JPH0613496A - 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード - Google Patents
樹脂封止半導体装置およびそのためのリードInfo
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- JPH0613496A JPH0613496A JP16635992A JP16635992A JPH0613496A JP H0613496 A JPH0613496 A JP H0613496A JP 16635992 A JP16635992 A JP 16635992A JP 16635992 A JP16635992 A JP 16635992A JP H0613496 A JPH0613496 A JP H0613496A
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- resin
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、熱ストレスを受けてもリードと樹
脂との界面にすきまを生じしにくく、かつ水分の侵入し
にくい構造の樹脂封止半導体装置を提供することを目的
とする。 【構成】 表面に電極パッドを有する半導体チップと、
半導体チップ近傍から外方に向かって延在するリード
と、該半導体チップ上の電極パッドとリードとを接続す
るボンディングワイヤと、該半導体チップと、該ボンデ
ィングワイヤと、該リードの一部とをモールドする樹脂
とを含み、該リードの該樹脂によってモールドされる部
分が少なくとも２回折り曲げられていることを特徴とす
る。
脂との界面にすきまを生じしにくく、かつ水分の侵入し
にくい構造の樹脂封止半導体装置を提供することを目的
とする。 【構成】 表面に電極パッドを有する半導体チップと、
半導体チップ近傍から外方に向かって延在するリード
と、該半導体チップ上の電極パッドとリードとを接続す
るボンディングワイヤと、該半導体チップと、該ボンデ
ィングワイヤと、該リードの一部とをモールドする樹脂
とを含み、該リードの該樹脂によってモールドされる部
分が少なくとも２回折り曲げられていることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止半導体装置に関
し、特にリードの樹脂によってモールドされる部分に新
規な構造を有する樹脂封止半導体装置に関する。
し、特にリードの樹脂によってモールドされる部分に新
規な構造を有する樹脂封止半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）は従来の技術によるリードを
使用する樹脂封止ＩＣの左半分の断面構造を示し、図５
（Ｂ）は同じ樹脂封止ＩＣの一部分のリード部分の平面
図である。リード１０は、４２合金のような材料の平板
からリード１０とダイパッド２０とが一体になった形状
に金型によるパンチングによって形成する。また、材料
の金属板を同様な形状にエッチングによって形成する場
合もある。
使用する樹脂封止ＩＣの左半分の断面構造を示し、図５
（Ｂ）は同じ樹脂封止ＩＣの一部分のリード部分の平面
図である。リード１０は、４２合金のような材料の平板
からリード１０とダイパッド２０とが一体になった形状
に金型によるパンチングによって形成する。また、材料
の金属板を同様な形状にエッチングによって形成する場
合もある。
【０００３】リード１０の外部と接続する一方の端部は
例えば回路基板等に半田付け等により接続しやすいよう
に折り曲げられる。リード１０の他方の端部と半導体チ
ップ３０の表面上のパッド３１との間はアルミあるいは
金材料のボンディングワイヤ４０によりワイヤーボンデ
ィングがされる。
例えば回路基板等に半田付け等により接続しやすいよう
に折り曲げられる。リード１０の他方の端部と半導体チ
ップ３０の表面上のパッド３１との間はアルミあるいは
金材料のボンディングワイヤ４０によりワイヤーボンデ
ィングがされる。
【０００４】ワイヤーボンディングされたものにエポキ
シ樹脂等でＩＣパッケージとしてモールド５０が施さ
れ、外部よりの空気や水分、ゴミあるいは光線といった
ものから内部の半導体チップ３０を保護している。
シ樹脂等でＩＣパッケージとしてモールド５０が施さ
れ、外部よりの空気や水分、ゴミあるいは光線といった
ものから内部の半導体チップ３０を保護している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５（Ａ）、（Ｂ）で
示す従来のリード１０は、図示の如く樹脂モールド５０
で封止されている部分は平坦でほぼ真っ直ぐな金属スト
