JP2013135226A - 発光ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、取り付けの適応性が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、ベースと、該ベースの内部に設置される第一電極及び第二電極と、第一電極及び第二電極と接続する発光チップと、を備え、第一電極はベースの外部へそれぞれ延在し且つ互いに連接する複数の第一支持電極を備え、第二電極は第一支持電極に対応し且つ互いに連接する複数の第二支持電極を備え、各々の第一支持電極及び第二支持電極は、ベースの各々の外表面を貫通する突出端をそれぞれ有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体の照明領域に関し、特に、発光ダイオードに関するものである。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、高輝度、低消費電力、長寿命である等の利点を有することから、従来の蛍光灯或いは白熱灯に代わるランプの光源として広く利用されている。
従来の発光ダイオードは、一般的に、ベースと、該ベースに設置される２つの電極と、２つの電極と電気的に接続する発光ダイオードチップと、電極及び発光ダイオードチップを封止する封止体と、を備えている。発光ダイオードを回路基板に取り付けるために、２つの電極は、ベースの上表面からベースの２つの側面を各々経由して、ベースの下表面までそれぞれ延在する。しかし、発光ダイオードを回路基板に取り付ける時、一般的に、ベースの発光ダイオードの光出射方向から離れる側である下表面のみを回路基板に取り付けるため、取付方式が唯一であり、適応性が悪い。
前記課題を解決するために、本発明は、取り付けの適応性が高い発光ダイオードを提供する。
本発明に係る発光ダイオードは、ベースと、前記ベースの内部に設置される第一電極及び第二電極と、前記第一電極及び前記第二電極と接続する発光チップと、を備え、前記第一電極は前記ベースの外部へそれぞれ延在し且つ互いに連接する複数の第一支持電極を備え、前記第二電極は前記第一支持電極に対応し且つ互いに連接する複数の第二支持電極を備え、各々の前記第一支持電極及び前記第二支持電極は、前記ベースの各々の外表面を貫通する突出端をそれぞれ有する。
従来の技術と比べ、本発明に係る発光ダイオードを回路基板に取り付ける際、発光ダイオードは、ベースの任意の１つの外表面における第一支持電極及び第二支持電極によって回路基板に取り付けることができる。また、１つの外表面における第一支持電極及び他の外側面における第二支持電極によって回路基板に取り付けることもできる。従って、発光ダイオードの多面的な取り付けを実現し、異なる回路基板に適応することができる。
本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの平面図である。 図１に示した発光ダイオードの第一電極及び第二電極の立体図である。 図１に示した発光ダイオードの断面図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードの平面図である。 図４に示した発光ダイオードの第一電極及び第二電極の立体図である。 図４に示した発光ダイオードの断面図である。 図４に示した発光ダイオードを他の方向から見た断面図である。 本発明の第三実施形態に係る発光ダイオードの断面図である。 図８に示した発光ダイオードの底面図である。 図８に示した発光ダイオードの第一電極及び第二電極の立体図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１〜図３を参照すると、本発明の第一実施形態に係る発光ダイオード１００は、ベース１０と、該ベース１０に設置される第一電極２０及び第二電極３０と、ベース１０に固定され且つ第一電極２０及び第二電極３０と電気的に接続する発光チップ４０と、該発光チップ４０、第一電極２０及び第二電極３０を封止する封止体５０と、を備える。
ベース１０は矩形状を呈し、頂面１０６と、該頂面１０６に対向する底面１０５と、頂面１０６及び底面１０５を連接する４つの外側面１０２と、を備える。ベース１０の頂面１０６には、底面１０５に向かって台形状の収容溝１０１が設けられる。該収容溝１０１は、４つの外側面１０２にそれぞれ対応する４つの内壁１０３及び４つの内壁１０３に連接する底壁１０４を備える。４つの内壁１０３は前記収容溝１０１を囲み且つ底壁１０４から外側面１０２に向かって傾斜して延在する。底壁１０４は底面１０５に平行である。内壁１０３及び底壁１０４は光線を反射できる滑らかな表面である。ベース１０は、プラスチック、セラミックスなどの電気絶縁材料からなる。
第一電極２０及び第二電極３０は、収容溝１０１の底壁１０４とベース１０の底面１０５との間に互いに間隔をあけてそれぞれ嵌設される。第一電極２０は、収容溝１０１の底壁１０４に隣接して設置され且つその上表面は底壁１０４から露出する。第二電極３０は、ベース１０の底面１０５に隣接して設置される。第二電極３０の上表面の一部を露出させるために、収容溝１０１の底壁１０４には貫通孔６０が設けられる。
第一電極２０は、ほぼ十字型を呈し、互いに直交する４つの第一支持電極２０１を備える。４つの第一支持電極２０１の一端は互いに連接するが、他端はベース１０の４つの外側面１０２に向かってそれぞれ延在し且つ４つの外側面１０２を貫通する。４つの第一支持電極２０１のベース１０の４つの外側面１０２から突出する端部は、第一外部電極２０２である。
第二電極３０は第一電極２０と同じ構造を有し、ほぼ十字型を呈す。第一電極２０と第二電極３０とは、水平方向（底壁１０４に平行する方向）に沿って互いにずらされて設置される。第二電極３０は、互いに直交する４つの第二支持電極３０１を備え、４つの第二支持電極３０１の一端は互いに連接するが、他端はベース１０の４つの外側面１０２に向かってそれぞれ延在し且つ４つの外側面１０２を貫通する。４つの第二支持電極３０１のベース１０の４つの外側面１０２から突出する端部は、第二外部電極３０２である。従って、ベース１０の各々の外側面１０２には、一対の第一外部電極２０２及び第二外部電極３０２がそれぞれ形成される。
発光チップ４０は、第一電極２０における収容溝１０１の底壁１０４から露出された上表面に固定される。発光チップ４０は、上部電極及び下部電極（図示せず）を有し、発光チップ４０の下部電極は、共晶接合或いは半田付けの方法によって第一電極２０に接続され、発光チップ４０の上部電極は、金属線７０によって貫通孔６０を通して第二電極３０に接続される。
封止体５０は、収容溝１０１の中に収容され且つ発光チップ４０及び金属線７０を覆う。封止体５０は、エポキシ、シリコンやガラスなどの透明または半透明の材料からなる。また、封止体５０の内部に発光チップ４０からの光に対して所望の色変換を行う蛍光物質を含んでも良い。
発光ダイオード１００を回路基板に取り付ける際、発光ダイオード１００は、ベース１０の任意の１つの外側面１０２における一対の第一外部電極２０２及び第二外部電極３０によって、回路基板に取り付けることができる。または、１つの外側面１０２における第一外部電極２０２及び他の外側面１０２における第二外部電極３０２によって回路基板に取り付けることもできる。従って、本発明に係る発光ダイオード１００は、多面的な取り付けを実現することが、異なる回路基板に適応することができ、適応性が高い。
図４〜図７を参照すると、本発明の第二実施形態に係る発光ダイオード１００ａにおいて、第二電極３０ａには突起部３０３が形成され、該突起部３０３は、第二電極３０ａの１つの第二支持電極３０１ａからベース１０ａの収容溝１０１ａの底壁１０４ａへ突出し且つ底壁１０４ａから露出される。突起部３０３の頂面と第一電極２０の頂面とは同じ平面上に位置する。これにより、発光ダイオード１００ａの発光チップ４０ａは、フリップチップの方法によって、その２つの電極を第二電極３０ａの突起部３０３及び第一電極２０の第一支持電極２０１に接続しても良い。従って、発光チップ４０ａと第一電極２０及び第二電極３０ａとの間の接続は容易になる。
図８〜図１０を参照すると、本発明の第三実施形態に係る発光ダイオード１００ｂにおいて、第一電極２０ｂには、第一支部電極２０４が形成され、該第一支部電極２０４は、第一電極２０ｂの第一支持電極２０１ｂから下方に延在し且つ発光ダイオード１００ｂのベース１０ｂの底面１０５ｂを貫通する。第二電極３０ｂには第二支部電極３０４が形成され、該第二支部電極３０４は、第二電極３０ｂの第二支持電極３０１ｂから下方に延在し且つ発光ダイオード１００ｂのベース１０ｂの底面１０５ｂを貫通する。第一支部電極２０４及び第二支部電極３０４はベース１０ｂの底面１０５ｂから露出される。これにより、発光ダイオード１００ｂは、底面１０５ｂによって回路基板に貼設されても良い。
１００、１００ａ、１００ｂ 発光ダイオード
１０、１０ａ、１０ｂ ベース
１０１ 収容溝
１０２ 外側面
１０３ 内壁
１０４、１０４ａ、１０４ｂ 底壁
１０５、１０５ａ、１０５ｂ 底面
１０６ 頂面
２０、２０ｂ 第一電極
２０１、２０１ｂ 第一支持電極
２０２ 第一外部電極
２０４ 第一支部電極
３０、３０ａ、３０ｂ 第二電極
３０１、３０１ａ、３０１ｂ 第二支持電極
３０２ 第二外部電極
３０３ 突起部
３０４ 第二支部電極
４０、４０ａ、４０ｂ 発光チップ
５０ 封止体
６０ 貫通孔
７０ 金属線

Claims (5)

  1. ベースと、前記ベースの内部に設置される第一電極及び第二電極と、前記第一電極及び前記第二電極と接続する発光チップと、を備える発光ダイオードにおいて、前記第一電極は、前記ベースの外部へそれぞれ延在し且つ互いに連接する複数の第一支持電極を備え、前記第二電極は、前記第一支持電極に対応し且つ互いに連接する複数の第二支持電極を備え、各々の前記第一支持電極及び前記第二支持電極は、前記ベースの各々の外表面を貫通する突出端をそれぞれ有することを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記ベースは、頂面と、前記頂面に対向する底面と、前記頂面及び前記底面を連接する外側面とを備え、前記ベースの頂面には、前記底面に向かって収容溝が設けられ、前記収容溝は、内壁及び底壁を備え、前記第一電極及び前記第二電極は、前記収容溝の底壁と前記ベースの底面との間に互いに間隔をあけてそれぞれ設置され且つ各々の前記第一支持電極及び前記第二支持電極は、前記ベースの外側面からそれぞれ露出されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
  3. 前記第一電極は前記収容溝の底壁に隣接して設置され、前記第一電極の上表面は、前記底壁から露出され、前記第二電極は前記ベースの底面に隣接して設置され、前記収容溝の底壁には、前記第二電極の上表面の一部を露出させるための貫通孔が設けられ、前記発光チップは前記第一電極に固定され、前記発光チップの一方の電極は共晶接合或いは半田付けの方式によって前記第一電極に接続され、前記発光チップの他方の電極は金属線によって、前記貫通孔を通して前記第二電極に接続されることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
  4. 前記第二電極には突起部が形成され、前記突起部は前記第二電極の１つの第二支持電極から前記収容溝の底壁へ突出し、前記突起部の頂面と前記第一電極の頂面とは同じ平面にあり且つ前記収容溝の底壁から露出され、前記発光チップはフリップチップの方法によって、前記第二電極の突起部及び前記第一電極の頂面に接続されることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
  5. 前記第一電極は、前記第一支持電極から前記ベースの底面に向かって延在する第一支部電極をさらに備え、前記第二電極は、前記第二支持電極から前記ベースの底面に向かって延在する第二支部電極をさらに備え、前記第一支部電極及び前記第二支部電極は、前記ベースの底面をそれぞれ貫通することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9711700B2 (en) 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016121510A1 (de) * 2016-11-10 2018-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187780A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Sharp Corp 発光装置
JP2000040781A (ja) * 1998-05-20 2000-02-08 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2006339639A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2007329374A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び液晶表示用バックライト装置
JP2008047712A (ja) * 2006-08-16 2008-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
JP2010021259A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体装置
JP3157844U (ja) * 2009-12-17 2010-03-04 岡谷電機産業株式会社 半導体素子
JP2010199253A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP2011233800A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Rohm Co Ltd 発光素子モジュール

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1219320C (zh) * 1998-05-20 2005-09-14 罗姆股份有限公司 半导体器件
JP4545956B2 (ja) * 2001-01-12 2010-09-15 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
KR101134752B1 (ko) * 2006-07-14 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5026848B2 (ja) * 2007-04-19 2012-09-19 スタンレー電気株式会社 光半導体デバイスおよびその製造方法
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
JP4764519B1 (ja) * 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
CN201845810U (zh) * 2010-11-03 2011-05-25 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led支架及led

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187780A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Sharp Corp 発光装置
JP2000040781A (ja) * 1998-05-20 2000-02-08 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2006339639A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2007329374A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び液晶表示用バックライト装置
JP2008047712A (ja) * 2006-08-16 2008-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
JP2010021259A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2010199253A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP3157844U (ja) * 2009-12-17 2010-03-04 岡谷電機産業株式会社 半導体素子
JP2011233800A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Rohm Co Ltd 発光素子モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9711700B2 (en) 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8633507B2 (en) 2014-01-21
CN103178191B (zh) 2015-10-28
TWI462345B (zh) 2014-11-21
US20130161681A1 (en) 2013-06-27
JP5504329B2 (ja) 2014-05-28
TW201327925A (zh) 2013-07-01
CN103178191A (zh) 2013-06-26

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