CN104037194A - 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 - Google Patents
显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104037194A CN104037194A CN201410073898.5A CN201410073898A CN104037194A CN 104037194 A CN104037194 A CN 104037194A CN 201410073898 A CN201410073898 A CN 201410073898A CN 104037194 A CN104037194 A CN 104037194A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- pad
- layer
- display unit
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 92
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 196
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 267
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 117
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 73
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 73
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 101100153525 Homo sapiens TNFRSF25 gene Proteins 0.000 description 7
- 102100022203 Tumor necrosis factor receptor superfamily member 25 Human genes 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 101150013423 dsl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本文涉及显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备,其中,提供了一种制造显示单元的方法,其包括:为各个像素形成多个第一电极;形成显示功能层;形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且在所述第二电极和所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,其中,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低。所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年3月8日提交的日本在先专利申请JP2013-46575的权益,该案之全文并入本文中,以作参考。
技术领域
本公开涉及一种具有例如使用垫片来密封显示元件的结构的显示单元、一种制造该显示单元的方法以及一种电子设备。
背景技术
在有机EL(电致发光)显示单元中,使用具有高接线电阻的电极,例如,透明导电膜。这造成所谓的电压降落以及显示质量下降。为了解决这种问题,具有一种方法,在该方法中,为了减小这种接线电阻,在密封衬底侧上单独提供接线,并且透明导电膜电连接至接线(例如,参照日本未经审查的专利申请公开号2011-103205)。
在日本未经审查的专利申请公开号2011-103205中,在密封衬底上提供由透明导电膜和金属线配置的上部电极。进一步地,上部电极和金属线使用导电垫片来彼此电连接。此外,例如,在由垫片形成的空间(空隙)内,填充密封材料,从而填充的空隙用作显示元件的密封层。因此,实现一种结构,其中,使用导电垫片,来进行元件密封并且减小接线电阻。
发明内容
然而,填充密封材料的空隙的厚度或者施加给显示面板的压力在面板表面中不均匀。此外,需要实现一种显示单元,该显示单元具有高可靠性并且减小了接线电阻,同时对不均匀的厚度或局部压力具有机械灵活性(耐久性)。
最好提供一种能够提高可靠性的显示单元、制造该显示单元的方法以及电子设备。
根据本公开的一个实施方式的显示单元包括:多个第一电极,被提供给各个像素;显示功能层,设置于所述第一电极上;第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;第一垫片,其设置在所述第二电极和所述第三电极之间;以及第二垫片,其设置在所述第二电极和所述第三电极之间并且具有的高度比所述第一垫片的高度低。所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
根据本公开的一个实施方式的制造显示单元的方法包括:为各个像素形成多个第一电极;形成显示功能层;形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且在所述第二电极和所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,其中,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低。所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
根据本公开的一个实施方式的具有显示单元的电子设备,所述显示单元包括:多个第一电极,被提供给各个像素;显示功能层,设置于所述第一电极上;第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;第一垫片,其设置在所述第二电极和所述第三电极之间;以及第二垫片,其设置在所述第二电极和所述第三电极之间并且具有的高度比所述第一垫片的高度低。所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
在根据本公开的上述各自实施方式的显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备中,提供第三电极,该第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层。第二电极和第三电极在包括第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括第二垫片的路径中彼此电绝缘,第二垫片具有的高度比第一垫片的高度低。因此,主要由第一垫片控制在第二电极与第三电极之间的空间(空隙)的厚度,并且确保在第二电极与第三电极之间的导电性。而且,在为面板的局部区域施加压力时,主要由第二垫片吸收由压力造成的负荷,并且施加给第一垫片的负荷减小。而且,第二电极和第三电极在包括第二垫片的路径中彼此电绝缘。因此,根据在第二垫片与第二和第三电极之间具有或者没有接触,电阻难以变化。因此,虽然保持了机械灵活性(耐久性),但是接线电阻减小,并且在面板表面中抑制接线电阻的变化。
根据在本公开的上述各自实施方式中的显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备,第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层。第二电极和第三电极在包括第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括第二垫片的路径中彼此电绝缘,第二垫片具有的高度比第一垫片的高度低。因此,虽然保持了机械灵活性(耐久性),但是接线电阻减小,并且在面板表面中抑制接线电阻的变化。因此,能够提高灵活性。
要理解的是,上述一般说明和以下详细说明具有示例性,并且旨在进一步解释所要求的技术。
附图说明
提供附图,以进一步理解本公开,在本说明书内包括这些附图,并且这些附图构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式,并且与说明书一起用于说明本技术的原理。
图1为示出根据本公开的一个实施方式的有机EL显示单元的配置的剖视图;
图2A为示出在图1中所示的垫片和辅助接线层的设置配置的实例的示意性平面图;
图2B为示出在图1中所示的垫片和辅助接线层的设置配置的实例的示意性平面图;
图3A为用于描述在图1中所示的装置衬底的形成工序的剖视图;
图3B为示出在图3A中所示的工序之后的工序的剖视图;
图3C为示出在图3B中所示的工序之后的工序的剖视图;
图3D为示出在图3C中所示的工序之后的工序的剖视图;
图3E为示出在图3D中所示的工序之后的工序的剖视图;
图3F为示出在图3E中所示的工序之后的工序的剖视图;
图3G为示出在图3F中所示的工序之后的工序的剖视图;
图4A为用于描述在图1中所示的密封衬底的形成工序的剖视图;
图4B为示出在图4A中所示的工序之后的工序的剖视图;
图4C为示出在图4B中所示的工序之后的工序的剖视图;