リップである。小面積の半導体チップ周辺に多数のリー
ドを配置するため、リードを途中で１回曲げることはあ
るが、この時も曲げ部分以外ではほぼ真っ直ぐである。
示す従来のリード１０は、図示の如く樹脂モールド５０
で封止されている部分は平坦でほぼ真っ直ぐな金属スト
リップである。小面積の半導体チップ周辺に多数のリー
ドを配置するため、リードを途中で１回曲げることはあ
るが、この時も曲げ部分以外ではほぼ真っ直ぐである。
【０００６】ところで、このような形状は、樹脂５０と
リード１０との密着性が弱く、この状態でＩＣパッケー
ジが熱ストレスを受けると、リード１０と樹脂５０との
間ですきま５１，５２が発生することがある。すきま５
１，５２を通じて内部のパッド３１まで湿気が侵入し易
く、アルミ腐食による不良発生の原因となる。
リード１０との密着性が弱く、この状態でＩＣパッケー
ジが熱ストレスを受けると、リード１０と樹脂５０との
間ですきま５１，５２が発生することがある。すきま５
１，５２を通じて内部のパッド３１まで湿気が侵入し易
く、アルミ腐食による不良発生の原因となる。
【０００７】熱ストレスは、特に、この樹脂封止ＩＣ素
子を回路基板に実装する際の全面半田ディップ工程にお
いて発生する。全面半田ディップ工程ではＩＣ素子全体
が約２６０℃程度に加熱される。
子を回路基板に実装する際の全面半田ディップ工程にお
いて発生する。全面半田ディップ工程ではＩＣ素子全体
が約２６０℃程度に加熱される。
【０００８】この熱によって樹脂５０内に吸湿されてい
た水分が急激に蒸発膨張して高い圧力を発生し、密着強
度の弱い樹脂５０とリード１０あるいは半導体チップ３
０との界面を押し拡げる。これによって、図５（Ａ）に
示すように、樹脂５０とリード１０との界面に剥離が起
こり、すきま５１，５２が発生する。
た水分が急激に蒸発膨張して高い圧力を発生し、密着強
度の弱い樹脂５０とリード１０あるいは半導体チップ３
０との界面を押し拡げる。これによって、図５（Ａ）に
示すように、樹脂５０とリード１０との界面に剥離が起
こり、すきま５１，５２が発生する。
【０００９】すきま５１，５２が発生すると、毛細管現
象によりここから水分が侵入し易くなる。すきま５１，
５２に侵入した水分は、ボンディングワイヤ４０を伝っ
てパッド３１まで入り、アルミの腐食を発生させる。こ
れは、ＩＣ素子の不良発生原因となる。
象によりここから水分が侵入し易くなる。すきま５１，
５２に侵入した水分は、ボンディングワイヤ４０を伝っ
てパッド３１まで入り、アルミの腐食を発生させる。こ
れは、ＩＣ素子の不良発生原因となる。
【００１０】本発明の目的は、熱ストレスを受けてもリ
ードと樹脂との界面にすきまを生じしにくく、かつ水分
の侵入しにくい構造の樹脂封止半導体装置を提供するこ
とにある。
ードと樹脂との界面にすきまを生じしにくく、かつ水分
の侵入しにくい構造の樹脂封止半導体装置を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決する手段】本発明の樹脂封止半導体装置
は、表面に電極パッドを有する半導体チップと、半導体
チップ近傍から外方に向かって延在するリードと、該半
導体チップ上の電極パッドとリードとを接続するボンデ
ィングワイヤと、該半導体チップと、該ボンディングワ
イヤと、該リードの一部とをモールドする樹脂とを含
み、該リードの該樹脂によってモールドされる部分が少
なくとも２回折り曲げられていることを特徴とする。
は、表面に電極パッドを有する半導体チップと、半導体
チップ近傍から外方に向かって延在するリードと、該半
導体チップ上の電極パッドとリードとを接続するボンデ
ィングワイヤと、該半導体チップと、該ボンディングワ
イヤと、該リードの一部とをモールドする樹脂とを含
み、該リードの該樹脂によってモールドされる部分が少
なくとも２回折り曲げられていることを特徴とする。
【００１２】
【作用】リードの樹脂によってモールドされる部分を少
なくとも２回折り曲げることによって、樹脂とリードと
の接触面積を増大し、しかも折り曲げによる構造によっ
て水分の膨張による内部圧力に抗して剥離を生じにくい
ような機械的強度を与え、しかもリードの樹脂で封止さ
れた部分の内部への到達距離が増大して水分の通過しに
くい構造となる。
なくとも２回折り曲げることによって、樹脂とリードと
の接触面積を増大し、しかも折り曲げによる構造によっ
て水分の膨張による内部圧力に抗して剥離を生じにくい
ような機械的強度を与え、しかもリードの樹脂で封止さ
れた部分の内部への到達距離が増大して水分の通過しに
くい構造となる。
【００１３】
【実施例】図１（Ａ）に本発明の実施例による樹脂封止
ＩＣの左半分の断面構造を示す。図１（Ｂ）は同じ樹脂
封止ＩＣのリード部分の部分平面図である。リード１の
