JP6983080B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6983080B2
JP6983080B2 JP2018007169A JP2018007169A JP6983080B2 JP 6983080 B2 JP6983080 B2 JP 6983080B2 JP 2018007169 A JP2018007169 A JP 2018007169A JP 2018007169 A JP2018007169 A JP 2018007169A JP 6983080 B2 JP6983080 B2 JP 6983080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
film
mask support
display
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018007169A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019125550A (ja
JP2019125550A5 (ja
Inventor
勇輔 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2018007169A priority Critical patent/JP6983080B2/ja
Priority to CN201880086700.3A priority patent/CN111602468B/zh
Priority to PCT/JP2018/040461 priority patent/WO2019142441A1/ja
Publication of JP2019125550A publication Critical patent/JP2019125550A/ja
Priority to US16/931,566 priority patent/US20200350519A1/en
Publication of JP2019125550A5 publication Critical patent/JP2019125550A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6983080B2 publication Critical patent/JP6983080B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
有機EL表示装置等の表示装置では、表示素子に含まれる発光層や上部電極等は、マスクを用いた蒸着によって形成される。当該表示素子は封止膜によって封止される。例えば下記特許文献1は、陰極電極を形成する際にマスクを用いる点を開示している。また、下記特許文献2は、厚い部分と薄い部分を有するマスクを用いて、薄膜を形成する点を開示している。
特開2015−15089号公報 特開2017−71842号公報
ところで、上記のようにマスクを用いた蒸着によって表示素子の一部を形成する場合、表示素子にマスクが接触してしまうことがある。このとき、マスクに異物が付着していると、異物が表示素子に押し当てられることにより、当該表示素子を構成する膜に傷が生じる場合がある。このような場合に、傷が生じた膜の上に封止膜を形成したとしても、封止膜は、傷によって凹凸が生じた膜を覆うことができない。そのため、当該箇所から水分が侵入し、表示素子が劣化するおそれがある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、封止膜のバリア性の向上を図ることが可能な表示装置を提供することにある。
本発明の一態様は、発光領域を含む画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域と、を備えた表示装置であって、基板と、前記表示領域及び前記額縁領域に分離して形成され、前記表示領域において前記発光領域の周囲に配置されたリブと、前記額縁領域に配置され、少なくとも前記リブよりも上に膜を形成する成膜用マスクを支持するマスク支持部と、を有し、前記マスク支持部の頂部は、前記基板の厚み方向に対して前記表示領域に配置されたリブの頂部より高いことを特徴とする。
本発明の他の一態様は、発光領域を含む画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域と、を備えた表示装置の製造方法であって、基板上に、前記表示領域において前記発光領域の周囲に配置され、前記表示領域及び前記額縁領域に分離して配置されるリブを形成する工程と、前記額縁領域に配置され、少なくとも前記リブよりも上に成膜用マスクを支持するマスク支持部を成膜する工程と、を含み、前記マスク支持部は、前記基板の厚み方向に対して前記リブより高いことを特徴とする。
本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。 大板と個片の基板との関係について説明するための図である。 表示装置のIII-III断面について説明するための図である。 表示装置のIV-IV断面について説明するための図である。 表示装置の製造方法について説明するための図である。 表示装置の製造方法について説明するための図である。 表示装置の製造方法について説明するための図である。 変形例における大板と個片の基板との関係について説明するための図である。 変形例における表示装置の断面について説明するための図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図1は、実施形態に係る表示装置100の例を示す平面図である。表示装置100の例として、有機EL表示装置を挙げる。
表示装置100は、表示領域102と、額縁領域104と、を備える。具体的には、表示領域102は、発光領域を含む画素105によって構成される。表示領域102には、例えば赤(R)、緑(G)及び青(B)からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて構成される画素105がマトリクス状に配置される。画素105によって、フルカラーの画像が表示される。額縁領域104は、表示領域102の外側に設けられる。表示領域102及び額縁領域104には、後述するリブ312及び平坦化膜306が分離して形成される。
表示装置100は、基板106と、駆動IC108と、FPC110(Flexible Printed Circuit)と、を有する。基板106は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある基材302の上に、リブ312等(図3、図4参照)が配置される。FPC110は、額縁領域104に配置される。FPC110は、駆動IC108や額縁領域104に形成された回路に対して、電源や信号を供給する。駆動IC108は、例えば、1画素105を構成する複数の副画素のそれぞれに対応して配置された画素トランジスタ326(図3、図4参照)の走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタデータ信号線に対して副画素の階調値に対応する電流を流す。当該駆動IC108によって、表示装置100は、画像を表示領域102に表示する。
基板106は、該基板106が複数配置された大板200から切り出された個片の基板106であって、切り出される前に大板200の最も外側に配置された基板106である。具体的には図2に示すように、基板106は、切り離される前の状態では、1枚の大板200に複数配置されている。本実施形態における基板106は、大板200にマトリクス状に配置された複数の基板106のうち、端部または角部に配置された基板106である。
また、後述するマスク支持部202は、大板200の端部に添う辺に配置される。具体的には、図2の大板200の左側の端部に添って配置される基板106のマスク支持部202は、当該基板106の左側の辺に添って配置される。図2の上側の端部に添って配置される基板106のマスク支持部202は、当該基板106の上側の辺に配置される。右側及び下側の端部におけるマスク支持部202も同様に配置される。図2の左上角部に配置される基板106のマスク支持部202は、当該基板106の上側及び左側の辺に添って配置される。他の角部におけるマスク支持部202も同様に配置される。図1に示す基板106は、図2の左上の角部に配置された基板106である。なお、基板106は、大板200にマトリクス状に配置されていなくてもよい。この場合、基板106は、大板200の縁に最も近く配置される。
図3は、図1のIII−III断面を示す図である。図4は、図1のIV−IV断面を示す図である。図3及び図4に示すように、基板106は、基材302と、回路層304と、平坦化膜306と、無機絶縁膜308と、下部電極310と、リブ312と、EL層314と、上部電極316と、マスク支持膜318と、遮光膜320と、封止膜322と、樹脂マスク324と、を含んで構成される。基材302は、例えば、ガラスやポリイミド等の可撓性がある材料で形成される。
回路層304は、基材302の上層に、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極や半導体層等を含んで構成される。ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層によって、トランジスタ326が構成される。トランジスタ326は、例えば、画素105に形成されたEL層314に流す電流を制御する。
平坦化膜306は、表示領域102及び額縁領域104に分離して形成される。具体的には、平坦化膜306は、表示領域102及び額縁領域104において、それぞれ回路層304の上に形成される。表示領域102に形成された平坦化膜306は、と、額縁領域104に形成された平坦化膜306は、断面視で分離される。平坦化膜306は、下部電極310と回路層304に含まれる電極とのショートを防止するとともに、回路層304に配置された配線やトランジスタ326による段差を平坦化する。
また、平坦化膜306は、額縁領域104の中で2か所に分離して形成される。具体的には、平坦化膜306は、額縁領域104において、断面視で2か所に離間して凸状に形成される。額縁領域104に配置された2か所の平坦化膜306のうち内側の平坦化膜306は、封止平坦化膜332を堰き止める内側堰止部328の一部として形成される。外側の平坦化膜306は、無機絶縁膜308、リブ312及びマスク支持膜318とともにマスク支持部202の一部として形成される。また、外側の平坦化膜306は、無機絶縁膜308及びリブ312とともに樹脂マスク324を堰き止める外側堰止部329の一部として形成される。額縁領域104に形成された2か所の平坦化膜306は、いずれも平面視で表示領域102を囲うように形成される。内側堰止部328は、マスク支持部202の内側に形成される。
無機絶縁膜308は、平坦化膜306及び回路層304を覆うように形成される。無機絶縁膜308は、例えば、SiNで形成される。
下部電極310は、無機絶縁膜308の上に形成される。具体的には、下部電極310は、表示領域102において、無機絶縁膜308及び平坦化膜306に形成されたコンタクトホールを介して、回路層304に形成されたトランジスタ326のソース又はドレイン電極と電気的に接続されるように形成される。
リブ312は、無機絶縁膜308の上に、表示領域102と額縁領域104に分離して形成される。表示領域102において、リブ312は、発光領域の周囲に形成される。具体的には、表示領域102において、リブ312は、上部電極316と下部電極310の間に電流が流れることによって、EL層314が発光する領域を囲うように形成される。
リブ312は、額縁領域104において、外側に形成された平坦化膜306の上に形成される。具体的には、リブ312は、額縁領域104において、断面視で2か所に離間して形成された平坦化膜306のうち、外側の平坦化膜306の上に形成された無機絶縁膜308の上に形成される。
マスク支持膜318は、額縁領域104に配置されたリブ312の一部を覆うように形成される。具体的には、図3に示すように、マスク支持膜318は、大板200の端部に添う辺に配置されたリブ312を覆うように形成される。また、マスク支持膜318は、マスク支持膜318の頂部が表示領域102に形成されたリブ312の頂部よりも高くなるように形成される。例えば、マスク支持部202は、マスク支持部202の頂部が表示領域102のリブ312の頂部よりも少なくとも10μm高くなる厚さで形成される。マスク支持膜318は、例えば、SiOやシロキサン系の無機絶縁膜、シリケートガラス等によって、200nm乃至1μmの厚さで形成される。マスク支持部202は、例えば基材302の表面から5乃至10μmの高さで形成される。なお、図4に示すように、マスク支持膜318は、大板200の端部に添う辺以外の辺に配置されたリブ312の周囲には配置されない。
マスク支持膜318は、マスク支持部202の一部を構成する。具体的には、マスク支持部202は、平坦化膜306と、無機絶縁膜308と、リブ312と、マスク支持膜318と、によって構成される。マスク支持部202は、大板200の端部に添う辺に配置された額縁領域104に形成される。マスク支持部202は、少なくともリブ312よりも上に膜を形成する成膜用のマスク204を支持する。例えば、マスク支持部202は、EL層314を形成するためのマスク204を支持する。
EL層314は、下部電極310の上に形成される。具体的には、EL層314は、表示領域102において、下部電極310及びリブ312の端部の上に形成される。また、EL層314は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、及び、電子輸送層が積層されることによって形成される。発光層は、例えば、下部電極310から注入されたホールと、上部電極316から注入された電子とが再結合することにより発光する。ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層については従来技術と同様である為説明を省略する。なお、本実施形態では、発光層は、赤色、緑色、及び、青色の光を発光する材料を用いて形成される。
上部電極316は、EL層314の上に形成され、下部電極310との間に電流を流すことでEL層314に含まれる発光層を発光させる。上部電極316は、例えば、ITOやIZO等の金属を含んで構成される透明導電膜やAgMgから成る光透過性を有する金属薄膜で形成される。
遮光膜320は、マスク支持膜318の頂部に形成される。具体的には、遮光膜320は、マスク支持膜318の頂部に、光を吸収する材料で形成される。マスク支持膜318がマスク204を支持したときに、マスク支持膜318の表面が傷つく場合がある。マスク支持膜318が形成される領域は、視認性を向上させる偏光板(図示なし)が配置されない領域である。そのため、マスク支持膜318の表面の傷が外部から視認され、表示品位が損なわれるおそれがある。マスク支持膜318の上に、光を透過しない遮光膜320が配置されることにより、当該傷が視認されにくくなる。なお、遮光膜320を設けない構成としてもよい。
封止膜322は、表示領域102と額縁領域104とに覆って、表示領域102を覆うように配置される。また、封止膜322は、下層バリア膜330と、封止平坦化膜332と、上層バリア膜334と、を含んで構成される。下層バリア膜330は、マスク支持部202が配置された領域から表示領域102にかけて、上部電極316等を覆うように形成される。封止平坦化膜332は、内側堰止部328の内側に下層バリア膜330を覆うように配置される。封止平坦化膜332は、下層バリア膜330の凹凸を平坦化する。上層バリア膜334は、マスク支持部202が配置された領域から表示領域102にかけて、下層バリア膜330及び封止め平坦化膜306等を覆うように形成される。下層バリア膜330及び上層バリア膜334は、例えばSiN等の、水分を透過しない無機材料で形成される。封止平坦化膜332は、例えばアクリルやエポキシで形成される。封止膜322により、EL層314に水分が侵入することによって、EL層314が劣化することを防止できる。
樹脂マスク324は、封止膜322の上に形成される。具体的には、樹脂マスク324は、マスク支持部202の内側に透明な樹脂材料で形成される。樹脂マスク324は、下層バリア膜330及び上層バリア膜334をエッチングする際のマスクである。
続いて、上記表示装置100の製造方法について説明する。図5乃至図7は、表示装置100の製造方法を示す。まず、図5に示すように、基材302上に回路層304が形成される。次に、平坦化膜306は、表示領域102と額縁領域104とに分離して形成される。具体的には、平坦化膜306は、表示領域102において回路層304を覆うように形成される。また、平坦化膜306は、額縁領域104の中で内側と外側の2か所に分離して形成される。内側の平坦化膜306は、内側堰止部328の一部であり、外側の平坦化膜306は、マスク支持部202の一部である。次に、無機絶縁膜308及び下部電極310が順に形成される。
次に、リブ312は、額縁領域104に形成された平坦化膜306の上、及び、表示領域102の無機絶縁膜308及び下部電極310の上に形成される。表示領域102のリブ312と額縁領域104のリブ312を同じ工程で形成した場合は、表示領域102のリブ312と額縁領域104のリブ312は同じ厚さで形成される。なお、表示領域102のリブ312と額縁領域104のリブ312は、異なる厚さとしてもよい。
次に、マスク支持膜318は、額縁領域104に配置されたリブ312を覆うように形成される。ここで、マスク支持膜318は、表示領域102に形成されたリブ312よりも高くなるように形成される。
次に、EL膜が形成される。具体的には、図6に示すように、EL層314を形成する領域に孔が設けられたマスク204が、マスク支持部202に接するように配置される。ここで、マスク支持部202は、マスク支持部202の頂部が表示領域102のリブ312の頂部よりも高くなる厚さで形成されている。そのため、図6のように、マスク204に異物502が付着している場合であっても、異物502が下部電極310等に接触することを防止できる。例えば、マスク支持部202の頂部が表示領域102のリブ312の頂部よりも少なくとも10μm高くなるように形成されていれば、異物502の大きさはほとんどが10μm未満の大きさであるため、リブ312や下部電極310等に傷が生じるケースをほぼ防止することができる。
平面視において、図2に示すように、マスク204は、大板200に配置された全ての基板106を覆う形状である。具体的には、マスク204端部は、大板200の最も外側に配置された各基板106に形成されたマスク支持部202の位置と一致する。特に異物502は、マスク204の端部付近に付着する場合が多く、マスク204の中央部付近に異物502が付着するケースはまれである。そのため、マスク204が湾曲した場合であっても、リブ312や下部電極310等に傷が生じるケースをほぼ防止することができる。
同様に、上部電極316は、上部電極316を形成するためのマスク204がマスク支持部202に接するように配置された状態で形成される。
次に、マスク204が取り除かれ、遮光膜320がマスク支持部202の頂部に形成される。遮光膜320は、例えば、クロム等の光を吸収する金属又はアクリルやエポキシ等の有機絶縁材料に、黒色顔料を混ぜた材料で形成される。マスク支持部202の頂部は、マスク204と接触することによって傷が生じている場合がある。遮光膜320によって、当該傷が外部から視認されることを防止できる。
次に、図7に示すように、下層バリア膜330が基板106全体を覆うように形成される。また、封止平坦化膜332が、表示領域102に塗布される。封止平坦化膜332は液体状であるため、表示領域102から額縁領域104に向かって流れるが、内側堰止部328によって堰き止められる。これにより、内側堰止部328の内側は、封止平坦化膜332によって充填される。液体状の封止平坦化膜332は、紫外線を照射されることにより硬化される。上層バリア膜334は、封止平坦化膜332の上に基板106全体を覆うように形成される。
次に、樹脂マスク324は、上層バリア膜334の上に形成される。樹脂マスク324は、樹脂マスク324の端部が外側堰止部329またはマスク支持部202の頂部に位置するように形成される。次に、上層バリア膜334及び下層バリア膜330は、エッチングされる。ここで、樹脂マスク324はエッチング用のマスクとして機能することにより、上層バリア膜334及び下層バリア膜330の樹脂マスク324に覆われていない領域は、除去される。最後に、図2に示す状態の大板200から、個片の基板106が切り出される。これにより、表示装置100は、図3及び図4に示す状態となる。
以上のように、表示領域102に形成されたリブ312より高いマスク支持膜318を額縁領域104に形成することによって、封止膜322のバリア性の向上を図ることができる。
上記において、マスク支持部202が大板200の端部に添う辺に配置される場合について説明したが、本発明の実施形態はこれに限られない。例えば、図8に示すように、マスク支持部202は、大板200に配置された各基板106の端部に形成される構成としてもよい。当該構成によれば、マスク204は、端部だけでなく中央部でもマスク支持部202と接することにより、マスク204が湾曲しにくくなる。これにより、マスク204と表示領域102との距離が一定に保たれ、異物502によってリブ312や下部電極310等に傷が生じる可能性をさらに軽減することができる。
また、マスク支持膜318は、さらに表示領域102に形成されてもよい。具体的には、例えば図9に示すように、マスク支持膜318は、さらに表示領域102に設けられたリブ312の上に形成されてもよい。当該構成によれば、マスク支持部202は、表示領域102にも形成される。これにより、マスク204が湾曲した場合であっても、表示領域102に形成されたマスク支持部202がマスク204を支持することによって、リブ312や下部電極310が傷つくことを防止できる。なお、本変形例においては、表示領域102に形成されたマスク支持部202の高さは、額縁領域104に形成されたマスク支持部202の高さよりも低いことが望ましい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
100 表示装置、102 表示領域、104 額縁領域、105 画素、106 基板、108 駆動IC、110 FPC、200 大板、202 マスク支持部、204 マスク、302 基材、304 回路層、306 平坦化膜、308 無機絶縁膜、310 下部電極、312 リブ、314 EL層、316 上部電極、318 マスク支持膜、320 遮光膜、322 封止膜、324 樹脂マスク、326 トランジスタ、328 内側堰止部、329 外側堰止部、330 下層バリア膜、332 封止平坦化膜、334 上層バリア膜、502 異物。

Claims (6)

  1. 発光領域を含む画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域と、を備えた表示装置であって、
    基板と、
    前記表示領域及び前記額縁領域に分離して形成され、前記表示領域において前記発光領域の周囲に配置されたリブと、
    前記額縁領域に配置されマスク支持部と、
    を有し、
    前記マスク支持部の頂部に光を遮断する遮光膜が配置され、
    前記マスク支持部の頂部は、前記基板の厚み方向に対して前記表示領域に配置されたリブの頂部より高いことを特徴とする表示装置。
  2. 前記表示領域を覆う封止膜と、
    前記表示領域を囲うように、前記額縁領域に形成された堰止部と、
    をさらに有し、
    前記堰止部は、前記マスク支持部の内側に配置されることを特徴とする請求項に記載の表示装置。
  3. さらに、前記封止膜の上に樹脂マスクを有することを特徴とする請求項に記載の表示装置。
  4. 前記マスク支持部の頂部は、前記リブの頂部よりも少なくとも10μm高いことを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の表示装置。
  5. 発光領域を含む画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域と、を備えた表示装置の製造方法であって、
    基板上に、前記表示領域において前記発光領域の周囲に配置され、前記表示領域及び前記額縁領域に分離して配置されるリブを形成する工程と、
    前記額縁領域に配置され、少なくとも前記リブよりも上に成膜用マスクを支持するマスク支持部を形成する工程と、
    前記マスク支持部の頂部に光を遮断する遮光膜を形成する工程と、
    を含み、
    前記マスク支持部は、前記基板の厚み方向に対して前記リブより高いことを特徴とする表示装置の製造方法。
  6. 前記マスク支持部の頂部を、前記リブの頂部よりも少なくとも10μm高く形成することを特徴とする請求項に記載の製造方法。
JP2018007169A 2018-01-19 2018-01-19 表示装置及び表示装置の製造方法 Active JP6983080B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018007169A JP6983080B2 (ja) 2018-01-19 2018-01-19 表示装置及び表示装置の製造方法
CN201880086700.3A CN111602468B (zh) 2018-01-19 2018-10-31 显示装置和显示装置的制造方法
PCT/JP2018/040461 WO2019142441A1 (ja) 2018-01-19 2018-10-31 表示装置及び表示装置の製造方法
US16/931,566 US20200350519A1 (en) 2018-01-19 2020-07-17 Display device and method of manufacturing display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018007169A JP6983080B2 (ja) 2018-01-19 2018-01-19 表示装置及び表示装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019125550A JP2019125550A (ja) 2019-07-25
JP2019125550A5 JP2019125550A5 (ja) 2021-02-25
JP6983080B2 true JP6983080B2 (ja) 2021-12-17

Family

ID=67302090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018007169A Active JP6983080B2 (ja) 2018-01-19 2018-01-19 表示装置及び表示装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200350519A1 (ja)
JP (1) JP6983080B2 (ja)
CN (1) CN111602468B (ja)
WO (1) WO2019142441A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6947536B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110610972B (zh) * 2019-09-19 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
TWI517378B (zh) * 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2008004382A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Rohm Co Ltd 有機elディスプレイ
WO2008066122A1 (fr) * 2006-11-30 2008-06-05 Kyocera Corporation Dispositif el organique et procédé de fabrication correspondant
JP2014041740A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Canon Inc 表示装置及びその製造方法
JP2015114624A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 旭硝子株式会社 粘着層付き透明面材
JP6446208B2 (ja) * 2014-09-03 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104681592B (zh) * 2014-12-23 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
KR20170040425A (ko) * 2015-10-02 2017-04-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
JP2017147165A (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106848095A (zh) * 2017-01-24 2017-06-13 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019125550A (ja) 2019-07-25
CN111602468A (zh) 2020-08-28
CN111602468B (zh) 2023-05-12
WO2019142441A1 (ja) 2019-07-25
US20200350519A1 (en) 2020-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170221974A1 (en) Display device
CN107104124B (zh) 显示装置
JP6807223B2 (ja) 表示装置
KR102516055B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
US20180351127A1 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US20230172023A1 (en) Display panel and display apparatus
US20180114820A1 (en) Flat panel display connecting front side to rear side of substrate using through hole
JP6680565B2 (ja) 表示装置、及び、表示装置の製造方法
JP6824058B2 (ja) タッチセンサ内蔵表示装置
US20140253856A1 (en) Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
KR20180013452A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108022950B (zh) 具有白色发光区域的显示装置
US11133488B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate having enclosure ring in buffer area
US9196666B2 (en) Organic electroluminescence display device
JP6474337B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR20170032958A (ko) 커브드 디스플레이 장치
US20210249631A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP6983080B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6560940B2 (ja) 表示装置、及び、表示装置の製造方法
JP2017152256A (ja) 表示装置
CN111699757A (zh) 有机el显示装置
US9911796B2 (en) Display device and method of manufacturing a display device
KR20220147567A (ko) 유기발광 표시장치
JP2018181429A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2019174609A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210112

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211026

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6983080

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150