图4D为示出在图4C中所示的工序之后的工序的剖视图;
图5为用于描述在图1中所示的显示单元的效应的示意图;
图6为示出根据修改例1的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图7为示出根据修改例2的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图8为示出根据修改例2的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图9A为示出根据修改例3-1的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图9B为示出根据修改例3-2的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图10A为示出根据修改例4-1的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图10B为示出根据修改例4-2的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图11为示出根据修改例5的密封衬底和辅助接线层的配置的剖视图;
图12为示出在图11中所示的垫片和辅助接线层的设置配置的实例的示意性平面图;
图13为用于描述根据修改例6的垫片的优选设置的一个实例的示意图;
图14A为用于描述根据修改例7的垫片的设置实例的示意图;
图14B为用于描述在图14A的另一个像素设置中的垫片的设置实例的示意图;
图15为示出根据修改例8的液晶显示单元的配置的剖视图;
图16示出了包括根据任何实例实施方式的显示单元的外围电路的总体配置;
图17示出了在图16中所示的像素的电路配置;
图18为示出包括在图16中所示的显示单元的模块的轮廓配置的平面图;
图19为示出应用实例1的外观的透视图;
图20A为示出在从应用实例2的正面观看时的外观的透视图;
图20B为示出在从应用实例2的背面观看时的外观的透视图;
图21为示出应用实例3的外观的透视图;
图22为示出应用实例4的外观的透视图;
图23A为在应用实例5的打开状态中的正视图,图23B为其侧视图;图23C为在应用实例5的关闭状态中的正视图,图23D为其左侧视图,图23E为其右侧视图,图23F为其顶视图,并且图23G为其底视图;
图24A为示出应用实例6的外观的透视图;
图24B为示出应用实例6的外观的透视图。
具体实施方式
在后文中,参照附图,详细描述本公开的一些实例实施方式。按照以下顺序进行描述。
1、实施方式(有机EL显示单元的实例,其中,第一和第二垫片由绝缘材料构成,具有更高的高度的第一垫片由导电膜覆盖,并且选择性地去除面向具有更低的高度的第二垫片的导电膜)
2、修改例1(选择性地去除面向第二垫片的辅助接线层的区域的实例)
3、修改例2(使用滤色片层的叠层薄膜来形成第一垫片的基础层的实例)
4、修改例3-1(选择性地去除面向(导电的)第二垫片的第二电极的区域的实例)
5、修改例3-2(选择性地去除面向(导电的)第二垫片的辅助接线层的区域的实例)
6、修改例4-1(在面向辅助接线层的(导电的)第二垫片的表面上提供绝缘膜的实例)
7、修改例4-2(在面向(导电的)第二垫片的辅助接线层的表面上提供绝缘膜的实例)
8、修改例5(整体地形成第一垫片和第二垫片的情况的实例)
9、修改例6(第一垫片和第二垫片的优选设置的实例)
10、修改例7(在R、G、B以及W的四个像素配置中的垫片设置的实例)
11、修改例8(液晶显示单元的实例)
12、显示单元的总体配置的实例和像素电路配置的实例
13、应用实例(电子设备的应用实例)
<实施方式>
【配置】
图1示出根据本公开的一个实施方式的有机EL显示单元(有机EL显示单元1)的横截面配置。在有机EL显示单元1,例如,密封衬底20可通过密封层30粘合在装置衬底10上,作为像素的有机EL元件10R、10G、10B以及TFT12形成在该装置衬底上。该有机EL显示单元1是顶部发光型有机EL显示单元,其中,从密封衬底20的上部区域中发出光。在该有机EL显示单元1中,例如,有机EL元件10R是发射红(R)光的子像素,有机EL元件10G是发射绿(G)光的子像素,并且有机EL元件10B是发射蓝(B)光的子像素。而且,一个像素由三个有机EL元件10R、10G以及10B配置。
(装置衬底10)
在装置衬底10中,多个有机EL元件10R、10G以及10B可设置在矩阵中,例如,作为形成显示区域(在后文中要描述的显示区域110)的像素。在装置衬底10中,例如,栅极电极12a、半导体层12c以及源极/漏极电极12d作为TFT12形成在第一衬底11上。栅极绝缘膜12b1形成在栅极电极12a和半导体层12c之间。半导体层12c由层间绝缘膜12b2覆盖。而且,源极/漏极电极12d通过层间绝缘膜12b2的接触孔连接至半导体层12c。
第一衬底11可为例如玻璃衬底或塑料衬底。玻璃衬底的实例可包括高应变点玻璃、钠钙玻璃(Na2O·CaO·SiO2)、硼硅玻璃(Na2O·B2O3·SiO2)、镁橄榄石(2MgO·SiO2)、铝玻璃(Na2O·PbO·SiO2)等。或者,衬底可由石英、硅或其表面形成有绝缘膜的金属制成。塑料衬底的实例可包括有机聚合物,例如,聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等。要注意的是,塑料衬底包括具有弹性的薄膜状或片状衬底。
例如,TFT12与在后面要描述的像素电路60中的晶体管3A和3B对应。TFT12的配置可为例如反向交错结构(底部栅极结构)或交错结构(顶部栅极结构)。
有机EL元件10R、10G以及10B均可具有例如第一电极14、包括发光层的有机层16、电阻层17以及第二电极23。第一电极14通过位于层间绝缘膜13上的接触孔电连接至TFT12(具体为源极/漏极电极12d)。在每个有机EL元件10R、10G以及10B中,由在第一电极14上形成的层间绝缘膜13和像素间绝缘膜15进行元件隔离。具体而言,开口H形成在像素间绝缘膜15上,同时面向第一电极14,并且第一电极14、有机层16以及电阻层17层压在开口H中。第二电极23位于密封衬底20侧上(后面要详细进行描述)。
为每个有机EL元件10R、10G以及10B提供第一电极14。在用作阳极(anode)的情况下,例如,第一电极14的组成材料可为具有高功函数()的金属的单质,例如,铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)、钽(Ta)等或其合金。合金的实例可包括Ag-Pd-Cu合金和Al-Nd合金。或者,第一电极14可具有叠层结构,该叠层结构包括包含单质或上述金属元素的合金的金属膜以及透明导电膜,例如,ITO等。第一电极14可优选地由具有高空穴注入性能的材料制成;然而,即使第一电极14由没有高空穴注入性能的材料(铝(Al)、包括铝的合金等)制成,第一电极14也可通过提供合适的空穴注入层来用作阳极。第一电极14的厚度可为例如10nm到1000nm。在底部发光型的情况下,第一电极14可由透明导电膜制成,例如,包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、以及氧化锌(ZnO)和铝(Al)的合金中的任何一个的单层薄膜或者包括其中的两种或多种的叠层薄膜。
像素间绝缘膜15在有机EL元件10R、10G以及10B的第一电极14与第二电极23之间确保绝缘性能,并且分割(分离)各个像素区域。像素间绝缘膜15可优选地由绝缘材料制成,该绝缘材料具有优异的平面化性能并且具有低吸水性系数,用于防止水分造成有机层16退化,并且保持发光亮度。这种绝缘材料的实例可包括例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸酯树脂、酚醛清漆树脂等。
有机层16包括至少一个有机电致发光层(在后文中简称为发光层)。在该实施方式中,发光层(例如,白色发光层)形成为所有像素的共用层。白色发光层的实例可包括层压蓝色发光层和黄色发光层的层和层压蓝色、绿色以及红色发光层的层。红色发光层可为包括红色发光材料、空穴传输材料以及电子传输材料中的至少一个的层,并且可具有一种配置,其中,例如,2,6-二【(4’-甲氧基二苯胺)苯乙烯基)-1,5-二氰基萘(BSN)与4,4-二(2,2-二苯基乙烯撑)联二苯(DPVBi)混合。绿色发光层可为包括绿色发光材料、空穴传输材料以及电子传输材料中的至少一个的层,并且可具有一种配置,其中,例如,邻吡喃酮6与AND或DPVBi混合。蓝色发光层可为包括蓝色发光材料、空穴传输材料以及电子传输材料中的至少一个的层,并且可具有一种配置,其中,例如,4,4’-二【2-{4-(N,N-二苯胺)苯基}乙烯基】联二苯(DPAVBi)与DPVBi混合。除了这种发光层以外,例如,有机层16可具有一种配置,其中,层压空穴注射层、空穴传输层、电子传输层等。
电阻层17形成在有机层16与第二电极23之间,并且可由具有高电阻率的透明材料制成,例如,五氧化二铌(Nb2O5)、ITO或IZO。提供电阻层17,在第一电极14与第二电极23之间施加电压时,阻止例如在第一电极14与第二电极23之间的杂质造成发生短路,能够防止发生不良像素或丢失线路。要注意的是,必要时,可提供电阻层17,并且可在有机层16上形成辅助接线层18。
