなく、高い点光源性の光を得ることができる。
また、本発明の好ましい態様によれば、反射面は、固体発光チップを駆動するための電極パターンの機能を兼用していることが望ましい。これにより、部品点数が低減し、製造容易な光源装置を得られる。
また、本発明の好ましい態様によれば、光源装置用基台はシリコンで構成され、所定の角度は略55°であることが望ましい。上述したように、シリコンで構成された光源装置用基台を異方性エッチングすることにより、正確に所定の角度を有する斜面を容易に得ることができる。シリコンの異方性エッチングにより形成される(111)面を斜面とする場合、所定の角度は略55°、例えば54.7°である。
また、本発明の好ましい態様によれば、固体発光チップからの光を照明方向へ導くためのレンズをさらに有することが望ましい。固体発光チップを構成する部材の屈折率と、レンズを構成する部材の屈折率とを略等しくすること、いわゆるインデックス・マッチングを行う。これにより、固体発光チップからの光を効率良く照明方向へ導くことができる。
また、第4の本発明によれば、上述の光源装置と、光源装置からの光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、変調された光を投写する投写レンズとを有することを特徴とするプロジェクタを提供できる。本プロジェクタは、上述の光源装置を備えているため、明るく良好な投写像を得ることができる。
以下に、本発明に係る光源装置用基台、この基台を備える光源装置、この光源装置を備えるプロジェクタの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により本発明が限定されるものではない。
図1は、本発明の実施例1に係る光源装置100の概略構成を示す。固体発光チップ101は、所定の波長領域の光、例えば緑色光(以下、「G光」という。)を供給する。固体発光チップ101は、サファイア基板に形成されたInGaN系のLEDフリップチップである。光源装置用基台であるシリコン基台102には、電極103等の電気配線がパターニングされている。また、シリコン基台102には、光源装置100が備える固体発光チップ101を載置するための平面部110と、平面部110の周辺近傍に形成されている斜面部111とが形成されている。そして、平面部110と斜面部111とは所定の角度θが略55°、好ましくは54.7°の角度をなすように構成されている。斜面部111には、所定の波長領域の光であるG光を反射するアルミニウムの反射面112が形成されている。反射面112は、固体発光チップ101を駆動するための電極103の機能を兼用している。シリコン基台の製造方法については後述する。固体発光チップ101は、シリコン基台102上に銀ペースト又は半田130により固着されている。シリコン基台102は、銅又は鉄で構成されているヒートシンク105上に固着されている。ヒートシンク105は、固体発光チップ101で発生した熱を放熱する機能を有する。さらに、ヒートシンク105は、電極リード部106と共に、プラスチックからなるパッケージモールド107にインサートモールドにより固定されている。そして、シリコン基台102の電極103と電極リード部106とは、ワイヤボンディング104で電気的に接続されている。2つの電極リード部106に所定の電圧を印加することで、固体発光チップ101を駆動できる。また、固体発光チップ101の照明方向IL側には、硝子又は透明樹脂からなるレンズ108が設けられている。レンズ108は、照明方向ILに凸面を向けた正の屈折力を有するレンズである。レンズ108は、固体発光チップ101からのG光を屈折させて照明方向ILへ導く。ここで、固体発光チップ101を構成する部材の屈折率と、レンズ108を構成する部材の屈折率とを略等しくすること、いわゆるインデックス・マッチングを行うことが望ましい。これにより、固体発光チップ101からのG光を効率良く照明方向へ導くことができる。
固体発光チップ101は、平面形状の活性層101aから光を射出する。固体発光チップは、照明方向ILに光を射出する射出面101bと、射出面101bに略直交する側面101cとを有する。活性層101aからの光は、あらゆる方向へ放射される。活性層101aから照明方向ILに向かって進行する光L1は、そのまま、レンズ108を透過して射出する。固体発光チップ101の側面101cから射出した光L2は、平面部110の周辺近傍に形成されている斜面部111に入射する。斜面部111に入射した光L2は、斜面部111に形成されている反射面112により、照明方向ILへの方向へ反射される。これにより、高効率に明るい光を得られる。また、斜面部111は、平面部110の周辺近傍に形成されている。このため、固体発光チップ101の側面101cと、斜面部111に形成された反射面112との間隔を小さくできる。この結果、固体発光チップ101の側面101cから射出した光L2は、他の光学素子、例えばミラーを別途設けるときに比較して、小さな領域から照明方向ILへ導かれる。従って、エテンデューを増加させることなく、高い点光源性の光を得ることができる。また、放熱特性、静電破壊性能は従来技術のレベルを維持することができる。
