CN103178191B - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管,包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极,以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片,该基座包括一第一底面及相对的一第二底面,该第一电极及第二电极于该第一底面与第二底面之间间隔叠置,该第一电极包括向外延伸的若干第一支撑电极,该若干第一支撑电极相互电连接,该第二电极包括与该若干第一支撑电极对应的向外延伸的若干第二支撑电极,该若干第二支撑电极相互电连接,每一第一支撑电极与对应的一第二支撑电极均至少有一部分外露于该基座的同一侧。本发明中的发光二极管不仅可以实现多方位的侧向安装,还可以适应电路板上不同的安装电路,具有较强安装适应性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体照明领域,特别涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管作为一种新兴的光源,目前已广泛应用于多种场合之中,并大有取代传统光源的趋势。
现有的发光二极管通常包括一基座、设于基座上的两电极、与该两电极电连接的一LED芯片及封装所述电极及LED芯片的一封装体。该两电极伸出至该封装体的相对两侧并延伸至基板的下表面,以便于该发光二极管与电路板贴装。这种发光二极管在安装在电路板上时,一般只能使基板朝向电路板安装,安装方式单一,安装适应性较差。
发明内容
因此,有必要提供一种安装适应性较强的发光二极管。
一种发光二极管,包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极,以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片,该基座包括一第一底面及相对的一第二底面,该第一电极及第二电极于该第一底面与第二底面之间间隔叠置,该第一电极包括向外延伸的若干第一支撑电极,该若干第一支撑电极相互电连接,该第二电极包括与该若干第一支撑电极对应的向外延伸的若干第二支撑电极,该若干第二支撑电极相互电连接,每一第一支撑电极与对应的一第二支撑电极均至少有一部分外露于该基座的同一侧。
该发光二极管在安装于电路板上时,该发光二极管的基座的任意一侧的第一支撑电极与对应的第二支撑电极均可使该发光二极管在电路板上实现侧向安装。另外,每一侧上一第一支撑电极与另外一侧的一第二支撑电极组对,可以使该发光二极管适应电路板上的不同电路。因此,相对于现有技术中的发光二极管,本发明中的发光二极管不仅可以实现多方位的侧向安装,还可以适应电路板上不同的安装电路,具有较强安装适应性。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明第一实施例中的发光二极管的俯视示意图。
图2为图1中的发光二极管的第一电极及第二电极的结构示意图。
图3为图1中的发光二极管沿III-III方向的侧视示意图。
图4为本发明第二实施例中的发光二极管的俯视示意图。
图5为图4中的发光二极管的第一电极及第二电极的结构示意图。
图6为图4中的发光二极管沿VI-VI方向的侧视示意图。
图7为图4中的发光二极管沿VII-VII方向的侧视示意图。
图8为本发明第三实施例中的发光二极管的俯视示意图。
图9为图8中的发光二极管的仰视图。
图10为图8中的发光二极管的第一电极及第二电极的结构示意图。
主要元件符号说明
100、100a、100b | 发光二极管 |
10、10a、10b | 基座 |
101 | 凹槽 |
102 | 外侧面 |
103 | 内侧面 |
104、104a、104b | 第一底面 |
105、105a、105b | 第二底面 |
20、20b | 第一电极 |
201、201b | 第一支撑电极 |
202 | 第一外部电极 |
204 | 第一分支电极 |
30、30a、30 | 第二电极 |
301、301a、301b | 第二支撑电极 |
302 | 第二外部电极 |
303 | 凸台 |
40、40a | 发光芯片 |
50 | 封装层 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
图1示出了本发明第一实施例中的发光二极管100,该发光二极管100包括一基座10、嵌设于该基座10上的一第一电极20、一第二电极30,及与所述第一、第二电极20、30电连接的一发光芯片40。
请一并参照图2及图3,该基座10大致呈长方体状,其顶部设有一倒梯形台状的凹槽101,该基座10包括四外侧面102、四内侧面103、一第一底面104及一第二底面105。所述四内侧面103围绕该凹槽101及发光芯片40,该第一底面104位于该凹槽101的底部,该第二底面105与该第一底面104相对设置。该基座10由具有反射性的材料制成,如环氧树脂,硅树脂或聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide, PPA)等,所述四外侧面102分别朝向该基座10的四侧。所述内侧面103及第一底面104均为光滑可反光的镜面,所述内侧面103自该第一底面104边缘向外倾斜延伸。该凹槽101中收容有封装所述第一、第二电极20、30及发光芯片40的封装层50。该封装层50为耐高温的透光材料,如环氧树脂等,该封装层50内掺杂有至少一种荧光粉,在其他的实施列中,还可以于该发光芯片40的表面设置荧光粉层。
该第一电极20及第二电极30均嵌设于该基座10的底部,且该第一电极20及第二电极30于该基座10第一底面104与第二底面105之间间隔叠置,该第一电极20靠近该基座10的第一底面104,且于该第一底面104处外露,该第二电极30靠近该基座10的第二底面105。
该第一电极20大致呈十字形,其包括相互垂直的四个第一支撑电极201,所述四个第一支撑电极201的一端汇集连接于一点,另一端分别向该基座10的四个外侧面102延伸并贯穿该基座10的四个外侧面102,所述四个第一支撑电极201的自由末端于该基座10的四个外侧面102处分别形成一第一外部外部电极202。
该第二电极30与第一电极20的结构相似,也大致呈十字形,且与第一电极20沿与该第一底面104平行的方向上相互错开。该第二电极30包括相互垂直的四个第二支撑电极301,所述四个第二支撑电极301的一端汇集连接于一点,另一端分别向该基座10的四个外侧面102延伸并贯穿所述四个外侧面102,所述四个第二支撑电极301的自由末端于该基座10的四个外侧面102处分别形成一第二外部电极302,从而使该基座10的每一外侧面102上形成成对的第一外部电极202及第二外部电极302。
该发光芯片40固定于该第一电极20上,该发光芯片40为一垂直型芯片,该发光芯片40的一个电极通过共晶或焊接的方式与该第一电极20的一第一支撑电极201电连接,该发光芯片40的另一个电极通过打线的方式与该第二电极30连接。
