DE102016106493A1

DE102016106493A1 - Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE102016106493A1
Application number: DE102016106493.9A
Authority: DE
Inventors: Jürgen Moosburger; Matthias Sabathil; Frank Singer
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2016-04-08
Filing date: 2016-04-08
Publication date: 2017-10-12
Also published as: DE112017001895A5; WO2017174730A1; US20190123238A1; US10903392B2

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten:
a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist;
b) Ermitteln einer Position von zumindest einem Defektbereich (4) der Halbleiterschichtenfolge;
c) Ausbilden einer Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen (5), die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind; und
d) Vereinzeln des Verbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen.
Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement.
Bei optoelektronischen Halbleiterchips wie beispielsweise Leuchtdioden können beispielsweise Kristalldefekte dazu führen, dass die Leuchtdioden nicht funktionsfähig sind. Insbesondere kann bei Modulen mit einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips je nach Anforderung bereits ein einziger defekter Halbleiterchip das gesamte Modul mit mehreren 100 Halbleiterchips unbrauchbar machen. Dies betrifft beispielsweise Videowände, bei denen sich die Halbleiterchips in einem sehr geringen Abstand befinden, so dass es nicht ohne weiteres möglich ist, einen defekten Halbleiterchip zu ersetzen.
Eine Aufgabe ist es, die Ausfallrate bei der Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen zu reduzieren.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen beziehungsweise durch ein optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Verbund mit einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Beispielsweise liegt eine Peak-Wellenlänge der Strahlung im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich.
Beispielsweise wird die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger bereitgestellt. Der Träger kann ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge oder ein vom Aufwachssubstrat verschiedener Trägers sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Position von einem oder mehreren Defektbereichen der Halbleiterschichtenfolge ermittelt wird. Mit anderen Worten erfolgt eine ortsaufgelöste Ermittlung von Defektbereichen über den Verbund.
Unter einem Defektbereich wird im Rahmen der Anmeldung allgemein ein Bereich verstanden, in dem die Halbleiterschichtenfolge nicht die vorgegebenen Eigenschaften erfüllt und der insbesondere dazu führen kann, dass ein aus der Halbleiterschichtenfolge gebildetes Halbleiterbauelement mit diesem Defektbereich nicht oder nur eingeschränkt funktionsfähig wäre. Der Defektbereich ist beispielsweise ein Epitaxiefehler, an dem eine nichtstrahlende Rekombination oder ein elektrischer Kurzschluss stattfindet.
Insbesondere erfolgt eine Prüfung auf Defektbereiche über die gesamte zu nutzende Fläche des Verbunds. Zweckmäßigerweise wird die Position des zumindest einen Defektbereichs gespeichert und für die weiteren Verfahrensschritte bereitgehalten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen ausgebildet wird. Die Funktionsbereiche weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge auf und sind frei von einem Defektbereich. Insbesondere weisen die Funktionsbereiche jeweils einen Teil des aktiven Bereichs auf. Dieser Schritt erfolgt insbesondere nach dem Ermitteln der Position des zumindest einen Defektbereichs, so dass die Position des zumindest einen Defektbereichs bei der räumlichen Anordnung der Funktionsbereiche berücksichtigt werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem der Verbund in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt wird, wobei die optoelektronischen Halbleiterbauelementen jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen. Dieser Schritt erfolgt insbesondere nach dem Ermitteln der Position des zumindest einen Defektbereichs und nach dem Ausbilden der elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereiche.
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Verbund mit einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist. Eine Position von einem oder mehreren Defektbereichen der Halbleiterschichtenfolge wird ermittelt. Eine Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen wird ausgebildet, wobei die Funktionsbereiche jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind. Der Verbund wird in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt, wobei die Halbleiterbauelemente jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen.
Mit dem Verfahren können Defektbereiche in einem frühen Verfahrensstadium erkannt werden und bereits bei der Ausbildung der Funktionsbereiche berücksichtigt werden. Insbesondere können die Funktionsbereiche unter Umgehung der Defektbereiche ausgebildet werden, so dass kleine Defektbereiche auf dem Verbund keinen Ausfallgrund für ein fertig gestelltes Halbleiterbauelement darstellen. Mit anderen Worten können Defektbereiche durch eine für jeden Verbund spezifische, auf die Position der Defektbereiche angepasste Strukturierung bei der Ausbildung der Funktionsbereiche ausgeklammert werden. Dadurch erhöht sich die Ausbeute bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die Verbesserung der Ausbeute ist umso größer, je größer die laterale Ausdehnung des einzelnen Halbleiterbauelements ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens unterscheiden sich zumindest zwei der ausgebildeten Funktionsbereiche, die jeweils an die Position eines Defektbereichs angrenzen, bezüglich ihrer geometrischen Ausgestaltung voneinander. Beispielsweise unterscheiden sich die Funktionsbereiche in Draufsicht auf den Verbund bezüglich ihrer Fläche und/oder bezüglich ihrer geometrischen Grundform voneinander. Beispielsweise weisen zwei Funktionsbereiche eine polygonale Form auf, bei der sich mindestens zwei Innenwinkel voneinander unterscheiden, beispielsweise um mindestens 5°. Insbesondere können sich Funktionsbereiche bezüglich ihrer Fläche und/oder bezüglich ihrer geometrischen Grundform voneinander unterscheiden, obwohl sie grundsätzlich dieselbe technische Funktion erfüllen, also beispielsweise die Erzeugung oder das Empfangen von Strahlung einer bestimmten Wellenlänge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist zumindest eines der vereinzelten Halbleiterbauelemente einen der Defektbereiche auf, wobei im Betrieb des Halbleiterbauelements ein Stromfluss