また、反射面112は、アルミニウムで形成されている。このため、高反射率の金属反射面として、さらに効率良く光を照明方向ILへ導くことができる。さらに、反射面112は、固体発光チップ101を駆動するための電極103の機能を兼用している。これにより、部品点数が低減し、製造容易な光源装置100を得られる。照明方向ILから見た電極103の構成を図2−1に示す。図1で説明した電極103は、正電極103pと負電極103mとからなる。そして、正電極103pは、固体発光チップ101の一方の側に電気的に接続される。これに対して、負電極103mは、固体発光チップ101の他方の側に電気的に接続される。そして、2つの電極103p、103m間に所定の駆動電圧を印加する。また、上述のように、斜面部111に対応する反射面112は、電極103p、103mの機能を兼用する。
次に、図2−2に基づいて実施例2に係るシリコン基台102の製造手順を説明する。まず、シリコン基板であるシリコン基台102の表面に、SiO2等の酸化膜120を形成する。酸化膜120に開口部をパターニングする。そして、エッチング工程において、平板状のシリコン基板をエッチングして斜面部111を形成する。本実施例では、異方性エッチングを行う。異方性エッチングでは、結晶面の方向によりエッチング速度が大きく異なる。このため、エッチングされた領域は結晶面に沿った、極めて正確な角度を持った平滑面として現われる。異方性エッチングでは、シリコン基台102を、アルカリ溶液やアンモニウム水酸化溶液でエッチングする。例えば、KOH(水酸化カリウム)で単結晶シリコンの(100)面をエッチングすると、54.7°の角度を持った(111)面が現われる。本実施例では、シリコン基板の(100)面を、エッチング、特に異方性エッチングすることにより、(111)面を形成する。そして、(111)面を斜面部111として利用する。また、(100)面は平面部110として利用する。ここで、エッチンスする深さは、固体発光チップ101の厚さ以上であることが望ましい。次に、電極パターン形成工程において、シリコン基台102に所定の電極パターンである電極103p、103m(図2−1)をパタ−ニングする。最後に、反射面形成工程において、斜面部111に反射面112を形成する。なお、上述したように、アルミニウムの電極103p、103mは、反射面112の機能を兼用している。この場合、電極パターン形成工程と、反射面形成工程とは一つの工程で良い。最後に、固体発光チップ101を平面部110上に載置してフリップチップ実装する。このような製造手順により、光源装置用基台を高精度で、かつ容易に製造できる。
図3は、実施例1の変形例に係る光源装置200の概略構成を示す。固体発光チップ101を支持するシリコン基台102と、ヒートシンク105と、パッケージモールド107との構成は、上記実施例1と同一であるため、重複する説明は省略する。本実施例では、レンズ108の代わりに光ガイド113を用いている点が実施例1と異なる。
光ガイド113は、固体発光チップ101からのG光を内面で繰り返し反射させて照明方向ILへ射出する。光ガイド113は、硝子又は透明プラスチック等で構成されている。光ガイド113の入射端面113bは、固体発光チップ101の射出面101bよりも大きい。さらに、光ガイド113は、射出端面113cが入射端面113bよりも大きなテーパ形状である。
光ガイド113は、光ガイド支持部であるサポート109に光学的透明接着剤で固着されている。サポート109は、プラスチック、金属、又はセラミック等で構成されている。そして、サポート109は、接着部108を介してパッケージモールド107に固着されている。固体発光チップ101の射出面101bと、光ガイド113の入射端面113bとは所定の間隔hを隔てて設けられている。
これにより、固体発光チップ101からの光L1は、光ガイド113内を直進しながら、射出端面113cから照明方向ILへ射出する。また、固体発光チップ101からの光L2、L3は、光ガイド113内を繰り返し反射しながら射出端面113cから照明方向ILへ射出する。光L1、L2、L3は重畳されるため、高効率で強度分布が均一な光を得ることができる。また、別途インテグレ−タ光学系を必要としないため、小型な光源装置200を実現できる。さらに、固体発光チップ101の射出面101bと光ガイド113の入射端面113bとは、所定の間隔hを隔てて設けられている。このため、固体発光チップ101で発生した熱が、光ガイド113へ伝播することを低減できる。
所定の間隔hの空間内には光学的透明柔軟材である透明シリコンジェル210が充填されている。透明シリコンジェル210の屈折率は、光ガイド113を構成する硝子の屈折率と略同じであることが望ましい。本実施例では、透明シリコンジェル210の屈折率は略1.5である。固体発光チップ101と光ガイド113との間の間隔が空間のときは、固体発光チップ101からの光が、例えば空気との界面で全反射してしまい光利用効率が低下してしまう。本実施例では、透明シリコンジェル210によりインデックス・マッチングをしている。さらに好ましくは、透明シリコンジェル210の屈折率は、固体発光チップ101の射出面101bを構成する部材ともインデックス・マッチングさせることが望ましい。これにより、固体発光チップ101からのG光は、光ガイド113の入射端面113b等の界面で全反射することがないため、高効率に光を用いることができる。
