TWI814842B - 白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種白光發光二極體，包括：一發光二極體晶片，具有一第一表面及一第二表面，其中第一表面與第二表面相對；一電極，設置於發光二極體晶片的第一表面上；一螢光粉層，設置於發光二極體的第二表面上；以及一濾光層，設置於螢光粉層上，其中濾光層為一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層。此外，本揭露更提供一種使用前述白光發光二極體的背光模組及顯示裝置。

Description

白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置
本揭露關於一種白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置，尤指一種可提升色域的白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置。
白光發光二極體的應用非常廣泛，例如可應用於光源或顯示裝置的背光模組上。目前已知白光發光二極體的發光層材料可為螢光粉或量子點。然而，相較於量子點所發出的光，螢光粉所發出的光具有較多的雜光，故以螢光粉所製得的白光發光二極體的色域較不理想。因此，目前已有廠商欲使用量子點作為發光層的材料製備白光發光二極體，以期能提升應用於顯示裝置的背光模組上背光效果。
然而，量子點的製作成本較為昂貴，若能有效濾除螢光粉所發出的雜光並提升白光發光二極體的色域，即便未使用量子點作為白光發光二極體的發光層材料，也可有效提升顯示裝置的背光模組的背光效果。
有鑑於此，目前亟需發展一種新穎的使用螢光粉的白光發光二極體，以期能有效應用於顯示裝置的背光模組上。
本揭露提供一種白光發光二極體，藉由設置一濾光層而可將白光發光二極體的色域提升。
本揭露的白光發光二極體包括：一發光二極體晶片，具有一第一表面及一第二表面，其中第一表面與第二表面相對；一電極，設置於發光二極體晶片的第一表面上；一螢光粉層，設置於發光二極體的第二表面上；以及一濾光層，設置於螢光粉層上，其中濾光層為一雙陷波濾光層(Dual-band notch filtering layer)或一三帶通濾光層(Triple-mode bandpass filtering layer)。
於本揭露的白光發光二極體中，藉由使用一濾光層，特別是使用一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層，而可將螢光粉層所發出的光進一步過濾，特別是過濾掉雜光。藉此，當本揭露的白光發光二極體應用於顯示裝置的背光模組上時，可提供廣色域的背光，進而提升顯示裝置的顯示品質。
於本揭露的白光發光二極體中，發光二極體晶片更包括一側表面，側表面與第一表面及第二表面連接，且螢光粉層更設置於側表面上。更具體而言，於本揭露的一實施例中，發光二極體除了設有電極的第一表面外，其他所有表面均設置有螢光粉層。
於本揭露的白光發光二極體中，濾光層可更設置於該螢光粉層對應於該側表面的表面上。於本揭露的一實施例中，濾光層可僅設置於螢光粉層對應於發光二極體的第二表面的表面上。於本揭露的另一實施例中，濾光層可設置於螢光粉層對應於發光二極體的第二表面及側表面的表面上。
本揭露的白光發光二極體可更包括一保護層，其中保護層設置於螢光粉層及濾光層間。此外，保護層可更設置於螢光粉層對應於側表面的表面上。因此，於本揭露的一實施例中，螢光粉層的所有表面均可設置有保護層。
於本揭露的白光發光二極體中，發光二極體晶片可為一藍光發光二極體晶片，較佳為一藍光倒裝發光二極體晶片。於本揭露的一實施例中，發光二極體晶片可包括兩個電極，而此兩個電極均設置於發光二極體的第一表面上。其中，電極的材料包括，但不限於，銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銅合金、鋁合金、鉬合金、鎢合金、金合金、鉻合金、鎳合金、鉑合金、鈦合金、或其他適合金屬或金屬合金。
於本揭露的白光發光二極體中，螢光粉層是由複數螢光粉顆粒所形成的層。其中，螢光粉層的種類並無特殊限制，可根據發光二極體晶片的種類或螢光粉所欲發出的色光做選擇。舉例來說，螢光粉顆粒可使用經激發後可發出黃光的螢光粉顆粒；當與藍光發光二極體晶片合併使用時，則本揭露的發光二極體可發出白光。
於本揭露中，螢光粉顆粒的具體例子包括，但不限於，ZnO、ZrO2 、PbO、Y2 O3 、Y2 O2 、Zn2 SiO4 、Y3 Al5 O12 、Y3 (AlGa)5 O12 Y2 SiO5 、LaOCl、InBO3 、ZnGa2 O4 、ZnS、PbS、CdS、CaS、SrS、Znx Cd1-x S、Y2 O2 S、SiAlON (Si6-z Alz Oz N8-z )、AlN、或Gd2 O2 S，且做為螢光粉顆粒之化合物可更摻雜至少一選自由Cu、Ag、Eu、Yb、La、Cl、Tb、Al、Ce、Er、Zn、Mn、及其他鑭系元素(Pr、Pm、Sm、Ho、Er)所組成之群組之元素。然而，本揭露並不僅限於此。
於本揭露中，螢光粉顆粒的粒徑可介於10 nm至50 μm之間。然而，本揭露並不僅限於此。
