JP3194156U - 表示パネル - Google Patents

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Abstract

【課題】スペーサー付近の暗状態での光漏れ領域を減少して、暗状態での光漏れ現象を改善する表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、第一の配向膜１１７を有する第一の基板１１と、複数のスペーサー１３及び第二の配向膜１２７を有する第二の基板１２と、第一の配向膜と第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層１５と、第一の配向膜と第二の配向膜との間に配置され、複数のスペーサーの少なくとも一つの外縁を囲んで配置されている複数の凝集物１８３と、を含んでいる。第二の配向膜は、複数のスペーサーに接触して覆設され、第一の配向膜に向かって配置されており、複数のスペーサーによって第一の基板との間が実質的に等間隔になっている。凝集物の粒径は、０．１μｍ〜２μｍである。【選択図】図１Ａ

Description

本考案は、表示パネル関し、特に、凝集物を含んでいる表示パネルに関する。
現在、例えば、スマートフォン（SmartPhone）、タブレット型コンピューター（Pad）、ノートパソコン（Notebook）、モニター（Monitor）及びテレビ（TV）のように、表示パネルを有する電子商品は、人の仕事、勉強及び娯楽など諸領域において必須品となっている。その中でも、液晶表示パネルを有する商品が一番普遍的に使用されている。
液晶表示パネル（LCD）は、液晶（LCs）を利用して発光の性質を調節することができるため、フラットパネルディスプレイ、電子視覚ディスプレイ及びビデオディスプレイなどを構成することが可能となる。また、液晶表示パネルのほとんどは、応用上、簡便性、軽量性を有し、携帯可能であり、低価でより高い信頼性を有し、目に優しい機能も有しているため、従来の陰極線管ディスプレイの代替品として、一番広く使用されている表示パネルとなっている。さらに、液晶表示パネルは、サイズ、形状、解像度など多方面でいろいろ選択できて、多様化されている。
しかしながら、従来の表示パネルにおいて、特に、液晶表示パネルの上下基板間の等間隔を維持するスペーサーに対し、隣接している液晶分子がそのスペーサーの表面に沿って倒れるため、スペーサーの付近では暗状態での光漏れという欠陥が発生する。
このため、本考案は、スペーサー付近の暗状態での光漏れ領域を減少して暗状態での光漏れ現象を改善する、表示パネルの提供を課題としている。
上記課題を解決するために、本考案による一つの表示パネルは、第一の配向膜を有する第一の基板と、第二の配向膜及び複数のスペーサーを有する第二の基板と、前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層と、前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に配置され、複数の前記スペーサーの少なくとも一つの外縁を囲んで位置している複数の凝集物(agglomerates)と、を含んでいる。前記第二の基板において、前記第二の配向膜は、複数の前記スペーサーに接触して覆設され且つ前記第一の配向膜に向かって配置されており、複数の前記スペーサーによって前記第一の基板と前記第二の基板との間が実質的に等間隔になっている。また、凝集物の粒径は、例えば０．１μｍ〜２μｍである。
上記課題を解決するために、本考案による他の表示パネルは、第一の基板と、第二の基板と、液晶層と、高分子配向パターン層と、を含んでいる。前記第一の基板は、第一の基材、及び前記第一の基材の一つの表面上に形成されている第一の配向膜を有している。前記第二の基板は、前記第一の基材と間隔を空けて配置されている第二の基材、第二の配向膜及び前記第二の基材の一つの表面上に形成されている複数のスペーサーを有し、そのうち、前記第二の配向膜は、複数の前記スペーサーに接触して覆設され、複数の前記スペーサーは、前記第一の基材と前記第二の基材との間に配置されて、前記第一の基材と前記第二の基材との間が実質的に等間隔になるようにする。前記液晶層は、前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている。前記高分子配向パターン層は、前記第一の配向膜及び前記第二の配向膜上に分布されて、前記液晶層と接触している。この高分子配向パターン層は、複数の配向領域と、複数の前記スペーサーと前記配向領域(orientation regions)との間に挟んで配置されている複数の凝集領域(agglomerationregions)とを有している。前記高分子配向パターン層において、前記凝集領域の表面粗度は、前記配向領域の表面粗度より大きくなっている。