材料は従来の技術と同じような４２合金等が用いられて
よい。
ＩＣの左半分の断面構造を示す。図１（Ｂ）は同じ樹脂
封止ＩＣのリード部分の部分平面図である。リード１の
材料は従来の技術と同じような４２合金等が用いられて
よい。
【００１４】リード１の製造方法は、従来技術と同じく
パンチングによって形成するが、後で詳しく説明するよ
うにリードの樹脂封止される部分の形状が従来の技術と
は異なるために、その形状となるようにパンチングの金
型のパターンが従来の技術のそれとは異なる。樹脂封止
ＩＣのリード１以外の他の部分は図５の従来の技術のも
のと同様であるので説明は省略する。
パンチングによって形成するが、後で詳しく説明するよ
うにリードの樹脂封止される部分の形状が従来の技術と
は異なるために、その形状となるようにパンチングの金
型のパターンが従来の技術のそれとは異なる。樹脂封止
ＩＣのリード１以外の他の部分は図５の従来の技術のも
のと同様であるので説明は省略する。
【００１５】図１の実施例におけるリード１の樹脂５０
で封止される部分の形状はリード１を構成する金属スト
リップの厚み方向（図１（Ａ）の天地方向）に波状に折
り曲げ加工されている。これはパンチングの際にリード
１の一端がこのような波形となるようにパンチング用金
型の一部をプレス成形用の金型として形成しておけばよ
い。
で封止される部分の形状はリード１を構成する金属スト
リップの厚み方向（図１（Ａ）の天地方向）に波状に折
り曲げ加工されている。これはパンチングの際にリード
１の一端がこのような波形となるようにパンチング用金
型の一部をプレス成形用の金型として形成しておけばよ
い。
【００１６】図２（Ａ）は本発明の別の実施例による樹
脂封止ＩＣの左半分の断面構造を示す。図２（Ｂ）は同
じ樹脂封止ＩＣのリード部分の一部平面図である。この
リード１の材料は従来の技術と同じような４２合金等が
用いられてよい。
脂封止ＩＣの左半分の断面構造を示す。図２（Ｂ）は同
じ樹脂封止ＩＣのリード部分の一部平面図である。この
リード１の材料は従来の技術と同じような４２合金等が
用いられてよい。
【００１７】リード１の製造方法は、従来技術と同じく
エッチングによって形成する。但し、後で詳しく説明す
るようにリードの樹脂封止される部分の形状が従来の技
術とは異なるために、その形状となるようにエッチング
パターンが従来の技術のそれとは異なる。樹脂封止ＩＣ
のリード１以外の他の部分は図５の従来の技術のものと
同様であるので説明は省略する。
エッチングによって形成する。但し、後で詳しく説明す
るようにリードの樹脂封止される部分の形状が従来の技
術とは異なるために、その形状となるようにエッチング
パターンが従来の技術のそれとは異なる。樹脂封止ＩＣ
のリード１以外の他の部分は図５の従来の技術のものと
同様であるので説明は省略する。
【００１８】図２の実施例におけるリード２の樹脂５０
で封止される部分の形状はリード２を構成する金属スト
リップの幅方向すなわちリード２の長手方向に交差する
方向に波状に折り曲げられた形にされている。
で封止される部分の形状はリード２を構成する金属スト
リップの幅方向すなわちリード２の長手方向に交差する
方向に波状に折り曲げられた形にされている。
【００１９】但し、図２（Ａ）の断面図で示すように、
リード２の断面は平坦なままである。これはエッチング
によってリードを作成するためであり、図２（Ｂ）に示
す折れ曲り形状はエッチングの際にリード２の一端がこ
のような波形となるようにパターンを形成しておけばよ
い。
リード２の断面は平坦なままである。これはエッチング
によってリードを作成するためであり、図２（Ｂ）に示
す折れ曲り形状はエッチングの際にリード２の一端がこ
のような波形となるようにパターンを形成しておけばよ
い。
【００２０】図３と図４に上記二つの実施例のリードの
形状をさらに詳細に図示する。図３は図１の実施例のリ
ードであり、図３（Ａ）はパンチングによって得られた
リードフレームの平面形状を概略的に示す。図３（Ｂ）
は１本のリード１の平面図であり、図３（Ｃ）は１本の
リード１の断面図である。
形状をさらに詳細に図示する。図３は図１の実施例のリ
ードであり、図３（Ａ）はパンチングによって得られた
リードフレームの平面形状を概略的に示す。図３（Ｂ）
は１本のリード１の平面図であり、図３（Ｃ）は１本の
リード１の断面図である。
【００２１】リード１の樹脂で封止される部分の波状の
折り曲げ形状は、山と谷の間の距離が約１．０ｍｍ（ピ
ッチ約２ｍｍ）、山の高さ（谷の深さ）が約０．３５ｍ
ｍで、凹凸の周期が１周期半形成されるように折り曲げ
られている。また、リード１の厚みが約０．１５ｍｍ
で、幅が約０．３５ｍｍとなっている。その他の寸法に