また、光ガイド113は、少なくともサポート109と接する部分に反射面202が形成されている。反射面202はG光を反射するアルミニウム膜が形成されている。固体発光チップ101から供給されたG光は、様々な角度で光ガイド113へ入射する。例えば、光ガイド113に入射した光L3は、反射面112で反射される。さらに、光ガイド113は、外界の空気との界面である全反射面113aで光L3を全反射させる。このため、反射膜112で反射された光L3は、さらに全反射を繰り返して光ガイド113を射出端面113cから射出する。この結果、固体発光チップ101からの光を高効率で用いることができる。
図4は、本発明の実施例3に係るプロジェクタ400の概略構成を示す。プロジェクタ400は、第1色光である赤色光(以下、「R光」という。)を供給する第1光源部401Rと、第2色光であるG光を供給する第2光源部401Gと、第3色光である青色光(以下、「B光」という。)を供給する第3光源部401Bとを有する。第1光源部401R、第2光源部401G及び第3光源部401Bは、それぞれ上記実施例1で述べた光源装置100を用いるLED素子である。
第1光源部401RからのR光は、レンズ402Rを介して偏光変換素子403Rに入射する。偏光変換素子403Rは、R光を特定の振動方向を有する偏光光、例えばp偏光光に変換する。偏光変換されたR光は、第1色光用空間光変調装置であるR光用空間光変調装置410Rに入射する。R光用空間光変調装置410Rは、R光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。R光用空間光変調装置410Rは、液晶パネル415Rと、第1偏光板416Rと、第2偏光板417Rとを有する。
第1偏光板416Rは、p偏光光に変換されたR光を透過し、液晶パネル415Rに入射させる。液晶パネル415Rは、p偏光光を画像信号に応じて変調し、s偏光光に変換する。第2偏光板417Rは、液晶パネル415Rでs偏光光に変換されたR光を射出する。このようにして、R光用空間光変調装置410Rは、第1光源部401RからのR光を変調する。R光用空間光変調装置410Rでs偏光光に変換されたR光は、クロスダイクロイックプリズム412に入射する。
第2光源部401GからのG光は、レンズ402Gを介して偏光変換素子403Gに入射する。偏光変換素子403Gは、G光を特定の振動方向を有する偏光光、例えばs偏光光に変換する。偏光変換されたG光は、第2色光用空間光変調装置であるG光用空間光変調装置410Gに入射する。G光用空間光変調装置410Gは、G光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。G光用空間光変調装置410Gは、液晶パネル415Gと、第1偏光板416Gと、第2偏光板417Gとを有する。
第1偏光板416Gは、s偏光光に変換されたG光を透過し、液晶パネル415Gに入射させる。液晶パネル415Gは、s偏光光を画像信号に応じて変調し、p偏光光に変換する。第2偏光板417Gは、液晶パネル415Gでp偏光光に変換されたG光を射出する。このようにして、G光用空間光変調装置410Gは、第2光源部401GからのG光を変調する。G光用空間光変調装置410Gでp偏光光に変換されたG光は、クロスダイクロイックプリズム412に入射する。
第3光源部401BからのB光は、レンズ402Bを介して偏光変換素子403Bに入射する。偏光変換素子403Bは、B光を特定の振動方向を有する偏光光、例えばp偏光光に変換する。偏光変換されたB光は、第3色光用空間光変調装置であるB光用空間光変調装置410Bに入射する。B光用空間光変調装置410Bは、B光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。B光用空間光変調装置410Bは、液晶パネル415Bと、第1偏光板416Bと、第2偏光板417Bとを有する。
第1偏光板416Bは、p偏光光に変換されたB光を透過し、液晶パネル415Bに入射させる。液晶パネル415Bは、p偏光光を画像信号に応じて変調し、s偏光光に変換する。第2偏光板417Bは、液晶パネル415Bでs偏光光に変換されたB光を射出する。このようにして、B光用空間光変調装置410Bは、第3光源部401BからのB光を変調する。B光用空間光変調装置410Bでs偏光光に変換されたB光は、クロスダイクロイックプリズム412に入射する。
