JP2010021259A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010021259A
JP2010021259A JP2008179041A JP2008179041A JP2010021259A JP 2010021259 A JP2010021259 A JP 2010021259A JP 2008179041 A JP2008179041 A JP 2008179041A JP 2008179041 A JP2008179041 A JP 2008179041A JP 2010021259 A JP2010021259 A JP 2010021259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
side wall
optical semiconductor
sidewall
bent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008179041A
Other languages
English (en)
Inventor
Naotake Watanabe
尚威 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2008179041A priority Critical patent/JP2010021259A/ja
Publication of JP2010021259A publication Critical patent/JP2010021259A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】基体の光劣化に起因する装置寿命の短縮を抑止することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置1Aにおいて、長板状の第1リード底面部と、第1リード底面部に連続して折れ曲がる板状の第1の第1リード側壁部5bと、第1リード底面部に連続して折れ曲がり第1の第1リード側壁部5bに離間して対向する板状の第2の第1リード側壁部5cとを有する金属製の第1リード部材5と、第1リード底面部に対し離間して並ぶ金属製の第2リード部材6と、第1の第1リード側壁部5bと第2の第1リード側壁部5cとの間であって第1リード底面部上に設けられた光半導体素子2と、筐体形状の基体7であって、長尺状の開口部7aと、開口部7aに連続し第1の第1リード側壁部5bの内面及び第2の第1リード側壁部5cの内面を一部とし光を反射する基体内面7bとを有する樹脂製の基体7とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、光を放射する光半導体素子を備える光半導体装置に関する。
白色光などの光を出す光半導体装置は、小型で、投入電極に対して得られる輝度が高く、長寿命であり、また、水銀などの有害物質が使用されていないという特徴から、白熱灯や蛍光灯などの代替光源として、一般照明、部分照明、自動車の各種照明などへの適用が進められている。
このような光半導体装置は、発光ダイオード(LED)等の光半導体素子と、その光半導体素子を収容するカップ形状の凹部(キャビティ構造)を有する基体とを備えている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。基体は白色のモールド樹脂によりモールド成形されている。基体の凹部内には、光半導体素子が中央に位置付けられて設けられており、さらに、その光半導体素子を封止する透光性の封止樹脂が充填されている。
通常、凹部の開口部の形状は円形に形成されているが、光半導体装置の小型化を実現するため、円形の開口部を一方向に縮めて凹部の開口部の形状が長方形状(例えば楕円形状)に形成されていることがある。このような凹部内に設けられた光半導体素子により光が放射されると、その光により凹部の内面の樹脂は変色し、基体の光劣化が生じてしまう。前述のように凹部の開口部の形状が円形である場合には、光半導体素子の周面と基体内面(凹部内面)との離間距離は略同じとなるため、基体内面は略均一に光劣化していくことになる。
特開平5−145121号公報 特開2004−214380号公報
しかしながら、前述のように凹部の開口部の形状が長方形状である場合には、光半導体素子の周面と基体内面との離間距離が変化するため、その離間距離が短い箇所の樹脂部分の光劣化は他の部分に比べ進行しやく、部分的な樹脂劣化(樹脂変色)が生じる。このため、基体内面の反射率が部分的に低下するため、光半導体装置の寿命(光量減)は前述のように凹部の開口部の形状が円形である場合に比べて短くなってしまう。これまで樹脂の改良により変色耐性を向上させてきたが、変色自体を無くすことは難しいため、長寿命化が困難となっている。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、基体の光劣化に起因する装置寿命の短縮を抑止することができる光半導体装置を提供することである。
本発明の実施の形態に係る特徴は、光半導体装置において、第1リード主面及び第1リード主面に対向する第1リード反対面を有する長板状の第1リード底面部と、第1リード底面部に連続して第1リード主面側に折れ曲がり第1リード底面部の短手方向に沿う一端部側に位置する板状の第1の第1リード側壁部と、第1リード底面部に連続して第1リード主面側に折れ曲がり第1リード底面部の短手方向に沿う一端部側に位置して第1の第1リード側壁部に離間して対向する板状の第2の第1リード側壁部とを具備する金属製の第1リード部材と、第1リード底面部の短手方向に沿う一端部に対し離間して並ぶ金属製の第2リード部材と、第1の第1リード側壁部と第2の第1リード側壁部との間であって第1リード底面部上に設けられ、第1リード部材及び第2リード部材に電気的に接続され、光を放射する光半導体素子と、第1の第1リード側壁部及び第2の第1リード側壁部を側壁の一部とする筐体形状の基体であって、第1の第1リード側壁部及び第2の第1リード側壁部に短手方向が直交して第1の第1リード側壁部と第2の第1リード側壁部との間に位置する長尺状の開口部と、開口部に連続し第1の第1リード側壁部の内面及び第2の第1リード側壁部の内面を一部とし光半導体素子により放射された光を反射する基体内面と、基体内面に対向する基体周面とを有する樹脂製の基体とを備えることである。
本発明によれば、基体の光劣化に起因する装置寿命の短縮を抑止することができる光半導体装置を提供することができる。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について図1ないし図4を参照して説明する。
