JPH0545677A

JPH0545677A - 配線基板の製造方法並びに配線基板及び液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0545677A
Application number: JP20797691A
Authority: JP
Inventors: Fumiaki Nemoto; 文明根本; Ryuichi Saito; 隆一斉藤; Takayuki Wakui; 陽行和久井; Takeshi Tanaka; 武田中
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Haramachi Electronics Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Priority date: 1991-08-20
Filing date: 1991-08-20
Publication date: 1993-02-26

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＦＴ基板の二層信号配線構造において、二
層信号配線構造の信号配線の下層と同層にある、直交す
る走査配線とのショ−トを少なくする。【構成】信号配線の下層８はＣｒで形成する。直交す
る走査配線１はＡｌで形成し、さらに陽極酸化により電
解液中にて酸化膜を形成する。Ａｌパタ−ンを形成した
時点でＣｒパタ−ンと接触していても、酸化膜形成時に
Ｃｒパタ−ンは電気分解により溶解するため、接触状態
は解消されショ−トを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor 以下ＴＦＴと略す。）等の配線基
板の製造方法並びに配線基板及びアクティブマトリクス
駆動型の液晶表示装置に係り、特に、駆動素子の配線に
起因する欠陥を低減させるのに好適な、配線基板の製造
方法並びに配線基板及びアクティブマトリクス駆動型の
液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス駆動型液
晶表示装置は、ガラス基板上にスイッチング素子として
働く薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、このＴＦＴのソー
ス電極に接続された透明画素電極とからなる画素を走査
および信号配線によってマトリクス状に接続したＴＦＴ
基板と、該基板に対向する、透明共通電極およびカラー
フィルターからなるカラーフィルター基板と、ＴＦＴ基
板とカラーフィルター基板との間に封入された液晶とか
ら構成されている。ＴＦＴ基板上にマトリクス状に配置
された画素のＴＦＴを外部駆動回路より選択し、ＴＦＴ
に接続されたソース電極に電圧を印加することにより、
画像表示を行うものであり、明るく、コントラストの良
好な高品質の表示が達成できる。

【０００３】図１１は、上述したＴＦＴ基板の回路図の
一例である。走査配線１は、個々のＴＦＴ２のゲート電
極を連結し走査側駆動回路３に接続されている。信号配
線４は、個々のＴＦＴ２のドレイン電極を連結し信号側
駆動回路５に接続されている。ＴＦＴ２は、走査配線１
と信号配線４との交差部近傍に配置される。一方、前記
画素電極と、液晶と、前記透明共通電極とから構成され
る容量６において、前記画素電極がＴＦＴ２のソース電
極に接続されている。

【０００４】このＴＦＴ基板に形成されるＴＦＴ２は、
ゲート電極上に層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）、半導体
層、およびソース電極、ドレイン電極が順次形成された
逆スタガ構造になっている。走査配線１と信号配線４と
の交差部の断面構造は、ゲート電極を兼ねる走査配線１
上に、層間絶縁膜、走査配線１と信号配線４との短絡確
率低減を目的とした層間半導体薄膜，ソース電極および
ドレイン電極を兼ねる信号配線４が形成されている。

【０００５】例えば、通常用いられるＶＤＴでは縦スト
ライプ構造が主に採用され、走査配線１は４８０本、信
号配線４は６４０×３で構成される。各々の配線によっ
てマトリクス状に配置したＴＦＴ２には、走査側駆動回
路３からＴＦＴをオンオフさせる信号を、信号側駆動回
路５から画像信号をそれぞれ供給している。このため、
ＴＦＴ基板の配線欠陥、特に断線７がある場合は、画像
表示の際に線状の表示不良となり表示装置にとって致命
的欠陥になる。特に縦ストライプ構造では、信号配線４
は本数が多いため不良発生率が高く問題となる。

【０００６】そこで、この断線に対する対策として、信
号配線４を、層間絶縁膜を挟んで二層構造とする配線冗
長方式が提案されている。図１２は、二層信号配線構造
のＴＦＴ基板の回路図の一例を示す。信号配線は、走査
配線１間において、二層信号配線構造の信号配線の下層
８と二層信号配線構造の信号配線の上層９とに分岐され
ている。例えば、二層信号配線構造の信号配線の上層９
が断線７などによって電気的に絶縁されても、二層信号
配線構造の信号配線の下層８を通してＴＦＴ２に信号が
供給される。このため致命的欠陥である断線７が生じて
も表示品質を損ねることはなく、信頼性の高い表示素子
を得ることができる。

【０００７】図１３は、従来の二層信号配線構造におけ
る、信号配線と走査配線とが直交する交差部の断面の一
例である。上述したように、ガラス基板１０上の走査配
線１と二層信号配線構造の信号配線の上層９との間に
は、層間絶縁膜１１のほかに、短絡確率低減を目的とし
た層間半導体薄膜１２が介在している。

【０００８】こうした従来技術に最も近い公知例は、例
えば、特開昭５９ー２０５７３８号公報に示されてい
る。この公知例においては、二層信号配線構造の信号配
線の下層８が走査配線１と同層（層間絶縁膜を介さない
で同一平面上に形成されること）に形成する構成となっ
ていた。二層信号配線構造の信号配線の上層９は、層間
絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、ソース電極お
よびドレイン電極材料で形成する構成となっていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、二層信号配線構造の信号配線の下層８は直交する走
査配線１と同層に構成するため、その層での配線間隔の
縮小による短絡確率が、二層信号配線構造でない時に比
べて、飛躍的に高くなるという問題があった。ここで、
短絡確率を低くするために、新たに層間絶縁膜等を介し
て二層信号配線構造の信号配線の下層８と走査配線１と
を異層間に形成しようとすれば、プロセスの増加や新た
な層間の短絡確率を上昇させることになる。

【００１０】また、層間絶縁膜１１にコンタクトホール
１４を形成することにより、その段差部の形状が急峻と
なるため、二層信号配線構造の信号配線の上層９が薄肉
状になり段切れを起こす確率が高くなるという問題があ
った。また、この問題の他にも、配線抵抗の増加や配線
の電流密度の低下等をもまねき、二層信号配線構造の信
頼性を低下させる問題があった。

【００１１】本発明の目的は、例えば上記のような二層
信号配線構造の信号配線の下層と走査配線との同層での
短絡確率を低減させることのできる配線基板の製造方法
並びに配線基板及びアクティブマトリクス駆動型の液晶
表示装置を提供せんとするものである。また、コンタク
トホール段差部での二層信号配線構造の信号配線の上層
の段切れ確率を低減させることにより、良品率の高い、
しかも低コストのもとに容易に得られる二層信号配線構
造および製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、一方の配線と、この一方の配線と絶縁される
と共に該一方の配線と同電位が与えられると電解液中に
溶解する材料より成る他方の配線とを基板上に形成する
工程と、前記電解液中で前記一方の配線を陽極酸化して
その表面に絶縁膜を形成する工程と、を含む配線基板の
製造方法である。ここで、一方の配線は薄膜トランジス
タ基板の走査配線であり、他方の配線は信号配線である
ものがよい。また、走査配線はＡｌ又はＴａより成り、
信号配線はＣｒより成るものがよい。

【００１３】また本発明は、一方の配線と、この一方の
配線と絶縁されると共に該一方の配線と同電位が与えら
れると電解液中に溶解する材料より成る他方の配線と、
前記電解液中で前記一方の配線を陽極酸化してその表面
に形成された絶縁膜と、を備えた配線基板である。

【００１４】例えば、二層信号配線構造の信号配線の下
層には、電解液中で走査配線と同電位を与えると電解液
中に溶解する材料（例えばＣｒ）を用いる。また、走査
配線上には、陽極酸化法により絶縁膜を形成した。例え
ば、Ａｌを用い、走査配線上に陽極酸化膜であるアルミ
ナを形成した構造とした。その製造方法は、二層信号配
線構造の信号配線の下層をなすＣｒパターンを形成する
工程と、走査配線のＡｌパターンを形成する工程および
Ａｌパターンを陽極酸化する工程とを含む。

【００１５】また本発明は、基板上に形成されたゲ−ト
電極に接続された走査配線と、ドレイン電極に接続され
た信号配線と、透明画素電極に接続する前記ドレイン電
極と同層のソ−ス電極と、前記ゲート電極とドレイン電
極及びそれと同層のソ−ス電極とを絶縁する層間絶縁膜
と、前記ドレイン電極及びソ−ス電極と層間絶縁膜との
間に設けられた半導体層と、を備えた逆スタガ型薄膜ト
ランジスタからなるアクティブマトリクス駆動型の液晶
表示装置において、前記信号配線は前記層間絶縁膜を挟
んで積層された二層配線で構成され、このうち前記層間
絶縁膜の直下に形成される下層信号配線は前記走査配線
と同層に形成され、前記層間絶縁膜のコンタクトホ−ル
部を通して前記層間絶縁膜の上側に形成された前記信号
配線の上層配線に接続され、信号配線は走査配線と同電
位が与えられると電解液中に溶解する材料より成り、走
査配線の表面に前記電解液中で陽極酸化により形成され
た絶縁膜を有することを特徴とするものである。ここ
で、下層信号配線はＣｒより成り、走査配線はＡｌまた
はＴａ及びその表面の酸化膜より成るものがよい。

【００１６】また本発明は、前記液晶表示装置におい
て、前記層間絶縁膜のコンタクトホ−ル部にて、前記半
導体層と同層の半導体薄膜がコンタクトホ−ルの外周に
接しているものである。ここで、前記層間絶縁膜のコン
タクトホ−ル部の段差形状は、前記半導体薄膜を用いて
形成されたものがよい。また、前記層間絶縁膜は窒化シ
リコン、前記半導体薄膜は非晶質シリコンであるものが
よい。

【００１７】すなわち、コンタクトホールの段差形状に
ついては、層間絶縁膜の材料に、例えば、窒化シリコン
を用い、さらに層間半導体薄膜の材料に、例えば、非晶
質シリコンを、層間絶縁膜のコンタクトホールを形成し
ようとする上部に積層することによって傾斜をもたせた
段差構造とした。その製造方法は、コンタクトホールを
開口する窒化シリコン上に非晶質シリコンパターンを形
成する工程と、該パターン上にコンタクトホールを形成
するためのホトレジストパターンを形成する工程、およ
び非晶質シリコンのエッチングレートが、窒化シリコン
のそれよりも大きくなるような組成をもつエッチング材
料で、非晶質シリコンおよび窒化シリコンを連続エッチ
ングする工程からとした。

【００１８】

【作用】走査配線の例えばＡｌを陽極酸化することによ
りその表面に絶縁膜のアルミナが形成されるため、二層
信号配線構造の信号配線の下層をなすＣｒとの電気的絶
縁性が高くなり、短絡確率を低減させることができる。
ここで、何らかの原因で二層信号配線構造の信号配線の
下層をなすＣｒが形状不良となり、それと走査配線のＡ
ｌとが接触している場合があっても、Ａｌの陽極酸化工
程において、Ｃｒは電解液中で通電されるため電気分解
によって溶解されるので、ＣｒとＡｌは自動的に分断さ
れる（尚、このようなＣｒとＡｌの誤接続のない場合に
は、Ｃｒは電解液中でも溶解することなく安定に存在す
る。）。つまり、配線の短絡の原因となっている部分の
み選択的に除去され、言わば自己修復効果をもつプロセ
スが実現する。さらにその電気分解中に走査配線のＡｌ
は上述したようにアルミナが形成されるため、同層にあ
るＣｒとＡｌは完全に電気的に絶縁されるので短絡確率
を著しく低減させることができる。いうまでもないが、
走査配線のＡｌにアルミナが形成された後、導電性の異
物等が付着し二層信号配線構造の信号配線の下層をなす
Ｃｒと接触しても、電気的に絶縁されることにかわりは
ない。

【００１９】また、前記非晶質シリコンと前記窒化シリ
コンとのエッチング選択比は、前記非晶質シリコンの方
がはるかに大きいため、コンタクトホールとなる部分の
前記窒化シリコンエッチング中にも、前記非晶質シリコ
ンのエッチングは外側に速く進行する。従って、前記非
晶質シリコンの直下に形成されている前記窒化シリコン
のエッチングも除々に外側に進行する。つまり、コンタ
クトホールが貫通した時点において、外側方向になだら
かな上り傾斜を持つようになる。それによって、前記信
号配線の上層が段差部で薄肉状にならず、段切れの確率
を低下させることができる。

【００２０】

【実施例】図１は本発明における二層信号配線構造の特
徴を表した、ＴＦＴ基板の、走査配線と信号配線とが直
交する交差部での断面図を示す。ガラス基板１０上に、
二層信号配線構造の信号配線の下層８であるＣｒがＡｌ
による走査配線１と同層に形成されている。走査配線１
は陽極酸化によって表面にアルミナ１５が形成されてい
る。上述したように、アルミナ１５により陽極酸化後異
物等が付着しても短絡する確率は極めて低い。また後述
するように、ＣｒとＡｌが、Ａｌの陽極酸化以前に接触
していても電気分解によりＣｒが溶解するため自動的に
分断される。

【００２１】層間絶縁膜１１の窒化シリコンに形成する
コンタクトホール１４の段差形状は、層間半導体薄膜１
２の非晶質シリコンをコンタクトホール１４の周辺に設
けることにより、ゆるやかな傾斜となっている。このた
め二層信号配線構造の信号配線の上層９は、ゆるやかな
傾斜をもつコンタクトホール１４の段差部で薄肉状にな
らず段切れ確率は著しく低減される。

【００２２】図２は、図１の一実施例のＴＦＴ基板の画
素部の平面構造である。ＴＦＴ２をオンオフさせる信号
を入力する走査配線１は、Ａｌおよびアルミナ１５の二
層構造である。走査配線１と同層に形成される、二層信
号配線構造の信号配線の下層８の材料はＣｒである。走
査配線１と信号配線の下層８との間隔は、パターン形成
時のアライメント精度や寸法シフト等を考慮して、例え
ば約５μｍである。層間半導体薄膜１２は、走査配線１
と二層信号配線構造の信号配線の上層９との交差部での
短絡確率を低減させるため、前記半導体層と同一工程で
形成される非晶質シリコンである。層間絶縁膜のコンタ
クトホール１４の位置は、層間半導体薄膜１２上の、走
査配線１と二層信号配線構造の信号配線の上層９との交
差部近傍である。

【００２３】ここで、コンタクトホール１４の位置を交
差部近傍に配置することにより、ＴＦＴ２のソース電極
に接続されている透明画素電極１６の面積の縮小を最小
限に押さえることができる。すなわち、透明画素電極１
６は画像を表示する部分であり、その有効面積の割合
（開口率）の減少を小さくできる。また、コンタクトホ
ール１４の位置を交差部近傍に配置することにより、二
層信号配線構造の信号配線の下層８を長くすることがで
きる。

【００２４】一方、走査配線１と二層信号配線構造の信
号配線の上層９との交差部での短絡防止を目的として設
けられている層間半導体薄膜１２を、コンタクトホール
１４の段差緩和のために設けられた半導体薄膜部と共通
化することにより、プロセスは増加しない。二層信号配
線構造の信号配線の上層９はＡｌを用いて、二層信号配
線構造の信号配線の下層８，層間半導体薄膜１２および
コンタクトホール１４に重ね合わせるように配置する。

【００２５】次に、図３乃至図６を用いて、前記平面構
造を有するＴＦＴ基板の製造方法を説明する。図３乃至
図６は、図２の各工程毎のＡーＡ線断面図である。図３
において、ガラス基板１０上に、Ｃｒをスパッタ法等の
手法により成膜し、ホトリソグラフィー工程およびエッ
チング工程等を経て二層信号配線構造の信号配線の下層
８を形成する。続いて、Ａｌをスパッタ法または真空蒸
着法等の手法により成膜し、同様にして走査配線１を形
成する。

【００２６】次に図４において、例えば、３％酒石酸と
エチレングリコールの混合比が１：９である電解液中に
浸し、上記Ａｌを陽極酸化してアルミナ１５をその表面
に形成する。こうして得られたアルミナ１５は、絶縁膜
としての効果が非常に大きい。従って、同層にある二層
信号配線構造の信号配線の下層８との短絡確率を低減さ
せることができる。この実施例は前記陽極酸化の工程で
走査配線１と信号配線の下層８との間に短絡がない場合
を示している。従って、該下層８は該陽極酸化工程で何
ら変化は受けない。

【００２７】次に図５において、層間絶縁膜１１をなす
窒化シリコンと、層間半導体薄膜１２をなす非晶質シリ
コンとをＰ−ＣＶＤ法等の手法により連続形成する。そ
の後、ホトリソグラフィー工程およびエッチング工程等
を経て、非晶質シリコンを所望の形状に形成する。その
後、再びホトリソグラフィー工程を通し、層間半導体薄
膜１２である非晶質シリコン上に、層間絶縁膜１１のコ
ンタクトホール１４を形成するための、エッチングマス
ク材として働くホトレジストパターン１７を形成する。

【００２８】次に図６において、例えば、ＳＦ₆とＣＣ
ｌ₄との混合ガスを用いて非晶質シリコン、窒化シリコ
ンのドライエッチングを行い、コンタクトホール１４を
形成する。このとき、窒化シリコンに対する非晶質シリ
コンの選択比は十分大きく、例えば４であるから、前述
したように、コンタクトホール１４の段差形状は、なだ
らかな傾斜が得られる。次に、二層信号配線構造の信号
配線の上層９をなすＡｌをスパッタ法または真空蒸着法
等の手法により成膜する。続いて、ホトリソグラフィー
工程およびエッチング工程等を通して、二層信号配線構
造の信号配線の下層８の伸延方向に重なるように二層信
号配線構造の信号配線の上層９を形成する。このとき、
コンタクトホール１４はなだらかな傾斜をもつため、そ
の部分での段切れ確率は低減させることができる。この
上に、よく知られているように、保護膜と配向膜を形成
して、ＴＦＴ基板は完成する。

【００２９】上述した製造方法により、二層信号配線構
造の信号配線の下層８と走査配線１との短絡確率を著し
く低減させることができる。また、二層信号配線構造の
信号配線の上層９のコンタクトホール段差部での段切れ
確率を著しく低減させることができた。こうした効果に
より、信頼性の高い二層信号配線構造をもつ、アクティ
ブマトリクス駆動型液晶表示装置が得られる。

【００３０】次に、本発明の最も特徴とする、二層信号
配線構造の信号配線の下層８と走査配線１との構成が短
絡確率低減に画期的であることを図７乃至図１０に基づ
いて、以下に説明する。図７乃至図１０は、図２の各工
程毎のＡーＡ線断面図である。図７において、上述した
製造方法により、ガラス基板１０上に二層信号配線構造
の信号配線の下層８のＣｒパターンを形成する。このと
き、例えば、二層信号配線構造の信号配線の下層８が異
物等によりホトマスク通りの形状にならず、走査配線１
が形成される位置にまでＣｒパターンが形成されるとす
る。

【００３１】図８において、二層信号配線構造の信号配
線の下層８を形成した同層上に、上述した製造方法で走
査配線１のＡｌパターンを形成する。二層信号配線構造
の信号配線の下層８の形状不良により、走査配線１はそ
の一部が二層信号配線構造の信号配線の下層８に重なっ
た状態となる。

【００３２】図９において、上述した製造方法により、
走査配線１を陽極酸化し、アルミナ１５を形成する。こ
のとき、同層にある二層信号配線構造の信号配線の下層
８は、電解液中で走査配線１により通電されるため電気
分解を起こす。つまり、Ｃｒは溶解される。これにより
走査配線１と前記下層８との重なり状態は解消される。
図１０において、以下、上述した製造方法により、Ｔ
ＦＴ基板は形成され、同様に短絡確率、段切れ確率とも
に著しく低減させることができる。ただし、図１０に示
すように、例えば、二層信号配線構造の信号配線の下層
８をなすＣｒパターンが溶解し、コンタクトホール１４
において二層信号配線構造の信号配線の上層９との導通
が得られない場合がある。このとき画像信号を供給する
経路は、二層信号配線構造の信号配線の下層８と同一画
素内の、二層信号配線構造の信号配線の上層９だけであ
る。二層信号配線構造の信号配線の下層８のＣｒパター
ン溶解と二層信号配線構造の信号配線の上層９の断線と
が、同時に発生する確率は極めて低い。従って、信号配
線が電気的に断線する確率は無視できる。

【００３３】本発明において最も特徴とする点は、電解
液中で通電することにより溶解する性質の材料を用いて
二層信号配線構造の信号配線の下層８を構成し、さら
に、同層にある走査配線１を陽極酸化することによっ
て、接触状態の解消と絶縁膜形成とを同時に行え、下層
８の信号配線と走査配線１との回路上での短絡確率を著
しく低減させられる画期的な構造としたことである。し
かも、この構造により短絡箇所を発見する作業なしに配
線間の短絡箇所が選択的に除去されるので、スループッ
トの向上が図れる。

【００３４】以上のように、本実施例によれば良品率が
高い、アクティブマトリクス駆動型液晶表示装置を低コ
ストのもとに容易に得ることができる。

【００３５】本実施例において、二層信号配線構造の信
号配線の下層にはＣｒを用いたが、画質の点から非透光
性であって、上記の性質を有する金属膜であれば、必ず
しもこれに限定されるものではない。また走査配線につ
いても同様にＡｌに限定されるものではなく、例えばＴ
ａを用いて走査配線を構成しても同じ効果が得られる

【００３６】。

【発明の効果】本発明によれば、二層信号配線構造のＴ
ＦＴ基板製造工程上の良品率が、従来に比べて著しく高
くすることができる。従って、製造上のコストが低く
て、しかも、表示品質の良いアクティブマトリクス駆動
型の液晶表示装置を提供することが可能となり、各種画
像表示装置応用に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の断面図である。

【図２】本発明の一実施例の平面構造図である。

【図３】本発明の一実施例の第１工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図４】本発明の一実施例の第２工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】本発明の一実施例の第３工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図６】本発明の一実施例の第４工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図７】本発明の他実施例の第１工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図８】本発明の他実施例の第２工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図９】本発明の他実施例の第３工程を説明するための
図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図１０】本発明の他実施例の第４工程を説明するため
の図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図１１】従来のＴＦＴ基板の回路図である。

【図１２】従来のＴＦＴ基板の二層信号配線構造の回路
図である。

【図１３】従来のＴＦＴ基板の二層信号配線構造の断面
図である。

【符号の説明】

１走査配線２ＴＦＴ３走査側駆動回路４信号配線５信号側駆動回路６容量７断線８二層信号配線構造の信号配線の下層９二層信号配線構造の信号配線の上層１０ガラス基板１１層間絶縁膜１２層間半導体薄膜１４コンタクトホ−ル１５アルミナ１６画素透明電極１７ホトレジストパタ−ン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/3205 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784 (72)発明者和久井陽行茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者田中武茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の配線と、この一方の配線と絶縁さ
れると共に該一方の配線と同電位が与えられると電解液
中に溶解する材料より成る他方の配線とを基板上に形成
する工程と、前記電解液中で前記一方の配線を陽極酸化
してその表面に絶縁膜を形成する工程と、を含む配線基
板の製造方法。
【請求項２】請求項１において、一方の配線は薄膜ト
ランジスタ基板の走査配線であり、他方の配線は信号配
線である配線基板の製造方法。
【請求項３】請求項２において、走査配線はＡｌ又は
Ｔａより成り、信号配線はＣｒより成る配線基板の製造
方法。
【請求項４】一方の配線と、この一方の配線と絶縁さ
れると共に該一方の配線と同電位が与えられると電解液
中に溶解する材料より成る他方の配線と、前記電解液中
で前記一方の配線を陽極酸化してその表面に形成された
絶縁膜と、を備えた配線基板。
【請求項５】基板上に形成されたゲ−ト電極に接続さ
れた走査配線と、ドレイン電極に接続された信号配線
と、透明画素電極に接続する前記ドレイン電極と同層の
ソ−ス電極と、前記ゲート電極とドレイン電極及びそれ
と同層のソ−ス電極とを絶縁する層間絶縁膜と、前記ド
レイン電極及びソ−ス電極と層間絶縁膜との間に設けら
れた半導体層と、を備えた逆スタガ型薄膜トランジスタ
からなるアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置に
おいて、前記信号配線は前記層間絶縁膜を挟んで積層さ
れた二層配線で構成され、このうち前記層間絶縁膜の直
下に形成される下層信号配線は前記走査配線と同層に形
成され、前記層間絶縁膜のコンタクトホ−ル部を通して
前記層間絶縁膜の上側に形成された前記信号配線の上層
配線に接続され、信号配線は走査配線と同電位が与えら
れると電解液中に溶解する材料より成り、走査配線の表
面に前記電解液中で陽極酸化により形成された絶縁膜を
有することを特徴とするアクティブマトリクス駆動型の
液晶表示装置。
【請求項６】請求項５において、下層信号配線はＣｒ
より成り、走査配線はＡｌまたはＴａ及びその表面の酸
化膜より成るアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装
置。
【請求項７】請求項５において、前記層間絶縁膜のコ
ンタクトホ−ル部にて、前記半導体層と同層の半導体薄
膜がコンタクトホ−ルの外周に接しているアクティブマ
トリクス駆動型の液晶表示装置。
【請求項８】請求項７において、前記層間絶縁膜のコ
ンタクトホ−ル部の段差形状は、前記半導体薄膜を用い
て形成されたアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装
置。
【請求項９】請求項８において、前記層間絶縁膜は窒
化シリコン、前記半導体薄膜は非晶質シリコンであるア
クティブマトリクス駆動型の液晶表示装置。