上記課題を解決するために、本考案によるまた他の表示パネルは、第一の配向膜を有する第一の基板と、複数のスペーサー及び第二の配向膜を有している第二の基板と、前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層と、前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に配置され、複数の前記スペーサーの少なくとも一つの外縁を囲んで位置している複数の凝集物(agglomerates)と、を含んでいる。前記第二の基板において、前記第二の配向膜は、複数の前記スペーサーに接触して覆設され且つ前記第一の配向膜に向かって配置されており、複数の前記スペーサーは、前記第一の基板と前記第二の基板との間が実質的に等間隔になるようにしている。複数の前記凝集物が囲んでいる前記スペーサーに対し、複数の前記凝集物の重合度(polymerization)は、例えば、そのスペーサーに近づくほど高くなっており、そのスペーサーから離れるほど低くなっている。
以上のように、本考案の表示パネルによれば、スペーサーの外縁に形成された凝集物(agglomerates)によって、隣接する液晶分子がスペーサーからの逆推力を受けて、スペーサーの影響によるプレチルト角を変更することで、スペーサー付近の光漏れ領域を減少させ、暗状態での光漏れ現象を改善することができる。
本考案の一つの実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図である。 図１Ａ中の一部構造の断面図である。 従来のノーマルブラック(normal black)モードの表示パネルの、スペーサーの外縁に凝集物が含まれていない状態を示す概略図である。 本考案の一つの実施形態による表示パネルのスペーサーの外縁に凝集物が含まれている状態を示す概略図である。 表示パネルで高分子単体の重合を行うときの、液晶分子が電場Ｆの影響を受けた状態及び液晶分子の配列状態を示す模式図である。 表示パネルで高分子単体の重合を行うときの、液晶分子が電場Ｆ’（Ｆ’＞Ｆ）の影響を受けた状態及び液晶分子の配列状態を示す模式図である。 本考案の他の実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図である。 本考案のまた他の実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図である。
以下図面を参照して、本考案による表示パネル及び表示装置の好ましい実施形態を説明する。ただし、本考案は、以下の実施形態に限定されない。なお、図面において、同じものには同じ符号を付して説明する。また、図面は、単純に本考案の一部実施形態を説明するために簡略化され、実際の商品とは異なる比例で作成されたものであって、本考案の請求の範囲を限定するものではない。
図１Ａは、本考案の第一の実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図であり、図１Ｂは、図１Ａの局部構造の断面図である。本実施形態において、表示パネルは、第一の基板１１、第二の基板１２、第一の基板１１と第二の基板１２との間に位置している液晶層１５を備えている。また、本実施形態では、第一の基板１１及び第二の基板１２が、それぞれ、例えば薄膜トランジスタ基板(TFT substrate)及びカラーフィルター基板(CF substrate)である場合を例示して説明する。もちろん、これは一例であって、例えば、第一の基板１１及び第二の基板１２がそれぞれカラーフィルター基板及び薄膜トランジスタ基板であってもよい。
図１Ａ、図１Ｂに示すように、第一の基板１１は、第一の基材１１１、第一の透明導電層１１５、及び、第一の透明導電層１１５上に位置している第一の配向膜１１７を備えている。第一の配向膜１１７は、例えば、ポリイミド(polyimide, PI)により構成されており、第一の透明導電層１１５は、例えばＩＴＯ層であって、画素電極として用いられる。第一の基板１１は、さらに、複数の配線パターン(patterned traces/conductive traces)１１２、第一の基材１１１上に形成された複数のＴＦＴユニット（図示せず）、及び、第一の基材１１１と第一の透明導電層１１５との間に位置して、配線パターン１１２を覆っている第一の中間層１１３を備えている。ここで、第一の基板１１の層構造は、周知の構造と同じであってもよいので、詳しい説明は省略する。