innerhalb des Halbleiterbauelements unter Umgehung der Position des Defektbereichs erfolgt. Mit anderen Worten ist der Defektbereich elektrisch deaktiviert, so dass das Halbleiterbauelement auch in Anwesenheit eines Defektbereichs funktionsfähig ist. Die Ausbeute bei der Herstellung der Halbleiterbauelemente kann so weiter gesteigert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der aktive Bereich in dem zumindest einen Defektbereich entfernt oder vom aktiven Bereich eines angrenzenden Funktionsbereichs, insbesondere von allen angrenzenden Funktionsbereichen, auf zumindest einer Seite des aktiven Bereichs elektrisch isoliert. Beispielsweise ist der aktive Bereich auf einer n-leitenden Seite des aktiven Bereichs und/oder auf einer p-leitenden Seite des aktiven Bereichs elektrisch isoliert. Mit anderen Worten können im Betrieb des Halbleiterbauelements Ladungsträger mit voneinander verschiedenem Leitungstyp, also Elektronen und Löcher, nicht von entgegengesetzten Seiten des aktiven Bereichs in den aktiven Bereich gelangen und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. So ist auf einfache Weise gewährleistet, dass der aktive Bereich im Defektbereich keinen negativen Einfluss auf die Funktionsfähigkeit des Halbleiterbauelements hat.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der aktive Bereich beim Ausbilden der Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen derart lateral strukturiert, dass der aktive Bereich in dem zumindest einen Defektbereich vom aktiven Bereich eines angrenzenden Funktionsbereichs räumlich getrennt wird. Dies erfolgt beispielsweise mittels einer insbesondere grabenförmigen Ausnehmung, die den Defektbereich in lateraler Richtung zumindest stellenweise umläuft. Insbesondere befindet sich an jeder gedachten Verbindungslinie zwischen dem Defektbereich und dem angrenzenden Funktionsbereich ein Teil der insbesondere grabenförmigen Ausnehmung, so dass keine direkte Verbindung zwischen dem aktiven Bereich des angrenzenden Funktionsbereichs und dem aktiven Bereich des Defektbereichs besteht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgen die räumliche Trennung des Defektbereichs vom Funktionsbereich und ein Ausbilden einer äußeren Umrandung des aktiven Bereichs des Halbleiterbauelements in einem gemeinsamen Herstellungsschritt. Die äußere Umrandung gibt hierbei die umfangsseitige Begrenzung des aktiven Bereichs in lateraler Richtung an. Außerhalb der äußeren Umrandung befindet sich also kein Teil des aktiven Bereichs des Halbleiterbauelements. Die räumliche Trennung des Defektbereichs kann also ohne einen zusätzlichen Strukturierungsschritt, beispielsweise einen zusätzlichen Ätzschritt, erfolgen.
Zur externen elektrischen Kontaktierung weisen die Halbleiterbauelemente zweckmäßigerweise jeweils zumindest eine elektrische Kontaktfläche auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Kontaktfläche in Abhängigkeit von der ermittelten Position des zumindest einen Defektbereichs so ausgebildet, dass die Kontaktfläche mit dem Defektbereich überlappt. So kann ein Bereich des Halbleiterbauelements für die Ausbildung des Defektbereichs genutzt werden, dessen aktiver Bereich für eine Strahlungserzeugung oder ein Empfangen von Strahlung ohnehin nicht nutzbar wäre.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine Defektbereich mittels einer Messung einer Strahlungsemission unter einer optischen Anregung ermittelt, beispielsweise mittels einer ortsaufgelösten Photolumineszenz-Messung. Mit einem solchen Verfahren können Defektbereiche auf einfache und zuverlässige Weise ortsaufgelöst und insbesondere auch automatisierbar ermittelt werden, insbesondere Defektbereiche, an denen bei optischer Anregung keine Lumineszenz stattfindet. Insbesondere können Defektbereiche bereits identifiziert werden, noch bevor auf die Halbleiterschichtenfolge metallische Kontaktstrukturen für die elektrische Kontaktierung aufgebracht werden. Grundsätzlich eignet sich für die Ermittlung der Defektbereiche jedoch auch jedes andere Verfahren, mit dem Defektbereiche ortsaufgelöst identifiziert werden können, beispielsweise durch eine automatische optische Überprüfung (Automated Optical Inspection, AOI).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weisen die Halbleiterbauelemente jeweils eine Mehrzahl von Bildpunkten auf, wobei zumindest ein Bildpunkt eine Unterstruktur mit einer Mehrzahl von Teilbereichen aufweist. Beispielsweise sind ein erster Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer ersten Farbe und ein zweiter Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer von der ersten Farbe verschiedenen zweiten Farbe ausgebildet. Beispielsweise umfasst jeder Bildpunkt einen oder mehrere Teilbereiche zur Erzeugung von Strahlung im roten Spektralbereich, einen oder mehrere Teilbereiche zur Erzeugung von Strahlung im grünen Spektralbereich und/oder einen oder mehrere Teilbereiche zur Erzeugung von Strahlung im blauen Spektralbereich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Unterstruktur in Abhängigkeit von der Ermittlung des zumindest einen Defektbereichs so ausgebildet, dass die Teilbereiche frei von einem Defektbereich sind. Mit anderen Worten wird der Defektbereich bei der Ausgestaltung der Teilbereiche anhand der ermittelten Position des zumindest einen Defektbereichs umgangen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens unterscheidet sich die Unterstruktur für zumindest zwei Bildpunkte voneinander. Beispielsweise wird die Form der einzelnen Teilbereiche mittels eines automatisierten Datenverarbeitungsverfahrens anhand der ermittelten Position des zumindest einen Defektbereichs für jeden Bildpunkt, dessen Position mit der Position eines Defektbereichs überlappt, individuell so angepasst, dass alle Teilbereiche des Bildpunkt überlappungsfrei mit dem Defektbereich angeordnet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind in jedem Bildpunkt ein erster Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer ersten Farbe und ein zweiter Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer von der ersten Farbe verschiedenen zweiten Farbe ausgebildet, wobei die Unterstruktur in jedem Bildpunkt, der mit einem Defektbereich überlappt, unter Beibehaltung eines Flächenverhältnisses der Gesamtfläche des ersten Anteils zur Gesamtfläche des zweiten Anteils variiert wird. Die Unterstruktur wird also derart ausgebildet, dass sich das Flächenverhältnis auch bei einer Abweichung in der Größe und/oder in der Form der Teilbereiche nicht oder zumindest nicht wesentlich ändert.
Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der Halbleiterkörper einen Funktionsbereich und einen Defektbereichs auf, wobei der aktive Bereich des Defektbereichs vom aktiven Bereich des Funktionsbereichs elektrisch isoliert ist.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Der Halbleiterkörper weist einen Funktionsbereich und einen Defektbereich auf, wobei der aktive Bereich des Defektbereichs vom aktiven Bereich des Funktionsbereichs elektrisch isoliert ist.
Der Defektbereich muss in dem Halbleiterbauelement jedoch nicht zwingend vorhanden sein. Alternativ ist auch denkbar, dass der Defektbereich bei der Herstellung des Halbleiterbauelements vollständig entfernt wird. Beispielsweise weist der Halbleiterkörper an der Stelle, an der der Defektbereich ursprünglich vorhanden war, eine Ausnehmung auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Bildpunkten auf. Zumindest ein erster Bildpunkt und ein zweiter Bildpunkt weisen jeweils eine Unterstruktur mit einer Mehrzahl von Teilbereichen auf. Die Unterstruktur des ersten Bildpunkts unterscheidet sich von der Unterstruktur des zweiten Bildpunkts. Insbesondere unterscheidet sich die Unterstruktur eines Bildpunkt, der mit einem Defektbereich überlappt, von der Unterstruktur eines Bildpunkts ohne einen Defektbereichs und/oder von der Unterstruktur eines weiteren Bildpunkts mit einem Defektbereich. Insbesondere sind die Bildpunkte mittels der Unterstruktur derart individuell segmentiert, das Defektbereiche ausgespart bleiben und keinerlei Auswirkungen auf den Rest des Halbleiterbauelements haben.
Die einzelnen Teilbereiche können bezüglich ihrer Größe und/oder bezüglich ihrer geometrischen Grundform voneinander verschieden sein. Insbesondere können die Bildpunkte und die Unterstruktur auch so ausgebildet werden, dass die resultierenden Bildpunkte etwas kleiner oder größer sind als in einem entsprechenden konventionellen Muster, bei dem Defektbereiche nicht berücksichtigt werden. Durch die individuelle Anpassung der Unterstruktur kann dies so erfolgen, dass der Farbeindruck und der Helligkeitseindruck jedes Bildpunkts weitestgehend stabil und unverändert belassen werden.
Alternativ oder ergänzend können einzelne Teilbereiche so ausgebildet sein, dass sie mit verschiedenen Strömen betreibbar sind. Dadurch kann ein vorgegebener Zielfarbort und/oder eine vorgegebene Zielhelligkeit des Bildpunkts auch in Anwesenheit eines Defektbereichs erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements sind in jedem Bildpunkt ein erster Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer ersten Farbe und ein zweiter Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer von der ersten Farbe verschiedenen zweiten Farbe ausgebildet und die Unterstruktur des ersten Bildpunkts und die Unterstruktur des zweiten Bildpunkts sind so ausgebildet, dass sich eine Gesamtfläche des ersten Anteils des ersten Bildpunkts und eine Gesamtfläche des ersten Anteils des zweiten Bildpunkts um höchstens 10 % voneinander unterscheiden. Ein gleichmäßiger Farbeindruck/oder Helligkeitseindruck der Bildpunkte ist so vereinfacht erzielbar.
Das beschriebene Verfahren ist für die Herstellung des beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Verfahren beschriebene Merkmale können daher auch für das optoelektronische Halbleiterbauelement herangezogen werden und umgekehrt.
Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Die 1A, 1B und 1C ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
2A ein Ausführungsbeispiel eines Ausschnitts eines Verbunds in schematischer Draufsicht und ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement, das mit dem Ausschnitt gebildet ist, anhand einer schematischen Draufsicht (2B) und zweier schematischer Schnittansichten entlang der in 2B gezeigten Linien AA‘ und BB‘ in den 2C beziehungsweise 2D;
3A ein Ausführungsbeispiel eines Ausschnitts eines Verbunds und 3B ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement, das mit dem Ausschnitt gebildet ist, jeweils in schematischer Draufsicht;
4A ein Ausführungsbeispiel eines Ausschnitts eines Verbunds und 4B ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement, das mit dem Ausschnitt gebildet ist, jeweils in schematischer Draufsicht;
5A ein Ausführungsbeispiel eines Ausschnitts eines Verbunds in schematischer Draufsicht und ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement, das mit dem Ausschnitt gebildet ist, anhand einer schematischen Draufsicht (5B) und zweier schematischer Schnittansichten entlang der in 5B gezeigten Linien AA‘ und BB‘ in den 5C beziehungsweise 5D;
Die 6A bis 6F ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements in Draufsicht (6A) und zugehörigen Schnittansichten (6B und 6C), wobei 6D eine Unterstruktur gemäß einem Zielraster und die 6E und 6F zwei Ausführungsbeispiele für eine von dem Zielraster abweichende Unterstruktur zeigen.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
In den 1A bis 1C ist ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt.