クロスダイクロイックプリズム412は、2つのダイクロイック膜412a、412bを有する。2つのダイクロイック膜412a、412bは、X字型に直交して配置されている。ダイクロイック膜412aは、s偏光光であるR光を反射し、p偏光光であるG光を透過する。ダイクロイック膜412bは、s偏光光であるB光を反射し、p偏光光であるG光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム412は、第1色光用空間光変調装置410Rと、第2色光用空間光変調装置410Gと、第3色光用空間光変調装置410Bとでそれぞれ変調されたR光、G光及びB光を合成する。投写レンズ430は、クロスダイクロイックプリズム412で合成された光をスクリーン440に投写する。プロジェクタ400は、上述の光源装置を備えているため、小型で明るい投写像を得ることができる。本実施例では、いわゆるフロント・プロジェクション型のプロジェクタについて説明している。しかしながら、これに限られず、本発明は、リア・プロジェクション型のプロジェクタにも好適である。
図5は、本発明の実施例4に係る光源装置500の概略構成を示す。本実施例の光源装置500は、複数の固体発光チップ101を有することを特徴とする。上記実施例1の光源装置100と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。光源装置500は、紙面の左右方向に3個、紙面の奥行き方向に3個の固体発光チップ101を、アレイ状に配置している。固体発光チップ101は、例えば、一辺t1が0.3ミリメートルである正方形形状を有する。光源装置500は、0.3ミリメートル四方の固体発光チップ101を9個用いることにより、1ミリメートル四方の固体発光チップ101を1つ備える光源装置と同等の発光面積を確保している。なお、本実施例では、光源装置500のうち固体発光チップ101とその近傍の構成のみを図示することとし、その他の構成については図示を省略している。
固体発光チップ101は、活性層101aと、活性層101aを挟むように設けられた半導体層502と、出射側に設けられた透明基板501とを有する。半導体層502としては、例えば、窒化ガリウム系化合物を有する半導体部材を用いることができる。透明基板501としては、例えば、0.075ミリメートルの厚みを有するサファイア基板を用いることができる。
光源装置500は、各固体発光チップ101に対応して9個のシリコン基台102が設けられている。1つの固体発光チップ101と1つのシリコン基台102とにより1つの発光素子510が形成されるとすると、光源装置500は、9つの発光素子510を集積して構成されている。光源装置500の各発光素子510は、上記実施例1の光源装置100と同様に機能している。
ここで、9つの発光素子510により光源装置500を構成する利点について、1つの固体発光チップ101を備える光源装置600との比較により説明する。図6に示す光源装置600は、一辺t2が1ミリメートルである正方形形状の固体発光チップ101を有する。上述のように、0.3ミリメートル四方の固体発光チップ101を9個用いる光源装置500は、1ミリメートル四方の固体発光チップ101を1つ備える光源装置600と同等の発光面積を確保している。
ここで、光源装置600において、活性層101aのうち側面101cに近い位置P2から、遠いほうの側面101cの方向へ出射角度αで出射した光L5に着目する。光L5は、透明基板101の出射側界面における全反射と、電極103における反射とを繰り返して、反対側の側面101cに到達する。例えば、出射角度αが60度であるとき、光L5は、電極103における反射を4回繰り返した後、側面101cから出射することとなる。
ここで、電極103の反射率が70パーセントであるとする。光L5は、電極103における反射を4回繰り返すことにより、活性層101aから出射したときに比べて光量が約24パーセントにまで減少してしまう。このように、比較的高い反射率の電極103を用いた場合であっても、固体発光チップ101内部で伝導する光の反射回数が多くなることにより、活性層101aから出射した光の損失量が多くなってしまう。
図5に戻って、光源装置500においても、活性層101aのうち側面101cに近い位置P1から、遠いほうの側面101cの方向へ出射角度αで出射した光L4に着目する。光源装置500の固体発光素子チップ101は、光源装置600の固体発光チップ101よりも側面101c同士の間隔が小さい。例えば、出射角度αが60度であるとき、位置P1から遠いほうの側面101cの方向へ進行した光L4は、電極103における反射を1回とすることができる。このため、光源装置500は、固体発光チップ101内部で伝導する光の反射回数を少なくすることが可能となる。
例えば、光源装置500は、一辺t1が0.3ミリメートルの固体発光チップ101を9個設けることで、一辺t2が1ミリメートルである固体発光チップ101と比較して、光取出効率を例えば1.12倍に向上させることができる。このように、光源装置500は、1つの大型な固体発光チップ101を設ける構成よりも、小型な固体発光チップ101を備える複数の発光素子510を設ける構成とするほうが、高い光取出効率を得ることができる。これにより、照明方向へさらに明るい光を供給することができる。なお、本実施例の光源装置500は、9個の発光素子510をアレイ状に配置する構成に限られない。光源装置500は、電極103での反射を低減することが可能である小型な固体発光チップ101を複数設ける構成であれば良い。
