TWI541575B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI541575B
TWI541575B TW102133495A TW102133495A TWI541575B TW I541575 B TWI541575 B TW I541575B TW 102133495 A TW102133495 A TW 102133495A TW 102133495 A TW102133495 A TW 102133495A TW I541575 B TWI541575 B TW I541575B
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汪安昌
陳奕靜
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群創光電股份有限公司
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Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有團聚物之顯示面板。
具顯示面板的電子產品已是現代人不論在工作處理學習上、或是個人休閒娛樂上，不可或缺的必需品，包括智慧型手機(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記型電腦(Notebook)、顯示器(Monitor)到電視(TV)等許多相關產品。其中又以液晶顯示面板最為普遍。
液晶顯示面板(LCD)係利用液晶(LCs)能調節發光的性質而可構成一種平面顯示器、電子視覺顯示器，及影像顯示器。由於液晶顯示面板在絕大多數應用上具有更簡潔、更輕盈、可攜帶、更低價、更高可靠度、以及讓眼睛更舒適的功能，已經廣泛地取代了陰極射線管顯示器(CRT)，成為最廣泛使用的顯示器，同時提供多樣性包括尺寸、形狀、解析度等多種選擇。然而，在傳統顯示面板中用來維持液晶顯示面板中上下基板等距間隔的間隔物，由於鄰近間隔物的液晶分子會沿著間隔物的表面傾倒，而使間隔物旁會有暗態漏光的缺陷產生。
本發明係有關於一種顯示面板，其間隔物之外圍具有團聚物(agglomerates)，可使間隔物旁之漏光區域縮減，改善暗態漏光情形。
根據本發明，係提出一種顯示面板，包括具有一第一配向膜之一第一基板，具有複數間隔物及一第二配向膜之一第二基板，夾設於第一配向膜與第二配向膜間之一液晶層，和複數個團聚物(agglomerates)位於第一配向膜與第二配向膜之間並環設於該些間隔物至少其中之一的外圍。第二基板中，第二配向膜接觸並覆蓋間隔物，第二配向膜面向第一配向膜，且該些間隔物係令第二基板與第一基板呈實質等距間隔。一實施例中，團聚物之粒徑尺寸為0.1μm~2μm。
根據本發明，再提出一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板，一液晶層和一高分子定(/配)向圖案層。第一基板包括形成在一第一基材的一表面上的一第一配向膜。一第二基板包括一第二基材與第一基材間隔設置，並包括形成在第二基材的一表面上的複數間隔物及一第二配向膜，其中第二配向膜接觸並覆蓋於該些間隔物，該些間隔物位於第一基材與第二基材間而令第一基材、第二基材實質等距間隔。液晶層則夾設於第一配向膜和第二配向膜之間。高分子定(/配)向圖案層係分佈於第一配向膜及第二配向膜上並與液晶層接觸，高分子定(/配)向圖案層包括複數定(/配)向區域(orientation regions)，和複數團聚區域(agglomeration regions)係分別被夾設於該些間隔物與該些定向區域間。高分子定(/配)向圖案層中，團聚區域之一表面粗糙度係大於定(/配)向區域之一表面粗糙度。
根據本發明，更提出一種顯示面板，包括具有一第一配向膜之一第一基板，具有複數間隔物及一第二配向膜之一第二基板，夾設於第一配向膜與第二配向膜間之一液晶層，和複數個團聚物(agglomerates)位於第一配向膜與第二配向膜之間並環設於該些間隔物至少其中之一的外圍。第二基板中，第二配向膜接觸並覆蓋間隔物，第二配向膜面向第一配向膜，且該些間隔物係令第二基板與第一基板呈實質等距間隔。實施例中，該些團聚物越接近所環設的該間隔物其聚合度(polymerization)越高，越遠離所環設的該間隔物其聚合度越低。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