第二电极23通过电阻层17电连接至有机层16,并且可共同提供给例如多个有机EL元件10R、10G以及10B。在本实施方式中,由于有机EL显示单元1是顶部发光型有机EL显示单元,所以第二电极23由透明导电膜制成。透明导电膜可为包括铟锡氧化物(ITO)、InZnO(铟锌氧化物)、以及氧化锌(ZnO)和铝(Al)的合金中的任何一个的单层薄膜或者包括其中的两种或多种的叠层薄膜。在本实施方式中,如后文中所述,第二电极23并非为装置衬底10设置,而是为密封衬底20设置。
(密封衬底20)
在密封衬底20中,在第二衬底21的一个表面(在装置衬底10侧上的表面)上形成包括红色过滤层22R、绿色过滤层22G、蓝色过滤层22B以及黑色矩阵层BM的滤色片层22。第二电极23位于滤色片层22与密封层30之间。
第二衬底21由与上述第一衬底11的构成材料相似的构成材料制成。只要该材料具有透明性,那么第二衬底21就可由与第一衬底11的材料相同或不同的材料制成。
红色过滤层22R、绿色过滤层22G以及蓝色过滤层22B中的每一个是在特定的波长区域中选择性传输光(在其他波长区域中吸收光)的滤色片。据此,在每个像素中,发射从有机层16中发射的白光,作为R、G或B色的光。例如,红色过滤层22R、绿色过滤层22G以及蓝色过滤层22B均可具有一种配置,其中,感光树脂与染料或颜料混合。
(密封层30)
由于由透明导电膜制成的第二电极23具有高电阻,所以第二电极23电连接至辅助接线层18(第三电极),以便阻止电压降落。在本实施方式中,辅助接线层18位于装置衬底10的电阻层17上,同时面向第二电极23。垫片25a(第一垫片)和垫片25b(第二垫片)设置在第二电极23与辅助接线层18之间。例如,密封树脂填充在位于第二电极23与辅助接线层18之间(即,位于装置衬底10与密封衬底20之间)的空间(空隙S)内,从而形成密封层30。
密封层30用作例如用于粘合装置衬底10和密封衬底20的粘合层。出于防止水分从外面侵入有机层16中的目的并且为了增大机械强度,还形成密封层30。具有例如紫外线(UV)固化性能或热固性能以及具有电绝缘性能的树脂可用于密封层30。
在下文中,提供在装置衬底10侧上提供辅助接线层18以及在密封衬底20侧上提供第二电极23的情况,作为实例。辅助接线层18和第二电极23可设置为通过密封层30彼此相对,并且层压顺序可颠倒。即,例如,可在电阻层17上提供第二电极23,并且可通过密封层30在第二电极23上提供辅助接线层18。
辅助接线层18减小第二电极23的接线电阻,并且其电位保持在与第二电极23的电位相同的电位上(电连接至第二电极23)。辅助接线层18例如可优选地由导电膜配置,该导电膜具有的电阻比配置第二电极23的透明导电膜的电阻更低。这种导电膜的实例可包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铬(Cr)、锌(Zn)、铁(Fe)、钨(W)、钴(Co)等中的至少一个。要注意的是,在提供与第二电极23进行导电的辅助接线层18时,与未提供辅助接线层18的情况相比,电阻减小。因此,辅助接线层18可由例如上述透明导电膜配置。
垫片25a和25b均控制在装置衬底10与密封衬底20之间的间隙,即,密封层30的厚度(空隙S的距离)。垫片25a和25b具有彼此不同的高度,并且垫片25b的高度h2比垫片25a的高度h1更低(h1>h2)。考虑所需要的接线电阻、机械灵活性等,可根据垫片25a和25b的构成材料的弹性、设置密度、要提供的垫片的数量等,可适当地设置垫片25a和25b的高度h1和h2。在本实施方式中,垫片25a和25b均可由例如绝缘材料(例如,感光丙烯酸树脂等)制成。在此处,垫片25a和25b被设置为与第二电极23相邻(在第二电极23上);然而,这些垫片不限于此。垫片25a和25b可设置为与辅助接线层18相邻。
在具有彼此不同的高度的垫片25a和25b中,第二电极23和辅助接线层18在包括具有更高的高度的垫片25a的路径(路径A)中彼此电连接。另一方面,第二电极23和辅助接线层18在包括具有更低的高度的垫片25b的路径(路径B)中彼此电绝缘。在本实施方式中,具体而言,形成导电膜24,以覆盖每个垫片25a和25b的至少一部分表面。在导电膜24中,仅仅选择性去除面向垫片25b的区域。因此,辅助接线层18在提供垫片25a的位置通过导电膜24电连接至第二电极23(后面详细描述)。另一方面,在提供垫片25b的位置中,无论在垫片25b与辅助接线层18之间具有还是没有接触,辅助接线层18和第二电极23都彼此电绝缘。
图2A和2B均示出了滤色片层22、辅助接线层18以及垫片25a和25b的设置配置的一个实例。在滤色片层22中,在沿着面板的显示表面的平面中观看时,黑色矩阵层BM形成为包围并排设置的红色过滤层22R、绿色过滤层22G以及蓝色过滤层22B中的每一个。而且,辅助接线层18(在图中,由虚线表示)设置为具有条纹图案(图2A)或者具有晶格图案(图2B),同时面向黑色矩阵层BM。
提供垫片25a和25b的位置不特别限于在图中所示的那些位置。然而,由于主要由垫片25a确保在辅助接线层18和第二电极23之间的导电性,所以至少在面向辅助接线层18的区域中提供垫片25a。
形成导电膜24,以电连接辅助接线层18和第二电极23。不特别限制导电膜24的构成材料。然而,在形成导电膜24,以便不仅覆盖垫片25a的表面,而且覆盖红色过滤层22R、绿色过滤层22G以及蓝色过滤层22B时,可使用透明导电膜,例如,ITO等。或者,在仅仅在面向黑色矩阵层BM的区域中形成导电膜24时,除了使用透明导电膜以外,还可使用例证为上述辅助接线层18的构成材料的金属材料。在任何一种情况下,导电膜24覆盖垫片25a的表面,并且选择性地去除面向垫片25b的区域。要注意的是,不需要覆盖垫片25a的整个表面。即,只要确保在辅助接线层18和第二电极23之间的导电性,就可去除一部分导电膜24(例如,面向垫片25a的侧面的区域)。而且,在导电膜24中,不需要去除面向垫片25b的区域(覆盖垫片25b的区域)的整个部分(即不需要从导电膜24中露出垫片25b的整个表面)。即,只要辅助接线层18和第二电极23不由在辅助接线层18与垫片25b之间的接触导电,垫片25b的一部分表面就可由导电膜24覆盖。
【制造方法】
例如,可如下制造上述有机EL显示单元1。图3A到3G和图4A到4D示出了有机EL显示单元1的制造工序。
【装置衬底10的制造】
例如,可如下制造装置衬底10。首先,如图3A中所示,通过使用已知的薄膜形成工序,在第一衬底11上依次形成栅极电极12a、栅极绝缘膜12b1、半导体层12c、层间绝缘膜12b2、源极/漏极电极12d等,从而形成TFT12。
然后,如图3B中所示,形成层间绝缘膜13。具体而言,例如,使用CVD方法、涂覆方法、溅射方法、各种印刷方法等,在第一衬底11的整个表面上形成层间绝缘膜13。然后,例如,通过使用光刻法来进行蚀刻,在层间绝缘膜13的面向源极/漏极电极12d的区域上,形成接触孔13h。
然后,如图3C中所示,形成第一电极14。具体而言,在层间绝缘膜13上形成由上述材料制成的第一电极14,以便例如使用溅射方法来嵌入接触孔13h。然后,通过使用光刻法来进行蚀刻,这样形成的第一电极14具有分别用于每个像素的预定形状的图案。
然后,如图3D中所示,形成像素间绝缘膜15。具体而言,在第一衬底11的整个表面上,形成由上述材料制成的像素间绝缘膜15,然后,在与第一电极14对应的区域,形成开口H。在这种情况下,在感光树脂用于像素间绝缘膜15时,在形成之后,使用光掩模来暴露,从而可形成开口H。而且,在形成开口H之后,必要时,可进行回流(reflow)。
然后,如图3E中所示,形成有机层16。在本实施方式中,如上所述,由于形成每个像素共有的发光层(例如,白色发光层),所以例如,使用真空蒸发方法,在衬底的整个表面上分别依次形成红色、绿色以及蓝色发光材料。或者,作为有机层16的形成方法,除了真空蒸发方法以外,还可使用印刷方法(例如,丝网印刷方法和喷墨印刷方法)或涂覆方法。而且,可使用激光传输方法,其中,预先在传输衬底上形成包括激光束吸收层和有机层的层压机(laminator),并且使用激光照射传输衬底,以分开有机层和传输衬底,以便转印(transfer)有机层。作为有机层16,在除了上述发光层以外,还形成空穴传输层、电子传输层等时,使用真空一致工序,可与发光层一起优选地形成任何层。
然后,如图3F中所示,例如,使用溅射方法、蒸镀方法、CVD方法等,在有机层16的整个表面上形成由上述材料制成的电阻层17。
然后,如图3G中所示,例如,使用溅射方法,在衬底的整个表面上形成由上述材料制成的辅助接线层18,然后,例如,通过使用光刻法进行蚀刻,来形成辅助接线层的图案。通过这种方式,形成装置衬底10和辅助接线层18。
(制造密封衬底20)
例如,可如下制造密封衬底20。首先,如图4A中所示,在第二衬底21上形成滤色片层22。具体而言,在第二衬底21上图案化并且形成黑色矩阵层BM,然后,例如,图案化并且形成红色过滤层22R、绿色过滤层22G以及蓝色过滤层22B。必要时,可形成未显示的保护层(平面化层),以覆盖滤色片层22的整个表面。
然后,使用上述透明导电膜,在滤色片层22上形成第二电极23。
然后,如图4B中所示,在滤色片层22上的选择性区域(面向黑色矩阵层BM的区域)上形成垫片25a和25b。具体而言,例如,在第二电极23上形成上述感光树脂,然后,使用光掩模,来选择性露出感光树脂,从而形成垫片25a和25b。例如,通过进行两次曝光,可提供垫片25a和25b的高度差。具体而言,首先,通过第一次曝光,形成具有高度h1的垫片25a。然后,一些垫片25a进一步曝光(第二次曝光),从而形成具有高度h2的垫片25b。可选地,通过使用所谓的半色调掩膜来进行一次曝光,可形成具有不同高度的垫片25a和垫片25b。