於本揭露的白光發光二極體中，保護層的材料包括，但不限於，SiO2 、Al2 O3 、ZnO、ZrO、Y2 O3 、TiO2 、CoO、MnO2 、NiO、CuO、PbO、Si3 N4 或其混合物。
於本揭露的一實施例中，白光發光二極體中的濾光層可為一濾光片，其可透過一透明黏膠，貼附於螢光粉層上，特別是貼附於螢光粉層上的保護層上。於本揭露的另一實施例中，濾光層可為一濾光薄膜，其可以鍍膜的方式形成於螢光粉層上，特別是形成於螢光粉層上的保護層上。
此外，本揭露更提供一種背光模組，包括：一反射片；一光學膜片，設置於反射片上；以及如前所述的白光發光二極體，設置於反射片及光學膜片間。再者，本揭露更提供一種顯示裝置，包括：如前所述的背光模組；以及一顯示面板，設置於背光模組上。
於本揭露中，藉由設計白光發光二極體的設置位置，背光模組可為直下式的背光模組或是側入式的背光模組。
於本揭露中，顯示面板可為一需要背光源的顯示面板，例如，液晶顯示面板。
於本揭露的背光模組及顯示裝置中，藉由使用前述的白光發光二極體，可提升背光模組的色域。因此，即便本揭露的白光發光二極體使用螢光粉層作為發光層，也可達到與使用量子點作為發光層相近的背光效果。
以下參照圖式說明本揭露的實施方式，以明確闡釋本揭露前述和其他技術內容、特徵、和/或功效。藉由特定實施例的說明，本領域的技術人員可進一步明瞭本揭露採取的技術手段和功效，以達成前述本揭露之目的。另，在此所揭露的技術可為本領域的技術人員理解並且實施，且在不背離本揭露概念的前提下，任何實質相同的變更或改良均可涵蓋於申請專利範圍中。
此外，說明書和權利要求所提及的序數，例如「第一」、「第二」等，僅用於說明主張的元件；而非意指、或表示主張的元件具有任何執行次序，亦非於一主張的元件和另一主張的元件之間的次序、或製程方法的步驟次序。該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和具有相同命名的另一請求元件能作出清楚區分。
此外，說明書和權利要求所提及的位置，例如「之上」、「上」、或「上方」，可指直接接觸另一元件，或可指非直接接觸另一元件。再者，說明書和權利要求所提及的位置，例如「之下」、「下」、或「下方」，可指直接接觸另一元件，或可指非直接接觸另一元件。
再者，本揭露之不同實施例之技術特徵可彼此組合，以形成另一實施例。
實施例1
圖1A至圖1D為本實施例的白光發光二極體的製作流程的剖面示意圖。
如圖1A所示，首先，提供一發光二極體晶片11，其具有一第一表面111及一第二表面112，其中第一表面111與第二表面112相對；且兩電極12(分別為陽極及陰極)係設置於發光二極體晶片11的第一表面111上。此外，發光二極體晶片11更包括側表面113，與第一表面111及第二表面112連接。於本實施例中，發光二極體晶片11為一藍光倒裝晶片；更具體而言，發光二極體晶片11為一形成有磊晶層之藍光倒裝晶片。
如圖1B所示，形成一螢光粉層13於發光二極體晶片11的第二表面112及側表面113上。於本實施例中，螢光粉層13的形成方法並無特殊限制，可使用如台灣專利第I398306號所述的方法形成。
如圖1C所示，形成一保護層14於螢光粉層13上。於本實施例中，保護層14可為一光學保護膠。此外，保護層14的形成方法並無特殊限制，可使用任何已知的塗佈方法形成，例如旋轉塗佈、刮刀塗佈、噴墨法、印刷法、輥塗法、噴塗法等。
如圖1D所示，設置一濾光層15於保護層14上。其中，濾光層15可透過一透明黏膠層貼附於保護層14上。於本實施例中，濾光層15可為一雙陷波濾光片或一三帶通濾光片。最後，經一加熱製程，可將濾光層15固定於螢光粉層13上，而得到本實施例的白光發光二極體。
經由前述製程後，則可得到本實施例的白光發光二極體。如圖1D所示，本實施例的白光發光二極體包括：一發光二極體晶片11，具有一第一表面111及一第二表面112，其中第一表面111與第二表面112相對；兩電極12，設置於發光二極體晶片11的第一表面111上；一螢光粉層13，設置於發光二極體晶片11的第二表面112上；以及一濾光層15，設置於螢光粉層13上，其中濾光層15為一雙陷波濾光片或一三帶通濾光片。
於本實施例中，發光二極體晶片11更包括側表面113，其與第一表面111及第二表面112連接，且螢光粉層13更設置於側表面113上。更詳細而言，於本實施例中，螢光粉層13形成於發光二極體晶片11的第一表面111外的其他所有表面(包括第二表面112及側表面113)上。
於本實施例中，白光發光二極體更包括一保護層14，其中保護層14更設置於螢光粉層13對應於第二表面112及側表面113的表面上。更詳細而言，於本實施例中，因螢光粉層13形成於發光二極體晶片11的第二表面112及側表面113上，而保護層14是用以保護螢光粉層13，故保護層14也形成於螢光粉層13對應於第二表面112及側表面113的表面上。
於本實施例中，濾光層15是設置於保護層14上，故保護層14是設置於螢光粉層13及濾光層15間。此外，於本實施例中，濾光層15為一雙陷波濾光片或一三帶通濾光片，其是直接以透明黏膠層貼附保護層14對應於第二表面112的表面上。因此，由螢光粉層13所發出的光可穿過保護層14而到達濾光層15，並藉由濾光層15過濾掉雜光。
實施例2
