JPH02277027A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH02277027A JPH02277027A JP1099541A JP9954189A JPH02277027A JP H02277027 A JPH02277027 A JP H02277027A JP 1099541 A JP1099541 A JP 1099541A JP 9954189 A JP9954189 A JP 9954189A JP H02277027 A JPH02277027 A JP H02277027A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は薄膜トランジスタ（以後、ＴＰＴと称す）を表
示電極とともに多数配列したＴＰＴアレイ基板を用いた
アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
示電極とともに多数配列したＴＰＴアレイ基板を用いた
アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
（ロ）従来の技術
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、複数の信号
線と複数の走査線との各交差点にＴＰＴを配し、該各Ｔ
ＦＴを介して夫々信号線に結合される画素単位の表示電
極を備えた表示電極基板によ・す自起極基板を対向配置
し、これら両基板間に液晶物質を介在したものであり、
高品位の階調表示が可能である点で、近年テレビジョン
表示装置としての開発が傷んである。
線と複数の走査線との各交差点にＴＰＴを配し、該各Ｔ
ＦＴを介して夫々信号線に結合される画素単位の表示電
極を備えた表示電極基板によ・す自起極基板を対向配置
し、これら両基板間に液晶物質を介在したものであり、
高品位の階調表示が可能である点で、近年テレビジョン
表示装置としての開発が傷んである。
このような従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装
置には、各画素の表示′４極に補助容量を付加すること
によって、ＴＰＴのゲートとソース間の寄生容量及びＴ
ＰＴオフ期間中のリーク電流に起因する駆動電流の変位
を抑制して、表示品位を安定させようとしたものがある
［特開昭５６−６３１７６号公報］。
置には、各画素の表示′４極に補助容量を付加すること
によって、ＴＰＴのゲートとソース間の寄生容量及びＴ
ＰＴオフ期間中のリーク電流に起因する駆動電流の変位
を抑制して、表示品位を安定させようとしたものがある
［特開昭５６−６３１７６号公報］。
しかしながら、上述の如きアクティブマトリクス型の液
晶表示装置は、その表示電極基板に数百本の走査線と信
号線、数カのＴＰＴと表示電極、史には補助容量を備え
ているので、構造が複雑になり、製造プロセスも煩雑に
なるため、走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交
差部での層間短絡事故が絶えない。例えば、走査線が断
線して孤ｔした走査線の全てのＴＰＴが動作しなくなる
と、この走査線にＴＰＴを介して結ばした全ての表示電
極に画像信号画印加できなくなるため、これら表示電極
の画素ラインが表示欠陥（ライン欠陥−を引き起こす。
晶表示装置は、その表示電極基板に数百本の走査線と信
号線、数カのＴＰＴと表示電極、史には補助容量を備え
ているので、構造が複雑になり、製造プロセスも煩雑に
なるため、走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交
差部での層間短絡事故が絶えない。例えば、走査線が断
線して孤ｔした走査線の全てのＴＰＴが動作しなくなる
と、この走査線にＴＰＴを介して結ばした全ての表示電
極に画像信号画印加できなくなるため、これら表示電極
の画素ラインが表示欠陥（ライン欠陥−を引き起こす。
また、走査線と信号線とで層間短緒事故が発生すると、
信号線の画像信号電流が走査線に短流してしまい、逆に
走査線の走査パルスが信号線に短流してしまうので、こ
の信号線及び走査線にＴＰＴを介して結合した全ての表
示電極に画像信号画印加できなくなるため、これら交差
した全ての表示電極の画素ラインが表示欠陥（＋字型の
ライン欠陥）を引き起こす。
信号線の画像信号電流が走査線に短流してしまい、逆に
走査線の走査パルスが信号線に短流してしまうので、こ
の信号線及び走査線にＴＰＴを介して結合した全ての表
示電極に画像信号画印加できなくなるため、これら交差