Ein Verbund 3 mit einer Halbleiterschichtenfolge 2 wird bereitgestellt (1A). Zur vereinfachten Darstellung ist ein Teilbereich des Verbunds gezeigt, aus dem bei der späteren Vereinzelung zwei Halbleiterbauelemente 1 hervorgehen.
Die Halbleiterschichtenfolge 2 weist einen zum Erzeugen oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich 20 auf. Der aktive Bereich 20 ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht 21 eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht 22 eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps angeordnet. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht 21 p-leitend und die zweite Halbleiterschicht 22 n-leitend oder umgekehrt.
Die Halbleiterschichtenfolge 2 ist auf einem Träger 25 angeordnet. Der Träger 25 kann ein Aufwachssubstrat für die insbesondere epitaktische Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 2 oder ein vom Aufwachssubstrat verschiedener Träger sein.
Wie in 1B dargestellt, wird eine Position von Defektbereichen 4 ermittelt. Dies erfolgt beispielsweise mittels einer optischen Anregung, dargestellt durch einen Pfeil 81, welche eine Emissionsstrahlung des aktiven Bereichs 20, dargestellt durch einen Pfeil 82, bewirkt. Diese Emissionsstrahlung wird mittels eines Detektors 8 detektiert. Stellen des Verbunds 3, an denen keine Emissionsstrahlung oder zumindest eine nur stark reduzierte Emissionsstrahlung abgestrahlt wird, werden als Defektbereiche identifiziert. Die Position der Defektbereiche 4 wird gespeichert. Für die Ermittlung der Position der Defektbereiche kann die beispielsweise optische Anregung großflächig oder nur lokal erfolgen. Bei einer großflächigen Anregung kann beispielsweise eine Kamera mit Objektiv als ein Detektor 8 dienen, so dass die Emissionsstrahlung ortsaufgelöst detektiert wird und so die Positionen der Defektbereiche ermittelt werden. Bei einer lokalen Anregung genügt ein Detektor 8, der selbst keine ortsaufgelöste Information über die Emissionsstrahlung liefert, in Verbindung mit einer Information über die Position der optischen Anregung.
Nachfolgend wird eine Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen 5 aus der Halbleiterschichtenfolge 2 gebildet. Die Ausbildung der Funktionsbereiche 5 erfolgt anhand der ermittelten Positionen der Defektbereiche 4, so dass die Funktionsbereiche 5 jeweils überlappungsfrei mit den Defektbereichen 4 ausgebildet werden (1C). Die Funktionsbereiche 5 sind also jeweils frei von einem Defektbereich. Die Ermittlung einer geeigneten Geometrie und/oder Größe der Funktionsbereiche 5, also einer lateralen Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge, kann mittels eines automatisierten Verfahrens erfolgen.
Die ermittelte laterale Strukturierung kann beispielsweise mittels eines Lasers in eine auf die Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebrachte Fotolackschicht eingebracht werden (in 1C nicht explizit gezeigt). Beispielsweise eignet sich ein so genanntes LDI(Laser Direct Imaging)-Verfahren. Die Struktur der Photolackschicht kann nachfolgend mittels eines chemischen Verfahrens, beispielsweise eines nasschemischen oder trockenchemischen Ätzverfahrens, in die Halbleiterschichtenfolge 2 übertragen werden. Alternativ zur Belichtung einer Photolackschicht kann das Material der Halbleiterschichtenfolge zur lateralen Strukturierung direkt mittels einer Laserablation abgetragen werden.
Die in die Halbleiterschichtenfolge 2 übertragene laterale Strukturierung kann also in Kenntnis der Position der Defektbereiche 4 für jeden lateral zu strukturierenden Verbund 3 individuell angepasst werden. Dadurch können Defektbereiche bei der Herstellung der Funktionsbereiche 5 umgangen werden. Die Ausbeute bei der Herstellung wird so erhöht. Im Unterschied hierzu findet bei einem konventionellen Herstellungsverfahren für die laterale Strukturierung typischerweise eine Photomaske für die Belichtung der Photolackschicht Anwendung, wobei dieselbe Photomaske nacheinander für mehrere Verbunde 3 verwendet wird. Funktionsbereiche, die bei einem solchen herkömmlichen Verfahren mit einem Defektbereich überlappen, sind nicht funktionsfähig und führen typischerweise zum Ausfall des gesamten Halbleiterbauelements.
Wie in 1C gezeigt, wird der aktive Bereich 20 des Defektbereichs 4 mittels einer Ausnehmung 27 vom aktiven Bereich des angrenzenden Funktionsbereichs 5 räumlich getrennt. Die Ausnehmung 27 durchtrennt zumindest den aktiven Bereich 20 und kann die Halbleiterschichtenfolge 2 auch vollständig durchtrennen. Bei der späteren elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements 1 erfolgt im Betrieb des Halbleiterbauelements ein Stromfluss innerhalb des Halbleiterbauelements, insbesondere innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 2, unter Umgehung des Defektbereichs 4, so dass auch ein Halbleiterbauelement 1 mit Defektbereich 4 funktionsfähig ist.