図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光半導体装置1Aは、光を放射する光半導体素子2と、その光半導体素子2が接合材3を介して載置され、その光半導体素子2に接続材4aにより電気的に接続された第1リード部材5と、その第1リード部材5上の光半導体素子2に接続材4bにより電気的に接続された第2リード部材6と、光半導体素子2を内部に収容して第1リード部材5及び第2リード部材6を部分的に覆う基体7と、光半導体素子2を封止する透光性部材8とを備えている。
光半導体素子2は、図2に示すように、基材となる素子基体2aと、その素子基体2a上に設けられ光を放射する光半導体層2bとを備えている。素子基体2aとしては、Al(サファイア)、SiC、AlN、Si及びGe等を用いるが、用途に合わせた適切な選択をすれば様々な基体を用いることが可能である。光半導体層2bは、n型層、発光層及びp型層がその順番で素子基体2a上に積層されて構成されている。この光半導体層2bは、例えば、エピタキシャル成長により生成されている。また、光半導体層2bにおけるn型層及びp型層上には、電極(図示せず)がそれぞれ設けられている。なお、発光層及びp型層はn型層に電極を設置するためにn型層よりも狭く素子基体2aの表面上に形成されている。
接合材3は、図2に示すように、光半導体素子2を第1リード部材5上に接合する部材である。この接合材3としては、例えば銀ペーストやAuSn共晶はんだ等を用いる。また、接続材4a、4bは、第1リード部材5及び第2リード部材6と光半導体素子2とを電気的に接続する部材である。この接続材4a、4bとしては、例えば、金ワイヤ等を用いる。
第1リード部材5及び第2リード部材6は、光半導体素子2に電圧を印加するための一対の金属製のリード端子である。これらの第1リード部材5及び第2リード部材6は、例えば、銅等の板金部材から打ち抜き加工により形成される。また、第1リード部材5及び第2リード部材6の表面には、反射率向上のため、例えば銀めっきが施されている。なお、波長が350nmである光に対する銀の反射率は、白色のモールド樹脂より遥かに高く、約80%である。ここで、第1リード部材5及び第2リード部材6の斜視図を図3及び図4に示す。図3は屈曲前の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図であり、図4は屈曲後の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図である。
第1リード部材5は、図3及び図4に示すように、第1リード主面M1a及びその第1リード主面M1aに対向する第1リード反対面M1bを有する長板状の第1リード底面部5aと、第1リード底面部5aに連続して第1リード主面M1a側に折れ曲がり第1リード底面部5aの短手方向に沿う(長手方向に交差する)一端部側に位置する板状の第1の第1リード側壁部5bと、第1リード底面部5aに連続して第1リード主面M1a側に折れ曲がり前述の第1リード底面部5aの短手方向に沿う一端部側に位置して第1の第1リード側壁部5bに離間して対向する板状の第2の第5リード側壁部3cとを具備している。
第1の第1リード側壁部5bは第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっており、同様に、第2の第1リード側壁部5cも第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっている。なお、光半導体素子2は、第1の第1リード側壁部5bと第2の第1リード側壁部5cとの間であって第1リード底面部5a上に設けられている。
第2リード部材6は、第2リード主面M2a及びその第2リード主面M2aに対向する第2リード反対面M2bを有する長板状の第2リード底面部6aである。この第2リード部材6は、前述の第1リード底面部5aの短手方向に沿う一端部(すなわち、第1リード底面部5aにおける第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5c側の一端部)に対し離間して並んでいる。
基体7は、図1及び図2に示すように、第1リード部材5及び第2リード部材6上に設けられ、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cを側壁の一部とする筐体形状(例えば直方体形状)の樹脂製部材である。この基体7は、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cに短手方向が直交して第1の第1リード側壁部5bと第2の第1リード側壁部5cとの間に位置する長尺状の開口部7aと、開口部7aに連続し第1の第1リード側壁部5bの内面及び第2の第1リード側壁部5cの内面を一部とし光半導体素子2により放射された光を反射する基体内面7bと、基体内面7bに対向する基体周面7cとを有している。
開口部7aは第1の第1リード側壁部5bと第2の第1リード側壁部5cとの離間距離を短手方向の長さとする長尺状に、例えば長方形の楕円状に形成されている。基体内面7bは、光を反射する反射面として機能し、基体7の内部から外部に向かって広がるように傾斜している。この基体内面7bにより、基体7の内部に光半導体素子2を収容するキャビティ(空洞)が形成されている。このような基体7は、例えば、白色のモールド樹脂により形成されている。このモールド樹脂としては、例えば、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂を用いる。
また、基体7は、図1及び図2に示すように、前述の第1リード底面部5aの短手方向に沿う一端部と反対の他端部(すなわち、第1リード底面部5aにおける第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5c側と反対の一端部)の表面M1cが基体周面7cから露出するように、さらに、第1の第1リード側壁部5bの外面M1d及び第2の第1リード側壁部5cの外面M1eが基体周面7cから露出するように、加えて、第2リード部材6における第1リード部材5と反対の一端部の表面M2cが基体周面7cから露出するようにモールド成形により形成されている。なお、第1リード反対面M1b及び第2リード反対面M2bも基体7から露出している。
透光性部材8は、基体7の開口部7aから内部に充填されて光半導体素子2を封止する部材である。この透光性部材8は、光半導体素子2から放射された光を放出するための放出面を有している。この放出面は、外部雰囲気に接する露出面であり、光半導体素子2から放射された光を放出する光取り出し面として機能する。このような透光性部材を形成する樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂等を用いる。また、透光性樹脂材料としては、例えば、粒子状の蛍光体を混合した蛍光体混合樹脂等の透光性樹脂材料を用いてもよい。例えば、青色光を放射する光半導体素子2を用いて白色光を得る場合には、蛍光体として、例えば、黄色光を放出する蛍光体を用いたり、あるいは、黄色光を放出する蛍光体及び赤色光を放出する蛍光体の両方を用いたりする。