11、41‧‧‧第一基板
111、411‧‧‧第一基材
112、412‧‧‧圖案化走線
113、413‧‧‧第一中間層
115、415、415’‧‧‧第一透明導電層
117、417‧‧‧第一配向膜
12、42‧‧‧第二基板
121、421‧‧‧第二基材
122、422‧‧‧遮光圖案層
123、423‧‧‧第二中間層
125、425、425’‧‧‧第二透明導電層
127、427‧‧‧第二配向膜
13、23、43‧‧‧間隔物
13a、23a‧‧‧間隔物之表面
14a‧‧‧第一偏光片
14b‧‧‧第二偏光片
15、45‧‧‧液晶層
151、251‧‧‧液晶分子
181、481‧‧‧高分子聚合物
183、483、485‧‧‧團聚物
183P、483P‧‧‧團聚物之分佈側面
49a、49b、49c‧‧‧缺口
AC‧‧‧定(/配)向區域
AA‧‧‧團聚區域
AL、AL’‧‧‧漏光區域
F、F’‧‧‧電場
D‧‧‧間隔物在第二基板上垂直投影的最大寬度
Da‧‧‧團聚物在第二基板上的垂直投影寬度
DM‧‧‧圖案化走線在垂直方向的一最大徑寬
L1‧‧‧第一方向
第1A圖係繪示本揭露第一實施例之一顯示面板之側視圖。
第1B圖係繪示第1A圖之局部剖面圖。
第2A圖為一傳統常黑(normal black)模式之顯示面板其間隔物外圍不具團聚物之簡示圖。
第2B圖為實施例之顯示面板之間隔物外圍具有團聚物之簡示圖。
第3A圖為一顯示面板進行高分子單體聚合時，液晶分子受電場F影響和排列之示意圖。
第3B圖為一顯示面板進行高分子單體聚合時，液晶分子受電場F’影響和排列之示意圖，其中F’>F。
第4圖係繪示本揭露第二實施例之一顯示面板之側視圖。
第5圖係繪示本揭露第三實施例之一顯示面板之側視圖。
本揭露之實施例係提出一種顯示面板，利用形成團聚物(agglomerates)於間隔物之外圍，使鄰近之液晶分子受到團聚物給予的反向推力而改變其原本受間隔物影響的預傾角，進而使間隔物旁之漏光區域縮減，改善暗態漏光情形。
以下係參照所附圖式詳細敘述實施態樣。需注意的是，實施例所提出的結構和內容僅為舉例說明之用，本揭露欲保護之範圍並非僅限於所述之該些態樣。實施例中相同或類似的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，本揭露並非顯示出所有可能的實施例。可在不脫離本揭露之精神和範圍內對結構加以變化與修飾，以符合實際應用所需。因此，未於本揭露提出的其他實施態樣也可能可以應用。再者，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本揭露保護範圍之用。
第1A圖係繪示本揭露第一實施例之一顯示面板之側視圖。第1B圖係繪示第1A圖之局部剖面圖。此實施例中，顯示面板包括一第一基板11、一第二基板12和一液晶層15位於第一基板11和第二基板12之間。第一基板11和第二基板12例如分別是一薄膜電晶體基板(TFT substrate)和一彩色濾光片基板(CF substrate)，以下係以此提出一相關結構作實施例之說明。但下述 實施例之結構並非用以限制本揭露之保護範圍，第一基板11和第二基板12也可以分別是一彩色濾光片基板和薄膜電晶體基板，本揭露對此並不多作限制。
如第1A、1B圖所示，一實施例之第一基板11包括一第一基材111、一第一透明導電層115與一第一配向膜117位於第一透明導電層115上。其中第一配向膜117例如是聚醯亞胺(polyimide,PI)所構成，第一透明導電層115例如是一ITO層用以做為畫素電極。第一基板11更包括多條圖案化走線(patterned traces/conductive traces)112與複數TFT單元(圖未示)形成於第一基材111上，和一第一中間層113位於第一基材111和第一透明導電層115之間並覆蓋圖案化走線112；而第一基板11的層結構與配置為本技術領域人員所周知，故在此不多贅述。
如第1A圖所示，一實施例之第二基板12包括一第二基材121、一第二透明導電層125與一第二配向膜127位於第二透明導電層125上。其中第二配向膜127例如是聚醯亞胺所構成，第二透明導電層125例如是一ITO層。第二基板12例如更包括一遮光圖案層122(即，一般所稱的黑色矩陣BM)和一彩色光阻層123形成於第二基材121上。實施例中，第二基板12更包括複數間隔物(spacers)13，形成於第二透明導電層125上，且第二配向膜127係接觸並覆蓋間隔物13。第二基板12與第一基板11之間係藉由該些間隔物13的設置而維持實質上等距之間隔而令液晶層15填充其中。
再者，一第一偏光片14a和一第二偏光片14b係分別形成第一基材111和第二基材121之外側。
實施例中，顯示面板更包括複數個團聚物(agglomerates)183，係位於第一配向膜117與第二配向膜127之間並環設於間隔物13的外圍。一實施例中，如第1圖所示，團聚物183越接近間隔物13其聚集度(agglomeration)越高，越遠離間隔物13其聚集度越低。另外，一實施例中，團聚物183越接近所環設的間隔物13其聚合度(polymerization)越高，越遠離所環設的間隔物13其聚合度越低。再者，該些團聚物183構成之一分佈側面(distribution profile)183P係實質傾斜於間隔物13之一表面13a。
本揭露之功效說明請參照第2A圖和第2B圖。第2A圖為一傳統常黑(normal black)模式之顯示面板其間隔物外圍不具團聚物之簡示圖；其中，傳統常黑模式之顯示面板在暗態時，由於液晶分子251的長軸一般係以傾向垂直接觸面的方式排列且具有連續性，故當液晶分子251沿著間隔物23表面呈現大角度傾倒時，間隔物23旁將形成一漏光區域AL。第2B圖為實施例之顯示面板之間隔物外圍具有團聚物之簡示圖；其中，實施例之顯示面板有聚集之團聚物183結構產生，在暗態時一部分的液晶分子(即接近間隔物23的部分)可沿著團聚物183不平整的分佈側面183P而傾倒。相較於第2A圖中之液晶分子251，第2B圖中之液晶分子151於暗態時的預傾角因為該等團聚物的不平整表面結構影響，使得液晶分子151整體來說傾倒角度小於傳統顯示面板，而使間隔物13旁所形成的漏光區域AL’相較於AL更為縮減。
一實施例中，顯示面板例如是一高分子穩定配向型 (polymer stabilized alignment)之顯示面板，其製作係於兩基板之間置入液晶分子151、高分子單體的混合物；之後施加電場，使靠近第一配向膜117與第二配向膜127的液晶分子151產生一預傾角(即，液晶分子151的長軸會傾斜以垂直施加電場)；之後，在電場存在的情況下，利用適當強度的紫外光對混合物進行照射，使高分子單體由第一配向膜117、第二配向膜127表面開始聚合固化，由於高分子單體會依液晶分子長軸方向生長，因此，在適當的結構設計下，高分子單體聚合後所形成的聚合物可使液晶分子在各視域(domain)中產生均勻方向的配向。
此實施例中，高分子單體經過電場控制和紫外光照射後，係形成複數個高分子聚合物181均勻地分佈於第一配向膜117與第二配向膜127上而可以良好地控制液晶分子151的預傾角，達到顯示區域中配向的效果；同時，本實施例係透過電場控制與層結構的段差使得間隔物13外圍形成聚集度與聚合度均較大的複數個高分子團聚物(polymer agglomerates)183。由於高分子團聚物183所形成的不平整的分佈側面183P可壓制鄰近的液晶分子不會因為間隔物13的輪廓而大角度的傾倒，此外，由該些用以配向的高分子單體聚合形成的團聚物對於液晶分子151有更強的控制力以對抗液晶分子151因為間隔物13輪廓而傾倒的力量，進而縮減間隔物13旁之漏光區域。
因此，實施例之一高分子配向圖案層(polymer orientation pattern layer)係包括兩部份，除了配向膜上具高分子聚合物181的配向區域(orientation regions)AC，還包括了環設於間隔物13外圍具有高分子團聚物183的團聚區域(agglomeration regions)AA。更詳細地說，該團聚區域AA之一高分子聚合度(polymerization)大於定向區域AC之一高分子聚合度。
再者，實施例中配向區域AC中之高分子聚合物181的尺寸係為奈米等級，而團聚區域AA中之團聚物183的粒徑尺寸則達微米等級。因此，實施例中，團聚區域AA之一表面粗糙度係大於配向區域AC之一表面粗糙度。一實施例中，高分子聚合物181之尺寸例如不超過100nm。一實施例中，團聚物183之粒徑尺寸例如是0.1μm~2μm。
另外，如第1A圖所示，一實施例之間隔物13(例如圓柱或其它形狀)在第二基板12上的垂直投影(vertical projections)的一最大寬度若為D，則團聚區域AA在第二基板12上的一垂直投影寬度Da例如是D/2~D/4。
然而，本揭露並不僅限制於前述數值。實際應用時可依不同的結構需求而調整製程參數，以調整團聚物183之尺寸和分佈範圍(即，Da)，因而變化團聚物之粒徑尺寸和團聚區域AA在第二基板12上的垂直投影寬度，達到縮減漏光區域之目的。
再者，參第1B圖所示，在一實施例中，位於第一基材111與第一配向膜117之間的圖案化走線112例如是一閘極圖案或一儲存電容電極圖案，這些圖案化走線112係彼此間隔且沿一第一方向L1平行排列。一實施例中，如俯視顯示面板，間隔物13例如是延著圖案化走線112(如閘極)的延伸方向排列，因此團聚區域AA於第二基板12上的垂直投影(如寬度Da)係與圖案化走線112於第二基板12的垂直投影至少部分重疊，如圖所示。一實施例中，圖案化走線112在垂直第一方向的一最大徑寬DM 不小於10μm、不大於50μm。
實際應用時，有多種技術手段可形成實施例之團聚物。例如在高分子單體聚合過程中增加電場；或是圖案化透明導電層使圖案靠近間隔物，使間隔物周圍的電場強度增加；或是利用不同的照光強度，例如在UV入射方向處透過一(金屬)圖案遮光設計，而造成光照不均，以在間隔物13周圍產生聚合混亂。
以下係以圖示說明利用增加電場之方式形成實施例之團聚物。請同時參照第3A圖和第3B圖。第3A圖為一顯示面板進行高分子單體聚合時，液晶分子受電場F影響和排列之示意圖，其中液晶分子係沿著間隔物13表面13a預傾。第3B圖為一顯示面板進行高分子單體聚合時，液晶分子受電場F’影響和排列之示意圖，其中F’>F。如第3A、3B圖所示，在高分子單體進行聚合過程中增加電場，以提高液晶傾斜角度和加強將液晶推往間隔物13的外力，令間隔物13周圍液晶產生較嚴重的混亂排列，使鄰近單體聚合後可在間隔物13外圍形成異常(不同於高分子聚合物181不過於緊密分佈的狀況)聚集的團聚物183。
另一技術手段是透過透明導電層的圖案化與金屬圖案遮光的設計，使間隔物周圍的液晶分子排列更為混亂，以形成實施例之團聚物。請參照第4圖和第5圖。
第4圖係繪示本揭露第二實施例之一顯示面板之側視圖。相似於第一實施例，第4圖中顯示面板同樣具有一第一基板(例如TFT基板)41、一第二基板(例如CF基板)42和一液晶層45位於第一基板41和第二基板42之間。第一基板41包括一第一基材411、一第一透明導電層415(如ITO)與一第一配向膜417 位於第一透明導電層415上。第一基板41更包括多條圖案化走線(patterned traces/conductive traces)412形成於第一基材411上，和一第一中間層413位於第一基材411和第一透明導電層415之間並覆蓋圖案化走線412。類似地，第二基板42包括一第二基材421、一遮光圖案層(如黑色矩陣BM)422、一第二中間層423、一第二透明導電層(如ITO)425、一第二配向膜427位於第二透明導電層425上、和間隔物(spacers)43形成於第二透明導電層425上，且第二配向膜427係接觸並覆蓋間隔物43。
第二實施例中，第二透明導電層425具有複數個缺口(slits)，且各缺口係位於任兩個間隔物43之間。如第4圖所示，缺口49a、49b分別鄰近間隔物43設置，使高分子單體聚合過程中間隔物周圍的電場控制較容易，以在間隔物43周圍產生聚合混亂。因此，單體使經過電場控制和紫外光照射後，係產生具高分子聚合物481的配向區域(orientation regions)AC和具有高分子團聚物483的團聚區域(agglomeration regions)AA。其中，高分子團聚物483係環設於間隔物43外圍，其形成的分佈側面483P係傾斜於間隔物43之表面，以壓制鄰近的液晶分子使其更為直立，進而縮減間隔物43旁之漏光區域。
再者，高分子團聚物483越接近間隔物43的頂部(即，靠近第二基材421處)其聚集度(agglomeration)、聚合度(polymerization)越高(more intensive)，越遠離間隔物43的底部(即，靠近第一基材411處)其聚集度越低。一實施例中，團聚區域AA之一表面粗糙度係大於配向區域AC之一表面粗糙度。一實施例中，團聚物483之粒徑尺寸例如是0.1μm~2μm。
第5圖係繪示本揭露第三實施例之一顯示面板之側視圖。第三實施例與第二實施例之顯示面板結構相同，除了第二透明導電層425’在間隔物43旁沒有形成缺口，而是在第一透明導電層415’形成缺口49c，且間隔物43對應設置於缺口49c處。加上圖案化走線412的遮光效果(一般來說，UV入光側為薄膜電晶體基板側)，而此種結構可使高分子單體聚合過程中間隔物周圍的光照更不均勻、液晶分子排列更為無序，以在間隔物43周圍進行高分子聚合時產生聚合混亂，形成高分子團聚物於第一配向膜417與第二配向膜427之間並環設於間隔物43的外圍。如第5圖所示，在間隔物43外圍近第二配向膜427處有大量的高分子團聚物483，而在間隔物43外圍近第一配向膜417處有少量的高分子團聚物485。
綜上所述，實施例所提出之顯示面板係於間隔物外圍形成團聚物，使原本暗態時沿著間隔物表面傾倒的液晶分子有一部分(如接近第二配向膜127/427的部分)可沿著團聚物的分佈側面而傾倒，使該些液晶分子於暗態時的預傾角更為直立，進而縮減漏光區域，改善間隔物旁暗態漏光的情形。再者，實施例中形成團聚物的多種技術手段係與現有PSA製程相容性高，不會使製程複雜化和增加製造成本，十分適合量產。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧第一基板
111‧‧‧第一基材
112‧‧‧圖案化走線
113‧‧‧第一中間層
115‧‧‧第一透明導電層
117‧‧‧第一配向膜
12‧‧‧第二基板
121‧‧‧第二基材
122‧‧‧遮光圖案層
123‧‧‧第二中間層
125‧‧‧第二透明導電層
127‧‧‧第二配向膜
13‧‧‧間隔物
13a‧‧‧間隔物之表面
14a‧‧‧第一偏光片
14b‧‧‧第二偏光片
15‧‧‧液晶層
151‧‧‧液晶分子
181‧‧‧高分子聚合物
183‧‧‧團聚物
183P‧‧‧團聚物之分佈側面
AC‧‧‧配向區域
AA‧‧‧團聚區域
D‧‧‧間隔物在第二基板上垂直投影的最大寬度
Da‧‧‧團聚物在第二基板上的垂直投影寬度
DM‧‧‧圖案化走線的一最大徑寬

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括一第一配向膜；一第二基板，包括複數間隔物及一第二配向膜，該第二配向膜接觸並覆蓋於該等間隔物，該第二配向膜面向該第一配向膜，且該等間隔物令該第二基板與該第一基板呈實質等距間隔；一液晶層，夾設於該第一配向膜與該第二配向膜間；複數個團聚物(agglomerates)，位於該第一配向膜與該第二配向膜之間並環設於該等間隔物至少其中之一的外圍，該些團聚物之粒徑尺寸為0.1μm~2μm。
  2. 如請求項1之顯示面板，其中該些團聚物越接近所環設的該間隔物其聚集度(agglomeration)越高，越遠離所環設的該間隔物其聚集度越低。
  3. 如請求項1之顯示面板，其中該些團聚物之一分佈側面(distribution profile)係實質傾斜於該間隔物之一表面。
  4. 如請求項1之顯示面板，其中該等間隔物在該第二基板上的垂直投影的一最大寬度為D，而該些團聚物在該第二基板上的垂直投影在寬度D/2~D/4的範圍內。
  5. 如請求項1之顯示面板，其中該第一基板還包括一第一基材、複數圖案化走線(patterned traces/conductive traces)與複數TFT單元，該等圖案化走線位於該第一基材與該第一配向膜間，該些圖案化走線彼此間隔且沿一第一方向平行排列，該些團聚物於該第二基板的垂直投影與該些圖案化走線於該第二基板的垂直投影至少部分重疊。
  6. 如請求項5之顯示面板，其中該些圖案化走線在垂直該第一方向的一最大徑寬不小於10μm、不大於50μm。
  7. 如請求項1之顯示面板，其中該第二基板還包括一透明導電層，且該第二配向膜覆蓋於該透明導電層上，該透明導電層具有複數缺口(slits)分別位於任兩該間隔物之間。
  8. 如請求項1之顯示面板，其中，該第二基板還包括一第二基材、複數圖案化走線與複數TFT單元，該等圖案化走線與該等TFT單元位於該第二基材與該第二配向膜間，且該等圖案化走線彼此間隔並沿一第一方向平行排列，而該些團聚物於該第二基板的垂直投影與該些圖案化走線於該第二基板的垂直投影至少部分重疊。
  9. 如請求項8之顯示面板，其中該些圖案化走線在垂直該第一方向的一最大徑寬不小於10μm、不大於50μm。
  10. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括形成在一第一基材的一表面上的一第一配向膜；一第二基板，包括一第二基材與該第一基材間隔設置，並包括形成在該第二基材的一表面上的複數間隔物及一第二配向膜，該第二配向膜接觸並覆蓋於該等間隔物，該等間隔物位於該第一基材與該第二基材間而令該第一基材、第二基材實質等距間隔；一液晶層，夾設於該第一配向膜、第二配向膜間；一高分子定(/配)向圖案層(polymer orientation pattern layer)，分佈於該第一配向膜及該第二配向膜上並與該液晶層接 觸，包括：複數配向區域(orientation regions)；複數團聚區域(agglomeration regions)，該些團聚區域係分別被夾設於該些間隔物與該些定向區域間；其中，該高分子配向圖案層中，該團聚區域之一表面粗糙度係大於該配向區域之一表面粗糙度。
  11. 如請求項10之顯示面板，其中定義該些間隔物在該第二基板上的垂直投影的一最大寬度為D時，該些團聚區域之一在該第二基板上的一垂直投影寬度為D/4~D/2。
  12. 如請求項10之顯示面板，其中該高分子配向圖案層係由高分子單體反應構成，且該些團聚區域之一高分子聚合度(polymer agglomeration)大於該些定向區域之一高分子聚合度。
  13. 如請求項10之顯示面板，其中該些團聚區域之一包括複數團聚物，該些團聚物越接近所環設的該間隔物的一底部其聚集度(agglomeration)越高，越遠離該底部其聚集度越低。
  14. 如請求項10之顯示面板，其中該些團聚區域之一分佈側面(distribution profile)係實質傾斜於該間隔物之一側面。
  15. 如請求項10之顯示面板，其中該第一基板還包括複數圖案化走線(patterned traces/conductive traces)，該等圖案化走線位於一第一基材與該第一配向膜間，該些圖案化走線彼此間隔且沿一第一方向平行排列，該些團聚區域於該第二基板的垂直投影與該些圖案化走線於該第二基板的垂直投影至少部分重疊。
  16. 如請求項15之顯示面板，其中該些圖案化走線在垂直該第一方向的一最大徑寬不小於10μm、不大於50μm。
  17. 如請求項10之顯示面板，其中該第二基板還包括一透明導電層，且該第二配向膜覆蓋於該透明導電層上，該透明導電層具有複數缺口(slits)分別位於任兩該間隔物之間。
  18. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括一第一配向膜；一第二基板，包括複數間隔物及一第二配向膜，該第二配向膜接觸並覆蓋於該等間隔物，該第二配向膜面向該第一配向膜，且該等間隔物令該第二基板與該第一基板呈實質等距間隔；一液晶層，夾設於該第一配向膜與該第二配向膜間；複數個團聚物(agglomerates)，位於該第一配向膜與該第二配向膜之間並環設於該等間隔物至少其中之一的外圍，該些團聚物越接近所環設的該間隔物其聚合度(polymerization)越高，越遠離所環設的該間隔物其聚合度越低。
  19. 如請求項18之顯示面板，其中該第一基板還包括複數圖案化走線(patterned traces/conductive traces)與複數TFT單元，該等圖案化走線位於一第一基材與該第一配向膜間，該些圖案化走線彼此間隔且沿一第一方向平行排列，該些團聚物於該第二基板的垂直投影與該些圖案化走線於該第二基板的垂直投影至少部分重疊。
  20. 如請求項18之顯示面板，其中該第二基板還包括一透明導電層，且該第二配向膜覆蓋於該透明導電層上，該透明導電層具有複數缺口(slits)分別位於任兩該間隔物之間。
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