Das Ausbilden der Ausnehmungen 27 kann mit dem Ausbilden einer äußeren Umrandung 200 des aktiven Bereichs 20 in einem gemeinsamen Herstellungsschritt erfolgen. Für die räumliche Trennung der Defektbereiche 4 ist also kein zusätzlicher Prozessschritt, insbesondere kein zusätzliches Ätzverfahren erforderlich.
Nachfolgend kann der Verbund 3 in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 1 vereinzelt werden, so dass jedes Halbleiterbauelement zumindest einen der Funktionsbereiche 5 aufweist. Dies ist in 1C anhand von Vereinzelungslinien 85 angedeutet.
Das Verfahren ist für die Herstellung von verschiedenen optoelektronischen Halbleiterbauelementen geeignet, beispielsweise wie sie im Zusammenhang mit den nachfolgenden Figuren beschrieben ausgeführt sind. Insbesondere kann ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 auch mehr als einen Funktionsbereich 5 aufweisen. Beispielsweise kann das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Bildpunkten aufweisen, wobei ein Bildpunkt oder ein Teilbereich eines Bildpunkt einen Funktionsbereich darstellen kann.
Ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement ist in den 2B bis 2D gezeigt, wobei die 2A einen zugehörigen Ausschnitt eines Verbunds 3 zeigt, aus dem das Halbleiterbauelement 1 bei der Herstellung hervorgeht. Zur vereinfachten Darstellung zeigt der Verbund 3 genau einen Defektbereich 4. Bei der Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 wird die Halbleiterschichtenfolge 2 derart lateral strukturiert, dass eine Ausnehmung 27 den aktiven Bereich 20 des Defektbereichs 4 vom aktiven Bereich 20 des angrenzenden Funktionsbereichs 5 räumlich trennt. Die Ausnehmung 27 umschließt den aktiven Bereich 20 ringförmig.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 weist einen Halbleiterkörper 29 mit einer Halbleiterschichtenfolge 2 auf. Die Halbleiterschichtenfolge ist mittels einer Verbindungsschicht 35 an einem von einem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge 2 verschiedenen Träger 25 befestigt. Beispielsweise ist die Verbindungsschicht eine Lotschicht oder eine Klebeschicht.
Eine auf der dem Träger 25 zugewandten Seite des aktiven Bereichs 20 angeordnete zweite Halbleiterschicht 22 ist zur elektrischen Kontaktierung mit einer zweiten Anschlussschicht 32 elektrisch leitend verbunden. Diese zweite Anschlussschicht kann vorzugsweise zusätzlich auch die Funktion einer Spiegelschicht erfüllen. Eine externe elektrische Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht 32 erfolgt über eine Kontaktfläche 6. Diese Kontaktfläche ist auf der dem Halbleiterkörper 29 zugewandten Seite des Trägers 25 angeordnet. Zur Vermeidung einer Abschattung ist die Kontaktfläche seitlich des Halbleiterkörpers 29 angeordnet.
Eine elektrische Kontaktierung einer auf der dem Träger 25 abgewandten Seite des aktiven Bereichs 20 angeordneten ersten Halbleiterschicht 21 erfolgt im Funktionsbereich 5 über Durchkontaktierungen 28, die sich durch die zweite Halbleiterschicht 22 und den aktiven Bereich 20 hindurch in die erste Halbleiterschicht 21 erstrecken (2C). Durch die Durchkontaktierungen 28 verläuft eine erste Anschlussschicht 31 zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21. In vertikaler Richtung, also senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 2, ist die zweite Anschlussschicht 32 bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper 29 und der ersten Anschlussschicht 31 angeordnet. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist in den Durchkontaktierungen 28 eine Isolationsschicht 33 angeordnet, die die erste Anschlussschicht 31 vom aktiven Bereich 20 und von der zweiten Halbleiterschicht 22 elektrisch isoliert.
Im Unterschied zum Funktionsbereich 5 ist der Defektbereich 4 frei von einer Durchkontaktierung 28. Dadurch können im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 keine Ladungsträger über die erste Halbleiterschicht 21 in den aktiven Bereich 20 injiziert werden. Auch bei einer Ausgestaltung der zweiten Anschlussschicht 32 durchgängig über die zweite Halbleiterschicht 22 des Defektbereichs ist der Defektbereich 4 im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 also elektrisch inaktiv. Bei der Herstellung des Halbleiterbauelements wird die räumliche Anordnung der Durchkontaktierungen also individuell an die ermittelte Position der Defektbereiche 4 angepasst.
Alternativ hierzu kann auch im Defektbereich 4 eine Durchkontaktierung 28 vorgesehen sein. In diesem Fall kann die zweite Anschlusschicht 32 im Defektbereich ausgespart sein, so dass über die zweite Halbleiterschicht 22 keine Ladungsträger in den aktiven Bereiche 20 injiziert werden und der Defektbereich 4 im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 elektrisch inaktiv ist. Bei dieser Alternative wird also die zweite Anschlussschicht 32 in Kenntnis der Position der Defektbereiche 4 so ausgebildet, dass die Defektbereiche elektrisch inaktiv sind.
Das in den 3A und 3B dargestellte Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 und einen dem optoelektronischen Halbleiterbauelement zu Grunde liegenden Verbund 3 entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 2A und 2B beschriebenen Ausführungsbeispiel.