ついては図示の通りである。
折り曲げ形状は、山と谷の間の距離が約１．０ｍｍ（ピ
ッチ約２ｍｍ）、山の高さ（谷の深さ）が約０．３５ｍ
ｍで、凹凸の周期が１周期半形成されるように折り曲げ
られている。また、リード１の厚みが約０．１５ｍｍ
で、幅が約０．３５ｍｍとなっている。その他の寸法に
ついては図示の通りである。
【００２２】図４は図２の実施例のリードであり、図４
（Ａ）はエッチングによって得られたリードフレームの
平面形状を概略的に示す。図４（Ｂ）は１本のリード２
の平面図であり、図４の（Ｃ）は１本のリード２の断面
図である。
（Ａ）はエッチングによって得られたリードフレームの
平面形状を概略的に示す。図４（Ｂ）は１本のリード２
の平面図であり、図４の（Ｃ）は１本のリード２の断面
図である。
【００２３】リード２の樹脂で封止される部分の波状の
折り曲げ形状は、山と谷の間の距離が約１．０ｍｍ（ピ
ッチ約２ｍｍ）、山の高さ（谷の深さ）が約０．３５ｍ
ｍで、凹凸の周期が１周期半形成されるように折り曲げ
られている。但し、山は平面内での屈曲形状である。ま
た、リード２の厚みが約０．１５ｍｍで、幅が約０．３
５ｍｍとなっている。その他の寸法については図示の通
りである。
折り曲げ形状は、山と谷の間の距離が約１．０ｍｍ（ピ
ッチ約２ｍｍ）、山の高さ（谷の深さ）が約０．３５ｍ
ｍで、凹凸の周期が１周期半形成されるように折り曲げ
られている。但し、山は平面内での屈曲形状である。ま
た、リード２の厚みが約０．１５ｍｍで、幅が約０．３
５ｍｍとなっている。その他の寸法については図示の通
りである。
【００２４】なお、本発明のリードは上記寸法や形状に
限るものではないことを断っておく。波型の形状につい
てはその周期や凹凸の数は要求される密着度等によって
適宜最適なものが選択されてよい。
限るものではないことを断っておく。波型の形状につい
てはその周期や凹凸の数は要求される密着度等によって
適宜最適なものが選択されてよい。
【００２５】また実施例では波は半円の交互の連なりで
あったが、三角波やクランク形状のようなものでも可能
であり、樹脂とリードとの接着面積を増大でき、リード
の延べ長さを延ばせる形状であれば他の形状でも可能で
ある。従って、本発明は、上記の開示に基づいて当業者
が容易に変更や改良を行えることはいうまでもない。
あったが、三角波やクランク形状のようなものでも可能
であり、樹脂とリードとの接着面積を増大でき、リード
の延べ長さを延ばせる形状であれば他の形状でも可能で
ある。従って、本発明は、上記の開示に基づいて当業者
が容易に変更や改良を行えることはいうまでもない。
【００２６】
【発明の効果】リードの樹脂によってモールドされる部
分を折り曲げることによって、樹脂とリードとの接触面
積を増大し、しかも折り曲げによる構造によって水分の
膨張による内部圧力に抗して剥離を生じにくいような機
械的強度を与え、しかもリードの樹脂で封止された部分
の内部への到達距離が増大して水分の通過がしにくい構
造となる。従って、半導体装置の不良発生率を低減させ
ることができる。
分を折り曲げることによって、樹脂とリードとの接触面
積を増大し、しかも折り曲げによる構造によって水分の
膨張による内部圧力に抗して剥離を生じにくいような機
械的強度を与え、しかもリードの樹脂で封止された部分
の内部への到達距離が増大して水分の通過がしにくい構
造となる。従って、半導体装置の不良発生率を低減させ
ることができる。
【図１】 本発明の実施例による樹脂封止ＩＣの構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】 本発明の別の実施例による樹脂封止ＩＣの構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図３】 図１の実施例のリードの詳細図である。
【図４】 図２の実施例のリードの詳細図である。
【図５】 従来の技術による樹脂封止ＩＣの構造を示す
図である。
図である。
１，２，１０・・・・・リード ２０・・・・ダイパッド ３０・・・・半導体チップ ３１・・・・パッド ４０・・・・ボンディングワイヤ ５０・・・・樹脂 ５１，５２・・・・すきま
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に電極パッドを有する半導体チップ
と、 半導体チップ近傍から外方に向かって延在するリード
と、 該半導体チップ上の電極パッドとリードとを接続するボ
ンディングワイヤと、 該半導体チップと、該ボンディングワイヤと、該リード
の一部とをモールドする樹脂とを含み、 該リードの該樹脂によってモールドされる部分が少なく
とも２回折り曲げられていることを特徴とする樹脂封止