このような光半導体装置1Aでは、第1リード部材5及び第2リード部材6に電圧が印加され、光半導体素子2に電力が供給されると、光半導体素子2は光を放射する。その光の一部は、透光性部材8を通過してそのまま放出面から放出され、他の一部は、基体内面7b等により反射されて放出面から放出される。また、透光性部材8が蛍光体を含有している場合には、光の一部が蛍光体に入射すると、蛍光体は励起されて光を放射する。その光の一部も透光性部材8を通過して放出面から放出され、他の一部も、基体内面7b等により反射されて放出面から放出される。したがって、透光性部材8が蛍光体を含有している場合には、光半導体素子2により放射された光と、その光により励起された蛍光体により放射された光とが混合され、透光性部材8の放出面から放出される。
ここで、光半導体素子2を収容するキャビティを形成する基体7の基体内面7bでは、第1の第1リード側壁部5bと第2の第1リード側壁部5cとが光半導体素子2を挟持するように露出している。したがって、光半導体素子2に近い部分の基体内面7bが光劣化し難い金属部材により形成されている。これにより、開口部7aの形状が長方形状である場合には、光半導体素子2の周面と基体内面7bとの離間距離が変化するため、その離間距離が近い箇所の樹脂部分の光劣化が他の部分に比べ進行し、部分的な樹脂劣化(樹脂変色)が生じてしまうことを抑止することが可能になる。その結果、基体内面7bの反射率が部分的に低下することが抑えられ、開口部の形状が円形である場合に比べて光半導体装置1Aの寿命(光量減)が短くなってしまうことを抑止することができる。このように、光半導体素子2の周面との離間距離が短い領域部分を金属部材とすることが可能になるので、基体7の樹脂変色を大幅に低減することができ、その結果、パッケージ寿命を延ばすことができる。
以上説明したように、本発明の第1の実施の形態によれば、光半導体素子2の周面に対して近い領域部分の基体内面7bから第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cを露出させることによって、光半導体素子2の周面との離間距離が短い領域部分を金属部材とすることが可能になり、基体7の樹脂変色を大幅に低減し、基体内面7bの反射率が部分的に低下することが抑えられる。これにより、樹脂の改良により変色耐性を向上させるような方法ではなく、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cによりその樹脂部分の変色自体を無くすことが可能になるので、基体7の光劣化に起因する装置寿命の短縮を抑止することができる。特に、第1リード部材5は第1リード底面部5a、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cが一体である1つの部品となることから、部品点数を増加させることなく、基体7の光劣化に起因する装置寿命の短縮を抑止することができる。
また、第1の第1リード側壁部5bの外面M1d及び第2の第1リード側壁部5cの外面M1eを基体周面7cから露出させることによって、第1リード部材5及び第2リード部材6の露出部分が増加し、第1リード部材5及び第2リード部材6において外部(例えば外部雰囲気やヒートシンク等)と接触する面積が増えるので、放熱性を向上させることができ、さらに、プリント基板上の複数の接続パッド等に対して固着可能な箇所が増加するので、設置自由度を向上させることができる。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態について図5ないし図7を参照して説明する。
本発明の第2の実施の形態は第1の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第2の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。ここで、第2の実施の形態における第1リード部材5及び第2リード部材6の斜視図を図6及び図7に示す。図6は屈曲前の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図であり、図7は屈曲後の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図である。
図5ないし図7に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る光半導体装置1Bにおいては、第1リード部材5は、第1リード底面部5a、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cに加え、第1リード底面部5aに連続して第1リード主面M1a側に折れ曲がり前述の第1リード底面部5aの短手方向に沿う一端部と反対の他端部(すなわち、第1リード底面部5aにおける第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cと反対の一端部)側に位置する板状の第3の第1リード側壁部5dと、第1リード底面部5aに連続して第1リード主面M1a側に折れ曲がり前述の他端部側に位置して第3の第1リード側壁部5dに離間して対向する板状の第4の第1リード側壁部5eとを具備している。
第3の第1リード側壁部5dは第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっており、同様に、第4の第1リード側壁部5eも第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっている。また、第3の第1リード側壁部5dの外面M1f及び第4の第1リード側壁部5eの外面M1gは基体周面7cから露出している。
第2リード部材6は、第2リード底面部6aに加え、第2リード底面部6aに連続して第2リード主面M2a側に折れ曲がる板状の第1の第2リード側壁部6bと、第2リード底面部6aに連続して第2リード主面M2a側に折れ曲がり第1の第2リード側壁部6bに離間して対向する板状の第2の第2リード側壁部6cとを具備している。
第1の第2リード側壁部6bは第2リード底面部6aに対して略直角に折れ曲がっており、同様に、第2の第2リード側壁部6cも第2リード底面部6aに対して略直角に折れ曲がっている。また、第1の第2リード側壁部6bの外面M2d及び第2の第2リード側壁部6cの外面M2eは基体周面7cから露出している。
以上説明したように、本発明の第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第3の第1リード側壁部5dの外面M1f及び第4の第1リード側壁部5eの外面M1g、加えて、第1の第2リード側壁部6bの外面M2d及び第2の第2リード側壁部6cの外面M2eを基体周面7cから露出させることによって、第1の実施の形態に比べ、第1リード部材5及び第2リード部材6の露出部分が増加し、第1リード部材5及び第2リード部材6において外部(例えば外部雰囲気やヒートシンク等)と接触する面積が増えるので、より放熱性を向上させることができ、さらに、プリント基板上の複数の接続パッド等に対して固着可能な箇所が増加するので、設置自由度をより向上させることができる。