该发光二极管100在安装于电路板上时,该发光二极管100的基座10的任意一外侧面102上成对的第一外部电极202与第二外部电极302均可使该发光二极管100在电路板上实现侧向安装。另外,每一外侧面102上一第一外部电极202与另外一外侧面102上的一第二外部电极302组对,可以使该发光二极管100适应电路板上的不同电路。因此,相对于现有技术,本发明中的发光二极管100不仅可以实现多方位的侧向安装,还可以适应电路板上不同的安装电路,具有较强安装适应性。
图4示出了本发明第二实施例中的发光二极管100a,其与第一实施例中的发光二极管100结构类似,不同之处在于第二电极30a的结构。请一并参照图5至图7,本实施例中,该发光二极管100a的第二电极30a上设有一凸台303。该凸台303为自该第二电极30的其中一第二支撑电极301a向该发光二极管100a的基座10a的第一底面104a突伸形成,该凸台303与该第一电极20的相邻的第一支撑电极201间隔一定距离,该凸台303的顶面与该第一电极20的顶面齐平且外露于该第一底面104a,如此,该发光二极管100a的发光芯片40a可以通过倒装的方式使其两极分别与该第二电极30a的凸台303及第一电极20的一第一支撑电极201电连接。
图8示出了本发明第三实施中的发光二极管100b,其与第二实施例中的发光二极管100a结构类似,不同之处在于该发光二极管100b的第一电极20b与第二电极30b的结构。请一并参照图9至图10,本实施例中,该发光二极管100b的第一电极20b还包括一第一分支电极204,该第一分支电极204自该第一电极20b的一第一支撑电极201b垂直向下一体延伸,且贯穿该发光二极管100b的基座10b的第二底面105b。该发光二极管100b的第二电极30b还包括一第二分支电极304,该第二分支电极304自该第二电极30b的一第二支撑电极301b垂直向该发光二极管100b的基座10b的第二底面105b一体延伸,且贯穿该第二底面105b。该第一分支电极204与第二分支电极304外露于该基座10b的第二底面105b,从而使该发光二极管100可以以第二底面105贴装于电路板上。
Claims (9)
1.一种发光二极管,包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极,以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片,其特征在于:该基座包括一第一底面及相对的一第二底面,该第一电极及第二电极于该第一底面与第二底面之间间隔叠置,该第一电极包括向外延伸的若干第一支撑电极,该若干第一支撑电极相互电连接,该第二电极包括与该若干第一支撑电极对应的向外延伸的若干第二支撑电极,该若干第二支撑电极相互电连接,每一第一支撑电极与对应的一第二支撑电极均至少有一部分外露于该基座的同一侧,第二电极的其中一第二支撑电极向该第一底面突伸形成一凸台,该凸台与该第一电极上相邻的第一支撑电极相互间隔,该凸台顶面与该第一电极的顶面齐平且外露于该第一底面。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该基座还包括若干外侧面,该若干外侧面围绕该第一底面及第二底面,每一第一支撑电极与对应的一第二支撑电极外露于位于同侧的一外侧面处。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:每一第一支撑电极于对应的一外侧面处形成一第一外部电极,每一第二支撑电极于对应的一外侧面处形成一第二外部电极。
4.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极靠近该基座的第一底面,且外露于该第一底面,该第二电极靠近该基座的第二底面。
5.如权利要求4所述的发光二极管,其特征在于:该发光芯片固定于该第一电极上,该发光芯片的一个电极通过共晶或焊接的方式与该第一电极电连接,该发光芯片的另一个电极通过打线的方式与该第二电极连接。
6.如权利要求4所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极与第二电极沿与该第一底面平行的方向上相互错开。
7.如权利要求1或5任意一项所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极还包括自该第一电极的一第一支撑电极向该第二底面延伸的一第一分支电极,该第一分支电极贯穿该第二底面,该第二电极还包括自该第二电极的一第二支撑电极向该第二底面延伸的一第二分支电极,该第二分支电极贯穿该第二底面。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极与第二电极嵌设于该基座中。
9.如权利要求8所述的发光二极管,其特征在于:该基座的材料选自环氧树脂,硅树脂或聚邻苯二甲酰胺中的一种。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110438404.5A CN103178191B (zh) | 2011-12-24 | 2011-12-24 | 发光二极管 |
TW100149695A TWI462345B (zh) | 2011-12-24 | 2011-12-30 | 發光二極體 |
US13/596,024 US8633507B2 (en) | 2011-12-24 | 2012-08-27 | LED with versatile mounting ways |
JP2012275413A JP5504329B2 (ja) | 2011-12-24 | 2012-12-18 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110438404.5A CN103178191B (zh) | 2011-12-24 | 2011-12-24 | 发光二极管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103178191A CN103178191A (zh) | 2013-06-26 |
CN103178191B true CN103178191B (zh) | 2015-10-28 |
Family
ID=48637925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110438404.5A Active CN103178191B (zh) | 2011-12-24 | 2011-12-24 | 发光二极管 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8633507B2 (zh) |
JP (1) | JP5504329B2 (zh) |
CN (1) | CN103178191B (zh) |