また、図１Ａに示すように、第二の基板１２は、第二の基材１２１、第二の透明導電層１２５、及び、第二の透明導電層１２５上に位置している第二の配向膜１２７を備えている。第二の配向膜１２７は、例えば、ポリイミドにより構成され、第二の透明導電層１２５は、例えばＩＴＯ層である。第二の基板１２は、例えば、遮光パターン層１２２（即ち、通常のブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれるもの）、及び第二の基材１２１上に形成されているカラーフォトレジスト層１２３を備えている。本実施形態において、第二の基板１２は、第二の透明導電層１２５上に形成されている複数のスペーサー(spacers)１３をさらに備え、第二の配向膜１２７は、スペーサー１３に接触して配置され、且つスペーサー１３を被覆している。第二の基板１２と第一の基板１１との間は、複数のスペーサー１３によって、実質的に等間隔に維持されており、液晶層１５がその間隔の中に充填される。
また、第一の偏光片１４ａ及び第二の偏光片１４ｂは、それぞれ、第一の基材１１１及び第二の基材１２１の外側に配置されている。
本実施形態において、表示パネルは、複数の高分子凝集物(agglomerates)１８３をさらに含んでおり、複数の高分子凝集物(agglomerates)１８３は、第一の配向膜１１７と第二の配向膜１２７との間に位置して、スペーサーの外縁を囲んで位置している。図１Ａに示すように、高分子凝集物１８３の凝集度(agglomeration)は、囲んでいるスペーサー１３に近づくほど高く、囲んでいるスペーサー１３から離れるほど低くなっている。なお、他の実施形態として、高分子凝集物１８３は、囲んでいるスペーサー１３に近づくほどその重合度(polymerization)が高く、囲んでいるスペーサー１３から離れるほどその重合度が低くなっている。さらに、高分子凝集物１８３により構成された分布形状の側面(distribution profile)１８３Ｐは、実際は、スペーサー１３の表面１３ａに対し傾斜している。
図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら、本考案の構成による効果を説明する。
図２Ａは、従来のノーマルブラック(normal black)モードの表示パネルで、スペーサーの外縁に凝集物が含まれていない状態を示す概略図である。図２Ａに示すように、従来のノーマルブラックモードの表示パネルは、暗状態において、液晶分子２５１の長軸が、通常垂直接触面に傾向する形態で配列し且つ連続性を有するため、液晶分子２５１がスペーサー２３の表面に沿って大角度で倒れた際、スペーサー２３の付近には、光漏れ領域ＡＬが形成される。
図２Ｂは、本実施形態による表示パネルで、スペーサーの外縁に凝集物が含まれている状態を示す概略図である。図２Ｂに示すように、本実施形態の表示パネルには集まった高分子凝集物１８３が含まれているため、暗状態において、一部の液晶分子（スペーサー１３の付近のもの）は、高分子凝集物１８３の非平滑の分布形状の側面１８３Ｐに沿って倒れる。このため、図２Ａにおける液晶分子２５１に比べ、図２Ｂにおける液晶分子１５１は、暗状態において、そのプレチルト角が凝集物の非平滑面の影響を受けるため、全体的にみると、液晶分子１５１の倒れ角度が、従来の表示パネルの場合より小さくなり、スペーサー１３に付近に形成される光漏れ領域ＡＬ’が、領域ＡＬよりさらに減少されている。
一例として、表示パネルは、例えば、高分子安定配向型(polymer stabilized alignment)の表示パネルであって、以下のように製作される。まず、二つの基板の間に液晶分子１５１、高分子単体の混合物を注入してから、第一の配向膜１１７と第二の配向膜１２７の液晶分子１５１にプレチルト角が付与されるように電場を印加する（液晶分子１５１の長軸は、垂直に印加される電場に対し傾斜する）。その後、電場がある状態で、高分子単体が、第一の配向膜１１７及び第二の配向膜１２７の表面から重合固化されるように、適切な強度の紫外線で混合物を照射する。高分子単体が液晶分子の長軸方向に沿って生長するため、適切な構造設計により、高分子単体の重合によって形成されて集合物は、液晶分子が各ドメイン(domain)で均一方向に配向される。
この例において、高分子単体は、電場の制御及び紫外線の照射を経由することで、複数の高分子重合物１８１に形成されて、第一の配向膜１１７及び第二の配向膜１２７上に均一に分布される。これにより、液晶分子１５１のプレチルト角を良好に制御して、表示領域での配向の効果を実現する。また、電場制御及び層構造の段差により、スペーサー１３の外縁に、凝集度及び重合度が大きい複数の高分子凝集物(polymer agglomerates)１８３を形成することが可能となる。高分子凝集物１８３の形成による非平滑の分布形状の側面１８３Ｐは、隣接する液晶分子がスペーサー１３の輪郭の影響で大きい角度で倒れるのを抑制することができる。なお、配向のための高分子単体が重合して形成された凝集物は、液晶分子１５１に対してより強い制御力を有しているため、液晶分子１５１がスペーサー１３の輪郭の影響で倒れる力に対抗することができて、スペーサー１３の付近の光漏れ領域をさらに減少することができる。
