JPH11194369A

JPH11194369A - 液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11194369A
Application number: JP10296928A
Authority: JP
Inventors: Sangsoo Kim; 相洙金; Dong-Gyo Kim; 東奎金; Woon-Yong Park; 雲用朴
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1997-10-18
Filing date: 1998-10-19
Publication date: 1999-07-21
Anticipated expiration: 2018-10-19
Also published as: TW413955B; US20020158996A1; JP2010097230A; US20040141099A1; US7463323B2; US6717634B2; JP4643774B2; US6429909B1

Abstract

(57)【要約】【課題】工程を追加することなく、データ線断線不良
を低減することができる補助修理線構造を実現すること
にある。【解決手段】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に第
１方向に形成されているゲート線と、前記ゲート線と同
一層に同一物質で第２方向に形成されており、前記ゲー
ト線を境界として分離された多数の部分からなる補助修
理線と、前記ゲート線及び前記補助修理線を覆う第１絶
縁層と、前記補助修理線に沿って前記第１絶縁層上に第
２方向に形成されているデータ線とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜トランジスタ液晶表示装置
は走査信号が伝達される多数のゲート線と、画素信号が
伝達されてゲート線と交差する多数のデータ線と、ゲー
ト線とデータ線とが交差する部分によって定義づけられ
る画素領域とその内に形成されている薄膜トランジスタ
とを含む。このような薄膜トランジスタ液晶表示装置
は、薄膜を一層ずつ積むことで形成されるが、いくつか
の膜が重なる部分では部分的な膜の切断が起きる。

【０００３】従来は、膜の断線を防ぐために、ゲート線
とデータ線とが交差する部分のみにデータ線を二重化す
るか、データ線パターンに沿ってその上部または下部に
別途の金属を装着してパターニングすることで補助修理
線をさらに形成してデータ線を二重化することにより、
データ線が切れるなどの不都合を減少させている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記第一番目の方法の
場合、ゲート線とデータ線とが交差する部分以外でデー
タ線が断線する場合に別途の修理線を使って修理しなく
てはならない。また、この修理の過程でレーザ接合工程
が必要となり、高精密な表示装置にそのような工程を適
用することが困難である。

【０００５】第二番目の方法の場合、補助修理線を形成
するために別途の金属を装着してパターニングしなくて
はならず、補助修理線とデータ線を連結するための絶縁
膜エッチング工程がさらに追加されるという面倒さがあ
る。

【０００６】ゲート線の断線を防ぐために、一つの画素
内にゲート線を二重とする二重ゲート方式の液晶表示装
置が使用される場合もある。二重ゲート構造を有する液
晶表示装置は、互いに平行な二重ゲート線及び二重ゲー
ト線を連結する連結部からなる。データ線の断線を修理
する役割を果たす補助線が連結部と平行に形成されてお
り、補助線上部にはデータ線が重畳している。補助線と
データ線とは電気的に連結されているため、データ線が
断線する場合に補助線を通じてデータ信号が伝達され
る。

【０００７】しかしながら、補助線と連結部との間が狭
く形成されるので、データ線と連結部との間の容量カッ
プリングが増加してデータ線における信号遅延が増加
し、導電性粒子によって連結部と補助線とが連結される
可能性が高くなってゲート線とデータ線とが電気的に連
結されるという致命的な不良が生じる。

【０００８】本発明は、前記に鑑みてなされたもので、
その目的は、工程を追加することなく、データ線断線不
良を低減することができる補助修理線構造を実現するこ
とにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、補助修理線を
光遮断膜に代用して開口率を向上することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、データ線にお
ける信号遅延の増加及びデータ線とゲート線との短絡に
影響を及ぼさない二重ゲート配線構造を実現することに
ある。

【００１１】さらに、本発明の他の目的は、二重ゲート
は配線構造における開口率の減少を防ぐことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による液晶表示装置においては、ゲート線と
同一物質で同一層にデータ線を補助するための修理線が
形成されており、この修理線はゲート線の間に分離され
た形態に位置する。データ線は修理線を覆っている絶縁
層上に形成されてゲート線と交差している。

【００１３】本発明による他の液晶表示装置ではデータ
線を保存するための修理線がゲート線と同一物質で同一
層に形成されており、ゲート線を境界にして分離された
多数の部分に分けられており、画素電極と重畳するよう
に形成されている。

【００１４】この時、修理線はデータ線と電気的に連結
されているため、データ線が断線しても信号の通路とな
ることができる。

【００１５】また、画素電極の端縁と重畳するように形
成される修理線は、画素電極の端縁におけるフリンジフ
ィールドによる光漏洩領域を覆う。修理線の幅はデータ
線の幅より広く形成することができる。

【００１６】ゲート線と交差する付近でデータ線を二股
に形成することもでき、この場合においていずれかが断
線すれば他方に信号が流れる。

【００１７】修理線とデータ線とは直接連結するか、他
の連結手段を通じて間接的に連結されることができる。

【００１８】後者の場合、画素電極と同一層に同一物質
からなる透明導電層が連結手段の役割を果たすようにす
ることができる。この時、透明導電層はゲート線両側に
位置した二つの修理線及びデータ線に連結される。ま
た、前者の場合にもデータ線とゲート線との交差点の両
側に位置する部分のデータ線と連結される透明導電層を
さらにおいて、交差点でデータ線が断線される場合にこ
の透明導電層が信号の通路となるようにすることができ
る。

【００１９】また、液晶の異常配列が画素の両側で他の
幅に現われる捩じれたネマチックまたは垂直配向方式に
おいては画素電極が修理線と重畳する幅を左右で異なっ
て形成することができる。さらに、画素電極の上下端縁
がゲート線と重畳するように形成することもできる。

【００２０】このように、画素電極の端縁と重畳する修
理線またはゲート線が、画素電極の端縁で現われる漏洩
光を遮断することができるため、上部の対向基板に別途
の光遮断膜を形成する必要がないので開口率が増加す
る。

【００２１】このような構造の液晶表示装置は、ゲート
配線を形成する過程で修理線を形成し、透明画素電極を
形成する過程で透明導電連結パターンを形成することに
よって実現することができる。このように、データ線の
断線欠陥を修理するための補助修理線や連結パターンを
追加工程なしで作れることで、工程を単純化することが
できる。

【００２２】一方、互いに平行な横方向の二重ゲート線
を有する本発明の他の実施形態においては、二重ゲート
線を連結する縦方向の連結部が、二重ゲート線とデータ
線によって定義される画素領域の中間を横切るように形
成されている。このように、連結部がデータ線及び補助
線と遠く離れた画素領域の中間に位置するため、データ
信号の影響を小さく受け、導電汚染粒子などによって補
助線と連結される可能性が低い。

【００２３】二重ゲート線を連結する縦方向の連結部
は、画素領域ごとに形成されておらず、一部の画素領域
に形成される場合もある。この時、連結部が形成されて
いない画素領域の一側ゲート線には、突出部を形成して
画素電極と重畳する面積を増加させることができる。

【００２４】連結部が形成されている画素は、基板全体
に任意に配置されるようにし、連結部が形成されている
画素より連結部が形成されていない画素の数が多いこと
が好ましい。連結部が形成されている画素と連結部が形
成されていない画素との個数の比は１：３以上であるこ
とが好ましい。

【００２５】連結部を画素領域の中間ではないデータ線
の下部に形成し、連結部が形成されていない画素領域の
データ線の下部には補助線を置くこともできるが、この
場合にはゲート連結部が補助線より小さい比率で形成す
ることが好ましく、その比率は１：１０であることが好
ましい。

【００２６】ゲート線の両側の補助線を同時にデータ線
に連結する連結手段をさらに含むこともでき、この連結
手段は透明導電層で形成することもできる。このよう
に、連結部がデータ線の下部に置かれると開口率の減少
を抑制することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の第１
実施形態によるデータ補助修理線を有する液晶表示装置
の配線図であり、図２及び図３は図１のII−II′及びII
I−III′による断面図であって、補助修理線がアルミニ
ウムなどのゲート配線用金属であり、データ線下部にデ
ータ線とゲート線との交差部まで形成されており、デー
タ線とゲート線との交差部ではＩＴＯ(indium-tin-oxid
e)にて連結されている構造を現す。

【００２８】透明な絶縁基板上に横方向に長く走査信号
を伝達するゲート線１００が形成されており、縦方向に
は補助修理線１１０、１２０が長く形成されているが、
この補助修理線１１０、１２０はゲート線１００と連結
されないようにゲート線１００付近で切れている。すな
わち、ゲート線１００を境界に両側に分かれている。こ
の時、補助修理線１１０、１２０の端部分がそれぞれ一
定の角度で斜めに突出している。

【００２９】ゲート線１００と補助修理線１１０、１２
０とはゲート絶縁膜２００で覆われており、ゲート線１
００の上部のゲート絶縁膜２００上には非晶質珪素など
の半導体からなるチャンネル層３００が形成されてい
る。補助修理線１１０、１２０の上部のゲート絶縁膜２
００上には画像信号を伝達するデータ線４００が縦方向
に長く形成されており、その一部はチャンネル層３００
上に延長されてソース電極Ｓとなり、ゲート線１００を
中心としてソース電極Ｓの向い側のチャンネル層３００
上にはソース電極Ｓと一定の距離を置いてドレイン電極
Ｄが形成されている。一方、データ線４００、ソース及
びドレイン電極Ｓ、Ｄとチャンネル層３００との間には
ｎ＋非晶質珪素などのチャンネル層３００とソース及び
ドレイン電極Ｓ、Ｄの接触抵抗を低める物質からなる抵
抗性接触層３０１が形成されている。

【００３０】その上には、保護絶縁膜５００が形成され
ており、保護絶縁膜５００上にはゲート線１００とデー
タ線４００が交差することで定義される画素領域内に透
明画素電極６００が形成されている。画素電極６００は
ＩＴＯなど透明導電物質からなるので、保護絶縁膜５０
０に開いた接触口C４を通じてドレイン電極Dと連結され
ている。

【００３１】また、画素電極６００と同一物質で透明導
電連結パターン６１０が補助修理線１１０、ゲート線１
００とデータ線４００との交差部及び他の補助修理線１
２０にわたって形成されている。この時、連結パターン
６１０はゲート絶縁膜２００及び保護絶縁膜５００に開
いた接触口Ｃ１、Ｃ２を通してデータ線４００の側面か
ら斜めに突出した補助修理線１１０、１２０の端部とそ
れぞれ連結されており、データ線４００の上部では保護
絶縁膜５００に開いた接触口Ｃ３を通じてデータ線４０
０と連結されている。

【００３２】複数の層の膜が重なるため膜が切れる恐れ
のあるゲート線１００とデータ線４００の交差点付近に
前述した形態の連結パターン６１０が形成されているの
で、交差点でデータ線４００が切れても補助修理線１１
０、１２０と連結されている連結パターン６１０に沿っ
て下のデータ線４００に信号が伝達される。従って、断
線したデータ線４００を容易に修理することができる。

【００３３】図４は図１のIV−IV′による断面図であっ
て、第１実施形態による薄膜トランジスタ基板と対向基
板が整列された状態を示している。図４に示すように、
第１実施形態による構造においては、連続して異なる信
号電圧が印加されるデータ線４００と隣接した画素電極
６００との間で容量カップリングが発生する。この時に
発生する容量カップリングは画素電極６００の端縁付近
の液晶配列を乱すため、画素電極６００の境界部から光
が漏れる現象を深化させる。これを防止するために、上
部対向基板２０には光遮断膜ＢＭを置き、この光遮断膜
ＢＭが下部基板１０の薄膜トランジスタ、データ線４０
０及び画素電極６００の端縁を覆うように整列させ、液
晶分子の異常配列が現われる領域を覆う。

【００３４】上部対向基板２０に画素電極６００の端縁
に沿って対応するように光遮断膜ＢＭを置く場合、上、
下基板１０、２０を整列させる時に発生する誤整列の幅
を考慮して光遮断膜ＢＭの幅を決定しなければならな
い。すなわち、光遮断膜ＢＭは実際の液晶分子の異常配
列領域より誤差範囲だけ広く形成しなければならない。
従って、画素電極６００と重なる光遮断膜ＢＭの幅Ｌは
異常配列領域より広くなり、これは結果的に開口率を減
少させる。

【００３５】本発明の第２実施形態を示した図５のよう
に、第１実施形態に見られる開口率減少の問題を解決す
るために、基板１０のデータ線４００の幅を画素電極６
００と重畳するように左、右に一定の幅Ｌ１、Ｌ２を拡
張することにより、画素電極６００の端縁で現われる液
晶ＬＣの異常配列を覆うことができる。残りの構造は第
１実施形態と同一である。

【００３６】しかしながら、データ線４００と画素電極
６００との間の距離が第１実施形態に比べて縮少するた
め容量カップリングが増加し、表示画質が低下する。保
護絶縁膜５００の厚さを厚く形成すればこのような問題
を低減することができるが、通常使用されている化学的
蒸気蒸着（chemical vapor deposition：CVD）方法上の
制限によって数百ｎｍ厚さ以上には形成し難い。これを
克服するため、数μｍの有機物質で保護膜を形成するこ
ともできるが、透過率が減少するという他の問題が生ず
る。

【００３７】第３実施形態では第１実施形態と同様に画
素電極とデータ線との間の距離は相対的に大きくし、そ
の代わりにその下部に置かれた補助修理線の幅を大きく
することで光遮断膜に代替する構造を提示する。

【００３８】図６は本発明の第３実施形態による補助修
理線を有する液晶表示装置の配線図であり、図７は図６
のVII−VII′線による断面図である。図６及び図７に示
すように、前述した第１及び第２実施形態と同様にゲー
ト線１００、チャンネル層３００及び抵抗性接触層３０
１、補助修理線１１０、１２０、透明画素電極６００、
連結パターン６１０などが形成されている。

【００３９】３実施形態では、補助修理線１１０、１２
０がデータ線４００より広い幅で形成されており、両側
の画素電極６００とは端縁が一部重畳しているため、デ
ータ線４００に沿って現われる液晶ＬＣの異常配列領域
は補助修理線１１０、１２０によって覆われる。

【００４０】このように、上部対向基板２０に画素電極
６００の端縁に沿って対応する光遮断膜ＢＭを置く場
合、光遮断膜ＢＭを上、下基板１０、２０の誤整列の誤
差を考慮して広く形成する場合と異なり、補助修理線１
１０、１２０が異常配列領域に該当する幅だけ画素電極
６００と重畳すればよいので、開口率が向上する。

【００４１】このような構造を有する基板１０と対応す
る上部対向基板２０の光遮断膜ＢＭは薄膜トランジスタ
及びゲート線１００の端縁を覆うように横方向のみに形
成される。

【００４２】図７に示すように、補助修理線１１０、１
２０が画素電極６００と重畳する幅をディスクリネーシ
ョン、すなわち、液晶の異常配列が現われる領域と現わ
れない領域に対して異なって形成することもできる。す
なわち、捩じれたネマチック（twisted nematic：TN）
方式の液晶モードにおいて、液晶の捩じれた方向が下部
薄膜トランジスタ基板１０の方で見る時に反時計方向で
あれば、ディスクリネーションが生じる領域は右側であ
るため、右側の重畳幅Ｌ４を左側の重畳幅より広げてデ
ィスクリネーション領域が補助修理線１１０、１２０に
よって覆われるようにする。

【００４３】このような実施形態は垂直配向方式の液晶
モードに適用する場合においてさらに効果的であり、こ
れは垂直配向方式の場合、ディスクリネーションが生じ
る領域が極めて狭いので補助修理線１１０、１２０が画
素電極６００と重畳する領域Ｌ４を広げる必要がないた
め、開口率がさらに増大するからである。

【００４４】次に、図８は本発明の第４実施形態を示し
た配置図であって、基本構造は第３実施形態と同一であ
る。但し、画素電極６００がゲート線１００の側に延長
されて重畳している構造である。

【００４５】この場合、画素電極６００が補助修理線１
１０、１２０と一定の幅が重なっているだけではなくゲ
ート線１００とも重畳しているため、データ線４００及
びゲート線１００に沿って画素電極６００の外に現われ
る液晶の異常配列領域はゲート線１００及び補助修理線
１１０、１２０によって覆われる。

【００４６】従って、上部対向基板にはゲート線１００
とデータ線４００とが交差する部分及び薄膜トランジス
タＴＦＴが形成されている付近に対応する領域のみに光
遮断幕ＢＭを形成すればよいので、開口率がさらに増大
する。

【００４７】図９は、本発明の第５実施形態による補助
修理線を有する液晶表示装置の配線図であり、図１０は
図９のＸ−Ｘ′による断面図であって、透明連結パター
ンなしで前述の実施形態のような補助修理線のみでデー
タ線の断線欠陥を修理することの可能な構造に関する。
前述の実施形態と同様にゲート線１００、半導体層３
００及び抵抗性接触層３０１、補助修理線１１０、１２
０、透明画素電極６００などが形成されている。

【００４８】図９及び図１０に示すように、第５実施形
態においては、ゲート線１００と同一層に同一物質に形
成されている補助修理線１１０、１２０が斜めに形成さ
れた部分なしで一直線に張っており、ゲート絶縁膜２０
０に開いた接触口Ｃ５、Ｃ６を通じてデータ線４００と
連結されている。しかし、データ線４００が補助修理線
１１０、１２０と必ずしも連結されている必要はない。
この時は、データ線が断線した場合においては補助修理
線１１０、１２０とデータ線４００とをレーザ短絡させ
て修理することができる。

【００４９】また、ゲート線１００と交差する部分でデ
ータ線４００が二股４１０、４２０に分けられているの
で、いずれかが断線すれば残りのものによって信号が伝
達されることができる。従って前述の実施形態と同様の
透明連結パターン（図１の図面符号６１０）が必ずしも
必要ではない。その他の部分の構造は他の実施形態と類
似する。

【００５０】図１１は本発明の第６実施形態による液晶
表示装置の配線図であって、補助修理線１１０、１２０
を除いた部分の構造は第５実施形態の構造と同一であ
る。第６実施形態では、補助修理線１１０、１２０がデ
ータ線４００より広い幅で形成されており、両側の画素
電極６００とは端縁が一部重畳しているため、データ線
４００に沿って現われる液晶ＬＣの異常配列領域が補助
修理線１１０、１２０によって覆われる。

【００５１】次に、本発明の第７実施形態による補助修
理線の構造について説明する。図１２は本発明の第７実
施形態による液晶表示装置の配線図であって、図１３は
図１２のXIII−XIII′線による断面図である。図１２及
び図１３に示すように、データ線４００は補助修理線１
００、１２０に沿って縦方向に形成されており、補助修
理線１１０、１２０とはゲート絶縁膜２００に開いた接
触口Ｃ７、Ｃ８を通じて連結されている。データ線４０
０の上部には保護絶縁膜５００が形成されており、保護
絶縁膜５００上には両側の補助修理線１１０、１２０に
わたってデータ線４００とゲート線１００との交差部を
覆う形態に透明連結パターン６１０が形成されている。
この透明連結パターン６１０は透明画素電極６００と同
一物質で形成されており、保護絶縁膜５００に形成され
ている接触口Ｃ７、Ｃ８を通じてデータ線４００と連結
されている。図１３でＡ部分のデータ線４００は連結さ
れているべきであるが、断線が発生した場合を表すため
に切られたものとして示した。その他の部分の構造は他
の実施形態と類似する。

【００５２】ゲート線１００とデータ線４００との交差
部のように、ゲート線１００、ゲート絶縁膜２００、チ
ャンネル層３００、データ線などの膜がいくつかの層に
形成されているところでは、膜の段差部でデータ線４０
０が切れるような欠陥Ａが発生し易い。

【００５３】しかし、第７実施形態と同様に、データ線
４００に補助的な導電性連結パターン６１０がさらに形
成されている場合には連結パターン６１０を通じてデー
タ信号が伝えられる。

【００５４】図１４に示した本発明の第８実施形態は第
７実施形態と基本構造は同一である。但し、補助修理線
１１０、１２０の幅をデータ線１１０、１２０より広く
形成し、画素電極６００とも重畳するように形成するこ
とにより、補助修理線１１０、１２０が画素電極６００
付近で現われる液晶の異常配列を覆う光遮断膜の役割を
果たす。従って、開口率が拡大する。

【００５５】次に、本発明の実施形態による液晶表示装
置を製造する方法について説明する。図１５乃至図１９
は、図１乃至図４で示した第１実施形態による液晶表示
装置の製造方法を順に示した配置図であって、ゲート配
線形成過程で補助修理線を形成し、画素電極の形成過程
でデータ線とゲート線の交差部に補助連結パターンを形
成し、補助連結パターンを接触口を通じて補助修理線と
データ線とを電気的に連結することを特徴とする。

【００５６】最初に、アルミニウム、モリブデンのよう
なゲート配線用金属を蒸着してパターニングすることで
ゲート線１００とデータ補助修理線１１０、１２０とを
同時に形成する（図１５参照）。

【００５７】窒化シリコンなどでゲート絶縁膜２００を
蒸着し、その上に、非晶質シリコンとｎ⁺非晶質シリコ
ンとを連続的に蒸着した後、パターニングしてゲート線
１００上に半導体層３００及びｎ⁺非晶質シリコン層３
０１を形成する（図１６参照）。

【００５８】クロムなどのデータ配線用金属を蒸着して
パターニングし、データ線４００、ソース及びドレイン
電極Ｓ、Ｄなどのようなデータ配線を形成する。次いで
漏出したｎ⁺非晶質シリコン層３０１をエッチングして
抵抗性接触層３０１を形成する（図１７参照）。

【００５９】その上に、保護絶縁膜５００を形成し、補
助修理線の両端１１０、１２０上部のゲート絶縁膜２０
０と保護絶縁膜５００、そしてデータ線４００上部とド
レイン電極Ｄ上部の保護絶縁膜５００を除去して接触口
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を形成する（図１８参照）。

【００６０】最後に、ＩＴＯを蒸着しパターニングして
画素電極６００と連結パターン６１０を形成する。この
時、ドレイン電極Ｄ上部にある接触口Ｃ４を通じて画素
電極６００がドレイン電極Ｄと接触し、接触口Ｃ１、Ｃ
３、Ｃ２を通じて連結パターン６１０が補助修理線１１
０、１２０及びデータ線４００と接触することにより、
補助修理線１１０、１２０がデータ線４００と電気的に
連結される。

【００６１】図２０乃至図２４は、図６及び図７に提示
した第３実施形態による液晶表示装置の製造方法を順に
示した配置図であって、図１５乃至図１９に述べた方法
と類似する。すなわち、ゲート線１００の形成過程で補
助修理線１１０、１２０を形成し、補助修理線１１０、
１２０と接触口Ｃ１、Ｃ２を通じて連結される補助連結
パターン６１０を透明画素電極６００の形成過程でデー
タ線４００とゲート線１００の交差部に形成する。

【００６２】但し、図２２及び図２４に示すように、デ
ータ線４００を補助修理線１１０、１２０の幅より狭く
形成し、画素電極６００が補助修理線１１０、１２０と
左右で同一幅または互いに相異する幅に重畳するように
形成するという点が異なる。ゲート線１００と画素電極
６００の上、下端縁が重畳するように形成しても同一の
効果を得る。

【００６３】次に、図２５乃至図２６を参考にして図９
及び図１０に提示された第５実施形態による液晶表示装
置の製造方法について説明する。図２５乃至図２６は、
その製造方法を工程順序に従って示した平面図であっ
て、補助修理線をゲート線の形成過程で形成し、この補
助修理線が接触口を通じて上部に形成されているデータ
線と電気的に連結されるように形成し、ゲート線とデー
タ線が交差する付近ではデータ線を二股に形成すること
を特徴とする。

【００６４】前述した実施形態における製造方法と同様
に、ゲート線１００及び補助修理線１１０、１２０を同
時に形成し、その上にゲート絶縁膜２００、非晶質シリ
コン層３００、ｎ⁺非晶質シリコン層３０１を順に積層
した後、二つの層３００、３０１をパターニングする。
ゲート絶縁膜２００をパターニングして補助修理線１１
０、１２０上部に接触口Ｃ５、Ｃ６を形成する。

【００６５】次に、図２５に示すように、データ配線用
金属を蒸着してパターニングすることでデータ線４００
とソース及びドレイン電極Ｓ、Ｄを形成する。この時、
データ線４００とゲート線１００との交差部ではデータ
線４００が二股４１０、４２０に分けられるようにパタ
ーニングする。この過程で接触口Ｃ５、Ｃ６を通じてデ
ータ線４００が補助修理線１１０、１２０と連結され
る。その後、保護絶縁膜５００を蒸着してパターニング
することでドレイン電極Ｄ上部に接触口Ｃ４を形成す
る。

【００６６】図２６示すように、ＩＴＯのような透明導
電物質を蒸着してパターニングすることで画素電極６０
０を形成する。この時、画素電極６００は接触口Ｃ４を
通じてドレイン電極Ｄと接触する。

【００６７】図２７乃至図２９は、図１１に示した第６
実施形態の製造方法を工程順序に従って示した平面図で
あって、補助修理線の幅をデータ線の幅より広く形成し
て画素電極と重畳するように形成することを除いては図
２５と図２６で述べた方法と同一である。すなわち、図
２７に示すように、ゲート線１００及び補助修理線１１
０、１２０を同時に形成し、その上にゲート絶縁膜２０
０、非晶質珪素層３００、ｎ⁺非晶質珪素層３０１を順
に積層した後、二つの層３００、３０１をパターニング
する。ゲート絶縁膜２００をパターニングして補助修理
線１１０、１２０上部に接触口Ｃ５、Ｃ６を形成する。

【００６８】次に、図２８に示すように、データ配線用
金属を蒸着してパターニングすることでデータ線４００
とソース及びドレイン電極Ｓ、Ｄを形成する。この時、
データ線４００とゲート線１００との交差部ではデータ
線４００が二股４１０、４２０に分けられるようにパタ
ーニングして、補助修理線１１０、１２０よりはその幅
を狭く形成する。この過程で接触口Ｃ５、Ｃ６を通じて
データ線４００が補助修理線１１０、１２０と連結され
る。

【００６９】図２９に示すように、保護絶縁膜５００を
蒸着してパターニングし、ドレイン電極Ｄ上部に接触口
Ｃ４を形成する。その上にＩＴＯのような透明導電物質
を蒸着してパターニングして画素電極６００を形成す
る。この時、画素電極６００は補助修理線１１０、１２
０と重畳して、接触口Ｃ４を通じてドレイン電極Ｄと接
触する。

【００７０】図３０乃至図３２は第７実施形態の製造方
法を工程順に従って示した平面図であって、前述の実施
形態と同様に補助修理線とデータ線とを連結するが、透
明画素電極をパターニングする過程でデータ線と接触口
を通じて連結される透明補助連結パターンをさらに形成
することを特徴とする。

【００７１】図３０に示すように、ゲート線１００と補
助修理線１１０、１２０、ゲート絶縁膜２００と、接触
口Ｃ５、Ｃ６、非晶質シリコン層３００及びｎ⁺非晶質
シリコン層３０１などを形成した後、データ配線用金属
を蒸着してパターニングすることでデータ線４００とソ
ース及びドレイン電極Ｓ、Ｄを形成する。この過程で、
接触口Ｃ５、Ｃ６を通じてデータ線４００が補助修理線
１１０、１２０と連結される。

【００７２】図３１のように、保護絶縁膜５００を蒸着
してパターニングすることでゲート線１００の両側のデ
ータ線４００及びドレイン電極Ｄを露出する接触口Ｃ
７、Ｃ８、Ｃ４をそれぞれ形成する。

【００７３】次に、図３２に示したように、ＩＴＯのよ
うな透明導電物質を蒸着してパターニングすることで画
素電極６００及び補助連結パターン６１０を形成する。
この時、補助連結パターン６１０は補助修理線１１０、
１２０にわたってゲート線１００とデータ線４００の交
差部を覆う形態にパターニングして、接触口Ｃ７、Ｃ８
を通じてデータ線４００と接触させる。

【００７４】図３３乃至図３５は第８実施形態による液
晶表示装置の製造方法を工程順序に従って示した平面図
であって、図３０乃至図３２で述べた方法と殆ど同一で
ある。但し、補助修理線１１０、１２０の幅をデータ線
４００より広く形成して画素電極６００とは一定の幅が
重畳するように形成し、透明画素電極６００をパターニ
ングする過程でデータ線４００と接触口Ｃ７、Ｃ８を通
じて連結される透明補助連結パターン６１０を形成する
という点で差がある。

【００７５】次に、ゲート及びデータ配線の断線及び短
絡を防止するための二重ゲート線の構造、連結部及び補
助線の構造を有する液晶表示装置を説明する。図３６は
本発明の第９実施形態による薄膜トランジスタ基板の配
線図であり、図３７は図３６のXXXVII−XXXVII′線によ
る断面図であり、図３８は図３７のXXXVIII−XXXVIII′
線による断面図である。図３６乃至図３８に示すよう
に、互いに平行な第１ゲート線１０１及び第２ゲート線
１０２が横方向に形成されており、第１及び第２ゲート
線１０１、１０２を連結する連結部１０３が画素領域の
中間に縦方向に形成されている。一方、縦方向にデータ
線の断線に備えた補助線１３０が形成されている。

【００７６】第１及び第２ゲート線１０１、１０２、ゲ
ート線連結部１０３及び補助線１３０をゲート絶縁膜２
００が覆っており、第１ゲート線１０１の上部には半導
体層３００が形成されている。半導体層３００上には電
気的な接触特性を向上するための抵抗接触層３０１が第
１ゲート線１０１を中心に両側に形成されており、その
上にはソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとが形成されてい
る。また、ゲート絶縁膜２００上にはソース電極Ｓと連
結されるデータ線４００が縦方向に形成されており、こ
のデータ線４００はゲート絶縁膜２００に開いた接触口
Ｃ９、Ｃ１０を通じて補助線１３０と連結されている。

【００７７】半導体層３００、データ線４００、ソース
及びドレイン電極Ｓ、Ｄは、保護絶縁膜５００で覆われ
ており、ドレイン電極Ｄの一部を露出する接触口Ｃ４が
保護絶縁膜５００に開いている。保護絶縁膜５００上に
は二重ゲート線１０１、１０２とデータ線４００とに区
切られる画素領域内部に透明画素電極６００か形成され
ており、接触口Ｃ４を通じて前段画素のドレイン電極Ｄ
と連結されている。

【００７８】本発明の第９実施形態による液晶表示装置
においては、二重ゲート線１０１、１０２を連結する連
結部１０３が画素領域の中間に位置するため、補助線１
３０からの距離Ｌ１はできるだけ大きく形成されてい
る。従って、画像信号の変化によるカップリング増加に
よる信号遅延増加が生ぜず、連結部１０３及びゲート線
１０１、１０２などのゲート配線と補助線１３０とを形
成する過程で連結部１０３と補助線１３０とが導電性汚
染粒子によって連結されるようなことは起こらない。

【００７９】本発明の第１０実施形態においては、ゲー
ト線連結部を一部の画素に形成してゲート線とデータ線
の短絡をさらに減らすことができる構造を提示する。図
３９は本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の平
面図である。図３９では薄膜トランジスタやその他の配
線などは図示せずに二重ゲート線とゲート線連結部及び
画素領域のみを示した。図３９に示すように基板上に多
数の画素Ｐが行列形態に配列されており、各画素行に対
して二つのゲート線１０１、１０２が形成されている、
二つのゲート線１０１、１０２は基板の左側端縁で一つ
に連結されて同一の走査信号を伝達されるようになるの
で、二重ゲート線の構造を有するようになる。行列形態
に配列された多数の画素Ｐのうちの一部画素には縦方向
に二重ゲート線１０１、１０２を連結するゲート線連結
部１０３が形成されている。ゲート線連結部１０３は全
体画素に対して任意に選択された一部の画素に形成され
ており、ゲート線連結部１０３が形成されている画素の
数はゲート線連結部が形成されていない画素の数に比べ
て少ない。ゲート線連結部１０３が形成されている画素
の数とゲート線連結部が形成されていない画素の数の比
は１：３以上となることが好ましい。

【００８０】一方、本発明の第１０実施形態による液晶
表示装置においては、ゲート線連結部１０３が形成され
ている画素は不透明な金属で形成されたゲート線連結部
１０３によって一定の量の光が遮断されるため、ゲート
線連結部が形成されていない画素に比べて開口率が減少
するようになる。また、ゲート線連結部１０３は画素電
極（図示しない）と重畳して保持容量を形成するように
なり、ゲート線連結部が形成されていない画素に比べて
大きい保持容量を有するようになる。従って、画素別に
表示特性が異なるという問題点がある。

【００８１】このような問題点を解決するために、本発
明の第１１実施形態においては、第１０実施形態と同様
に一部の画素に対してはゲート線連結部を形成し、ゲー
ト線連結部が形成されていない残りの画素に対しては一
側ゲート線に突出部を形成する。

【００８２】図４０は本発明の第１１実施形態による液
晶表示装置でゲート線連結部が形成されていない一つの
画素を示す平面図である。本発明の第１１実施形態にお
いて、ゲート線連結部が形成されている画素とゲート線
連結部とが形成されていない画素の配置は本発明の第１
０実施形態の場合と類似し、ゲート線連結部が形成され
ている画素の構造は本発明の第９実施形態の場合と類似
する。

【００８３】図４０に示すように、互いに平行な第１ゲ
ート線１０１及び第２ゲート線１０２が横方向に形成さ
れており、第１ゲート線１０１は画素領域側に突出した
突出部１０７を有するように形成されており、第１ゲー
ト線１０１の突出部１０７が画素電極６００と重畳して
いる。残りの構造は図３６乃至図３８に示した本発明の
第９実施形態の場合と類似する。画素電極６００と重畳
する第１ゲート線１０１の突出部１７０の面積は、ゲー
ト線連結部が形成されている画素においてゲート線連結
部が画素電極と重畳する面積を考慮して決定することが
でき、突出部１０７の面積とゲート線連結部とがそれぞ
れ画素電極と重畳する面積は等しいのが好ましい。