した全ての表示電極の画素ラインが表示欠陥（＋字型の
ライン欠陥）を引き起こす。
（２ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、走査
線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での短絡事
故を簡単に修復できる）１％Ｉ造として表示欠陥の低減
を可能としたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を
提供するものて−ある。
線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での短絡事
故を簡単に修復できる）１％Ｉ造として表示欠陥の低減
を可能としたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を
提供するものて−ある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明のアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、表
示電極線の各走査線を夫々少なくとも２本のバスライン
で構成し、一方のバスラインにＴＰＴのゲートを極を連
設し、他方のバスラインに付加容量電極を連設すると共
に、上記両バスライン間を複数のブリッジラインで連結
したものである。
示電極線の各走査線を夫々少なくとも２本のバスライン
で構成し、一方のバスラインにＴＰＴのゲートを極を連
設し、他方のバスラインに付加容量電極を連設すると共
に、上記両バスライン間を複数のブリッジラインで連結
したものである。
（ホ）作用
本発明のアクティブマトリクス型の液晶表示装置によれ
ば、−本の走査線を構成する一方のバスラインに断線事
故があっても、他方のバスライン、及び両バスラインを
連結するブリッジラインによって走査パルスの給電は絶
えることはない。
ば、−本の走査線を構成する一方のバスラインに断線事
故があっても、他方のバスライン、及び両バスラインを
連結するブリッジラインによって走査パルスの給電は絶
えることはない。
又、ｊＩ＆線の一方のバスラインと信号線とで層間短絡
事故があってもその短絡箇所のバスラインの両端を切断
すれば、走査線と信号線とを分離でき、これによる一方
のバスラインの断線は上述の９口く他方のバスラインの
バイパス作用で補償できる。
事故があってもその短絡箇所のバスラインの両端を切断
すれば、走査線と信号線とを分離でき、これによる一方
のバスラインの断線は上述の９口く他方のバスラインの
バイパス作用で補償できる。
１・＼」実施例
第１図は本発明を走査線に１ａった画素列が反周期ずｉ
ｔなデルタ配置の表示画素形式のアクティブマトリクス
型の液晶表示装置に採用した場合の一実鬼例の表示電極
基板の要部平面図、第２図は第１図の本発明装置のｘ−
ｘ’線断面図、第３図は本発明装置の走査線の平面パタ
ーン図、第４図は本イｂ明装置の短絡事故の修復処理を
示す平面図である。同図の表示′＠極基板は、第１図、
第２図に示す如く、ガラス基板１上に、画素単位のＴＰ
Ｔのゲー１−１極を兼ねた第１バスライン３、画素単位
の補助容量電極２を連設した第２バスライン４及び画素
単位で両バスライン３．４を連設したブン・ソジライン
５となる第１金属膜が第３図のパターンに形成されてい
る。即ち、ゲート電極を兼ねた第１バスライン３と補助
容量を極２を連設した第２バスライン４との２本のバス
ラインで走査線を構成している。尚、このような第１金
属膜：ｊ、同一の透光性のある金属膜で形成できるが、
ｌｉ！！Ｉ素領域に位置することになる補助容量電極２
を連設する第２のバスラインとブリッジライン５をＩＴ
Ｏ等の透光性金属で形成し、内素領域外のゲート電極を
兼ねる第】のバスラインを導電率の高い金やクロムで形
成することができる。このような構成の走査線の第１の
バスライン３が兼ねるゲート電極２上のＴＰＴ領域には
、ゲート絶縁膜６、アモルファスシリコンからなる半導
体膜７、燐ドープのアモルファスシリコンからなるｔ極
コンタクト膜８、ア！レミニウムからなるソーλｔｔ−
Ｘ１０、並びに画素間隙を蛇行配置した信号線をなすド
レイン配線１２に連設するドレイン電価１１が積層構成
されている。更に、上記ソース電極ｌＯの一部は、基板
全面に成膜されたゲート絶縁膜６上に形成された画素単
位のＩＴＯ等の透光性表示４ｉ極９の一部に重畳して電
気的な結合を得ている。
ｔなデルタ配置の表示画素形式のアクティブマトリクス
型の液晶表示装置に採用した場合の一実鬼例の表示電極
基板の要部平面図、第２図は第１図の本発明装置のｘ−