Im Unterschied hierzu ist der Defektbereich 4 in einem Randbereich des Halbleiterkörpers 29 angeordnet. In diesem Fall erstreckt sich die Ausnehmung 27 nur bereichsweise um den Defektbereich 4 herum und verläuft in lateraler Richtung bis zur äußeren Umrandung 200 des aktiven Bereichs 20, beispielsweise in Form eines Halbringes. Selbstverständlich kann sich ein Defektbereich auch in einer Ecke des Halbleiterkörpers befinden, so dass die Ausnehmung beispielsweise die Form eines Viertelringes aufweisen kann.
Das in den 4A und 4B dargestellte Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 und einen dem optoelektronischen Halbleiterbauelement zu Grunde liegenden Verbund 3 entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 3A und 3B beschriebenen Ausführungsbeispiel.
Im Unterschied hierzu ist die Kontaktfläche 6 derart angeordnet, dass sie mit dem Defektbereich 4 überlappt. Somit ist die Kontaktfläche in einem Bereich des Halbleiterbauelements 1 angeordnet, welcher aufgrund des vorhandenen Defektbereichs 4 ohnehin nicht für die Strahlungserzeugung oder für das Empfangen von Strahlung geeignet wäre. Die für das Halbleiterbauelement 1 nutzbare Fläche des aktiven Bereichs 20 kann so bei gleicher Ausdehnung des Halbleiterbauelements erhöht werden. In diesem Fall erfolgt die Positionierung der Kontaktfläche also anhand der während der Herstellung ermittelten Position des Defektbereichs. Die individuell angepasste Anordnung der Kontaktfläche kann beispielsweise mittels eines LDI-Verfahrens erfolgen. Zur Weiterverarbeitung eines derartigen Halbleiterbauelements mit einer derart verlagerten Kontaktfläche, beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung in einem Gehäuse, kann beispielsweise ebenfalls mittels einer Verdrahtung erfolgen, die ein LDI-Verfahren nutzt.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 und ein dem Halbleiterbauelement zugrunde liegenden Verbund 3 ist in den 5A bis 5D gezeigt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 2A bis 2D beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu erfolgt die elektrische Kontaktierung der auf der dem Träger 25 abgewandten Seite des aktiven Bereichs 20 angeordneten ersten Halbleiterschicht 21 über eine auf der ersten Halbleiterschicht angeordnete Kontaktfläche 6. Zur Verbesserung der Homogenität der Ladungsträgerinjektion in lateraler Richtung sind Kontaktstege 61 mit der Kontaktfläche verbunden. Im Bereich des Defektbereichs 4 ist die erste Halbleiterschicht 21 jedoch nicht elektrisch mit der Kontaktfläche 6 verbunden, so dass der Defektbereich 4 elektrisch inaktiv ist.
Bei der Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements kann der Defektbereich 4 wie im Zusammenhang mit 1C beschrieben von dem Funktionsbereich 5 räumlich getrennt werden. Dies kann insbesondere mit der Festlegung der äußeren Umrandung 200 des aktiven Bereichs 20 in einem gemeinsamen Herstellungsschritt erfolgen. Dies kann insbesondere nach einer Übertragung der Halbleierschichtenfolge 2 von einem ursprünglichen Aufwachssubstrat auf den Träger 25 durchgeführt werden, beispielsweise durch ein Umbonden auf Waferebene.
Erforderlichenfalls kann weiterhin die Ausgestaltung der Kontaktstege 61 so gewählt werden, dass die Kontaktstege überlappungsfrei mit dem Defektbereich 4 ausgebildet sind, so dass diese nicht elektrisch kontaktiert ist. Dies ist in der 5B anhand eines Kontaktstegs 61 gezeigt, der bereichsweise entlang der Ausnehmung 27 verläuft und so eine elektrische Kontaktierung des Defektbereichs vermeidet.
Anhand der 6A bis 6E werden Ausführungsbeispiele für Halbleiterbauelemente 1 beschrieben, die eine Mehrzahl von Funktionsbereichen 5 in Form von Bildpunkten 7 aufweisen. In 6A ist in schematischer Draufsicht eine grundsätzliche Anordnung gemäß einem Zielraster gezeigt, bei dem einer Spalte von Bildpunkten 7 jeweils zwei Oberseitenkontakte 62 und einer Zeile von Bildpunkten 7 jeweils ein Rückseitenkontakt 63 zugeordnet ist. Die 6B und 6C zeigen zugehörige Seitenansichten. Ein Bildpunkt 7 weist jeweils eine Unterstruktur 70 mit einer Mehrzahl von Teilbereichen auf. Ein Teilbereich 7R ist zur Erzeugung von Strahlung im roten Spektralbereich vorgesehen. Dieser Teilbereich weist ein erstes Strahlungskonversionselement 71 auf, das Primärstrahlung des aktiven Bereichs im blauen Spektralbereich des Halbleiterbauelements 1 in Sekundärstrahlung im roten Spektralbereich umwandelt. Entsprechend ist ein Teilbereich 7G zur Erzeugung von Strahlung im grünen Spektralbereich vorgesehen. Dieser Teilbereich weist ein zweites Strahlungskonversionselement 72 auf, das Primärstrahlung des aktiven Bereichs in Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich umwandelt. Ein Teilbereich 7B ist zur Erzeugung von Strahlung im blauen Spektralbereich vorgesehen. Ein Strahlungskonversionselement ist hierfür nicht erforderlich. Jeder Bildpunkt weist einen oder mehrere Teilbereiche 7R, einen oder mehrere Teilbereiche 7G und einen oder mehrere Teilbereiche 7B auf.
Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend ist auch denkbar, dass die Strahlungskonversion zur Erzeugung von roter oder grüner Strahlung nicht unmittelbar auf dem jeweiligen Emissionsbereich angeordnet ist. Weiterhin kann beispielsweise auch die Strahlung im blauen Spektralbereich mittels eines weiteren Strahlungskonversionselements erzeugt werden, beispielsweise bei einer Primärstrahlung des aktiven Bereichs im ultravioletten Spektralbereich. Bei der Herstellung des Halbleiterbauelements 1 gehen die Teilbereiche der Bildpunkte aus einer gemeinsamen Halbleiterschichtenfolge hervor.
In 6D ist ein Beispiel gezeigt, bei dem ein Defektbereich 4 bei einer Ausgestaltung der Unterstruktur 70 gemäß einem Zielraster 75 dazu führen würde, dass mindestens ein Teilbereich, in dem gezeigten Ausführungsbeispiele ein Teilbereich 7G und ein Teilbereich 7B aufgrund des Defektbereichs 4 nicht funktionsfähig wären, wodurch auch das gesamte Halbleiterbauelement 1 mit einer Vielzahl von Bildpunkten 7 nicht nutzbar wäre.
Die 6E und 6F zeigen zwei verschiedene von dem Zielraster 75 abweichende Varianten der Unterstruktur 70, wobei die Unterstruktur jeweils so ausgebildet ist, dass die einzelnen Teilbereiche 7R, 7G, 7B der Bildpunkte 7 überlappungsfrei mit dem Defektbereich 4 angeordnet sind. Bei der Herstellung können, wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1C, beschrieben, die Positionen der Defektbereiche 4 ermittelt werden. In Kenntnis dieser Positionen können die an einen Defektbereich angrenzenden Teilbereiche 7R, 7G, 7B individuell von dem Zielraster 75 abweichend ausgestaltet werden. Hierbei kann das ursprüngliche Flächenverhältnis des Zielrasters gewahrt bleiben. Die Teilbereiche können jedoch auch etwas kleiner oder größer als gemäß dem ursprünglichen Zielraster ausgebildet werden. Dies kann mittels eines automatisierten Verfahrens erfolgen, das anhand der bekannten Positionen der Defektbereiche automatisch für jeden Verbund eine individuelle Unterstruktur 70 der Bildpunkte erstellt.
Vorzugsweise erfolgt dies derart, dass der Helligkeitseindruck jedes Pixels möglichst stabil und unverändert belassen wird. Hierfür kann eine Variation der Grundform und/oder der Größe der Teilbereiche 7R, 7G, 7B erfolgen.
6E zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Teilbereiche 7R, 7G, 7B in ihrer geometrischen Grundform variiert werden. Die Teilbereiche weisen jeweils eine mehreckige Struktur auf, wobei zumindest einige Innenwinkel einen von 90° abweichenden Wert aufweisen. Insbesondere sind zumindest einige Innenwinkel spitze Winkel.
Bei dem in 6F gezeigten Ausführungsbeispiel betragen die Innenwinkel im Unterschied hierzu entweder 90° oder 270°.
Von den beschriebenen Ausführungsbeispielen abweichend kann die Form der einzelnen Teilbereiche 7R, 7G, 7B jedoch in weiten Grenzen variiert werden. Beispielsweise kann eine Umrandung eines Teilbereichs auch teilweise gekrümmt verlaufen.
In jedem Bildpunkt ist jeweils ein Anteil der Teilbereiche 7R, 7G, 7B für die Erzeugung von Strahlung im roten, grünen und blauen Spektralbereich vorgesehen. Bei der Ermittlung der Unterstruktur 70 erfolgt die Abweichung von dem Zielraster 75 vorzugsweise derart, dass sich das Flächenverhältnis der einzelnen Anteile über die Bildpunkte nicht oder nur geringfügig ändert. Ein homogener Farbeindruck ist so vereinfacht erzielbar. Beispielsweise unterscheiden sich eine Gesamtfläche eines ersten Anteils, also beispielsweise Teilbereiche zur Erzeugung von Strahlung im roten, grünen oder blauen Spektralbereich, eines ersten Bildpunkts 7 und eine entsprechende Gesamtfläche des ersten Anteils eines zweiten Bildpunkts 7 um höchstens 10 % voneinander.
Für die Herstellung der Halbleiterbauelemente 1 kann das Zielraster 75 so gewählt werden, dass geringe Epitaxieflächenredundanzen vorgehalten werden, so dass eine vorgegebene Zielhelligkeit für jeden Bildpunkt 7 auch in Anwesenheit eines Defektbereichs 4 erreicht werden kann. Die Aufgabe der durch die Defektbereiche wegfallenden Fläche des aktiven Bereichs kann dann durch benachbarte Funktionsbereiche übernommen werden. Dadurch lässt sich eine Ausbeute von nahezu 100 % erzielen.
Zudem lässt die Reduzierung der Ausfallhäufigkeit im Verbund 3 auf nahezu 0 % in Verbindung mit einer Homogenisierung der Wellenlänge der abgestrahlten Strahlung und der Helligkeit der einzelnen Teilbereiche einen parallelen Transfer von Halbleiterbauelementen 1 in Form von Halbleiterchips zu. Mit dem beschriebenen Herstellungsverfahren kann insbesondere die Ausbeute bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen 1 dadurch gesteigert werden, dass Defektbereiche 4 zu einem frühen Verfahrensstadium, insbesondere noch vor der lateralen Strukturierung des aktiven Bereichs 20, ortsaufgelöst identifiziert werden. Zumindest ein nachfolgender Herstellungsschritt wird unter Berücksichtigung der Position der Defektbereiche individuell für jeden Verbund 3 angepasst. Insbesondere kann die laterale Strukturierung des aktiven Bereichs unter Berücksichtigung der Position der Defektbereiche individuell für jeden Verbund so ausgebildet werden, dass die Funktionsbereiche 5 überlappungsfrei mit den Defektbereichen 4 ausgebildet werden. Dadurch kann erzielt werden, dass das Vorhandensein eines Defektbereichs die Funktionsfähigkeit des Halbleiterbauelements nicht oder zumindest nicht wesentlich beeinträchtigt.
Die Erfindung ist nicht durch Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronisches Halbleiterbauelement
2: Halbleiterschichtenfolge
20: aktiver Bereich
200: äußere Umrandung
21: erste Halbleiterschicht
22: zweite Halbleiterschicht
25: Träger
27: Ausnehmung
28: Durchkontaktierung
29: Halbleiterkörper
3: Verbund
31: erste Anschlussschicht
32: zweite Anschlussschicht
33: Isolationsschicht
35: Verbindungsschicht
4: Defektbereich
5: Funktionsbereich
6: Kontaktfläche
61: Kontaktsteg
62: Oberseitenkontakt
63: Rückseitenkontakt
7: Bildpunkt
70: Unterstruktur
7R: Teilbereich
7G: Teilbereich
7B: Teilbereich
71: erstes Strahlungskonversionselement
72: zweites Strahlungskonversionselement
75: Zielraster
8: Detektor
81: Pfeil
82: Pfeil
85: Vereinzelungslinie

Claims

Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; b) Ermitteln einer Position von zumindest einem Defektbereich (4) der Halbleiterschichtenfolge; c) Ausbilden einer Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen (5), die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind; und d) Vereinzeln des Verbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei sich zumindest zwei der in Schritt c) ausgebildeten Funktionsbereiche, die jeweils an die Position eines Defektbereichs angrenzen, bezüglich ihrer geometrischen Ausgestaltung voneinander unterscheiden.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest eines der vereinzelten Halbleiterbauelemente einen der Defektbereiche aufweist und im Betrieb des Halbleiterbauelements ein Stromfluss innerhalb des Halbleiterbauelements unter Umgehung der Position des Defektbereichs erfolgt.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der aktive Bereich in dem zumindest einen Defektbereich entfernt oder vom aktiven Bereich eines angrenzenden Funktionsbereichs elektrisch isoliert wird.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der aktive Bereich in Schritt c) derart lateral strukturiert wird, dass der aktive Bereich in dem zumindest einen Defektbereich vom aktiven Bereich eines angrenzenden Funktionsbereichs räumlich getrennt wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die laterale Strukturierung des aktiven Bereichs in Abhängigkeit von der in Schritt b) ermittelten Position des zumindest einen Defektbereichs erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei die räumliche Trennung des Defektbereichs und ein Ausbilden einer äußeren Umrandung (200) des aktiven Bereichs des Halbleiterbauelements in einem gemeinsamen Herstellungsschritt erfolgen.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf den Halbleiterbauelementen jeweils zumindest eine elektrische Kontaktfläche (6) ausgebildet wird, wobei die Kontaktfläche in Abhängigkeit von der in Schritt b) ermittelten Position des zumindest einen Defektbereichs so ausgebildet wird, dass die Kontaktfläche mit dem Defektbereich überlappt.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der zumindest eine Defektbereich mittels einer Messung einer Strahlungsemission unter einer optischen Anregung ermittelt wird.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Halbleiterbauelemente eine Mehrzahl von Bildpunkten (7) aufweisen und zumindest ein Bildpunkt eine Unterstruktur (70) mit einer Mehrzahl von Teilbereichen (7R, 7G, 7B) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Unterstruktur in Abhängigkeit von der Ermittlung des zumindest einen Defektbereichs so ausgebildet wird, dass die Teilbereiche frei von einem Defektbereich sind.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei sich die Unterstruktur für zumindest zwei Bildpunkte voneinander unterscheidet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei in jedem Bildpunkt ein erster Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer ersten Farbe und ein zweiter Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer von der ersten Farbe verschiedenen zweiten Farbe ausgebildet sind und die Unterstruktur in jedem Bildpunkt, der mit einem Defektbereich überlappt, unter Beibehaltung eines Flächenverhältnisses der Gesamtfläche des ersten Anteils zur Gesamtfläche des zweiten Anteils variiert wird.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (29), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei – der Halbleiterkörper einen Funktionsbereich (5) und einen Defektbereich (4) aufweist; und – der aktive Bereich des Defektbereichs auf zumindest einer Seite des aktiven Bereichs vom aktiven Bereich des Funktionsbereichs elektrisch isoliert ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, wobei – das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Bildpunkten (7) aufweist; – zumindest ein erster Bildpunkt und ein zweiter Bildpunkt jeweils eine Unterstruktur (70) mit einer Mehrzahl von Teilbereichen aufweisen; und – sich die Unterstruktur eines ersten Bildpunkts von der Unterstruktur eines zweiten Bildpunkts unterscheidet.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei in jedem Bildpunkt ein erster Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer ersten Farbe und ein zweiter Anteil der Teilbereiche für die Erzeugung von Strahlung einer von der ersten Farbe verschiedenen zweiten Farbe ausgebildet sind und die Unterstruktur des ersten Bildpunkts und die Unterstruktur des zweiten Bildpunkts so ausgebildet sind, dass sich eine Gesamtfläche des ersten Anteils des ersten Bildpunkts und eine Gesamtfläche des ersten Anteils des zweiten Bildpunkts um höchstens 10 % voneinander unterscheiden.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 16, das gemäß einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13 hergestellt ist.