上記各実施例では、LEDを例にして説明したが。本発明はこれに限られるものではない。他の固体発光素子、例えば、エレクトロ・ルミネセンス(EL)素子等にも適用できる。
以上のように、本発明に係る光源装置は、特にLEDに有用であり、プロジェクタに適している。
実施例1に係る光源装置の概略構成を示す図。 実施例1のシリコン基台の概略構成を示す図。 実施例2に係る製造方法のエッチング状態を示す図。 光源装置の変形例を示す図。 実施例3に係るプロジェクタの概略構成を示す図。 実施例4に係る光源装置の概略構成を示す図。 1つの固体発光チップを備える光源装置の構成を説明する図。
符号の説明
100 光源装置、101a 活性層、101 固体発光チップ、101b 射出面、101c 側面、102 シリコン基台、103 電極、104 ワイヤボンディング、105 ヒートシンク、106 電極リード部、107 パッケージモールド、108 接着部、109 サポート、110 平面部、210 透明シリコンジェル、111 斜面部、112 反射面、113 光ガイド、113c 射出端面、113a 全反射面、113b 入射端面、200 光源装置、202 反射面、400 プロジェクタ、401R、401G、401B 各色光源部、402R、402G、402B レンズ、403R、403G、403B 偏光変換素子、410R、410G、410B 各色光用空間光変調装置、412 クロスダイクロイックプリズム、412a、412b ダイクロイック膜、415R、415G、415B 液晶パネル、416R、416G、416B 偏光板、417R、417G、417B 偏光板、430 投写レンズ、440 スクリーン、h 間隔、IL 照明方向、500 光源装置、501 透明基板、502 半導体層、510 発光素子、600 光源装置

Claims (9)

  1. 光源装置が備える固体発光チップを載置するための平面部と、前記平面部の周辺近傍に形成されている斜面部とを有するシリコンからなる光源装置用基台であって、
    前記平面部と前記斜面部とは略55°の角度をなすことを特徴とする光源装置用基台。
  2. 前記斜面部が前記固体発光チップの周囲を取り囲んでいることを特徴とする請求項1に記載の光源装置用基台。
  3. 前記斜面部には、前記固体発光チップからの光を反射する反射面が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光源装置用基台。
  4. 平板状のシリコン基板をエッチングして斜面部を形成するエッチング工程と、
    前記シリコン基板に所定の電極パターンをパターニングする電極パターン形成工程と、
    前記斜面部に反射面を形成する反射面形成工程と、
    を含むことを特徴とする光源装置用基台の製造方法。
  5. 所定の波長領域の光を供給する固体発光チップと、
    前記固体発光チップを載置するための光源装置用基台とを有し、
    前記光源装置用基台は、平面部と、前記平面部の周辺近傍に所定の角度をなす斜面部とを有し、
    前記斜面部には、前記所定の波長領域の光を反射する反射面が形成されていることを特徴とする光源装置。
  6. 前記反射面は、前記固体発光チップを駆動するための電極パターンの機能を兼用していることを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
  7. 前記光源装置用基台はシリコンで構成され、前記所定の角度は略55°であることを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
  8. 前記固体発光チップからの光を照明方向へ導くためのレンズをさらに有することを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
  9. 請求項5〜8の何れか一項に記載の光源装置と、
    前記光源装置からの光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、
    前記変調された光を投写する投写レンズとを有することを特徴とするプロジェクタ。
JP2005019251A 2004-02-10 2005-01-27 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ Withdrawn JP2005260211A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005019251A JP2005260211A (ja) 2004-02-10 2005-01-27 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004033485 2004-02-10
JP2005019251A JP2005260211A (ja) 2004-02-10 2005-01-27 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005260211A true JP2005260211A (ja) 2005-09-22

Family