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態について図8ないし図10を参照して説明する。
本発明の第3の実施の形態は第2の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第2の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第3の実施の形態においては、第2の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。ここで、第3の実施の形態における第1リード部材5及び第2リード部材6の斜視図を図9及び図10に示す。図9は屈曲前の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図であり、図10は屈曲後の第1リード部材5及び第2リード部材6を示す斜視図である。
図8ないし図10に示すように、本発明の第3の実施の形態に係る光半導体装置1Cにおいては、第1リード部材5は、第1リード底面部5a、第1の第1リード側壁部5b、第2の第1リード側壁部5c、第3の第1リード側壁部5d及び第4の第1リード側壁部5eに加え、前述の第1リード底面部5aの短手方向に沿う一端部と反対の他端部(すなわち、第1リード底面部5aにおける第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cと反対の一端部)に連続して第1リード主面M1a側に折れ曲がる板状の第5の第1リード側壁部5fを具備している。
第5の第1リード側壁部5fは第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっている。また、第5の第1リード側壁部5fの外面M1hは基体周面7cから露出している。
第2リード部材6は、第2リード底面部6a、第1の第2リード側壁部6b及び第2の第2リード側壁部6cに加え、第2リード底面部6aにおける第1リード部材5と反対の一端部に連続して第2リード主面M2a側に折れ曲がる板状の第3の第2リード側壁部6dを具備している。
第3の第2リード側壁部6dは第2リード底面部6aに対して略直角に折れ曲がっている。また、第3の第2リード側壁部6dの外面M2fは基体周面7cから露出している。
以上説明したように、本発明の第3の実施の形態によれば、第2の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第5の第1リード側壁部5fの外面M1h及び第3の第2リード側壁部6dの外面M2fを基体周面7cから露出させることによって、第2の実施の形態に比べ、第1リード部材5及び第2リード部材6の露出部分が増加し、第1リード部材5及び第2リード部材6において外部(例えば外部雰囲気やヒートシンク等)と接触する面積が増えるので、より放熱性を向上させることができ、さらに、プリント基板上の複数の接続パッド等に対して固着可能な箇所が増加するので、設置自由度をより向上させることができる。
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態について図11及び図12を参照して説明する。
本発明の第4の実施の形態は第1の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第4の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。
図11及び図12に示すように、本発明の第4の実施の形態に係る光半導体装置1Dにおいては、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cは、第1リード底面部5aより薄く形成されており、第1の第1リード側壁部5bの外面M1d及び第2の第1リード側壁部5cの外面M1eは基体周面7cから露出せずに基体7により覆われている。第1の第1リード側壁部5bの厚さ及び第2の第1リード側壁部5cの厚さt1は同じであり、第1リード底面部5aの厚さt2より小さい(t1<t2)。例えば、厚さt1は0.03〜0.08mm程度であり、厚さt2は0.3〜0.5mm程度である。
以上説明したように、本発明の第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cを第1リード底面部5aより薄く形成することによって、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cを第1リード底面部5aに対して屈曲させやすくなるので、製造の容易化を実現することができ、加えて、屈曲角度を制御しやすくなるので、角度精度を向上させることができる。また、基体7により第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cを覆うことによって、第1リード底面部5aに比べて薄い第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cが保護され、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cの破損が防止されるので、信頼性の高い光半導体装置1Dを得ることができる。
(第5の実施の形態)
本発明の第5の実施の形態について図13を参照して説明する。
本発明の第5の実施の形態は第4の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第4の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第5の実施の形態においては、第4の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。
図13に示すように、本発明の第5の実施の形態では、第2の第1リード側壁部5cは、その第2の第1リード側壁部5cの長手方向に沿う(短手方向に交差する)一端部に連続して基体7の外側に向かって曲がり再度第2の第1リード側壁部5cの外面M1eと平行に曲がる第1曲げ部W1と、前述の一端部と反対の他端部に連続して基体7の外側に向かって曲がり再度第2の第1リード側壁部5cの外面M1eと平行に曲がる第2曲げ部W2を有している。すなわち、第2の第1リード側壁部5cの長手方向に沿う両端部には、第1曲げ部W1及び第2曲げ部W2が形成されている。第1曲げ部W1及び第2曲げ部W2は、第2の第1リード側壁部5cの内面と第1曲げ部W1及び第2曲げ部W2の外面との離間長さt3が例えば0.1mmより小さくなるようにそれぞれ形成されている。なお、第1の第1リード側壁部5bも同様の構造である。