然后,如图4C中所示,例如,使用溅射方法,例如,在第二衬底21的整个表面上,形成由上述材料制成的导电膜24。
然后,如图4D中所示,例如,通过使用光刻法来进行蚀刻,选择性地去除导电膜24的面向垫片25b的区域。通过这种方式,形成密封衬底20。
(粘合(密封)工序)
然后,如上所述制造的装置衬底10和密封衬底20均彼此粘合,密封层30位于其间。具体而言,在装置衬底10或密封衬底20的外围上(沿着有效显示区域的外圆周),涂覆密封材料。然后,例如,使用ODF(滴下式注入)法,滴入密封树脂,并且压接装置衬底10和密封衬底20。通过这种方式,在装置衬底10和密封衬底20之间的空隙S内填充密封树脂之后,固化密封树脂和密封材料。因此,装置衬底10和密封衬底20彼此粘合(装置衬底10由密封衬底20密封)。如上所述,完成在图1中所示的有机EL显示单元1。
【功能与效应】
在有机EL显示单元1中,根据从后面要描述的驱动电路中提供的扫描信号等,通过每个像素(有机EL元件10R、10G以及10B)的第一电极14和第二电极23,将预定的驱动电流用于有机层16。因此,在有机层16的发光层中,通过重新组合空穴和电子,生成光。从有机层16中生成的光(白光)通过电阻层17、密封层30以及密封衬底20传输,并且作为显示光发出。在穿过密封衬底20的滤色片层22时,光作为R、G或B色的光发出。
通过这种方式,在顶部发光型有机EL显示单元1中,从有机层16中生成的白光通过第二电极23传输,并且穿过滤色片层22,以作为R、G或B色的光发出。因此,电阻高的透明导电膜用于第二电极23,造成电压降落,并且反过来造成在面板表面中的亮度不均匀。而且,在面板表面中的接线电阻的变化不可忽略,面板的尺寸和清晰度增大。这造成显示质量降低。
为了解决这种问题,使第二电极23与辅助接线层18进行导电,能够抑制电压降落。在本实施方式中,提供面向第二电极23的辅助接线层18。而且,第二电极23和辅助接线层18在包括垫片25a的路径A中彼此电连接,并且在包括垫片25b的路径B中彼此电绝缘。因此,在第二电极23和辅助接线层18之间的空隙S的间隙主要由垫片25a控制,并且确保在第二电极23和辅助接线层18之间的导电性。
附带地,例如,在密封树脂的填充量对空隙S的容量来说小时,可在密封层30中生成气泡(未填充的区域)。而且,人们认为大气压力过度按压面板,以对垫片施加负荷,造成垫片本身的形状破裂,并且产生接线裂缝和破裂等。
在本实施方式中,提供高度彼此不同的垫片25a和垫片25b。因此,根据密封树脂的填充量,空隙S的容量灵活地匹配,因此,抑制生成上述气泡。在图5中示意性显示了这种状态。而且,在将压力施加给面板的局部区域时,高度更低的垫片25b容易吸收由压力造成的负荷。因此,施加给垫片25a的负荷减小,更容易保持垫片25a、辅助接线层18、导电膜24等中的每一个的期望形状(阻止发生裂缝和破裂)。因此,容易控制空隙S的容量,优选地确保在辅助接线层18和第二电极23之间的导电性,并且有效地减小接线电阻。
而且,在包括垫片25b的路径B中,第二电极23和辅助接线层18彼此电绝缘。因此,即使例如上述压力具有影响并且无论垫片25b是否因此与辅助接线层18(图5)进行接触,第二电极23的接线电阻也难以变化。即,阻止在面板的局部区域中的第二电极23的接线电阻变化。
此外,由于容易将密封树脂填充到空隙S中的量控制为更小的量,所以能够进行设计,以减小用于密封树脂的量。
如上所述,在本实施方式中,在第二电极23和辅助接线层18之间提供高度彼此不同的垫片25a和垫片25b,并且第二电极23和辅助接线层18在包括垫片25a的路径A中彼此电连接,并且在包括垫片25b的路径B中彼此电绝缘。因此,虽然保持了机械灵活性(耐久性),但是接线电阻减小,并且阻止在面板表面中的接线电阻变化。因此,能够提高可靠性。而且,能够减小亮度分布的不均匀性,并且能够提高显示质量。
描述了上述实例实施方式的修改例(修改例1到8)。与上述实施方式的元件相同的元件由相同的参考数字表示,并且适当地省略描述。
<修改例1>
图6示出了根据修改例1的密封衬底和辅助接线层的配置。如上所述,第二电极23和辅助接线层18在包括垫片25a的路径A中彼此电连接,并且在包括垫片25b的路径B中彼此电绝缘。然而,根据在后文中描述的修改例1到5中的配置,形成路径A和路径B。在修改例1到5中,主要描述密封衬底、密封层以及辅助接线层的配置。装置衬底10的配置与上述实例实施方式的配置相同。
在本修改例中,与上述实施方式一样,垫片25a和25b均由绝缘材料制成,并且形成导电膜24,以覆盖每个垫片25a和25b的表面。而且,在第二电极23和辅助接线层(辅助接线层18A)之间的空隙S中,填充密封树脂,形成密封层30。然而,在本修改例中,选择性地去除辅助接线层(辅助接线层18A)的面向垫片25b的区域。即,辅助接线层18A具有开口180(或者可为凹槽),同时面向垫片25b。
通过这种方式,可选择性地去除辅助接线层18A,以确保路径B绝缘。而且,在这种情况下,由于阻止由面板的局部压力造成垫片25b与辅助接线层18A接触,所以实现与上述实施方式的效应相同的效应。而且。在本修改例中,导电膜24不需要图案化(选择性去除面向垫片25b的区域的工序)。另一方面,可在使辅助接线层18A图案化时,形成开口180。因此,与上述实施方式相比,制造工序的数量减少。
在修改例1中,提供在第二电极23上形成垫片25b并且该垫片与辅助接线层18A分开形成的情况,作为一个实例。相反,在辅助接线层18A上形成垫片25b的情况下,在选择性去除第二电极23的面向垫片25b的区域时,获得与本修改例的效应相同的效应。
<修改例2>
图7示出了根据修改例2的密封衬底和辅助接线层的配置。在上述实施方式中,通过两步曝光或使用半色调掩膜的曝光,形成高度彼此不同的垫片25a和25b。然而,与在本修改例中一样,使用基础层28,可形成垫片的这种高度差。作为基础层28,可使用绝缘材料或者可使用导电材料。例如,在滤色片层22(黑色矩阵层BM)上的选择性区域中,形成基础层28之后,形成第二电极23和导电膜24。或者,可按照这种顺序形成第二电极23、基础层28以及导电膜24。随后,在基础层28上并且在位于未形成基础层28的黑色矩阵层BM上的选择区域中,形成垫片25b。通过如上所述使用基础层28,能够形成高度差,而不改变垫片的高度,从而能够实现与上述实施方式的效应相同的效应。此外,形成垫片的工序的数量减少,或者不需要半色调掩膜。
或者,作为上述基础层28,可使用预先在密封衬底的第二衬底21上形成的步骤、叠层薄膜等。在图8中显示了其一个实例。例如,在第二衬底21上形成滤色片层22,并且可利用滤色片层22,来形成基础层28。具体而言,可通过重叠的方式在黑色矩阵层BM上形成蓝色过滤层22B和绿色过滤层22G,以形成叠层薄膜,并且这样形成的叠层薄膜可用作基础层28。
<修改例3-1>
图9A示出了根据修改例3-1的密封衬底和辅助接线层的配置。在上述实施方式和修改例1和2中,提供垫片25a和25b均由绝缘材料制成的情况,作为一个实例。然而,与在本修改例中一样,可使用均由导电材料制成的垫片(垫片25c和25d)。虽然可使用其他导电材料,但是垫片25c和25d的构成材料可为导电树脂。与上述实施方式的垫片25a和25b一样,垫片25c和25d具有彼此不同的高度,并且例如,可设置在位于黑色矩阵层BM上的选择区域中。在第二电极23和辅助接线层18之间的空隙S中填充密封树脂,形成密封层30。
在本修改例中,如上所述,垫片25c和25d均由导电材料制成。因此,在包括具有高度h1的垫片25c的路径A中,第二电极23和辅助接线层18均与垫片25c接触。因此,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的导电性。
另一方面,在包括具有高度h2的垫片25d的路径B中,如下确保绝缘。在本修改例中,选择性去除第二电极23的面向垫片25d的区域(第二电极23在面向垫片25d的区域中具有开口230)。例如,为了在形成第二电极23之后形成垫片25c和25d,首先,在第二电极23的形成工序中形成开口230,随后,进行曝光,以便在垫片25c和25d的形成工序中,在开口230内形成垫片25d。因此,在包括垫片25d的路径B中,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的绝缘。因此,即使垫片25d与辅助接线层18进行接触,也阻止在辅助接线层18与第二电极23之间的导电性,并且实现与上述实施方式的效应相同的效应。
<修改例3-2>
图9B示出了根据修改例3-2的密封衬底和辅助接线层的配置。在修改例3-1中,使用均由导电材料制成的垫片25c和25d,并且选择性去除第二电极23的面向垫片25d的区域。然而,与在本修改例中一样,可选择性去除辅助接线层(辅助接线层18A)(辅助接线层18A可具有开口180)。而且,虽然在图中未显示,但是可为第二电极23和辅助接线层18选择性去除面向垫片25d的区域。甚至在本修改例的配置中,在包括垫片25d的路径B中,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的电绝缘性。
<修改例4-1>
图10A示出了根据修改例4-1的密封衬底和辅助接线层的配置。在本修改例中,与在修改例3-1和3-2中一样,使用均由导电材料制成的垫片25c和25d。垫片25c和25d具有彼此不同的高度,与上述实施方式的垫片25a和25b一样,并且可设置在位于黑色矩阵层BM上的选择区域中。而且,第二电极23和辅助接线层18在包括具有高度h1的垫片25c的路径A中均与垫片25c进行接触。因此,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的导电性。
然而,在本修改例中,在包括具有高度h2的垫片25d的路径B中,如下确保绝缘性。即,在面向垫片25d的辅助接线层18的表面上,形成绝缘膜26。作为绝缘膜26,可优选地使用感光树脂,例如,光致抗蚀剂,从而在图案化时省略蚀刻工序。而且,可优选地形成绝缘膜26,以至少覆盖垫片25d的上表面。通过形成绝缘膜26,在包括垫片25d的路径B中,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的绝缘性。因此,即使垫片25d与辅助接线层18进行接触,也阻止在第二电极23和辅助接线层18之间的导电性,并且实现与上述实施方式的效应相同的效应。
<修改例4-2>
图10B示出了根据修改例4-2的密封衬底和辅助接线层的配置。在上述修改例4-1中,使用均由导电材料制成的垫片25c和25d,并且在面向垫片25d的辅助接线层18的表面上,形成绝缘膜26。然而,与在本修改例中一样,在辅助接线层18的面向垫片25d的表面上,可形成绝缘膜27。而且,虽然在图中未显示,但是可在第二电极23和辅助接线层18上(在面向其的相应表面上),形成绝缘膜26和27。甚至在本修改例的配置中,在包括垫片25d的路径B中,确保在第二电极23和辅助接线层18A之间的电绝缘性。
<修改例5>
图11示出了根据修改例5的密封衬底和辅助接线层的配置。图12示出了根据修改例5的垫片和辅助接线层的设置配置的一个实例。在上述实施方式等中,描述了在空隙S中设置高度彼此不同的两种垫片的情况。然而,与在本修改例中一样,可设置具有一个步长(高度差)的一种垫片。即,可使用集成上述垫片25a和25b(25c和25d)的垫片(垫片25ef)。具体而言,垫片25ef具有一种配置,其中,集成垫片部分25e和垫片部分25f。例如,与修改例3-1到4-2的垫片25c一样,垫片部分25e可由导电材料制成,并且具有高度h1。例如,与修改例1和2以及上述实施方式的垫片25b一样,垫片25f可由绝缘材料制成,并且具有高度h2。例如,这样一体地形成垫片部分25e和25f,以便垫片部分25f包围垫片部分25e。
而且,在本修改例中,垫片25ef具有高度为h1的垫片部分25e以及高度为h2的垫片部分25f。因此,垫片部分25e控制空隙S的间隙,并且确保在第二电极23和辅助接线层18之间的电连接性。另一方面,垫片部分25f吸收由局部压力造成的负荷,并且保持垫片部分25e、辅助接线层18等的形状。而且,在包括垫片部分25f的路径B中,确保在第二电极23和辅助接线层18之间的电绝缘性能,因此,阻止接线电阻的变化。因此,实现与上述实施方式的效应相同的效应。
<修改例6>
图13为用于描述根据修改例6的垫片的设置实例的示意图。在上述有机EL显示单元1中,例如,在装置衬底10的第一衬底11(或密封衬底20的第二衬底21)的有效显示区域(显示区域50)的外围上,形成密封部分31。密封部分31用作上述密封层30的外部框架(屏障元件)。在由密封部分31和装置衬底10以及密封衬底20包围的空间(空隙S)内,填充密封树脂,以密封元件。如上所述,虽然也可与在本修改例中一样地设置垫片25a和25b,但是考虑到面板的机械灵活性以及接线电阻,也可按需设置垫片25a和25b的布置。具体而言,通过减小在密封部分31附近的垫片的密度,提高密封部分31的粘合性。例如,通过与在显示区域中的位置相比,减少在密封部分31附近提供垫片25a和25b的位置,或者通过与具有高度h1的垫片25a的位置相比,相对增加提供具有高度h2的垫片25b的位置,可实现提高粘合性。
<修改例7>
图14A为用于描述根据修改例7的垫片的设置实例的示意图。在上述实施方式等中,提供一个像素包括R、G以及B的三种颜色的子像素(有机EL元件10R、10G以及10B)的情况,作为一个实例。然而,一个像素可包括四个子像素,W(白色)子像素(有机EL元件10W)加入这四个子像素中。在这种情况下,如图14A中所示,垫片(垫片25a和/或垫片25b)可优选地设置在位于与可见性较低的颜色对应的子像素(有机EL元件10R和10B)附近的位置P1中。另一方面,优选地,在位于与可见性较高的颜色对应的子像素(有机EL元件10G和10W)附近的位置P2中,可不设置垫片,或者仅仅设置高度更低的垫片(垫片25b)。由于高度更高的垫片(垫片25a)具有更大的安装面积,所以尤其在可见性较高的区域中设置这种垫片时,可容易发生漏光。因此,优选垫片的这种设置,这是因为在位置P1处提供垫片25a和25b中的一个,或者分别在位置P1和位置P2处,提供垫片25a和垫片25b,能够如上所述减少漏光。在如图14B中所示设置像素时,从上述漏光的角度来看,不特别限制垫片25a和25b的位置。
<修改例8>
图15示出了根据修改例8的显示单元(液晶显示单元2)的横截面配置。在上述实施方式等中,提供有机EL显示单元1,作为一个实例,但如在本修改例中所述,本公开的实施方式还适用于液晶显示单元2。在液晶显示单元2中,例如,偏振器42a可附接至第一衬底11的背面,并且背光40可设置在偏振器42a之下。在背光40与偏振器42a之间提供扩散器(diffuser)41。而且,在第一衬底11上形成TFT12,并且形成平面化膜43,以覆盖TFT12。在平面化膜43上,为各个像素设置第一电极44,并且第一电极通过平面化膜43的接触孔连接至各个TFT12。另一方面,偏振器42b附接至第二衬底21的发光侧。而且,在第二衬底21的第一衬底11侧上的表面上,形成滤色片层22,并且第二电极47形成为与滤色片层22相邻。
在液晶显示单元2中,在第一衬底11与第二衬底21之间(在第一电极44与第二电极47之间)的空隙S内,密封液晶层46。与在上述实施方式中一样,垫片25a和25b设置在空隙S内。即,在本修改例中,液晶层46的间隙由垫片25a和25b(主要是垫片25a)控制。
而且,在液晶显示单元2中,第二电极47由透明导电膜制成,并且具有高电阻。因此,第二电极47电连接至辅助接线层18,从而减小接线电阻。在修改例8中,例如,在用作驱动衬底的第一衬底11上,可形成辅助接线层18,并且在与平面化膜43上的第一电极44相同的层内,可形成该辅助接线层。然而,这没有限制性,并且可在与TFT12相同的层内,形成辅助接线层18。而且,在本修改例中,只要接线层18设置在面向黑色矩阵层BM的区域中,辅助接线层18就可进行图案化,以具有条纹图案或者具有晶格图案。与上述实施方式一样,辅助接线层18和第二电极23在包括垫片25a的路径A中彼此电连接,并且在包括垫片25b的路径B中,彼此电绝缘。具体而言,与上述实施方式一样,提供导电膜24,以覆盖垫片25a和25b两者的表面,并且选择性去除导电膜24的面向垫片25b的区域。
如上所述,保持机械灵活性并且减小源自垫片25a和25b的接线电阻的效应也适用于液晶密封结构。此外,本技术的实施方式广泛地适用于利用使用垫片的密封结构的任何领域。
【显示单元的总体配置和像素电路配置】
描述了根据任何上述实施方式等的有机EL显示单元(在后文中简称为“显示单元”)的总体配置和像素电路配置。图16示出了包括用作有机EL显示器的显示单元的外围电路的总体配置。例如,在第一衬底11上形成显示区域50,在该显示区域中,包括有机EL元件的多个像素PXLC设置为矩阵形式。而且,在显示区域50周围,提供作为信号线驱动电路的水平选择器(HSEL)51、作为扫描线驱动电路的写入扫描器(WSCN)52以及作为电源线驱动电路的电源扫描器(DSCN)53。
在显示区域50中,在列方向设置多个(整数n)信号线DTL1到DTLn,并且在行方向,设置多个(整数m)扫描线WSL1到WSLm和电源线DSL1到DSLm。而且,在每个信号线DTL和每个扫描线WSL的每个交叉点内,提供像素PXLC(与R、G和B对应的像素中的一个)。每个信号线DTL连接至水平选择器51,并且将图像信号从水平选择器51中提供给每个信号线DTL。每个扫描线WSL连接至写入扫描器52,并且将扫描信号(选择脉冲)从写入扫描器52中提供给每个扫描线WSL。每个电源线DSL连接至电源扫描器53,并且将电源信号(控制脉冲)从电源扫描器53中提供给每个电源线DSL。
图17示出了像素PXLC的电路配置的一个特定实例。每个像素PXLC具有包括有机EL元件3D的像素电路60。像素电路60是具有取样晶体管3A、驱动晶体管3B、保持电容器3C以及有机EL元件3D的有源驱动电路。晶体管3A(或晶体管3B)与任何上述实施方式和修改例的TFT12对应。而且,有机EL元件3D与任何上述实施方式和修改例的有机EL元件10R、10G以及10B中的一个对应。
在取样晶体管3A中,栅极连接至相应的扫描线WSL,源极和漏极中的一个连接至相应的信号线DTL,并且源极和漏极中的另一个连接至驱动晶体管3B的栅极。在驱动晶体管3B中,漏极连接至相应的电源线DSL,并且源极连接至有机EL元件3D的阳极。而且,有机EL元件3D的阴极连接至地线3H。地线3H通过电线共同连接至所有像素PXLC。保持电容器3C设置在驱动晶体管3B的源极与栅极之间。
取样晶体管3A根据从扫描线WSL中提供的扫描信号(选择脉冲)进行导电。因此,取样晶体管3A为从信号线DTL中提供的图像信号的信号电位取样,并且在保持电容器3C中保持所取样的信号电位。驱动晶体管3B从以预定的第一电位(未显示)设置的电源线DSL中接收电流供应。而且,驱动晶体管3B根据在保持电容器3C中保持的信号电位将驱动电流提供给有机EL元件3D。通过从驱动晶体管3B中提供的驱动电流,有机EL元件3D发射具有与图像信号的信号电位对应的亮度的光。
在上述电路配置中,取样晶体管3A根据从扫描线WSL中提供的扫描信号(选择脉冲)进行导电。因此,从信号线DTL中提供的图像信号的信号电位被取样并由保持电容器3C保持。而且,将电流从以第一电位设置的电源线DSL中提供给驱动晶体管3B。根据在保持电容器3C中保持的信号电位,将驱动电流提供给有机EL元件3D(红色、绿色以及蓝色有机EL元件中的每个)。而且,通过所提供的驱动电流,每个有机EL元件3D发射具有与图像信号的信号电位对应的亮度的光。因此,在显示单元中,根据图像信号,显示图像。
<应用实例>
在后文中,描述了根据任何上述实施方式等的有机EL显示单元或液晶显示单元(在后文中称为显示单元)的电子设备的应用实例。电子设备的实例可包括电视机、数码相机、笔记本式个人电脑、移动电话、便携式终端单元(例如,智能电话)、摄像机等。换言之,上述显示单元适用于在任何领域中的电子设备,其中,显示从外面输入的图像信号或在内部生成的图像信号,作为图像或图片。
(模块)
作为如图18中所示的模块,例如,任何上述显示单元集成到各种电子设备中,例如,在后文中描述的应用实例1到5的电子设备。在该模块中,例如,在第一衬底11的一侧上,提供从第二衬底21中露出的区域210。而且,扩展水平选择器51、写入扫描器52以及电源扫描器53的电线,以在露出的区域210中形成外部连接终端(未显示)。在外部连接终端中,可提供用于输入和输出信号的FPC(柔性印刷电路)220。
(应用实例1)
图19示出了电视机的外观。电视机具有例如图像显示屏部分300,该部分包括前面板310和滤光玻璃320。图像显示屏部分300与上述显示单元对应。
(应用实例2)
图20A和20B均示出了数码相机的外观。数码相机具有例如闪光灯发射部分410、显示部分420、菜单开关430以及快门按钮440。显示部分420与上述显示单元对应。
(应用实例3)
图21示出了笔记本式个人电脑的外观。笔记本式个人电脑具有例如主体510、用于字符等的输入操作的键盘520以及显示图像的显示部分530。显示部分530与上述显示单元对应。
(应用实例4)
图22示出了摄像机的外观。摄像机具有例如主体部分610、位于主体部分610的正面上的拍摄镜头620、在拍摄时的开始/停止开关630以及显示部分640。显示部分640与上述显示单元对应。
(应用实例5)
图22示出了移动电话的外观。移动电话具有一种配置(在该配置中,例如,上部主体710和下部主体720由连接部分(铰链部分)730连接,并且具有显示器740、子显示器750、闪光灯760以及摄像头770。显示器740或子显示器750与上述显示单元对应。
(应用实例6)
图24A和24B均示出了智能电话的外观。智能电话具有例如显示部分810(与上述显示单元对应)和非显示部分(外壳)820以及操作部分830。操作部分830可设置于非显示部分820的正面上(图24A)或者位于上表面上(图24B)。
如上所述,参照实例实施方式、修改例以及应用实例,描述本公开。然而,本公开不限于上述实施方式等,并且可不同地修改本公开。例如,在上述实施方式等中,描述了在密封衬底20上形成垫片25a和25b的情况,作为一个实例。然而,在装置衬底10侧上,可形成垫片25a和25b。
而且,在上述实施方式等中,辅助接线层18位于装置衬底10(电阻层17)之上,并且第二电极23位于密封衬底20上。然而,第二电极23可位于装置衬底10之上,并且辅助接线层18可位于密封衬底20上。
而且,在上述实施方式等中,滤色片层22位于密封衬底20上。然而,滤色片层22可位于装置衬底10上。
此外,在上述实施方式等中,描述了所谓的固体密封结构,作为一个实例,其中,在有机EL显示单元1内的装置衬底10与密封衬底20之间的空隙S内,填充密封树脂。然而,本公开不限于此,并且本公开还可适用于所谓的空心密封的情况。要注意的是,由于本公开的实施方式能够在空隙S内填充密封树脂时抑制生成气泡,所以本技术的实施方式比空心密封结构的应用更有利,而不受到限制。
而且,在上述实施方式等中,描述了有源矩阵型显示单元的情况。然而,本公开的实施方式还适用于无源矩阵型显示单元。此外,用于驱动有源矩阵型显示单元的像素驱动电路的配置不限于在上述实施方式等中描述的配置,并且根据需要,可在其中增加电容器、晶体管等。
而且,在上述实施方式等中,描述了顶部发光型有机EL显示单元,作为一个实例。然而,根据本公开的任何实施方式的有机EL显示单元还适用于底部发光型有机EL显示单元。尤其地,有机EL显示单元优选地适用于上部电极由具有高电阻的导电膜(例如,透明导电膜)配置的情况。
此外,在上述实施方式等中,使用高度彼此不同的两种垫片。然而,可使用三种或多种垫片,以通过逐步的方式改变高度。
而且,本技术包括在本文中描述的以及在本文中包含的一些或所有不同实施方式的任何可能的组合。
通过本公开的上述实例实施方式,能够至少实现以下配置。
(1)一种显示单元包括:
多个第一电极,被提供给各个像素;
显示功能层,设置于所述第一电极上;
第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;
第一垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及
第二垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间,并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
(2)根据(1)所述的显示单元,进一步包括导电膜,
其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料制成,并且所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的至少一部分表面覆盖有所述导电膜。
(3)根据(2)所述的显示单元,其中,选择性地去除所述导电膜中的面向所述第二垫片的区域。
(4)根据(2)或(3)所述的显示单元,其中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
(5)根据(1)所述的显示单元,其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由导电材料制成。
(6)根据(5)所述的显示单元,其中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
(7)根据(5)或(6)所述的显示单元,进一步包括绝缘膜,所述绝缘膜设置在所述第二垫片与所述第二电极或所述第三电极相对的各相对面中的一个或两个上
(8)根据(1)到(7)中的任一项所述的显示单元,其中,在所述第一垫片与所述第二垫片之间的高度差由所述第一垫片的基础层的厚度形成。
(9)根据(8)所述的显示单元,其中,所述基础层是包括两层或多层滤色片层和黑色矩阵层的叠层薄膜。
(10)根据(1)到(9)中的任一项所述的显示单元,其中,整体地形成所述第一垫片和所述第二垫片。
(11)根据(1)到(10)所述的显示单元,其中,与包括所述像素的有效显示区域中相比,在所述有效显示区域的外围区域中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的布置的密度更低。
(12)根据(1)到(11)中的任一项所述的显示单元,其中,所述显示功能层是有机电致发光层,并且在所述第二电极与所述第三电极之间填充密封树脂。
(13)根据(1)到(11)中的任一项所述的显示单元,其中,所述显示功能层是液晶层。
(14)一种制造显示单元的方法,所述方法包括:
为各个像素形成多个第一电极;
形成显示功能层;
形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且
在所述第二电极与所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接,并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
(15)根据(14)所述的制造显示单元的方法,其中,在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,
所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料构成,
形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
选择性地去除所形成的导电膜的面向所述第二垫片的区域。
(16)根据(14)或(15)所述的制造显示单元的方法,其中,
在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个由绝缘材料构成,并且形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
在形成所述第二电极和形成所述第三电极两者中的一个中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
(17)根据(14)所述的制造显示单元的方法,其中,
在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由导电材料构成,并且
在形成所述第二电极和形成所述第三电极两者中的一个中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
(18)根据(14)或(17)所述的制造显示单元的方法,进一步包括在所述第二垫片的面向所述第三电极的表面上、在所述第三电极的面向所述第二垫片的表面上或者在所述第二垫片和所述第三电极的相面对的每个表面上,形成绝缘膜,
其中,在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个由导电材料构成。
(19)一种具有显示单元的电子设备,所述显示单元包括:
多个第一电极,被提供给各个像素;
显示功能层,设置于所述第一电极上;
第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;
第一垫片,其设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及
第二垫片,其设置在所述第二电极与所述第三电极之间并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
本领域的技术人员应理解的是,只要在所附权利要求或其等同物的范围内,根据设计要求和其他因素,可进行各种修改、组合、次组合以及变更。
Claims (20)
1.一种显示单元,包括:
多个第一电极,被提供给各个像素;
显示功能层,设置于所述第一电极上;
第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;
第一垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及
第二垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间,并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示单元,进一步包括导电膜,
其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料制成,并且所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的至少一部分表面覆盖有所述导电膜。
3.根据权利要求2所述的显示单元,其中,所述导电膜中的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
4.根据权利要求2所述的显示单元,其中,所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
5.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由导电材料制成。
6.根据权利要求5所述的显示单元,其中,所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
7.根据权利要求5所述的显示单元,进一步包括绝缘膜,所述绝缘膜形成在所述第二垫片与所述第二电极或所述第三电极的各相对面中的一方或两方上
8.根据权利要求1所述的显示单元,其中,在所述第一垫片与所述第二垫片之间的高度差由所述第一垫片的基础层的厚度形成。
9.根据权利要求8所述的显示单元,其中,所述基础层是包括两层或多层滤色片层和黑色矩阵层的叠层薄膜。
10.根据权利要求1所述的显示单元,其中,整体地形成所述第一垫片和所述第二垫片。
11.根据权利要求1所述的显示单元,其中,与包括所述像素的有效显示区域中相比,在所述有效显示区域的外围区域中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的布置的密度更低。
12.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述显示功能层是有机电致发光层,并且在所述第二电极与所述第三电极之间填充密封树脂。
13.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述显示功能层是液晶层。
14.一种制造显示单元的方法,所述方法包括:
为各个像素形成多个第一电极;
形成显示功能层;
形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且
在所述第二电极与所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接,并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
15.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,其中,在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,
所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料构成,
形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
选择性地去除所形成的导电膜的面向所述第二垫片的区域。
16.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,其中,
在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个由绝缘材料构成,并且形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
在形成所述第二电极和形成所述第三电极两者中的一个中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
17.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,其中,
在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由导电材料构成,并且
在形成所述第二电极和形成所述第三电极两者中的一个中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
18.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,进一步包括在所述第二垫片与所述第二电极或所述第三电极的各相对面中的一方或两方上形成绝缘膜,
其中,在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个由导电材料构成。
19.一种具有显示单元的电子设备,所述显示单元包括:
多个第一电极,被提供给各个像素;
显示功能层,设置于所述第一电极上;
第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;
第一垫片,其设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及
第二垫片,其设置在所述第二电极与所述第三电极之间并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
20.根据权利要求19所述的电子设备,进一步包括导电膜,
其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料制成,并且所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的至少一部分表面覆盖有所述导电膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-046575 | 2013-03-08 | ||
JP2013046575A JP2014174319A (ja) | 2013-03-08 | 2013-03-08 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104037194A true CN104037194A (zh) | 2014-09-10 |
Family
ID=51467899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410073898.5A Pending CN104037194A (zh) | 2013-03-08 | 2014-02-28 | 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140253856A1 (zh) |
JP (1) | JP2014174319A (zh) |
CN (1) | CN104037194A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017080253A1 (zh) * | 2015-11-11 | 2017-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
CN108231824A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104576694A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制造方法 |
KR102208432B1 (ko) | 2014-12-31 | 2021-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN105182592B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板 |
KR102448516B1 (ko) | 2016-01-20 | 2022-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10078243B2 (en) * | 2016-06-03 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102516055B1 (ko) * | 2016-07-05 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN107272232B (zh) * | 2017-07-20 | 2020-12-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶显示面板的制造方法 |
CN109411619B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
CN109923675B (zh) * | 2017-09-26 | 2024-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备、以及制造有机发光二极管显示基板的方法 |
CN107946345B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制备方法以及显示装置 |
KR20210116749A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210147123A (ko) * | 2020-05-27 | 2021-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시패널의 제조방법 |
CN112002233B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-04-01 | 合肥维信诺科技有限公司 | 折叠显示终端 |
CN112181056B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-07-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4683090B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
US20110317115A1 (en) * | 2009-02-23 | 2011-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
CN202049317U (zh) * | 2011-05-12 | 2011-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示器 |
-
2013
- 2013-03-08 JP JP2013046575A patent/JP2014174319A/ja active Pending
-
2014
- 2014-02-25 US US14/189,563 patent/US20140253856A1/en not_active Abandoned
- 2014-02-28 CN CN201410073898.5A patent/CN104037194A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017080253A1 (zh) * | 2015-11-11 | 2017-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
US10243160B2 (en) | 2015-11-11 | 2019-03-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display apparatus |
CN108231824A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN108231824B (zh) * | 2016-12-16 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014174319A (ja) | 2014-09-22 |
US20140253856A1 (en) | 2014-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104037194A (zh) | 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 | |
JP6111461B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US9123674B2 (en) | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus | |
US9425241B2 (en) | Organic electroluminescence display unit, method of manufacturing organic electroluminescence display unit, and color filter substrate | |
JP5126545B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP4367346B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
US9577215B2 (en) | Display device with glass frit sealing portion | |
KR20240028379A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
JP6159946B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US20150090983A1 (en) | Display unit and electronic apparatus | |
JP2014229356A (ja) | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 | |
CN103247692B (zh) | 薄膜晶体管、显示单元和电子设备 | |
JP2015194577A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
WO2019111477A1 (ja) | 表示装置 | |
KR102640114B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
JP6223070B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
US11557614B2 (en) | Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device | |
KR102638314B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
WO2021107145A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2011040328A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
US20170170250A1 (en) | Organic el display device | |
JP2012209018A (ja) | 有機el表示装置および電子機器 | |
JP5418862B2 (ja) | 表示装置 | |
CN114388584A (zh) | 显示装置 | |
WO2024244757A9 (zh) | 显示基板和显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140910 |