ｘ’線断面図、第３図は本発明装置の走査線の平面パタ
ーン図、第４図は本イｂ明装置の短絡事故の修復処理を
示す平面図である。同図の表示′＠極基板は、第１図、
第２図に示す如く、ガラス基板１上に、画素単位のＴＰ
Ｔのゲー１−１極を兼ねた第１バスライン３、画素単位
の補助容量電極２を連設した第２バスライン４及び画素
単位で両バスライン３．４を連設したブン・ソジライン
５となる第１金属膜が第３図のパターンに形成されてい
る。即ち、ゲート電極を兼ねた第１バスライン３と補助
容量を極２を連設した第２バスライン４との２本のバス
ラインで走査線を構成している。尚、このような第１金
属膜：ｊ、同一の透光性のある金属膜で形成できるが、
ｌｉ！！Ｉ素領域に位置することになる補助容量電極２
を連設する第２のバスラインとブリッジライン５をＩＴ
Ｏ等の透光性金属で形成し、内素領域外のゲート電極を
兼ねる第】のバスラインを導電率の高い金やクロムで形
成することができる。このような構成の走査線の第１の
バスライン３が兼ねるゲート電極２上のＴＰＴ領域には
、ゲート絶縁膜６、アモルファスシリコンからなる半導
体膜７、燐ドープのアモルファスシリコンからなるｔ極
コンタクト膜８、ア！レミニウムからなるソーλｔｔ−
Ｘ１０、並びに画素間隙を蛇行配置した信号線をなすド
レイン配線１２に連設するドレイン電価１１が積層構成
されている。更に、上記ソース電極ｌＯの一部は、基板
全面に成膜されたゲート絶縁膜６上に形成された画素単
位のＩＴＯ等の透光性表示４ｉ極９の一部に重畳して電
気的な結合を得ている。
一方、上記第１のバスライン３と画素単位のブＪ／シラ
イン５によって連設された第２のバスライン４の補助容
量′＠、極２」−の画素領域には、隣接ＴＰＴに結合し
た表示１！極９が形成されている。
イン５によって連設された第２のバスライン４の補助容
量′＠、極２」−の画素領域には、隣接ＴＰＴに結合し
た表示１！極９が形成されている。
尚、画素間隙を蛇行配置した信号線をなすドレイン配線
１２が、層間絶縁膜であるゲート絶縁膜（３Ｆの走査線
をなす第１、第２バスライン３．４との交差部には、更
に絶縁性を高めるためにＴＰＴ領域と同時形成の半導体
膜７が介在している。
１２が、層間絶縁膜であるゲート絶縁膜（３Ｆの走査線
をなす第１、第２バスライン３．４との交差部には、更
に絶縁性を高めるためにＴＰＴ領域と同時形成の半導体
膜７が介在している。
以上の構成の表示電極基板に於て、その走査線形成時に
第３図のＡに示すように、第１バスライン３に断線事故
が生じた場合でも、走査線に給電する走査パルスは、断
線個所Ａ近くのブリッジライン５、第２のバスライン・
１を経由して全走査線に給電される。また、第２のバス
ラインに断線が生じても、同様の動きにより走査パルス
の給電を６丁能とできる。
第３図のＡに示すように、第１バスライン３に断線事故
が生じた場合でも、走査線に給電する走査パルスは、断
線個所Ａ近くのブリッジライン５、第２のバスライン・
１を経由して全走査線に給電される。また、第２のバス
ラインに断線が生じても、同様の動きにより走査パルス
の給電を６丁能とできる。
次に、信号線と走査線との短絡事故が生じた場合の修復
処理について、第４図に基づき説明を加える。
処理について、第４図に基づき説明を加える。
（１，ＩＴＦＴ領域Ｂ領域−ト電極を兼ねた第１バスラ
イン３とソース電極ｌＯ、ドレイン配線ｔ １あるいは
半導体膜７どの間で短絡事故が生じた場。
イン３とソース電極ｌＯ、ドレイン配線ｔ １あるいは
半導体膜７どの間で短絡事故が生じた場。
芹、この第１バスライン３の両端部す、 ｂ’ を夫
々レーザー光で切断する。この場合、短絡事故ＴＰＴに
結合した表示電極のみが動作不良となり、この画素のみ
の欠陥となるが、従来のような暇友な十字型ライン欠陥
は回避できる。
々レーザー光で切断する。この場合、短絡事故ＴＰＴに
結合した表示電極のみが動作不良となり、この画素のみ
の欠陥となるが、従来のような暇友な十字型ライン欠陥
は回避できる。
１２）ドレイン配線１２と信号線の第１バスライン３と
の間で交差部Ｃ′−短絡事故が生じた場合、この交差部
の第１バスライン３の両端部Ｃ，Ｃを夫々レーザー光で
切断して、ドレイン配線１２を走＆Ｍから分離する。こ
の場合、ブリッジライン５、第２のバスライン４のバイ
パス作用により、信号線の断線は無く、表示欠陥は生じ
ない。
の間で交差部Ｃ′−短絡事故が生じた場合、この交差部
の第１バスライン３の両端部Ｃ，Ｃを夫々レーザー光で
切断して、ドレイン配線１２を走＆Ｍから分離する。こ
の場合、ブリッジライン５、第２のバスライン４のバイ
パス作用により、信号線の断線は無く、表示欠陥は生じ
ない。
（３１ドレイン配線１２と信号線の第２バスライン番と
の間で交差部りで短絡事故が生じた場合、この交差部の
第２バスライン４の両端部ｄ、ｄ’を夫々レーザー光で
切断して、ドレイン配線１２を走査線から分離する。こ
の場合も上記（２）の場合と同様に表示欠陥は生じない
。
の間で交差部りで短絡事故が生じた場合、この交差部の
第２バスライン４の両端部ｄ、ｄ’を夫々レーザー光で
切断して、ドレイン配線１２を走査線から分離する。こ
の場合も上記（２）の場合と同様に表示欠陥は生じない
。
＋４．）画素領域Ｅで補助容量電極２と表示電極９との
間で短絡事故が生じた場合、第２バスライン１によって
連設された補助容量電極２の事故箇所の両端部ｅ、ｅ’
を夫々レーザー光で切断して、補助容量電極２を走
査線から分離する。この場合ら上記４２１ ｊ３）の
場合と同様に表示欠陥は生じない。
間で短絡事故が生じた場合、第２バスライン１によって
連設された補助容量電極２の事故箇所の両端部ｅ、ｅ’
を夫々レーザー光で切断して、補助容量電極２を走
査線から分離する。この場合ら上記４２１ ｊ３）の
場合と同様に表示欠陥は生じない。
以上の説明に於ては、走査線に村してのみバイパス構造
を施したが、信号線をも同様に＃ｉ数本のバスラインで
構成したバイパス構造とすることができる。ただし、配
線膜厚を厚くできる上層の信跨線に村してよりも配線膜
１ダを薄くしなければならない下層の走査線に対する方
が本発明を採用する効果は大きい。又、走査線のバスラ
インの数は、２本である必要はなく、２本のバスライン
ともにほぼ同庸所で断線する場合に備えて第３、第４の
バスラインを並設してもよい。更にブリッジライン５を
画素単位ごとに設けたが、これに限られることなく、例
えば、２１１！ｆｌ素ごと、あるいは１０画素ごと、あ
るいはそれ以上の画素ごとでよく、また不規則数の画素
ごとに配置できる。
を施したが、信号線をも同様に＃ｉ数本のバスラインで
構成したバイパス構造とすることができる。ただし、配
線膜厚を厚くできる上層の信跨線に村してよりも配線膜
１ダを薄くしなければならない下層の走査線に対する方
が本発明を採用する効果は大きい。又、走査線のバスラ
インの数は、２本である必要はなく、２本のバスライン
ともにほぼ同庸所で断線する場合に備えて第３、第４の
バスラインを並設してもよい。更にブリッジライン５を
画素単位ごとに設けたが、これに限られることなく、例
えば、２１１！ｆｌ素ごと、あるいは１０画素ごと、あ
るいはそれ以上の画素ごとでよく、また不規則数の画素
ごとに配置できる。
トλ発明の効果
本発明のアクティブマトリクス型の液晶表示装置によれ
ば、走査線を複数本のバスラインとこれらバスラインを
連設するブリッジラインで構成したので、走査線のバス
ラインの断線事故、並びに走に線の一方のバスラインと
信号線の間で短絡事故があってしその事故箇所のバスラ
インの両端を切断することによって、これら事故を補１
賞できるので、液晶表示装置製造の歩留まりの大幅な向
りが望のる。
ば、走査線を複数本のバスラインとこれらバスラインを
連設するブリッジラインで構成したので、走査線のバス
ラインの断線事故、並びに走に線の一方のバスラインと
信号線の間で短絡事故があってしその事故箇所のバスラ
インの両端を切断することによって、これら事故を補１
賞できるので、液晶表示装置製造の歩留まりの大幅な向
りが望のる。
第１図は本発明のアクティブマトリクス型の液晶表示装
置の〜実施例の表示電極基板の要部平面図、第２図は第
１図の本発明装置のｘ−ｘ°線断面図、第３図は本発明
装置の走査線の平面パターン図、第４図は本発明装置の
短絡事故の修復処理を示す平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・補助容量を極、３・・・
第１バスライン、４・・・第２バスライン、５・・・プ
リッジライン、 ６・・・ゲート絶縁膜、 ７・・・′＄４体膜、 第１図 表示電極、 ・・ソース電極、 ・・ドレイン電 極、 ？・・・ドレイン配線。
置の〜実施例の表示電極基板の要部平面図、第２図は第
１図の本発明装置のｘ−ｘ°線断面図、第３図は本発明
装置の走査線の平面パターン図、第４図は本発明装置の
短絡事故の修復処理を示す平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・補助容量を極、３・・・
第１バスライン、４・・・第２バスライン、５・・・プ
リッジライン、 ６・・・ゲート絶縁膜、 ７・・・′＄４体膜、 第１図 表示電極、 ・・ソース電極、 ・・ドレイン電 極、 ？・・・ドレイン配線。
Claims (1)
- （１）複数の信号線と複数の走査線との各交差点に薄膜
トランジスタを配し、該各薄膜トランジスタを介して夫
々信号線に結合される表示電極を備えた表示電極基板と
、該表示電極基板に対向した対向電極を備える対向電極
基板と、及び上記両電極基板間に配置された液晶物質と
からなる液晶表示装置において、 上記表示電極線の各走査線を夫々少なくとも２本のバス
ラインで構成し、一方のバスラインに上記薄膜トランジ
スタのゲート電極を連設し、他方のバスラインに付加容
量電極を連設すると共に、上記両バスライン間を複数の
ブリッジラインで連結したことを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9954189A JP2703328B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9954189A JP2703328B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277027A true JPH02277027A (ja) | 1990-11-13 |
| JP2703328B2 JP2703328B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=14250050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9954189A Expired - Fee Related JP2703328B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703328B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0651348A (ja) * | 1992-06-01 | 1994-02-25 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH09318975A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイおよびその製造 方法 |
| JPH11194369A (ja) * | 1997-10-18 | 1999-07-21 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2002122885A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| KR100467176B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이패널 및 그 제조방법 |
| JP2007034270A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びこれを有する表示装置 |
| US7209193B2 (en) | 1993-03-04 | 2007-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit |
| JP2008003557A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Au Optronics Corp | 液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板 |
| JP2008191626A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8963152B2 (en) | 2008-02-19 | 2015-02-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT, shift register, scanning signal line drive circuit, switch circuit, and display device |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP9954189A patent/JP2703328B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JP2703328B2 (ja) | 1998-01-26 |
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