このため、高分子配向パターン層(polymer orientation pattern layer)は、配向膜上にある高分子重合物１８１の配向領域(orientation regions)ＡＣと、スペーサー１３の外縁に周設された高分子凝集物１８３の凝集領域(agglomeration regions)ＡＡとの、二つの部分を含んでいる。より詳しくは、凝集領域ＡＡの高分子重合度(polymerization)は、配向領域ＡＣの高分子重合度より大きくなっている。
さらに、配向領域ＡＣにおける高分子重合物１８１は、そのサイズがナノメートルレベルであり、凝集領域ＡＡにおける高分子凝集物１８３は、そのサイズがマイクロメートルレベルである。このため、凝集領域ＡＡの表面粗度は、配向領域ＡＣの表面粗度より大きくなる。一例として、高分子重合物１８１のサイズは、１００ｎｍを超えない。一例として、高分子凝集物１８３の粒径は、０．１μｍ〜２μｍである。
なお、図１Ａに示すように、スペーサー１３（例えば、円柱状またはその他の形状）の第二の基板１２上での垂直投影(vertical projections)の最大幅がＤである場合、凝集領域ＡＡの第二の基板１２上での垂直投影の幅Ｄａは、例えばＤ／４〜Ｄ／２である。
もちろん、本考案は上記数値に限定されない。実際応用時、構造の需要に応じて、製造工程のパラメータを調整することで、高分子凝集物１８３のサイズ及び分布範囲（すなわち、Ｄａ）を調整することができる。従って、凝集物の粒径サイズ及び凝集領域ＡＡの、第二の基板１２上の垂直投影の幅が変更されて、光漏れ領域を減少するという目的を達成することできる。
また、図１Ｂに示すように、第一の基材１１１と第一の配向膜１１７との間に位置している配線パターン１１２は、例えば、ゲートパターンまたは蓄積キャパシタ電極パターンである。複数の配線パターン１１２は、互いに間隔を空けて第一の方向Ｌ１に沿って平行に配列されている。一例として、表示パネルを上面から見ると、スペーサー１３は、配線パターン１１２（例えば、ゲート）の延伸方向に沿って配列され、このため、凝集領域ＡＡの第二の基板１２上での垂直投影（例えば、幅Ｄａ）は、図に示すように、配線パターン１１２の第二の基板１２上での垂直投影と少なくとも一部重なっている。配線パターン１１２の第一の方向の垂直方向での最大径幅ＤＭは、１０μｍ以上且つ５０μｍ以下である。
実際応用時、いろんな技術手段によって、本考案の凝集物を形成することができる。例えば、高分子単体の重合工程中に電場を印加することとか、または、バターン化された透明導電層によりパターンをスペーサーに近づけて、スペーサー周囲の電場強度を増加させることとか、または、異なる光照射強度を利用して、例えばＵＶ入射方向で（金属）遮光パターン設計により、光照射の不均一を引き起こして、スペーサーの周囲に重合混乱を発生させることとかがある。
以下、図面を参照しながら、電場を印加して凝集物を形成する方法を説明する。ここでは、図３Ａ及び図３Ｂを同時に参照する。図３Ａは、表示パネルで高分子単体の重合を行うときの、液晶分子が電場Ｆの影響を受けた状態及び液晶分子の配列状態を示す模式図であって、液晶分子は、スペーサー１３の表面１３ａに沿って傾斜している。図３Ｂは、表示パネルで高分子単体の重合を行うときの、液晶分子が電場Ｆ’の影響を受けた状態及び液晶分子の配列状態を示す模式図であって、ここで、Ｆ’＞Ｆである。図３Ａ、図３Ｂに示すように、高分子単体の重合工程中に電場を印加して、液晶の傾斜角を増加させ、及び液晶をスペーサー１３に押し付ける外力を強くさせることで、スペーサー１３の周囲の液晶の激しい配列の混乱を発生させる。これにより、スペーサー１３の外縁において、隣接の単体が重合して、異常に凝集した高分子凝集物１８３を形成する。
他の一つは、透明導電層のパターン化及び金属遮光パターン設計により、スペーサー周囲の液晶分子の配列をより混乱にさせて凝集物を形成する方法である。ここでは、図４及び図５を参照する。
図４は、本考案の第二の実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図である。第一の実施形態とほぼ同じく、図４における表示パネルも、第一の基板（例えば、ＴＦＴ基板）４１、第二の基板（例えば、ＣＦ基板）４２、及び第一の基板４１と第二の基板４２との間に位置する液晶層４５を備えている。第一の基板４１は、第一の基材４１１、第一の透明導電層４１５（例えば、ＩＴＯ）、及び第一の透明導電層４１５上に位置している第一の配向膜４１７を備えている。第一の基板４１は、さらに、第一の基材４１１上に形成されている複数の配線パターン(patterned traces/conductive traces)４１２、及び第一の基材４１１と第一の透明導電層４１５との間に位置して配線パターン４１２を覆っている第一の中間層４１３を備えている。また、第二の基板４２は、第二の基材４２１、遮光パターン層（例えば、ブラックマトリックスＢＭ）４２２、第二の中間層４２３、第二の透明導電層（例えば、ＩＴＯ）４２５、第二の透明導電層４２５上に位置している第二の配向膜４２７、及び第二の透明導電層４２５上に形成されているスペーサー４３を備えている。ここで、第二の配向膜４２７は、スペーサー４３に接触して覆設されている。
第二の実施形態において、第二の透明導電層４２５は、複数のスリット(slits)を有し、各スリットは、いずれか二つのスペーサー４３の間に位置している。図４に示すように、スリット４９ａ、４９ｂは、高分子単体の重合工程中においてスペーサー周囲の電場が制御しやすくなるよう、スペーサー４３に隣接して形成されて、スペーサー４３の周囲で重合の混乱を引き起こす。このため、単体は電場制御及び紫外線照射を経由して、高分子重合物４８１の配向領域(orientation regions)ＡＣ及び高分子凝集物４８３の凝集領域(agglomeration regions) ＡＡを形成する。そのうち、高分子凝集物４８３は、スペーサー４３の外縁に周設されており、高分子凝集物４８３の分布形状の側面４８３Ｐは、スペーサー４３の表面に傾斜しているので、隣接の液晶分子の直立をさらに抑制して、スペーサー４３の付近の光漏れ領域を減少する。
また、高分子凝集物４８３は、スペーサー４３の底部に近づくほど（すなわち、第二の基材４２１に近い部分）、その凝集度(agglomeration)、重合度(polymerization)がより高くなり、スペーサー４３の底部から離れるほど（すなわち、第一の基材４１１に近い部分）、その重合度がより低くなる。一例として、凝集領域ＡＡの表面粗度は、配向領域ＡＣの表面粗度より高くなっている。ここで、高分子凝集物４８３の粒径サイズは、例えば０．１μｍ〜２μｍである。
図５は、本考案の第三の実施形態による表示パネルの側面構造を示す模式図である。第三の実施形態における表示パネルの構造は、第二の実施形態における表示パネルの構造とほぼ同じであって、相違点として、スペーサー４３の付近の第二の透明導電層４２５’にはスリットが形成されておらず、第一の透明導電層４１５’にスリット４９ｃが形成されており、且つ、スペーサー４３は、そのスリット４９ｃの位置に対応して配置されている。また、配線パターン４１２の遮光効果があるので、（通常、ＵＶ入射側が薄膜トランジスタ基板側である）、このような構造によれば、高分子単体の重合工程中のスペーサー周囲の光照射をさらに不均一にすることができる。従って、液晶分子の配列をより一層無秩序にさせることで、スペーサー４３の周囲で高分子重合を行う際に重合混乱が発生されて、高分子凝集物が、第一の配向膜４１７と第二の配向膜４２７との間に形成され、且つスペーサー４３の外縁に周設される。図５に示すように、スペーサー４３の外縁において、第二の配向膜４２７に近い部分には大量の高分子凝集物４８３が集まっており、第一の配向膜４１７に近い部分には少量の高分子凝集物４８５が集まっている。
以上のように、上述の実施形態における表示パネルは、そのスペーサーの外縁に凝集物が形成されているため、元々暗状態時にスペーサーの表面に沿って傾斜する液晶分子の一部が（例えば、第二の配向膜１２７／４２７に近づいている部分）、凝集物の分布形状の側面に沿って傾斜することになり、これら液晶分子の暗状態でのプレチルト角がより直立するようになって、光漏れ領域を減少して、スペーサーの付近の暗状態での光漏れ現象を改善することができる。また、上述の実施形態で説明したように、凝集物をいろんな技術手段により形成することができるため、現在のＰＳＡ製造プロセスとの一貫性が高く、製造プロセスの複雑化及び製造コストの増加を避けることが可能である。つまり、大量生産に適合である。
本考案は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる形態例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本考案の技術的範囲に含まれる。
１１、４１ 第一の基板
１１１、４１１ 第一の基材
１１２、４１２ 配線パターン
１１３、４１３ 第一の中間層
１１５、４１５、４１５’ 第一の透明導電層
１１７、４１７ 第一の配向膜
１２、４２ 第二の基板
１２１、４２１ 第二の基材
１２２、４２２ 遮光パターン層
４２３ 第二の中間層
１２３ カラーフォトレジスト層
１２７、４２７ 第二の配向膜
１２５、４２５、４２５’ 第二の透明導電層
１４ａ 第一の偏光片
１３、２３、４３ スペーサー
１４ｂ 第二の偏光片
１３ａ、２３ａ スペーサーの表面
１５、４５ 液晶層
１５１、２５１ 液晶分子
１８１、４８１ 高分子重合物
１８３、４８３、４８５ 高分子凝集物
Ｌ１ 第一の方向
１８３Ｐ、４８３Ｐ 凝集物の分布形状の側面
４９ａ、４９ｂ、４９ｃ スリット
ＡＣ 配向領域
ＡＡ 凝集領域
ＡＬ、ＡＬ’ 光漏れ領域
Ｆ、Ｆ’ 電場
Ｄ スペーサーの第二の基板上での垂直投影の最大幅
Ｄａ スペーサーの第二の基板上での垂直投影の幅
ＤＭ 配線パターンの第一の方向に垂直する方向での最大径幅

Claims (20)

  1. 第一の配向膜を有する第一の基板と、
    第二の配向膜及び複数のスペーサーを有し、前記第二の配向膜が複数の前記スペーサーに接触して覆設され且つ前記第一の配向膜に向かって配置されており、複数の前記スペーサーによって前記第一の基板との間が実質的に等間隔になっている第二の基板と、
    前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層と、
    前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に配置され、複数の前記スペーサーの少なくとも一つの外縁を囲んで位置しており、それぞれの粒径が０．１μｍ〜２μｍである複数の凝集物(agglomerates)と、を含んでいることを特徴とする表示パネル。
  2. 複数の前記凝集物は、囲まれた前記スペーサーに近づくほど、その凝集度(agglomeration)が高くなっており、囲まれた前記スペーサーを離れるほど、その凝集度が低くなっている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 複数の前記凝集物の分布形状の側面(distribution profile)は、囲まれた前記スペーサーの表面に対し傾斜している、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  4. 複数の前記スペーサーの前記第二の基板上での垂直投影の最大幅がＤである場合、複数の前記凝集物の前記第二の基板上での垂直投影の幅は、Ｄ／４〜Ｄ／２である、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記第一の基板は、第一の基材、複数の配線パターン(patterned traces/conductive traces)及び複数のＴＦＴユニットをさらに含んでおり、
    複数の前記配線パターンは、前記第一の基材と前記第一の配向膜との間に位置し、互いに間隔を空けて第一の方向に沿って平行に配列されており、
    複数の前記凝集物の前記第二の基板上での垂直投影と、複数の前記配線パターンの前記第二の基板上での垂直投影は、少なくとも一部が重なっている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  6. 複数の前記配線パターンの前記第一の方向に垂直する最大径幅は、１０μｍ以上且つ５０μｍ以下である、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  7. 前記第二の基板は、透明導電層をさらに含んでおり、
    前記第二の配向膜は、前記透明導電層を被覆しており、
    前記透明導電層には、複数のスリット(slits)が二つの前記スペーサーの間に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  8. 前記第二の基板は、第二の基材、複数の配線パターン及び複数のＴＦＴユニットをさらに含んでおり、
    複数の前記配線パターン及び複数の前記ＴＦＴユニットは、前記第二の基材と前記第二配向膜との間に位置しており、
    複数の前記配線パターンは、互いに間隔を空けて第一の方向に沿って平行に配列されており、
    複数の前記凝集物の前記第二の基板上での垂直投影と、複数の前記配線パターンの前記第二の基板上での垂直投影は、少なくとも一部が重なっている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  9. 複数の前記配線パターンの前記第一の方向に垂直する最大径幅は、１０μｍ以上且つ５０μｍ以下である、ことを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
  10. 第一の基材及び前記第一の基材の一つの表面上に形成されている第一の配向膜を有する第一の基板と、
    前記第一の基材と間隔を空けて配置されている第二の基材、第二の配向膜、及び前記第二の基材の一つの表面上に形成されている複数のスペーサーを有し、前記第二の配向膜が複数の前記スペーサーに接触して覆設され、前記第一の基材と前記第二の基材との間が実質的に等間隔になるように、複数の前記スペーサーが前記第一の基材と前記第二の基材との間に位置している第二の基板と、
    前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層と、
    前記第一の配向膜及び前記第二の配向膜上に分布されて、前記液晶層と接触している高分子配向パターン層(polymer orientation pattern layer)と、を含んでおり、
    前記高分子配向パターン層は、