ID=35085594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005019251A Withdrawn JP2005260211A (ja) 2004-02-10 2005-01-27 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005260211A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016565A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置
JP2008034486A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2009224191A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Stanley Electric Co Ltd 照明装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016565A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置
JP2008034486A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2009224191A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Stanley Electric Co Ltd 照明装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100704067B1 (ko) 광원 장치, 광원 장치 제조 방법 및 프로젝터
JP5278023B2 (ja) 発光装置の製造方法
US9477145B2 (en) Light source device having laser light emitting elements adhesively fixed to a light source element holder, projector, and light source device fabrication method
US9678418B2 (en) Light source unit
US8602562B2 (en) Projector including a first and a second solid state light source
US9142936B2 (en) Laser light source device and method for manufacturing laser light source device
US11616050B2 (en) Manufacturing method of micro light emitting diode device including different-type epitaxial structures having respective connection portions of different thicknesses
JP7174216B2 (ja) 発光モジュールおよび集積型発光モジュール
JP6079295B2 (ja) 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、光源装置およびプロジェクター
JP2007288169A (ja) 光学素子、照明装置および画像表示装置
JP2005038776A (ja) 導光板およびその製造方法、面発光装置、ならびに液晶表示装置
WO2016185850A1 (ja) 光変換装置および光源装置、ならびにプロジェクタ
JP5853441B2 (ja) 発光装置
WO2019062055A1 (zh) 激光器阵列、激光光源及激光投影设备
US20110057557A1 (en) Projection led module and method of making a projection led module
JP2015119010A (ja) 照明装置および撮影装置
JP2005260211A (ja) 光源装置用基台、光源装置用基台の製造方法、光源装置及びプロジェクタ
KR101299764B1 (ko) 광 투영 장치
CN113534588B (zh) 激光器和投影设备
JP6822452B2 (ja) 光源装置およびプロジェクター
JP2013072942A (ja) 光源装置及びプロジェクター
JP4529599B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2017212363A (ja) 光源装置及びプロジェクター
JP5716959B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP6870215B2 (ja) 光源装置及びプロジェクター

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080401