半導体装置。 - 【請求項２】 前記リードは金属の薄板によって形成さ
れ、前記リードの前記樹脂によってモールドされる部分
は前記薄板の厚み方向に折り曲げられていることを特徴
とする請求項１記載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードは金属の薄板によって形成さ
れ、前記リードの前記樹脂によってモールドされる部分
は前記薄板の平面内で前記リードの長手方向と交差する
方向に折り曲げられていることを特徴とする請求項１記
載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項４】 前記リードの前記樹脂によってモールド
される部分は波状に複数回折り曲げられていることを特
徴とする請求項２あるいは３記載の樹脂封止半導体装
置。 - 【請求項５】 樹脂封止半導体装置において半導体チッ
プ上の電極パッドを外部に接続するためのリードであっ
て、樹脂によってモールドされるべき部分が少なくとも
２回折り曲げられているリード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635992A JPH0613496A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635992A JPH0613496A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613496A true JPH0613496A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15829930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16635992A Withdrawn JPH0613496A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 樹脂封止半導体装置およびそのためのリード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613496A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335449A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2010021259A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JP2011151321A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子載置部材と配線導体との組合体、半導体素子載置基板およびその製造方法、ならびに半導体素子パッケージおよびその製造方法 |
| KR101258398B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 계면박리를 줄인 ｌｅｄ 패키지 |
| CN105702835A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-22 | 格力电器（合肥）有限公司 | 极管及发光设备 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16635992A patent/JPH0613496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335449A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | 半導体装置 |
| KR101258398B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 계면박리를 줄인 ｌｅｄ 패키지 |
| JP2010021259A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JP2011151321A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子載置部材と配線導体との組合体、半導体素子載置基板およびその製造方法、ならびに半導体素子パッケージおよびその製造方法 |
| CN105702835A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-22 | 格力电器（合肥）有限公司 | 极管及发光设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |