JP3193597U - 表示パネル及び表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示パネルの光漏れ現象を改善することができ、従って、表示品質を高めることができる表示パネル及びこの表示パネルを含む表示装置を提供する。【解決手段】表示パネル１００は、第一基板１１０と複数の凝集物（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｅ）１２０を含んでいる。第一基板は、表示領域Ａと、その表示領域に隣接している非表示領域Ｂとを有している。凝集物は第一基板上に位置している。非表示領域の少なくとも一部での凝集物の分布密度は、表示領域での凝集物の分布密度より大きくなっている。【選択図】図１Ａ

Description

本考案は、表示パネル及び表示装置に関し、特に、優れた表示品質を有する表示パネル及び表示装置に関する。
液晶ディスプレイは、すでに、携帯電話、ノートパソコン（ｎｏｔｅｂｏｏｋ）、タブレット型パソコン（Ｔａｂｌｅｔ ＰＣ）等の様々な電子機器に幅広く使用されている。また、大寸法のフラットパネルディスプレイの高速の発展に伴い、軽量化及び薄型化された液晶ディスプレイは、より重要な役割を果たすものとして、漸次、従来のブラウン管ディスプレイに置き換わりつつある。
垂直整列（ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルは、現在、フラットパネルディスプレイの主流の一つになってくる。しかし、垂直整列の液晶表示パネルには、表示品質に対する光漏れの影響が発生しやすい問題がある。
このため、優れた表示品質を有する垂直整列モードの液晶表示パネルを提供するのが、当分野の課題の一つとなっている。
上記課題を解決するために、本考案による表示パネルは、第一基板と複数の凝集物(ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｅｓ)を含み、第一基板は、表示領域と非表示領域とを有し、前記非表示領域が前記表示領域に隣接しており、複数の前記凝集物は、前記第一基板上に配置されており、前記非表示領域の少なくとも一部領域での前記凝集物の分布密度は、前記表示領域での前記凝集物の分布密度より大きくなっている。
上記課題を解決するために、本考案による表示装置は、表示パネルを含み、この表示パネルは、第一基板と、第二基板と、少なくとも一つの走査線と、少なくとも一つのデータ線と、走査領域と、配向層と、複数のスペーサーと、シール材と、複数の凝集物(ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｅｓ)とを有している。そのうち、前記第一基板と前記第二基板は対向して設置され、前記第一基板は、複数の画素を含む少なくとも一つの画素領域を有し、前記データ線と前記走査線は交差配置されて画素領域を区画し、前記走査線は前記画素領域の外側に位置しており、前記配向層は、前記第一基板と前記第二基板との間に配置され、前記複数のスペーサーは、前記第一基板と前記第二基板との間に配置され、且つ、前記液晶層が配置できるように、相互に間隔を空けて配置されており、前記凝集物は前記配向層上に形成され、前記走査領域の少なくとも一部での前記凝集物の分布密度は、前記画素領域での前記凝集物の分布密度より大きくなっている。
上記課題を解決するために、本考案による他の表示パネルは、第一基板と複数の凝集物(ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｅｓ)を含み、第一基板は、表示領域と非表示領域とを有し、前記非表示領域が前記表示領域に隣接しており、複数の前記凝集物は、前記第一基板上に配置され、複数の前記凝集物において、大きさが１０〜５０ｎｍである前記凝集物の、前記非表示領域での相互距離と前記表示領域での相互距離は異なっている。
以上のように、本考案による表示パネル及び表示装置によれば、非表示領域の少なくとも一部領域に位置する凝集物の分布密度が、表示領域に位置する凝集物の分布密度より大きくなっているため、非表示領域の透光性を低くして、表示パネルの光漏れ現象を改善することができ、従って、表示品質を高めることができる。
本考案の好ましい実施形態による表示パネルの上面構造を示す模式図である。 図１Ａの１Ｂ−１Ｂ'断面線による断面構造を示す模式図である。 本考案の他の好ましい実施形態による表示パネルの断面構造を示す模式図である。 本考案のまた他の好ましい実施形態による表示パネルの上面構造を示す模式図である。 本考案のさらなる他の好ましい実施形態による表示パネルの上面構造を示す模式図である。 本考案の好ましい実施形態による表示装置の分解構造を簡略して示す模式図である。 本考案の他の好ましい実施形態による表示装置の断面構造を示す模式図である。
以下図面を参照して、本考案による表示パネル及び表示装置の好ましい実施形態を説明する。ただし、本考案は、以下の実施形態に限定されない。なお、図面において、同じものには同じ符号を付して説明する。
まず、図１Ａ及び図１Ｂを参照して本考案の一つの好ましい実施形態を説明する。図１Ａは、本考案の一つの実施形態による表示パネル１００の上面構造を示す模式図であり、図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ'断面線による断面構造を示す模式図である。図１Ａ、図１Ｂに示すように、表示パネル１００は、第一基板１１０及び複数の凝集物１２０を含んでいる。第一基板１１０は、表示領域Ａ及び非表示領域Ｂを有し、非表示領域Ｂは、表示領域Ａに隣接して配置されている。表示領域Ａは、表示パネル１００において画像を表示する領域を指し、非表示領域Ｂは、表示パネル１００において画像を表示しない領域を指す。凝集物１２０は、第一基板１１０上に位置している。一例として、図１Ａに示すように、非表示領域Ｂは表示領域Ａの周りを囲んで設置されている。
ここで、少なくとも一部の非表示領域Ｂに位置している凝集物１２０の分布密度は、表示領域Ａに位置している凝集物１２０の分布密度とは異なっている。詳しく言うと、非表示領域Ｂ全体をみると、領域の各部分に位置する凝集物１２０の分布密度は必ずしも同じことではないため、ここでは、非表示領域Ｂの少なくとも一部の領域での凝集物１２０の分布密度が、表示領域Ａでの凝集物１２０の分布密度と同じではないことを指す。また、凝集物１２０は、不規則な形状、及び不規則な大きさで形成されている。本実施形態において、表示領域Ａは、例えば、画素領域における画像を表示する領域であり、非表示領域Ｂは、例えば、走査領域であってもよいが、それに限定されることでもない。例えば、非表示領域Ｂは、画像を表示しないいずれかの領域を含んでもよい。
一例として、非表示領域Ｂにおいて、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の分布密度が、大きさが１０〜５０ｎｍである凝集物１２０の分布密度と異なっている。詳しくは、例えば、非表示領域Ｂにおいて、大きさが１０〜５０ｎｍである凝集物１２０の分布密度が、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の分布密度より大きくなっている。
他の一例として、非表示領域Ｂの少なくとも一部領域（いずれかの局部領域）に位置している大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の相互距離は、表示領域Ａに位置している大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の相互距離と異なっている。例えば、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０であって、非表示領域Ｂで隣接しているいずれか二つの相互距離は、表示領域Ａで隣接しているいずれか二つの相互距離と異なっている。詳しくは、非表示領域Ｂで隣接しているいずれか二つの大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の相互距離は、表示領域Ａで隣接しているいずれか二つの大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の相互距離より小さくなっている。ここで、距離とは、最小距離または平均距離を指す。
また、非表示領域Ｂに位置している凝集物１２０は、特定の配列形式及び配向方向を有しておらず、即ち、凝集物１２０は、第一基板１１０上に不規則的に配列されている。但し、凝集物１２０は、表示領域Ａにおいては特定の配向方向を有しており、これにより、液晶が特定の方向に倒れるように案内する。
但し、製造工程中の光硬化ステップ及び電場印加の有無によって、異なる領域で不同の機能を有する凝集物１２０を形成することができる。凝集物１２０の非表示領域Ｂの少なくとも一部での分布密度は、不規則的に配列された凝集物１２０の表示領域Ａでの分布密度より大きくなっている。また、凝集性１２０は非表示領域Ｂにおいて特定の配向方向を有していないため、当該領域内の液晶が特定の方向に沿って倒れることもなく、当該領域が暗領域になるので、非表示領域Ｂの透光性を低減して、表示パネル１００の光漏れ現象を改善することができる。
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、表示パネル１００は、第二基板１３０、シール材１４０、液晶層１５０及び複数のスペーサー１６０をさらに含んでいる。第二基板１３０は、第一基板１１０に対向して配置され、液晶層１５０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に配置されている。シール材１４０は、第一基板１００と第二基板１３０との間に配置され、且つ非表示領域Ｂの外側に位置している。スペーサー１６０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に位置され、且つ、相互の間に間隔が形成され、その間隔に液晶層１５０が配置されるようになっている。複数のスペーサー１６０は、それぞれ異なる高さを有しているため、パネルが押圧された場合、異なる高さのスペーサー１６０を緩衝材として使うことができる。また、凝集物１２０は、液晶層１５０中の液晶分子と直接接触している。
なお、図面は、本考案の実施形態を明瞭に説明するためのもので、図面における凝集物１２０は、実際のものを均等比例で示したものではない。
本実施形態において、非表示領域Ｂに位置している凝集物１２０は、特定の案内方向の配向機能を有していないため、液晶分子を特定の方向に配向させる効果がない。このため、非表示領域Ｂにおいて、液晶層１５０における液晶分子は、様々な方向に向けて倒れることができ、これにより、非表示領域Ｂの透光度が低くなって、良好な暗領域を形成し、表示パネル１００の光漏れ現象を改善することができ、従って、表示領域での画像表示のコントラスト及び品質を高めることができる。
本実施形態によれば、凝集物１２０の大きさまたは形状に対しては特に限定がなく、実際の需要によって調整することができる。例えば、一例として、大きさが１０〜１００ｎｍである凝集物１２０は、非表示領域Ｂでの分布密度が、表示領域Ａでの密度より大きくなってもよい。他の一例として、同じ非表示領域Ｂにおいて、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の分布密度は、大きさが１０〜５０ｎｍである凝集物１２０の分布密度より大きくなってもよい。また他の例として、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０は、第一基板１１０上での分布密度が、第二基板１３０上での分布密度より小さくなってもよい。なお、凝集物１２０とは、特定の形状を有していないものであるため、ここで言う「大きさ（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）」は、直径、高さまたは幅であってもよく、または、それ以外の単一の凝集物１２０の大きさを表せる適切な要件であってもよい。
本実施形態において、表示パネル１００は、薄膜トランジスタ配列、及び第一基板１１０上に位置している色フィルター層をさらに含んでいる。他の実施例として、色フィルター層は、第二基板１３０上に配置されている。
本実施形態において、表示パネル１００は、少なくとも一つの配向層１７０をさらに含んでおり、配向層１７０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に配置されており、例えば、第一基板１１０上または第二基板１３０上に位置されている。凝集物１２０は、配向層１７０上に位置している。一例として、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、表示パネル１００は、二つの配向層１７０を有し、この二つの配向層１７０は、第一基板１００上及びと第二基板１３０上のそれぞれに形成されている。凝集物１２０は、第一基板１１０側の配向層１７０上に位置している。ここで、配向層１７０として、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）膜を使ってもよい。
本実施形態において、いろんな方法により凝集物１２０を形成することができる。例えば、液晶層１５０の形成時または配向層１７０の形成時に、その中に紫外線硬化性（ＵＶ ｃｕｒａｂｌｅ）単体を加え、第一基板１１０側または第二基板１３０側から紫外線を照射することで、第一基板１１０上または配向層１７０上に凝集物１２０を形成することができる。紫外線硬化性単体の光重合により形成された凝集物１２０の材質は、高分子ポリマ（ｐｏｌｙｍｅｒ）であり、領域によって重合度も異なっているため、領域ごとでの凝集物１２０の分布密度も異なっている。
一つの実施例として、表示パネル１００がナノ突起構造の垂直整列の液晶表示パネル（ｎａｎｏ−ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｅｄ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ)である場合を説明すると、凝集物１２０と配向層１７０の表面におけるナノ突起構造を、同じ単体原料で形成することができる。例えば、外部電場を持続的に印加する場合には、表示領域Ａにおける単体を重合反応させて、配向性のあるナノ突起構造を形成し、外部電場を印加しない場合には、非表示領域Ｂにおける単体を重合反応させて、特定の案内方向の配向機能を有さず、且つ不規則的に配列される凝集物１２０を形成する。これにより、表示領域Ａにおける配向性のあるナノ突起構造は、液晶分子が特定方向に配向されるように役立つことができる。一方、非表示領域Ｂにおける多くの凝集物１２０は、特定方向の配向を有しないため、非表示領域Ｂにある液晶分子が様々な方向に倒れるようにして、非表示領域Ｂを暗領域にすることで、表示パネル１００の光漏れの可能性を低減して、表示パネル１００のコントラスト及び品質を高めることができる。
以上の各領域における、配向性のあるナノ突起構造及び凝集物１２０は、いろんな方法により形成することができる。例えば、電極のパターン化設計により、非表示領域Ｂに対応する基板上に電極部を形成しないことで、単体が、紫外線による重合反応を行う際、電場の影響を受けないようにする。または、電場を持続的に提供し且つ紫外線照射を行う際、フォトマスクパターンを利用して非表示領域Ｂを遮蔽することで、非表示領域Ｂ内の単体が、外部電場を受けるときは紫外線重合反応を行わず、電場を解除した後に紫外線重合反応を再び行うようにする。
また、非表示領域Ｂに対する遮光設計は、フォトマスクパターンを付加して使う方法だけではなく、表示パネルが元々備えている部品の構造配置を利用して遮光効果を得ることもできる。例えば、非表示領域Ｂにおける金属配線（ｍｅｔａｌ ｗｉｒｉｎｇ）またはブラックマトリクス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）構造を利用して、非表示領域Ｂに対する紫外線の照射を遮断することができる。ここで、ブラックマトリクス構造を貫通孔のあるブラックマトリクスパターンの構造にすれば、紫外線が貫通孔を通過して非表示領域Ｂ内の単体に対し重合反応させるので、凝集物１２０の形成に有利になる。本実施形態において、色フィルター層を有しない基板側から紫外線照射を行うことが好ましい。
言い換えれば、非表示領域Ｂに、配向性のない不規則的に配列された凝集物１２０を大量に形成することで、液晶層１５０中に残存可能な単体をさらに消耗することができる。このため、反応未完了の単体が、液晶層１５０において極性のある雑物を吸着したり、非表示領域Ｂで配向性のある突起構造に重合されたりする状況を減少することができて、材料変質現象を少なくして、表示パネルのコントラスト及び品質を高めることができる。
次に、図２は、本考案の他の実施形態による表示パネル２００の断面模式図である。図２に示すように、複数の凝集物１２０は、第二基板１３０上に位置することもできる。本実施形態において、非表示領域Ｂ内の、第一基板１１０上に位置する凝集物１２０の分布密度と、第二基板１３０上に位置する凝集物１２０の分布密度は、異なっている。一例として説明すると、紫外線硬化性単体を光照射により重合させて凝集物１２０を形成する際、光照射側（光源に近づいた側）の基板上に位置する凝集物１２０の分布密度がより大きくなっており、そのサイズも大きくなっている。または、紫外線照射の焦点距離、波長範囲などを調整して、凝集物１２０の形成位置及び大きさを制御することができる。
一例として、同じく非表示領域Ｂに位置する、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０は、第一基板１１０上での分布密度が、第二基板１３０上での密度より小さくなっている。紫外線硬化性単体の光重合により凝集物１２０を形成する例からいうと、本実施形態では、第二基板１３０から紫外線を照射する。
次に、図３は、本考案のまた他の実施形態による表示パネル３００の上面構造を示す模式図である。図３に示すように、シール材１４０は、第一幅Ｗ１及び第一側辺１４０ｓを有し、この第一側辺１４０ｓを介して、非表示領域Ｂと隣接している。シール材１４０に隣接している非表示領域Ｂを二つの領域Ｂ１とＢ２に分けると、領域Ｂ１は、第一側辺１４０ｓからそれと第二幅Ｗ２の分の距離がある位置までの範囲を指し、ここで、第二幅Ｗ２は、第一側辺１４０ｓから第二側の辺Ｂ１ｓまでの距離であり、その距離は第一幅Ｗ１より小さくなっている。また、領域Ｂ２は、第二側の辺Ｂ１ｓからそれと第三幅Ｗ３の分の距離がある位置までの範囲を指し、ここで、第三幅Ｗ３は、第二側の辺Ｂ１ｓから第三側の辺Ｂ２ｓまでの距離であり、その距離は１倍の第一幅Ｗ１より大きく且つ２倍の第一幅Ｗ１より小さくなっている。
本実施形態において、第二基板１３０上に位置する凝集物１２０をみると、領域Ｂ１での分布密度と領域Ｂ２での分布密度が異なっている。大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の、領域Ｂ１での数が領域Ｂ２での数より多い。一例として、シール材１４０を硬化する際、光照射範囲及光の波長範囲を制御することで、単体に対しても同時に光照射して凝集物１２０を形成することができる。これにより、一回の光照射ステップでシール材１４０と凝集物１２０を同時に形成することができて、照射光のエネルギーを節約するだけではなく、シール材１４０の付近に位置する単体も一緒に反応されてサイズが大きい凝集物１２０を形成することもできて、表示パネルの光漏れをさらに減少することができる。
次に、図４は、本考案のまた他の実施形態による表示パネル４００の上面構造を示す模式図である。図４に示すように、非表示領域Ｂ’は、表示領域Ａ’に隣接配置されているものの、表示領域Ａ’の周りを囲んで配置されてはいない。凝集物１２０は、非表示領域Ｂ’の少なくとも一部での分布密度と、表示領域Ａ’での分布密度が異なっている。一例として、大きさが１０〜１００ｎｍである凝集物１２０の、非表示領域Ｂ’での分布密度は表示領域Ａ’での分布密度より大きくなっている。他の一例として、非表示領域Ｂ’に位置する凝集物１２０（大きさの制限無し）の分布密度は、表示領域Ａ’ に位置する凝集物１２０（大きさの制限無し）の分布密度より大きくなっている。
次に、図５は、本考案のまた他の実施形態による表示装置５００の分解構造を簡単に示す模式図であり、図６は、表示装置５００の断面構造の一部を示す模式図である。図５、図６では、本考案の実施形態をより明瞭に説明するために、一部の構成を省略または簡単化して示し、図面上の寸法は、実際の部品の寸法を均等比例で描いたものではないので、本考案の保護範囲を限定することはない。一例として、シール材１４０が基板１１０、１３０の側辺に直接隣接（または、切り整え）するように設計し、他の一例として、シール材１４０が基板１１０、１３０の側辺に直接隣接しないように設計してもよい。
図５、図６を参照してみると、表示装置５００は、表示パネル５００Ａを備えている。表示パネル５００Ａは、第一基板１１０、第二基板１３０、少なくとも一つのデータ線ＤＬ、少なくとも一つの走査線ＳＬ、走査領域Ｄ、配向層５７０、複数のスペーサー５６０、シール材５４０及び複数の凝集物１２０を有している。第一基板１１０と第二基板１３０は、対向して設置され、第一基板１１０は、少なくとも一つの画素領域Ｃを有し、画素領域Ｃは複数の画素Ｐを有している。データ線ＤＬと走査線ＳＬは、交差して画素Ｐを区画している。走査領域Ｄは、画素領域Ｃの外側に位置している。配向層５７０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に位置している。スペーサー５６０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に相互に間隔を空けて配置され、その間隔に、液晶層５５０を配置することができる。シール材５４０は、第一基板１１０と第二基板１３０との間に挟んで配置され、且つ走査領域Ｄの外側に位置している。凝集物１２０は、配向層５７０上に形成されており、走査領域Ｄの少なくとも一部に対応する分布密度が、画素領域Ｃに対応する分布密度より大きくなっている。
本実施形態において、表示パネル５００Ａは、例えば、二つの配向層５７０を有し、二つの配向層５７０は、それぞれ、第一基板１１０上と第二基板１３０上に形成されており、凝集物１２０は、第一基板１１０と第二基板１３０上にある少なくとも一つの配向層５７０上に形成されている。前述した、凝集物１２０が走査領域Ｄの少なくとも一部及び画素領域Ｃに対応するとは、凝集物１２０が第一基板１１０上の配向層５７０または第二基板１３０上に配向層５７０上に形成されているということに限定されず、ただ凝集物１２０が形成されている領域範囲を示すことである。
図５、図６に示すように、表示装置５００は、ブラックマトリクス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ、ＢＭ）５８０、薄膜トランジスタ配列５９０及び色フィルター層５９１をさらに備えている。薄膜トランジスタ配列５９０及び色フィルター層５９１は、第一基板１１０上に位置し、ブラックマトリクス５８０は第二基板１３０上に位置している。本実施形態において、走査領域Ｄは、例えばゲート線駆動回路（ｇａｔｅ ｏｎ ｐａｎｅｌ、ＧＯＰ）またはデータ線駆動回路のような、パネル上駆動部材（ｄｒｉｖｅｒ ｏｎ ｐａｎｅｌ）５８５をさらに備えてもよい。ゲート線駆動回路及びデータ線駆動回路は、パネル上に同時に設置されてもよいし、それぞれ単独に設置されてもよい。図面には一組のゲート線駆動回路しか示されていないが、設計の需要によって、複数組のゲート線駆動回路または複数組のデータ線駆動回路を設置してもよい。
一例として、走査領域Ｄにおいて、第一基板１１０上に位置する凝集物１２０の分布密度は、第二基板１３０上に位置する凝集物１２０の分布密度と異なっている。
一例として、同じ走査領域Ｄにおいて、大きさが１０〜５０ｎｍである凝集物１２０の分布密度は、大きさが５０〜１００ｎｍである凝集物１２０の分布密度より大きくなっている。
一例として、図３、図５、図６に示すように、シール材５４０は、第一幅Ｗ１及び第一側辺５４０ｓを有し、この第一側辺５４０ｓを介して走査領域Ｄと隣接している。シール材１４０に隣接している走査領域Ｄを二つの領域に分けると、一つの領域は、第一側辺５４０ｓからそれと第二幅Ｗ２の分の距離がある位置までの範囲を指し、ここで、第二幅Ｗ２は第一幅Ｗ１より小さくなっており、他の一つの領域は、前記一つの領域の側辺からそれと第三幅Ｗ３の分の距離がある位置までの範囲を指し、ここで、第三幅Ｗ３は、１倍の第一幅Ｗ１より大きく且つ２倍の第一幅Ｗ１より小さくなっている。本実施形態において、第二基板１３０上に位置し且つ走査領域Ｄの前記二つの領域における凝集物１２０の分布密度は、不同になっている。
以上のように、本考案による表示パネル及び表示装置によれば、非表示領域の少なくとも一部領域に位置する凝集物の分布密度が、表示領域に位置する凝集物の分布密度より大きくなっているため、非表示領域の透光性を低くして、表示パネルの光漏れ現象を改善することができ、従って、表示品質を高めることができる。
本考案は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる形態例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本考案の技術的範囲に含まれる。
１００、２００、３００、４００、５００Ａ 表示パネル
１１０ 第一基板
１２０ 凝集物
１３０ 第二基板
１４０、５４０ シール材
１４０ｓ、５４０ｓ 第一側辺
１５０、５５０ 液晶層
１６０、５６０ スペーサー
１７０、５７０ 配向層
５００ 表示装置
５８０ ブラックマトリクス
５８５ パネル上駆動部材
５９０ 薄膜トランジスタ配列
５９１ 色フィルター層
１Ｂ−１Ｂ 断面線
Ａ、Ａ’ 表示領域
Ｂ、Ｂ’ 非表示領域
Ｃ 画素領域
Ｄ 走査領域
ＤＬ データ線
Ｐ 画素
ＳＬ 走査線
Ｗ１ 第一幅
Ｗ２ 第二幅
Ｗ３ 第三幅

Claims (20)

  1. 表示領域と非表示領域とを有し、前記非表示領域が前記表示領域に隣接している第一基板と、
    前記第一基板上に配置されている複数の凝集物と、を含み
    前記凝集物の、前記非表示領域の少なくとも一部領域での分布密度は前記表示領域での分布密度より大きい、ことを特徴とする表示パネル。
  2. 複数の前記凝集物において、大きさが１０〜１００ｎｍである前記凝集物の、前記非表示領域での分布密度は前記表示領域での分布密度より大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 複数の前記凝集物において、大きさが１０〜５０ｎｍである前記凝集物の前記非表示領域での分布密度は、大きさが５０〜１００ｎｍである前記凝集物の前記非表示領域での分布密度より大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記第一基板に対向配置されている第二基板と、
    前記第一基板と前記第二基板との間に配置されている配向層と、をさらに有し、
    複数の前記凝集物は、前記配向層上に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記第一基板に対向配置されている第二基板をさらに有し、
    複数の前記凝集物は、前記第二基板上に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  6. 前記非表示領域において、複数の前記凝集物の、前記第一基板上での分布密度と前記第二基板上での分布密度は異なっている、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  7. 前記第一基板と前記第二基板との間に挟まれて配置され且つ前記非表示領域の外側に位置しているシール材をさらに有し、
    前記シール材は、第一幅及び前記非表示領域に隣接している第一側辺を有し、
    前記第二基板上に位置している前記凝集物の、前記第一側辺から前記第一幅の１倍分の距離までの範囲内の分布密度は、前記第一側辺と前記第一幅の１倍分の距離がある位置から前記第一側辺と前記第一幅の３倍分の距離がある位置までの範囲内の分布密度とは異なっている、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  8. 前記非表示領域に位置している複数の前記凝集物において、大きさが５０〜１００ｎｍである前記凝集物の、前記第一基板上での分布密度は前記第二基板上での分布密度より小さい、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  9. 前記第一基板と前記第二基板との間に位置している液晶層と、
    前記第一基板と前記第二基板との間に位置し、前記液晶層が配置できるように、相互に間隔を空けて配置されている複数のスペーサーと、をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  10. 前記第一基板上に配置されている薄膜トランジスタ配列と色フィルター層をさらに有する、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  11. 表示パネルを備える表示装置であって、
    前記表示パネルは、
    複数の画素を含む少なくとも一つの画素領域を有する第一基板と、
    前記第一基板に対向配置されている第二基板と、
    交差配置されて前記画素領域を区画する、少なくとも一つのデータ線及び少なくとも一つの走査線と、
    前記画素領域の外側に位置している走査領域と、
    前記第一基板と前記第二基板との間に配置されている配向層と、
    前記第一基板と前記第二基板との間に、液晶層が配置できるように相互に間隔を空けて配置されている複数のスペーサーと、
    前記第一基板と前記第二基板との間に配置され、且つ前記走査領域の外側に位置されているシール材と、
    前記配向層上に形成されている複数の凝集物と、を有し、
    複数の前記凝集物の、前記走査領域の少なくとも一部での分布密度は、前記画素領域での分布密度より大きい、
    ことを特徴する表示装置。
  12. 前記走査領域には、ゲート線駆動回路またはデータ線駆動回路を有している、ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
  13. 前記走査領域において、複数の前記凝集物の、前記第一基板上での分布密度と前記第二基板上での分布密度は異なっている、ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
  14. 複数の前記凝集物において、大きさが１０〜５０ｎｍである前記凝集物の前記走査領域での分布密度は、大きさが５０〜１００ｎｍである前記凝集物の前記走査領域での分布密度より大きい、ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
  15. 前記シール材は、第一幅及び前記走査領域に隣接している第一側辺を有し、
    前記第二基板上に位置している前記凝集物の、前記第一側辺から前記第一幅の１倍分の距離までの範囲内の分布密度は、前記第一側辺と前記第一幅の１倍分の距離がある位置から前記第一側辺と前記第一幅の３倍分の距離がある位置までの範囲内の分布密度とは異なっている、ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  16. 前記第二基板上に配置されているブラックマトリクスと、
    前記第一基板上に配置されている薄膜トランジスタ配列と、をさらに備える、ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  17. 表示領域と非表示領域とを有し、前記非表示領域が前記表示領域に隣接している第一基板と、
    前記第一基板上に配置されている複数の凝集物と、を含み
    複数の前記凝集物において、大きさが１０〜５０ｎｍである前記凝集物の、前記非表示領域での相互距離と前記表示領域での相互距離は異なっている、ことを特徴とする表示パネル。
  18. 前記第一基板に対向配置されている第二基板と、
    前記第二基板上に位置している複数の凝集物と、をさらに有する、ことを特徴とする請求項１７に記載の表示パネル。
  19. 前記非表示領域に位置している複数の前記凝集物において、大きさが５０〜１００ｎｍである前記凝集物の、前記第一基板上での分布密度は前記第二基板上での分布密度より小さい、ことを特徴とする請求項１８に記載の表示パネル。
  20. 前記第一基板と前記第二基板との間に挟まれて配置され且つ前記非表示領域の外側に位置しているシール材をさらに有し、
    前記シール材は、第一幅及び前記非表示領域に隣接している第一側辺を有し、
    前記第二基板上に位置している前記凝集物の、前記第一側辺から前記第一幅の１倍分の距離までの範囲内の分布密度は、前記第一側辺と前記第一幅の１倍分の距離がある位置から前記第一側辺と前記第一幅の３倍分の距離がある位置までの範囲内の分布密度とは異なっている、ことを特徴とする請求項１８に記載の表示パネル。


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