TW (1) | TWI462345B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9711700B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-07-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
DE102016121510A1 (de) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187780A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
CN1301399A (zh) * | 1998-05-20 | 2001-06-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
CN201845810U (zh) * | 2010-11-03 | 2011-05-25 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led支架及led |
CN102142512A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4028101B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2007-12-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP4545956B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-09-15 | ローム株式会社 | 半導体装置、およびその製造方法 |
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
JP2007073575A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP4844246B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2011-12-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び液晶表示用バックライト装置 |
KR101134752B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | Led 패키지 |
JP5256591B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2013-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7800304B2 (en) * | 2007-01-12 | 2010-09-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-chip packaged LED light source |
JP5026848B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2012-09-19 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体デバイスおよびその製造方法 |
WO2008153043A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
JP2010021259A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
CN101364585B (zh) * | 2008-09-25 | 2010-10-13 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 一种芯片封装结构及其制造方法 |
JP5365252B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-12-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP3157844U (ja) * | 2009-12-17 | 2010-03-04 | 岡谷電機産業株式会社 | 半導体素子 |
JP5535750B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-07-02 | ローム株式会社 | 発光素子モジュール |
-
2011
- 2011-12-24 CN CN201110438404.5A patent/CN103178191B/zh active Active
- 2011-12-30 TW TW100149695A patent/TWI462345B/zh active
-
2012
- 2012-08-27 US US13/596,024 patent/US8633507B2/en active Active
- 2012-12-18 JP JP2012275413A patent/JP5504329B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187780A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
CN1301399A (zh) * | 1998-05-20 | 2001-06-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
CN102142512A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
CN201845810U (zh) * | 2010-11-03 | 2011-05-25 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led支架及led |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5504329B2 (ja) | 2014-05-28 |
TW201327925A (zh) | 2013-07-01 |
TWI462345B (zh) | 2014-11-21 |
CN103178191A (zh) | 2013-06-26 |
US8633507B2 (en) | 2014-01-21 |
US20130161681A1 (en) | 2013-06-27 |
JP2013135226A (ja) | 2013-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |