JP2007171560A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】セル厚を均一化することが可能な液晶装置を提供する。
【解決手段】隣接するサブ画素間の領域41に形成された遮光膜20と、サブ画素40から遮光膜20の表面にかけて形成されたカラーフィルタの色材層22と、非表示領域9bに形成された周辺遮光膜15と、を有する液晶装置であって、遮光膜20は、色材層22より薄く形成され、周辺遮光膜15の表面に、複数の線状の周辺色材層23が形成されている。その周辺色材層23は、枠状に形成されていることが望ましい。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。
一対の基板により液晶層を挟持した液晶装置が利用されている。
図11は、従来技術に係る液晶装置の断面図である。一般に液晶装置は、互いに対向配置された一対の基板2,3と、一対の基板間に挟持された液晶層26と、液晶層26の配向制御単位となるサブ画素40と、隣接するサブ画素間の領域41に形成された遮光膜20と、サブ画素40内から遮光膜20の表面にかけて形成されたカラーフィルタの色材層22とを有している(例えば、特許文献1参照)。この液晶装置では、複数のサブ画素40が整列配置されて、表示領域9aが構成されている。その表示領域9aの外側の非表示領域9bには周辺遮光膜15が形成されて、見切り部が構成されている。
上述した液晶装置では、基板表面の段差を緩和するため、オーバーコート膜(平坦化膜)24が形成されている。そして一対の基板間にスペーサ27が配置され、液晶装置のセル厚が規制されている。
特開2003−344843号公報
しかしながら、上述した液晶装置では、サブ画素間領域41に遮光膜20および色材層22が積層配置され、サブ画素40には色材層22のみが配置される。そのため、オーバーコート膜24の表面におけるサブ画素間領域41とサブ画素40との間に段差が残る。これにより、表示領域9aのセル厚が不均一となり、コントラストが低下するという問題がある。
また上述した液晶装置では、表示領域9aのサブ画素間領域41に遮光膜20および色材層22が積層配置され、非表示領域9bには周辺遮光膜15のみが配置される。そのため、表示領域9aにおけるオーバーコート膜24の表面の高さと、非表示領域9bにおけるオーバーコート膜24の表面の高さとの間に差が残る。なお表示領域9aのセル厚は、サブ画素間領域41に配置されたスペーサ27によって規制されるので、非表示領域9bのセル厚より大きくなる。これにより、表示領域9aの中央部から周辺部にかけてセル厚が変化することになり、表示領域9aの周辺部において表示ムラを生じるという問題がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、セル厚を均一化することが可能な液晶装置の提供を目的とする。また、表示品質に優れた電子機器の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、複数のサブ画素が設けられ互いに対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうち一方の基板において、前記サブ画素内から、前記複数のサブ画素のうち隣接する前記サブ画素間の領域にかけて形成された色材層と、前記一方の基板において、前記サブ画素間の領域に形成された、前記色材層より厚さの薄い遮光膜と、前記一方の基板において、前記複数のサブ画素が整列配置された表示領域の周辺の非表示領域に形成された周辺遮光膜と、前記周辺遮光膜上に形成された複数の線状の周辺色材層と、前記周辺色材層上に形成されたオーバーコート膜と、を備え、前記表示領域と前記非表示領域の境界において、前記周辺遮光膜上に前記色材層が乗り上げて形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、遮光膜が色材層より薄く形成されているので、遮光膜および色材層が積層形成されたサブ画素間領域と、色材層のみが形成されたサブ画素との間の段差を小さくすることが可能になる。また、周辺遮光膜の表面に複数の線状の周辺色材層が形成されているので、隣接する周辺色材層の内側にオーバーコート膜が蓄積される。これにより、非表示領域におけるオーバーコート膜の高さを確保することができるので、非表示領域と表示領域との高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル厚を均一化することができる。ここで、「周辺遮光膜上」とは、基板に対し液晶層側のことを言う。
また、色材層が乗り上げて形成される領域の方が重ねて形成される領域よりも高さが低くなる。よって、境界のほうが非表示領域における周辺色材層形成領域よりも高さが低くなるため、表示領域から非表示領域にかけての高さの変化が緩やかになり、急激に変化することがない。従って、高さの変化が表示に与える影響をより少なくできる。
また前記周辺色材層は、枠状に形成されていることが望ましい。
この構成によれば、枠状の周辺色材層の内側にオーバーコート膜を蓄積することができるので、非表示領域と表示領域との高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル厚を均一化することができる。
また前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層のピッチは、前記所定方向に隣接する前記遮光膜のピッチより、狭くなっていることが望ましい。
また前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層の間隔は、前記所定方向に隣接する前記遮光膜の間隔より、狭くなっていることが望ましい。
これらの構成によれば、隣接する周辺色材層の内側にオーバーコート膜を蓄積することができるので、非表示領域と表示領域との高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル厚を均一化することができる。
また前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層のピッチは、前記表示領域の近傍に位置する周辺色材層同士のピッチよりも、前記表示領域から離れて位置する周辺色材層同士のピッチの方が広くなっていることが望ましい。
この構成によれば、表示領域から非表示領域にかけて段階的に高さが変化するため、表示部に隣接する非表示領域において高さが急激に変化することがない。
また前記液晶装置は、前記液晶層の層厚を規制する複数のスペーサを有し、前記表示領域における前記スペーサは、前記遮光膜および前記色材層と平面視において重なるように配置され、前記非表示領域における前記スペーサは、前記周辺遮光膜および前記周辺色材層と平面視において重なるように配置されていることが望ましい。
この構成によれば、表示領域におけるスペーサと非表示領域におけるスペーサとを同等の高さに形成して、液晶装置のセル厚を均一化することができる。
また、前記遮光膜の厚さdbk、前記遮光膜の幅Wbk、および隣接する前記遮光膜の間隔Cbkが、数式1を満たすように形成されていることが望ましい。
Figure 2007171560
ただし、a=0.5、b=0.02、β=0.1の定数である。
この構成によれば、サブ画素間領域とサブ画素との間の段差を小さくすることが可能になり、画素内でセル厚を均一化することができ、コントラストの向上が図れる。
また、前記遮光膜の厚さdbk、前記遮光膜の幅Wbk、隣接する前記遮光膜の間隔Cbk、前記周辺色材層の厚さdcf、前記周辺色材層の幅Wcf、および隣接する前記周辺色材層の間隔Ccfが、数式2を満たすように形成されていることが望ましい。
Figure 2007171560
ただし、a=0.5、b=0.02、α=0.16、β=0.1の定数である。
この構成によれば、非表示領域と表示領域との高さの差を小さくすることが可能になり、液晶装置のセル厚を均一化することができ、表示領域の周辺部の色ムラを防ぐことができる。
一方、本発明に係る電子機器は、上述した液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、セル厚を均一化することが可能な液晶装置を備えているので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(液晶装置)
図1は、液晶装置の全体構成を示す平面図である。本実施形態の液晶装置は、パッシブマトリクス方式の透過型カラー液晶装置であって、液晶層への印加電圧がOFF(非印加)状態で黒表示を示すノーマリーブラックモードの液晶装置である。
図1に示すように、本実施形態の液晶装置1は、平面視矩形状の下基板(第2基板)2および上基板(第1基板)3を備えている。これらの下基板2および上基板3は、シール材4を介して対向配置されている。シール材4の一部は各基板2,3の一辺(図1における上辺)側で開口して液晶注入口5となっており、双方の基板2,3とシール材4とに囲まれた空間内にSTN(Super Twisted Nematic)液晶などからなる液晶が封入され、液晶注入口5が封止材6によって封止されている。本実施形態では、下基板2よりも上基板3の外形寸法の方が大きく、下基板2と上基板3の1辺(図1における上辺、右辺、左辺)では縁が揃っているが、下基板2の残りの1辺(図1における下辺)からは上基板3の周縁部が張り出すように配置されている。そして、上基板3の下辺側の端部には、下基板2及び上基板3の双方の電極を駆動するための駆動用半導体素子7が実装されている。
符号8で示す破線は、表示領域9aと非表示領域9bとの境界線である。ここで、当該境界線8よりも内側(中央側)は、画像表示を行うための表示領域9aである。表示領域9aは、複数の画素がマトリクス状に配列された領域であって、実際に表示に寄与する領域のことを言う。一方、境界線8の外側(周辺側)は、表示領域9aの外部に位置する非表示領域9bであり、表示には寄与しない領域である。また、非表示領域9bには、周辺見切りとして機能する周辺遮光膜15が設けられている。
本実施形態の場合、図1に示すように、上基板3に、図中縦方向に帯状に延在する複数のセグメント電極11がストライプ状に形成されている。一方、下基板2には、セグメント電極11と直交するように図中横方向に帯状に延在する複数のコモン電極10がストライプ状に形成されている。ここで、セグメント電極11とコモン電極10とが互いに交差することにより、平面的に見て重なり合った矩形状の領域が形成され、当該領域が画像表示単位となる「サブ画素」40を構成している。また、本明細書では、隣接する2つのサブ画素40に挟まれた領域を「サブ画素間領域」と呼ぶ。詳細は後述するが、表示領域9aにおける複数のサブ画素40の各々には、カラー表示を行うべく、カラーフィルタのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色からなる色材層が設けられている。当該色材層は、各画素から出射される光を着色するものである。そして、R、G、Bの3個のサブ画素40で画面上の1つの画素が構成されている。
(遮光膜、周辺遮光膜)
図2は、図1のP部における下基板の平面図である。なお図2では、上基板に形成されたセグメント電極11を一点鎖線で示している。また図2では、サブ画素40の短手方向(紙面横方向)をX方向とし、長手方向(紙面縦方向)をY方向としている。図2に示すように、セグメント電極11とコモン電極10とが交差する領域に、サブ画素40が構成されている。
本実施形態では、X方向に隣接するサブ画素40に挟まれてY方向に延在するサブ画素間領域41yと、Y方向に隣接するサブ画素40に挟まれてX方向に延在するサブ画素間領域41xとに対応して、格子状の遮光膜20が形成されている。この遮光膜20は、光吸収性の高い黒色のカーボン等が分散された感光性を有する樹脂材料等で構成されている。また遮光膜は、Cr等の黒色金属からなる下層膜と、樹脂材料からなる上層膜との積層構造としてもよい。このように各遮光膜を、樹脂材料を含んで構成することにより、遮光膜の膜厚を自在かつ容易に設定することができる。
また、表示領域9aの周辺の非表示領域9bには、周辺遮光膜15が設けられている。この周辺遮光膜15は、上述した遮光膜20と一体的に連続形成されている。
(色材層)
図2に示すように、各サブ画素40に対応して、カラーフィルタの色材層22(赤色色材層22R、緑色色材層22G、青色色材層22B)が設けられている。各色材層22は、それぞれ所定波長の光を透過する感光性樹脂材料によって構成されている。本実施形態の色材層22の配列パターンは、いわゆる縦ストライプと呼ばれるものである。すなわち、Y方向に並ぶサブ画素40に対して同色の色材層22が配置され、横方向に並ぶサブ画素に対して異なる色の色材層22R,22G,22Bが順番に繰り返し配置されている。
図3は、図2のA−A線における断面図である。図3に示すように、サブ画素40の内側全体に色材層22を配置するため、サブ画素40内から遮光膜20の表面にかけて色材層22が形成されている。すなわち、色材層22の端部が遮光膜20の端部に乗り上げている。この色材層22は、色純度を高めるため、1.2〜2.0μm程度の厚さに形成されている。これに対して遮光膜20は、色材層22の厚さより薄く、0.8〜1.0μm程度の厚さに形成されている。これにより、遮光膜20および色材層22が積層形成されたサブ画素間領域41と、色材層22のみが形成されたサブ画素40との段差を小さくすることができる。これにより、サブ画素内がより平坦になり、特にコントラストが向上する。
また表示領域9aと非表示領域9bの境界において、周辺遮光膜15上に色材層22が乗り上げて形成されている。色材層22が周辺遮光膜15に乗り上げて形成される境界領域の高さは、次述する周辺色材層23が周辺遮光膜15に重ねて形成される非表示領域9bの高さよりも低くなる。よって、表示領域9aから非表示領域9bにかけての高さの変化が緩やかになり、急激に変化することがない。従って、高さの変化が表示に与える影響をより少なくできるようになっている。
また下基板2の内面には、色材層22等の機能膜による段差を平坦化するとともに、色材層22の表面を保護するため、アクリル等の樹脂やシリコン酸化膜等の無機膜などからなるオーバーコート膜24(平坦化膜)が形成されている。さらに、オーバーコート膜24上に、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと略記する)等の透明導電膜からなるコモン電極10と、ポリイミド等からなる配向膜25とが順次形成されている。なお色材層及び遮光膜と基板本体との間に下地膜等が存在していても良い。
(周辺色材層)
ところで、非表示領域9bの周辺遮光膜15は、遮光膜20と同等の厚さに形成される。そのため、色材層22および/または遮光膜20が形成される表示領域9aと、周辺遮光膜15のみが形成される非表示領域9bとの高さの差が大きくなるという問題がある。
そこで、非表示領域9bにおける周辺遮光膜15の表面に、周辺色材層23が形成されている。この周辺色材層23は、各色材層22R,22G,22Bのうちいずれか1種類または複数種類の色材層を用いて、色材層22と同等の厚さに形成されている。なお、周辺遮光膜15と周辺色材層23との間に、SiO等の膜を形成しても良い。
図2に示すように、周辺色材層23は平面視(基板の法線方向から見た場合)において連続する線状に形成されている。本実施形態では、X方向(サブ画素40の短手方向)に延びる線状の周辺色材層23xが複数形成されて、Y方向(サブ画素40の長手方向)に並列配置されている。また、Y方向に延びる線状の周辺色材層23yが複数形成されて、X方向に並列配置されている。これにより、本実施形態の周辺色材層23は矩形枠状(格子状)に形成されている。なお周辺色材層23は、矩形枠状以外の多角形(例えば六角形)枠状に形成されていてもよい。
周辺色材層23xのY方向の配列ピッチPy2は、遮光膜20のY方向の配列ピッチPy1と同等になっている。これに対して、周辺色材層23yのX方向の配列ピッチPx2は、遮光膜20のX方向の配列ピッチPx1より小さくなっている。例えば、周辺色材層23yの配列ピッチPx2は、遮光膜20の配列ピッチPx1の半分程度に設定されている。なお周辺色材層23yのX方向の間隔Wx2も、遮光膜20のX方向の間隔Wx1より小さくなっている。
そして図3に示すように、周辺遮光膜15および周辺色材層23を覆うように、上述したオーバーコート膜24が形成されている。本実施形態では、周辺遮光膜の表面に複数の線状の周辺色材層が形成されているので、隣接する周辺色材層の内側にオーバーコート膜が蓄積される。これにより、非表示領域におけるオーバーコート膜の高さを確保することが可能になり、非表示領域と表示領域との間の高さの差を小さくすることができる。
(関係式)
オーバーコート膜24の表面形状は、様々なパラメータによって決定される。
図4は、図3の下基板の部分拡大図である。なお、図4では各層の断面形状を図案化して示しているが、実際にはオーバーコート膜24上の角部がなだらかに形成される。図4に示すように、サブ画素間領域41とサブ画素40との間に形成される段差Rは、遮光膜20の高さdbkに比例すると考えられる。また段差Rは、遮光膜20の幅をWbkとした場合に、1−EXP(−a・Wbk)に比例すると考えられる。また段差Rは、隣接する遮光膜の間隔をCbkとした場合に、1−EXP(−b・Cbk)に比例すると考えられる。そこで段差Rは、a,b,βを定数として、以下の数式3で示すことができる。
Figure 2007171560
なお数式3による段差Rの計算値は、a=0.5、b=0.02、β=0.1とした場合に、実測値とよく一致することが見出されている。
サブ画素間領域41とサブ画素40との間の段差Rが大きくなると、セル厚が不均一になって光漏れが発生し、表示領域のコントラストが低下する。本願の発明者は、dbk、WbkおよびCdkの値を変化させて様々な液晶装置を試作し、表示領域のコントラストを評価した。
図5は、液晶装置の実施例および比較例の諸元および評価結果の一覧表である。比較例1では、段差Rの計算値が0.11となり、コントラストの判定がNGとなっている。これに対して、比較例2および実施例1〜8では、段差Rの計算値が0.05〜0.08となり、コントラストの判定がOKとなっている。この結果から、段差Rの計算値が0.1未満の場合に、表示領域のコントラストがとれることが確認された。すなわち、次の数式4を満たすように、dbk、WbkおよびCdkを決定すればよい。
Figure 2007171560
これにより、サブ画素間領域とサブ画素との間の段差Rを小さくすることが可能になり、液晶装置のセル厚を均一化することができる。
なお図4において、周辺色材層23の形成領域と非形成領域との間に形成される段差Sについても、上記と同様に考えることができる。すなわち、周辺色材層23の高さをdcf、幅をWcf、隣接する周辺色材層23の間隔をCcfとすれば、段差Sは、a,b,αを定数として、以下の数式5で示すことができる。
Figure 2007171560
なお数式5による段差Sの計算値は、a=0.5、b=0.02、α=0.16とした場合に、実測値とよく一致することが見出されている。
そして、表示領域と非表示領域との高さの差Tは、以下の数式6で示すことができる。
Figure 2007171560
表示領域と非表示領域との高さの差Tが大きくなると、表示領域の中央部と周辺部との間にセル厚の差が生じ、表示領域の周辺部に表示ムラが発生する。本願の発明者は、dcf、WcfおよびCcfの値を変化させて様々な液晶装置を試作し、表示領域の周辺ムラを評価した。
図5に示すように、比較例1ではTの計算値が0.07となり、比較例2ではTの計算値が0.05となって、いずれも周辺ムラの判定がNGとなっている。これに対して、実施例1〜8では、Tの計算値が−0.04〜0.04となり、周辺ムラの判定がOKとなっている。この結果から、−0.05<T<0.05の場合に、周辺ムラの判定がOKとなることが確認された。すなわち、次の数式7を満たすように、dbk、WbkおよびCdkに加えて、dcf、WcfおよびCcfを決定すればよい。
Figure 2007171560
これにより、非表示領域と表示領域との高さの差Tを小さくすることが可能になり、液晶装置のセル厚を均一化することができる。
図3に戻り、上基板3は、ガラスやプラスチック等の透光性材料からなる基板本体3Aを備えている。その基板本体3Aの内面の表示領域9aには、ITO等の透明導電膜からなるセグメント電極11が形成され、非表示領域9bには引回し電極48が形成されている。この引回し電極48は、下基板2上の電極を上基板3側に上下導通した後に、上基板3上で端子まで配線を引き回す電極のことである。なお、引き回し電極48とコモン電極10との間でも電圧がかかるため、黒色の周辺遮光部15上に反射膜が形成されている場合は、液晶の配向状態が変化して反射表示時に光が見えてしまう場合がある。しかし、非表示領域に反射膜が形成されない構成とすれば、液晶の配向状態が変化した場合でも、黒色の周辺遮光部15により光が吸収されるため、光が見えてしまうことはない。
そして、これらのセグメント電極11および引回し電極48を覆うように、ポリイミド等からなる配向膜28が形成されている。
そして、上基板3と下基板2との間に液晶層26が挟持されている。液晶層26のセル厚は、樹脂材料等からなる柱状スペーサ27によって規制されている。この柱状スペーサ27は、上基板3の内面に立設され、その先端部が下基板2の内面に当接されている。表示領域9aにおける柱状スペーサ27aは、遮光膜20および色材層22と平面視において重なるように、サブ画素間領域41に配置されている。また非表示領域9bにおける柱状スペーサ27bは、周辺遮光膜15および周辺色材層23と平面視において重なるように配置されている。これにより、表示領域9aにおける柱状スペーサ27aと非表示領域9bにおける柱状スペーサ27bとを同等の高さに形成して、液晶装置のセル厚を均一化しうるようになっている。
その他、図3に示すように、下基板2の外面側に位相差板30、偏光板31が基板側からこの順に設けられており、さらに、偏光板31の外面側にはバックライト(照明手段)38が設けられている。バックライト38は、冷陰極管、発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)等の光源と反射板と導光板とを有している。また、上基板3の外面側には、前方散乱板35、位相差板32、偏光板33が基板側からこの順に設けられている。この前方散乱板35により、画像光を拡散して出射しうるようになっている。なお、前方散乱板に代えて、上基板3の外面側に前方散乱層を設けることもできる。
(液晶装置の製造方法)
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明する。
まず図3に示すように、基板本体2Aの表面に遮光膜20および周辺遮光膜15を形成する。具体的には、まず基板本体2Aの表面全体に黒色樹脂の液状体を塗布し、各遮光膜のパターンが描画されたフォトマスクを介して露光および現像することにより、各遮光膜を形成する。
次に、色材層22および周辺色材層23を形成する。具体的には、複数の色材層22R,22G,22Bのうちいずれか一つの色材層(第1の色材層)の材料液を、下基板2の表面全体に塗布する。次に、その第1の色材層および周辺色材層23のパターンが描画されたフォトマスクを用いて露光および現像することにより、第1の色材層および周辺色材層23を形成する。その後、他の色材層を順次形成する。なお周辺色材層23は、第1の色材層以外の色材層と同時に形成してもよい。また、各色材層と同時に周辺色材層23の一部を形成し、全色材層の形成時に周辺色材層23の全部が完成するようにしてもよい。
次に、下基板2の全体を覆うように、オーバーコート膜24を形成する。オーバーコート膜24は、液相プロセスによって形成することが望ましい。樹脂材料からなるオーバーコート膜24は、スピンコート法やスプレーコート法、ディッピング法等によって樹脂材料の液状体を塗布し、塗布された液状体を硬化させることによって形成することが可能である。また酸化シリコン等の無機材料からなるオーバーコート膜は、ゾルゲル法等によって形成することが可能である。ゾルゲル法は、アルコキシド等からなるゾルを塗布し、加水分解・重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を得る方法である。
本実施形態では、周辺遮光膜15の表面に複数の線状の周辺色材層23が形成されている。そのため、塗布されたオーバーコート膜24の原料液は、隣接する周辺色材層23の内側に蓄積される。特に本実施形態では、周辺色材層23が枠状に形成されているので、枠状の周辺色材層の内側に多くの原料液を蓄積することができる。そして蓄積された原料液を硬化させることにより、周辺色材層23がない場合と比べて、オーバーコート膜24の高さを確保することができる。これにより、非表示領域9bと表示領域9aとの高さの差を小さくすることが可能になり、セル厚を均一化することができる。これに伴って、表示領域9aの周辺部における表示ムラの発生を防止することができる。
(第1変形例)
図6は、実施形態の第1変形例の説明図であり、図1のP部に相当する部分における下基板の平面図である。
図6に示す第1変形例では、Y方向に延びる線状の周辺色材層23yがX方向に並列配置されているものの、X方向に延びる線状の周辺色材層が形成されていない。すなわち、第1変形例の周辺色材層23は、枠状ではなく、Y方向に延びるストライプ状に形成されている。この場合でも、隣接する周辺色材層23の内側にオーバーコート膜が蓄積されるので、表示領域9aと非表示領域9bとの高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル圧を均一化することができる。なお周辺色材層23は、X方向に延びるストライプ状に形成されていてもよく、また斜め方向に延びるストライプ状に形成されていてもよい。
(第2変形例)
図7は、実施形態の第2変形例の説明図であり、図1のP部に相当する部分における下基板の平面図である。なお実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図7に示す第2変形例では、X方向に延びる線状の周辺色材層23xがY方向に整列配置され、Y方向に延びる周辺色材層23yがX方向に整列配置されている。第2変形例では、周辺色材層23xがX方向に連続的に形成されているのに対して、周辺色材層23yはY方向に断続的に形成されている。これにより、図7に示す周辺色材層23は、図2に示す枠状の周辺色材層23を分断した形状になっている。この場合でも、隣接する周辺色材層23の内側にオーバーコート膜が蓄積されるので、表示領域9aと非表示領域9bとの高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル圧を均一化することができる。
(第3変形例)
図8は、実施形態の第3変形例の説明図であり、図1のP部に相当する部分における下基板の平面図である。なお実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図8に示す第3変形例では、第1実施形態と同様に、X方向に延びる線状の周辺色材層23xがY方向に整列配置され、Y方向に延びる線状の周辺色材層23yがX方向に整列配置されている。ただし第3変形例では、表示領域9aの近傍に位置する周辺色材層23の配列ピッチよりも、表示領域9aから離れた位置の周辺色材層23の配列ピッチの方が広くなっている。具体的には、表示領域9aの近傍では、周辺色材層23yのX方向の配列ピッチPx2が、遮光膜20のX方向の配列ピッチPx1の半分程度に設定されているのに対して、表示領域9aから離れた領域(例えば、表示領域9aからの距離が15・Px1以上の領域)では、周辺色材層23yのX方向の配列ピッチPx3が、遮光膜20のX方向の配列ピッチPx1と同等に設定されている。この場合でも、隣接する周辺色材層23の内側にオーバーコート膜が蓄積されるので、表示領域9aと非表示領域9bとの高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル圧を均一化することができる。また、表示領域9aから離れるにしたがって、周辺色材層23同士の配列ピッチが広くなる構成としても良い。さらに、表示領域9aから離れるにしたがって、段階的に周辺色材層23同士の配列ピッチが広くなる構成としても良い。
(第4変形例)
図9は、実施形態の第4変形例の説明図であり、図1のP部に相当する部分における下基板の平面図である。なお実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図9に示す第4変形例は、表示領域9aの隣接する領域(例えば、表示領域9aからの距離がPx1以下の領域)では、周辺色材層23yのX方向の配列ピッチPx2が、遮光膜20のX方向の配列ピッチPx1と同等に設定されているのに対して、表示領域9aから離れた領域では、周辺色材層23yのX方向の配列ピッチPx3が、遮光膜20のX方向の配列ピッチPx1の半分程度に設定されている。この場合でも、隣接する周辺色材層23の内側にオーバーコート膜が蓄積されるので、表示領域9aと非表示領域9bとの高さの差を小さくすることが可能になる。したがって、液晶装置のセル圧を均一化することができる。この例によれば、表示領域9aに隣接する非表示領域9bにおいては、広いピッチで周辺色材層23が配置されている。そのため、表示領域9aと隣接する非表示領域9bと間における急激な高さの変化を抑制できる。
[電子機器]
図10は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上記実施形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることがでる。いずれの電子機器においても、セル厚が均一な液晶装置を備えているので、明るく、高コントラストで、表示ムラのない画像表示が可能になっている。
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上記実施形態ではパッシブマトリクス方式の液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)や薄膜ダイオード(Thin Film Diode;TFD)等を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態では透過型の液晶装置を例にして説明したが、基板の内面に反射層を設けた反射型や半透過反射型の液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態では液相プロセスを用いてオーバーコート膜を形成したが、気相プロセスを用いてオーバーコート膜を形成することも可能である。
液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図1のP部における下基板の平面図である。 図2のA−A線における断面図である。 図3の下基板の部分拡大図である。 液晶装置の実施例および比較例の諸元および評価結果の一覧表である。 実施形態の第1変形例の説明図である。 実施形態の第2変形例の説明図である。 実施形態の第3変形例の説明図である。 実施形態の第4変形例の説明図である。 携帯電話の斜視図である。 従来技術に係る液晶装置の断面図である。
符号の説明
1…液晶装置 2…下基板 3…上基板 9a…表示領域 9b…非表示領域 15…周辺遮光膜 20…遮光膜 22…色材層 23…周辺色材層 26…液晶層 27…柱状スペーサ 40…サブ画素 41…サブ画素間領域 1300…電子機器

Claims (9)

  1. 複数のサブ画素が設けられ互いに対向配置された一対の基板と、
    前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
    前記一対の基板のうち一方の基板において、前記サブ画素内から、前記複数のサブ画素のうち隣接する前記サブ画素間の領域にかけて形成された色材層と、
    前記一方の基板において、前記サブ画素間の領域に形成された、前記色材層より厚さの薄い遮光膜と、
    前記一方の基板において、前記複数のサブ画素が整列配置された表示領域の周辺の非表示領域に形成された周辺遮光膜と、
    前記周辺遮光膜上に形成された複数の線状の周辺色材層と、前記周辺色材層上に形成されたオーバーコート膜と、を備え、
    前記表示領域と前記非表示領域の境界において、前記周辺遮光膜上に前記色材層が乗り上げて形成されている
    ことを特徴とする液晶装置。
  2. 前記周辺色材層は、枠状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
  3. 前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層のピッチは、前記所定方向に隣接する前記遮光膜のピッチより、狭くなっていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。
  4. 前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層の間隔は、前記所定方向に隣接する前記遮光膜の間隔より、狭くなっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の液晶装置。
  5. 前記複数の周辺色材層のうち所定方向に隣接する前記周辺色材層のピッチは、前記表示領域の近傍に位置する周辺色材層同士のピッチよりも、前記表示領域から離れて位置する周辺色材層同士のピッチの方が広くなっていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の液晶装置。
  6. 前記液晶装置は、前記表示領域及び前記非表示領域に配置され、前記液晶層の層厚を規制する複数のスペーサを有し、
    前記表示領域における前記スペーサは、前記遮光膜および前記色材層と平面視において重なるように配置され、
    前記非表示領域における前記スペーサは、前記周辺遮光膜および前記周辺色材層と平面視において重なるように配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の液晶装置。
  7. 前記遮光膜の厚さdbk、前記遮光膜の幅Wbk、および隣接する前記遮光膜の間隔Cbkが、数式1を満たすように形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の液晶装置。
    Figure 2007171560
    ただし、a=0.5、b=0.02、β=0.1の定数である。
  8. 前記遮光膜の厚さdbk、前記遮光膜の幅Wbk、隣接する前記遮光膜の間隔Cbk、前記周辺色材層の厚さdcf、前記周辺色材層の幅Wcf、および隣接する前記周辺色材層の間隔Ccfが、数式2を満たすように形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の液晶装置。
    Figure 2007171560
    ただし、a=0.5、b=0.02、α=0.16、β=0.1の定数である。
  9. 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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