    複数の配向領域(orientation regions)と、
    複数の前記スペーサーと前記配向領域との間に挟んで配置されている複数の凝集領域(agglomeration regions)と、を有し、
    前記高分子配向パターン層において、前記凝集領域の表面粗度が、前記配向領域の表面粗度より大きくなっている、ことを特徴とする表示パネル。
  11. 複数の前記スペーサーの前記第二の基板上での垂直投影の最大幅がＤである場合、複数の前記凝集領域の前記第二の基板上での垂直投影の幅は、Ｄ／４〜Ｄ／２である、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  12. 前記高分子配向パターン層は、高分子単体の反応により形成され、
    複数の前記凝集領域の高分子凝集度は、複数の配向領域の高分子凝集度(polymer agglomeration)より大きくなっている、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  13. 複数の前記凝集領域は、複数の凝集物を含んでおり、
    複数の前記凝集物は、囲まれた前記スペーサーの底部に近づくほど、その凝集度(agglomeration)が高くなっており、囲まれた前記スペーサーから離れるほど、その凝集度が低くなっている、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  14. 複数の前記凝集領域の分布形状の側面(distribution profile)は、囲まれた前記スペーサーの側面に対し傾斜している、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  15. 前記第一の基板は、複数の配線パターン(patterned traces/conductive traces)をさらに含んでおり、
    複数の前記配線パターンは、前記第一の基材と前記第一の配向膜との間に位置し、互いに間隔を空けて第一の方向に沿って平行に配列されており、
    複数の前記凝集領域の前記第二の基板上での垂直投影と、複数の前記配線パターンの前記第二の基板上での垂直投影は、少なくとも一部が重なっている、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  16. 前記第一の方向の垂直方向における複数の前記配線パターンの最大径幅は、１０μｍ以上且つ５０μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
  17. 前記第二の基板は、透明導電層をさらに含んでおり、
    前記第二の配向膜は、前記透明導電層を被覆しており、
    前記透明導電層には、複数のスリット(slits)が二つの前記スペーサーの間に形成されている、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
  18. 第一の配向膜を有する第一の基板と、
    第二の配向膜及び複数のスペーサーを有し、前記第二の配向膜が複数の前記スペーサーに接触して覆設され且つ前記第一の配向膜に向かって配置されており、複数の前記スペーサーによって前記第一の基板との間が実質的に等間隔になっている第二の基板と、
    前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に挟んで配置されている液晶層と、
    前記第一の配向膜と前記第二の配向膜との間に配置され、複数の前記スペーサーの少なくとも一つの外縁を囲んで位置しており、囲まれた前記スペーサーに近づくほど重合度(polymerization)が高くなっており、囲まれた前記スペーサーから離れるほど重合度が低くなっている複数の凝集物(agglomerates)と、を含んでいることを特徴とする表示パネル。
  19. 前記第一の基板は、複数の配線パターン(patterned traces/conductive traces)及び複数のＴＦＴユニットをさらに含んでおり、
    複数の前記配線パターンは、第一の基材と前記第一の配向膜との間に位置し、互いに間隔を空けて第一の方向に沿って平行に配列されており、
    複数の前記凝集物の前記第二の基板上での垂直投影と、複数の前記配線パターンの前記第二の基板上での垂直投影は、少なくとも一部が重なっている、ことを特徴とする請求項１８に記載の表示パネル。
  20. 前記第二の基板は、透明導電層をさらに含んでおり、
    前記第二の配向膜は、前記透明導電層を被覆しており、
    前記透明導電層には、複数のスリット(slits)が二つの前記スペーサーの間に形成されている、ことを特徴とする請求項１８に記載の表示パネル。
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