以上説明したように、本発明の第5の実施の形態によれば、第4の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cにそれぞれ第1曲げ部W1及び第2曲げ部W2を形成することによって、基体7、すなわちモールド樹脂との接触面積が増加するので、モールド樹脂との密着性を向上させることができる。その結果、信頼性の高い光半導体装置1Dを得ることができる。
(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態について図14を参照して説明する。
本発明の第6の実施の形態は第5の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第5の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第6の実施の形態においては、第5の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。
図13に示すように、本発明の第6の実施の形態では、第1曲げ部W1はその第1曲げ部W1から基体内面7bに向かって曲がる翼状のツバ部W1aを有しており、第2曲げ部W2はその第2曲げ部W2から基体内面7bに向かって曲がる翼状のツバ部W2aを有している。これらのツバ部W1a及びツバ部W2aはコイニング処理により形成されており、略直角に折り曲げられている。
以上説明したように、本発明の第6の実施の形態によれば、第5の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1曲げ部W1にツバ部W1aを形成し、第2曲げ部W2にツバ部W2aを形成することによって、第5の実施の形態に比べ、よりモールド樹脂との接触面積が増加するので、モールド樹脂との密着性をさらに向上させることができる。その結果、より信頼性の高い光半導体装置1Dを得ることができる。
(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態について図15を参照して説明する。
本発明の第7の実施の形態は第4の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第4の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第7の実施の形態においては、第4の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。
図15に示すように、本発明の第7の実施の形態では、第2の第1リード側壁部5cは、その第2の第1リード側壁部5cの長手方向に沿って伸びる凸部W3を有している。なお、第1の第1リード側壁部5bも同様の構造である。
以上説明したように、本発明の第7の実施の形態によれば、第4の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cにそれぞれ凸部W3を形成することによって、基体7、すなわちモールド樹脂との接触面積が増加するので、モールド樹脂との密着性を向上させることができ、さらに、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cの強度を向上させることができる。その結果、より信頼性の高い光半導体装置1Dを得ることができる。
(他の実施の形態)
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
例えば、前述の実施の形態においては、第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cは第1リード底面部5aに対して略直角に折れ曲がっているが、これに限るものではなく、所定角度で開口部7aに向かって拡がるように形成されていてもよい。
また、前述の実施の形態においては、第5ないし第7の実施の形態における構造を第1の第1リード側壁部5b及び第2の第1リード側壁部5cに適応しているが、これに限るものではなく、第1リード部材5及び第2リード部材6の他の部分、例えば、第3の第1リード側壁部5d、第4の第1リード側壁部5e、第5の第1リード側壁部5f、第1の第2リード側壁部6b、第2の第2リード側壁部6c及び第3の第2リード側壁部6dに適応するようにしてもよい。
また、前述の実施の形態においては、各種の材料を挙げているが、それらの材料は例示であり、限定されるものではない。また、各種の数値を挙げているが、これらの数値は例示であり、限定されるものではない。
本発明の第1の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す外観斜視図である。 図1のA1−A1線断面図である。 図1及び図2に示す光半導体装置が備える屈曲前の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 図1及び図2に示す光半導体装置が備える屈曲後の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 本発明の第2の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す外観斜視図である。 図5に示す光半導体装置が備える屈曲前の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 図5に示す光半導体装置が備える屈曲後の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 本発明の第3の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す外観斜視図である。 図8に示す光半導体装置が備える屈曲前の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 図8に示す光半導体装置が備える屈曲後の第1リード部材及び第2リード部材を示す斜視図である。 本発明の第4の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す外観斜視図である。 図11に示す光半導体装置が備える第1リード部材の第2のリード側壁部を示す斜視図である。 本発明の第5の実施の形態に係る第1リード部材の第2のリード側壁部を示す斜視図である。 本発明の第6の実施の形態に係る第1リード部材の第2のリード側壁部を示す斜視図である。 本発明の第7の実施の形態に係る第1リード部材の第2のリード側壁部を示す斜視図である。
符号の説明
1A,1B,1C,1D…光半導体装置、2…光半導体素子、5…第1リード部材、5a…第1リード底面部、5b…第1の第1リード側壁部、5c…第2の第1リード側壁部、5d…第3の第1リード側壁部、5e…第4の第1リード側壁部、5f…第5の第1リード側壁部、6…第2リード部材、6a…第2リード底面部、6b…第1の第2リード側壁部、6c…第2の第2リード側壁部、6d…第3の第2リード側壁部、7…基体、7a…開口部、7b…基体内面、7c…基体周面、M1a…第1リード主面、M1b…第1リード反対面、M1d…第1の第1リード側壁部の外面、M1e…第2の第1リード側壁部の外面、M1f…第3の第1リード側壁部の外面、M1g…第4の第1リード側壁部の外面、M1h…第5の第1リード側壁部の外面、M2a…第2リード主面、M2b…第2リード反対面、M2d…第1の第2リード側壁部の外面、M2e…第2の第2リード側壁部の外面、M2f…第3の第2リード側壁部の外面、W1…第1曲げ部、W2…第2曲げ部、W1a…ツバ部、W2a…ツバ部、W3…凸部

Claims (8)

  1. 第1リード主面及び前記第1リード主面に対向する第1リード反対面を有する長板状の第1リード底面部と、前記第1リード底面部に連続して前記第1リード主面側に折れ曲がり前記第1リード底面部の短手方向に沿う一端部側に位置する板状の第1の第1リード側壁部と、前記第1リード底面部に連続して前記第1リード主面側に折れ曲がり前記第1リード底面部の短手方向に沿う前記一端部側に位置して前記第1の第1リード側壁部に離間して対向する板状の第2の第1リード側壁部とを具備する金属製の第1リード部材と、
    前記第1リード底面部の短手方向に沿う前記一端部に対し離間して並ぶ金属製の第2リード部材と、
    前記第1の第1リード側壁部と前記第2の第1リード側壁部との間であって前記第1リード底面部上に設けられ、前記第1リード部材及び前記第2リード部材に電気的に接続され、光を放射する光半導体素子と、
    前記第1の第1リード側壁部及び前記第2の第1リード側壁部を側壁の一部とする筐体形状の基体であって、前記第1の第1リード側壁部及び前記第2の第1リード側壁部に短手方向が直交して前記第1の第1リード側壁部と前記第2の第1リード側壁部との間に位置する長尺状の開口部と、前記開口部に連続し前記第1の第1リード側壁部の内面及び前記第2の第1リード側壁部の内面を一部とし前記光半導体素子により放射された前記光を反射する基体内面と、前記基体内面に対向する基体周面とを有する樹脂製の基体と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記第1の第1リード側壁部の外面は前記基体周面から露出しており、
    前記第2の第1リード側壁部の外面は前記基体周面から露出していることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  3. 前記第1リード部材は、前記第1の第1リード側壁部及び前記第2の第1リード側壁部に加え、前記第1リード底面部に連続して前記第1リード主面側に折れ曲がり前記第1リード底面部の短手方向に沿う前記一端部と反対の他端部側に位置する板状の第3の第1リード側壁部と、前記第1リード底面部に連続して前記第1リード主面側に折れ曲がり前記第1リード底面部の短手方向に沿う前記一端部と反対の前記他端部側に位置して前記第3の第1リード側壁部に離間して対向する板状の第4の第1リード側壁部とを具備しており、
    前記第3の第1リード側壁部の外面は前記基体周面から露出しており、
    前記第4の第1リード側壁部の外面は前記基体周面から露出しており、
    前記第2リード部材は、第2リード主面及び前記第2リード主面に対向する第2リード反対面を有する長板状の第2リード底面部と、前記第2リード底面部に連続して前記第2リード主面側に折れ曲がる板状の第1の第2リード側壁部と、前記第2リード底面部に連続して前記第2リード主面側に折れ曲がり前記第1の第2リード側壁部に離間して対向する板状の第2の第2リード側壁部とを具備しており、
    前記第1の第2リード側壁部の外面は前記基体周面から露出しており、
    前記第2の第2リード側壁部の外面は前記基体周面から露出していることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  4. 前記第1リード部材は、前記第1の第1リード側壁部、前記第2の第1リード側壁部、前記第3の第1リード側壁部及び前記第4の第1リード側壁部に加え、前記第1リード底面部の短手方向に沿う前記一端部と反対の前記他端部に連続して前記第1リード主面側に折れ曲がる板状の第5の第1リード側壁部を具備しており、
    前記第5の第1リード側壁部の外面は前記基体周面から露出しており、
    前記第2リード部材は、前記第2リード底面部、前記第1の第2リード側壁部及び前記第2の第2リード側壁部に加え、前記第2リード底面部における前記第1リード部材と反対の一端部に連続して前記第2リード主面側に折れ曲がる板状の第3の第2リード側壁部を具備しており、
    前記第3の第2リード側壁部の外面は前記基体周面から露出していることを特徴とする請求項3記載の光半導体装置。
  5. 前記第1の第1リード側壁部の厚さ及び前記第2の第1リード側壁部の厚さは、前記第1リード底面部の厚さより薄いことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  6. 前記第1の第1リード側壁部は、
    前記第1の第1リード側壁部の長手方向に沿う一端部に連続して基体の外側に向かって曲がり再度前記第1の第1リード側壁部の外面と平行に曲がる第1曲げ部と、
    前記第1の第1リード側壁部の長手方向に沿う前記一端部と反対の他端部に連続して基体の外側に向かって曲がり再度前記第1の第1リード側壁部の外面と平行に曲がる第2曲げ部と、
    を有しており、
    前記第2の第1リード側壁部は、
    前記第2の第1リード側壁部の長手方向に沿う一端部に連続して基体の外側に向かって曲がり再度前記第2の第1リード側壁部の外面と平行に曲がる第1曲げ部と、
    前記第2の第1リード側壁部の長手方向に沿う前記一端部と反対の他端部に連続して基体の外側に向かって曲がり再度前記第2の第1リード側壁部の外面と平行に曲がる第2曲げ部と、
    を有していることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  7. 前記第1曲げ部は、前記第1曲げ部から前記基体内面に向かって曲がるツバ部を有しており、
    前記第2曲げ部は、前記第2曲げ部から前記基体内面に向かって曲がるツバ部を有していることを特徴とする請求項6記載の光半導体装置。
  8. 前記第1の第1リード側壁部は、前記第1の第1リード側壁部の長手方向に沿って伸びる凸部を有しており、
    前記第2の第1リード側壁部は、前記第2の第1リード側壁部の長手方向に沿って伸びる凸部を有していることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
JP2008179041A 2008-07-09 2008-07-09 光半導体装置 Pending JP2010021259A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008179041A JP2010021259A (ja) 2008-07-09 2008-07-09 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008179041A JP2010021259A (ja) 2008-07-09 2008-07-09 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010021259A true JP2010021259A (ja) 2010-01-28

Family

ID=41705889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008179041A Pending JP2010021259A (ja) 2008-07-09 2008-07-09 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010021259A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249368A (ja) * 2010-05-21 2011-12-08 Sharp Corp 半導体発光装置
JP4917187B1 (ja) * 2011-01-28 2012-04-18 パイオニア株式会社 発光モジュールの製造方法
CN102694104A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装结构
JP2013038167A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013110154A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Sanken Electric Co Ltd 発光装置
JP2013135226A (ja) * 2011-12-24 2013-07-08 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオード
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
JP2018093197A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 発光装置
JP2018121084A (ja) * 2018-05-09 2018-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US10121949B2 (en) 2016-09-30 2018-11-06 Nichia Corporation Light emitting device
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611042A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Toshiba Corp 半導体装置
JPS63207163A (ja) * 1987-02-23 1988-08-26 Hitachi Cable Ltd リ−ドフレ−ム
JPH0613496A (ja) * 1992-06-24 1994-01-21 Fuji Film Micro Device Kk 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード
JPH06140551A (ja) * 1992-10-23 1994-05-20 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2001015668A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体パッケージ
JP2001144241A (ja) * 1999-11-18 2001-05-25 Mitsui High Tec Inc 樹脂封止型半導体装置
JP2002043625A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Koha Co Ltd Led装置
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led用ケース及びled発光体
JP2004146815A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2004363533A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード素子の製造方法
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2008016744A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置用パッケージおよびその製造方法
JP2008041950A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ
JP2008053726A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオードパッケージ

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611042A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Toshiba Corp 半導体装置
JPS63207163A (ja) * 1987-02-23 1988-08-26 Hitachi Cable Ltd リ−ドフレ−ム
JPH0613496A (ja) * 1992-06-24 1994-01-21 Fuji Film Micro Device Kk 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード
JPH06140551A (ja) * 1992-10-23 1994-05-20 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2001015668A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体パッケージ
JP2001144241A (ja) * 1999-11-18 2001-05-25 Mitsui High Tec Inc 樹脂封止型半導体装置
JP2002043625A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Koha Co Ltd Led装置
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led用ケース及びled発光体
JP2004146815A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2004363533A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード素子の製造方法
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2008016744A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置用パッケージおよびその製造方法
JP2008041950A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ
JP2008053726A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオードパッケージ

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US11094854B2 (en) 2008-09-03 2021-08-17 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10700241B2 (en) 2008-09-03 2020-06-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573789B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
JP2011249368A (ja) * 2010-05-21 2011-12-08 Sharp Corp 半導体発光装置
JP4917187B1 (ja) * 2011-01-28 2012-04-18 パイオニア株式会社 発光モジュールの製造方法
CN102694104A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装结构
JP2013038167A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013110154A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Sanken Electric Co Ltd 発光装置
US8633507B2 (en) 2011-12-24 2014-01-21 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. LED with versatile mounting ways
TWI462345B (zh) * 2011-12-24 2014-11-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體
JP2013135226A (ja) * 2011-12-24 2013-07-08 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオード
US10121949B2 (en) 2016-09-30 2018-11-06 Nichia Corporation Light emitting device
KR20200067977A (ko) * 2016-12-01 2020-06-15 에피스타 코포레이션 발광장치
JP2018093197A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 発光装置
JP7079599B2 (ja) 2016-12-01 2022-06-02 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
KR102506250B1 (ko) 2016-12-01 2023-03-03 에피스타 코포레이션 발광장치
JP2018121084A (ja) * 2018-05-09 2018-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010021259A (ja) 光半導体装置
KR100927077B1 (ko) 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법
TWI445200B (zh) 半導體光學裝置
KR101602977B1 (ko) 발광 장치
JP5496570B2 (ja) 発光装置
JP2008060344A (ja) 半導体発光装置
EP3745476B1 (en) Light emitting device
JP2010003743A (ja) 発光装置
JP4795293B2 (ja) 半導体発光装置
JP5978572B2 (ja) 発光装置
JP2009302339A (ja) 半導体発光装置
JP3138795U (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
US8030835B2 (en) Light emitting device
KR20120070213A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TW201347240A (zh) 發光裝置封裝件
JP2008218763A (ja) 発光装置
JP2009099771A (ja) 半導体発光モジュール
US8251530B2 (en) Light emitting device
JP6225910B2 (ja) 発光装置
JP2008072043A (ja) 光半導体装置
JP7219790B2 (ja) 半導体装置
US8101967B2 (en) Optical semiconductor package and optical semiconductor device
JP3969660B2 (ja) 白色ledランプ
JP4679917B2 (ja) 半導体発光装置
JP2009260075A (ja) 発光装置およびリードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100924

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120703

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121106