圖2為本實施例的白光發光二極體的剖面示意圖。本實施例的白光發光二極體的製備方法及結構與實施例1相似，除了以下不同點。
於本實施例中，濾光層是以鍍膜的方式形成於保護層上。因此，於本實施例中，為了使濾光層的鍍膜得以平整的形成於保護層14上，於形成如圖1C所示的結構後，可先進行一整平保護層14表面的步驟。在此，可使用本技術領域已知的鍍膜方式(例如，真空鍍膜製程)，於保護層14形成一鍍膜(圖未示)，以整平保護層14的表面。於本實施例中，可使用電漿化學氣相沉積法(PECVD)於保護層14上形成一氮化矽(Si3 N4 )鍍膜，且此氮化矽鍍膜是形成於保護層14對應於第二表面112及側表面113的表面上。
而後，如圖2所示，於保護層14上形成一濾光層16。在此，濾光層16也可使用本技術領域已知的鍍膜方式(例如，真空鍍膜製程)，直接鍍製於保護層14上。於本實施例中，可使用雙陷波濾光材料或三帶通濾光材料，透過濺鍍製程於保護層14(特別是保護層14上的氮化矽鍍膜)上形成濾光層16。
因此，於本實施例中，濾光層16是設置於保護層14上，而保護層14是設置於螢光粉層13及濾光層16間。此外，於本實施例中，濾光層16為一雙陷波濾光薄膜或一三帶通濾光薄膜，其是直接鍍製於保護層14對應於第二表面112及側表面113的表面上。因此，由螢光粉層13所發出的光可穿過保護層14而到達濾光層16，並藉由濾光層16過濾掉雜光。
實施例3
圖3為本實施例的直下式背光模組的剖面示意圖。如圖3所示，本實施例的背光模組包括：一反射片31；一光學膜片32，設置於反射片31上；以及一白光發光二極體1，設置於反射片31及光學膜片32間。於本實施例中，白光發光二極體1可為實施例1或實施例2所示的白光發光二極體。
於本實施例中，反射片31也同時作為背光模組的殼體。此外，雖圖未示，光學膜片32可包括背光模組常見的膜片，例如擴散片、稜鏡片、增亮片等；然而，本揭露並不僅限於此，可根據需求調整光學膜片32的組成。
實施例4
圖4為本實施例的側入式背光模組的剖面示意圖。本實施例的背光模組與實施例3的相似，除了下列不同點。
如圖4所示，本實施例的背光模組更包括一導光板33，設置於反射片31與光學膜片32間，而白光發光二極體1設置於導光板33的一側。此外，於本實施例的背光模組更包括殼體30，而反射片31、光學膜片32、導光板33及白光發光二極體1均設置於殼體30的容置空間內。
實施例5
圖5為本實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖5所示，本實施例的顯示裝置包括：一背光模組3；以及一顯示面板4，設置於背光模組3上。其中，背光模組3可為實施例3或實施例4所示的背光模組。此外，顯示面板4可包括：一第一基板41；一第二基板43，與第一基板41相對設置；以及一顯示層42，設置於第一基板41與第二基板43間。於本實施例中，顯示層42可為一液晶層。
於本實施例的一實施態樣中，第一基板41可為上方設置有薄膜電晶結構(圖未示)之薄膜電晶體基板，而第二基板43可為上方設置有彩色濾光層(圖未示)及黑色矩陣層(圖未示)之彩色濾光片基板。於本實施例的另一實施態樣中，彩色濾光層(圖未示)亦可設置在第一基板41上，此時，第一基板41則為一整合彩色濾光片陣列的薄膜電晶體基板(color filter on array, COA)。於本實施例的再一實施態樣中，黑色矩陣層(圖未示) 亦可設置在基板1上，此時，基板1則為一整合黑色矩陣的薄膜電晶體基板(black matrx on array, BOA)。
測試例1
圖6及圖7分別為本測試例的比較例及實驗例的測試元件的剖面示意圖。如圖6所示，本測試例的比較例所使用的測試元件包括：一印刷電路板21，其上方設置有一線路22；一如圖1C所示的白光發光二極體1’，其電極12(請參閱圖1C)與線路22電性連接；以及一擴散透鏡23，設於印刷電路板21上，且如圖1C所示的白光發光二極體1’是設於擴散透鏡23的透鏡空穴231中。如圖7所示，本測試例的實驗例所使用的測試元件與比較例所使用的測試元件相似，除了比較例的如圖1C所示的白光發光二極體1’是以如圖1D所示的白光發光二極體1所取代。
而後，將如圖6及圖7的測試元件用於如圖3所示的背光模組中，並應用於如圖5所示的顯示裝置中；其中，顯示裝置的第一基板41為薄膜電晶體基板，而第二基板43為彩色濾光片基板。
於本測試例中，白光發光二極體1’及白光發光二極體1所使用的螢光粉為窄波氟化物紅色螢光粉(KSF)。此外，白光發光二極體1中的濾光層15(請參閱圖1D)為一雙陷波濾光片。再者，更使用LED積分球測試儀偵測比較例及實驗例所得到的光譜，並使用色彩分析儀偵測比較例及實驗例所得到的色域。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖8A及圖8B所示。當實驗例的白光發光二極體使用雙陷波濾光片，相較於未使用雙陷波濾光片的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的90.2%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至113.1%。
測試例2
本測試例與測試例1的測試條件相同，除了使用氮氧化物紅色螢光粉取代測試例1所使用的氟化物紅色螢光粉。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖9A及圖9B所示。當實驗例的白光發光二極體使用雙陷波濾光片，相較於未使用雙陷波濾光片的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的87.3%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至109.9%。
測試例3
本測試例與測試例1的測試條件相同，除了實驗例使用圖2所示的白光發光二極體取代測試例1的實驗例所使用的圖1D所示的白光發光二極體，且濾光層16(請參閱圖2)為一雙陷波濾光薄膜。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖10A及圖10B所示。當實驗例的白光發光二極體使用雙陷波濾光薄膜，相較於未使用雙陷波濾光薄膜的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的90.2%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至113.1%。
測試例4
本測試例與測試例3的測試條件相同，除了使用氮氧化物紅色螢光粉取代測試例3所使用的氟化物紅色螢光粉。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖11A及圖11B所示。當實驗例的白光發光二極體使用雙陷波濾光薄膜，相較於未使用雙陷波濾光薄膜的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的87.3%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至109.9%。
測試例5
本測試例與測試例1的測試條件相同，除了實驗例的白光發光二極體中的濾光層15(請參閱圖1D)為一三帶通濾光片。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖12A及圖12B所示。當實驗例的白光發光二極體使用三帶通濾光片，相較於未使用三帶通濾光片的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的90.2%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至103.1%。
測試例6
本測試例與測試例5的測試條件相同，除了使用氮氧化物紅色螢光粉取代測試例5所使用的氟化物紅色螢光粉。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖13A及圖13B所示。當實驗例的白光發光二極體使用三帶通濾光片，相較於未使用三帶通濾光片的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的87.3%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至102.9%。
測試例7
本測試例與測試例5的測試條件相同，除了實驗例使用圖2所示的白光發光二極體取代測試例1的實驗例所使用的圖1D所示的白光發光二極體，且濾光層16(請參閱圖2)為一三帶通濾光薄膜。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖14A及圖14B所示。當實驗例的白光發光二極體使用三帶通濾光薄膜，相較於未使用三帶通濾光薄膜的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的90.2%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至103.1%。
測試例8
本測試例與測試例7的測試條件相同，除了使用氮氧化物紅色螢光粉取代測試例7所使用的氟化物紅色螢光粉。
比較例及實驗例所得到的光譜結果分別如圖15A及圖15B所示。當實驗例所使用的白光發光二極體使用三帶通濾光薄膜，相較於未使用三帶通濾光薄膜的比較例的白光發光二極體，可有效濾除雜光。此外，比較例可得到的87.3%的NTSC色域，而實驗例的NTSC色域可提升至102.9%。
如前所述，當白光發光二極體使用一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層時，此濾光層可有效濾除雜光，並可有效提升白發光二極體的色域。
本揭露的白光發光二極體可應用於任何顯示裝置的背光模組中以作為一發光源，其中，顯示裝置的具體例子包括，但不限於，顯示器、手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等。
1:白光發光二極體 11:發光二極體晶片 111:第一表面 112:第二表面 113:側表面 12:電極 13:螢光粉層 14:保護層 15,16:濾光層 21:印刷電路板 22:線路 23:擴散透鏡 231:透鏡空穴 3:背光模組 30:殼體 31:反射片 32:光學膜片 33:導光板 4:顯示面板 41:第一基板 42:顯示層 43:第二基板
圖1A至圖1D為本揭露實施例1的白光發光二極體製作流程的剖面示意圖。 圖2為本揭露實施例2的白光發光二極體的剖面示意圖。 圖3為本揭露實施例3的直下式背光模組的剖面示意圖。 圖4為本揭露實施例4的側入式背光模組的剖面示意圖。 圖5為本揭露實施例5的顯示裝置的剖面示意圖。 圖6為本揭露測試例1的比較例測試元件的剖面示意圖。 圖7為本揭露測試例1的實驗例測試元件的剖面示意圖。 圖8A及圖8B分別為本揭露測試例1的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖9A及圖9B分別為本揭露測試例2的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖10A及圖10B分別為本揭露測試例3的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖11A及圖11B分別為本揭露測試例4的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖12A及圖12B分別為本揭露測試例5的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖13A及圖13B分別為本揭露測試例6的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖14A及圖14B分別為本揭露測試例7的比較例及實驗例的測試結果圖。 圖15A及圖15B分別為本揭露測試例8的比較例及實驗例的測試結果圖。
無。
11:發光二極體晶片
111:第一表面
112:第二表面
113:側表面
12:電極
13:螢光粉層
14:保護層
15:濾光層

Claims (9)

  1. 一種白光發光二極體，包括：一發光二極體晶片，具有一第一表面、一第二表面及一側表面，其中該第一表面與該第二表面相對，且該側表面與該第一表面及該第二表面連接；一電極，設置於該發光二極體晶片的該第一表面上；一螢光粉層，設置於該發光二極體的該第二表面及該側表面上；以及一濾光層，設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，其中該濾光層為一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的白光發光二極體，更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的白光發光二極體，更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，且該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
  4. 一種背光模組，包括：一反射片；一光學膜片，設置於該反射片上；以及一白光發光二極體，設置於該反射片及該光學膜片間且包括：一發光二極體晶片，具有一第一表面、一第二表面及一側表面，其中該第一表面與該第二表面相對，且該側表面與該第一表面及該第二表面連接；一電極，設置於該發光二極體晶片的該第一表面上；一螢光粉層，設置於該發光二極體的該第二表面及該側表面上；以及 一濾光層，設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，其中該濾光層為一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的背光模組，其中該白光發光二極體更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的背光模組，其中該白光發光二極體更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，且該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
  7. 一種顯示裝置，包括：一背光模組；以及一顯示面板，設置於該背光模組上；其中該背光模組包括：一反射片；一光學膜片，設置於該反射片上；以及一白光發光二極體，設置於該反射片及該光學膜片間且包括：一發光二極體晶片，具有一第一表面、一第二表面及一側表面，其中該第一表面與該第二表面相對，且該側表面與該第一表面及該第二表面連接；一電極，設置於該發光二極體晶片的該第一表面上；一螢光粉層，設置於該發光二極體的該第二表面及該側表面上；以及一濾光層，設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，其中該濾光層為一雙陷波濾光層或一三帶通濾光層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中該白光發光二極體更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中該白光發光二極體更包括一保護層，其中該保護層設置於該螢光粉層對應於該第二表面及該側表面的表面上，且該保護層設置於該螢光粉層及該濾光層間。
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