【００８４】このように、第１ゲート線に突出部を形成
して画素電極との重畳面積を増加させると、それに応じ
て開口率は一部減少し保持容量は増加することになり、
ゲート線連結部が形成されている他の画素と同一の開口
率及び保持容量を有するようにすることができる。しか
し、ゲート線連結部が画素内に形成されているので、開
口率が減少する短所がある。

【００８５】このような短所を改善した第１２実施形態
を図４１乃至図４４に示した。図４１は、本発明の第１
２実施形態による薄膜トランジスタ基板の配線図であ
り、図４２は図４１のXLII−XLII′線による断面図であ
り、図４３は図４１のXLIII−XLIII′線による断面図で
あり、図４４は図４１のXLIV−XLIV′線による断面図で
ある。本発明の第１２実施形態において、第１及び第２
ゲート線１０１、１０２、ゲート絶縁膜２００、半導体
３００、抵抗接触層３０１、データ線４００、ソース及
びドレイン電極Ｓ、Ｄ、保護絶縁膜５００及び画素電極
６００などの構造は第９実施形態での構造と類似してい
る。

【００８６】図４１乃至図４４に示すように、第１及び
第２ゲート線１０１、１０２を連結する連結部１０４が
データ線４００に覆われるように任意のデータ線４００
の下部に形成されており、この連結部１０４がその下部
に形成されていないデータ線４００の下部には補助線１
４０が形成されている。補助線１４０は第１及び第２ゲ
ート線１０１、１０２によって分離されており、補助線
１４０の両端部は一定の角度で斜めに突出している。

【００８７】第１ゲート線１０１及び前段画素の第２ゲ
ート線１０２がデータ線４００と交差する部分の保護膜
500上には、端部が一定の角度で斜めに突出して補助線
の端部と重畳する透明な連結パターン６２０が、第１ゲ
ート線１０１及び前段画素の第２ゲート線１０２にわた
って重畳して形成されている。

【００８８】データ線４００と第１ゲート線１０１とが
交差する部分のデータ線４００を露出する接触口Ｃ１１
が保護絶縁膜５００に開いており、補助線１４０の両端
部をそれぞれ露出する接触口Ｃ１２、Ｃ１３が保護絶縁
膜５００及びゲート絶縁膜２００に開いているので、こ
の接触口Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３を通じて透明連結パタ
ーン６２０が補助線１４０及びデータ線４００と連結さ
れる。すなわち、透明連結パターン６２０を通じて補助
線１４０とデータ線４００とが電気的に連結される。

【００８９】このように、本発明の第１２実施形態にお
いては、連結部１０４がデータ線４００の下部に形成さ
れているため、開口率は減少しない。また、連結部１０
４と補助線１４０とが隣接していないため、ゲート及び
ドレインの短絡による欠陥が生じない。

【００９０】連結部と補助線とを一定の比率に存在せし
めるようにすることにより、基板全体に対し負荷容量を
均一に維持することができ、このような構造が次の第１
３実施形態に提示されている。図４５は第１３実施形態
による薄膜トランジスタ基板のゲート配線及び画素領域
を示した平面図であり、薄膜トランジスタや基板、デー
タ配線などは図示せず、二重ゲート線とゲート線及び画
素領域のみを示した。図４５に示すように、行列形態に
配列された多数の画素Ｐのうち、一部の画素の一側外部
には縦方向に二重ゲート線１０１、１０２を連結する連
結部１０４が形成されており、連結部１０４が形成され
る画素Ｐの位置が順次に変化するように連結部１０４が
配置されているので、基板全体のデータ線にかかる負荷
容量が均一に維持される。

【００９１】例えば、一つのデータ線（図示しない）に
連結された画素Ｐにおいて一番目の画素に該当するゲー
ト線１０１、１０２にゲート連結部１０４が連結されて
いると、連続した残りの九つの画素に対してはゲート連
結部１０４が形成されていない。

【００９２】ゲート連結部１０４が対応する画素の数は
ゲート線連結部１０４が対応していない画素の数に比べ
て少なく形成され、普通、ゲート線またはデータ線の断
線発生確率は１０％未満であるためゲート連結部１０４
が連結される画素と連結されていない画素との比率は
１：１０程度であればよい。

【００９３】一方、ゲート線連結部１０４が連結されて
いない画素Ｐにはデータ線（図示しない）の断線を防止
するための補助線１４０が二つのゲート線１０１、１０
２間に形成されている。

【００９４】

【発明の効果】以上のように、ゲート配線の形成過程で
補助修理線を形成することにより、補助修理線を形成す
るための別途の金属蒸着工程及びパターニング工程を必
要としないため、工程が単純化される。

【００９５】また、補助修理線の幅をデータ線より広く
画素電極と重なるように形成して光遮断膜の役割を果た
すことにより、上部基板に光遮断膜を別途に形成する必
要がないため、開口率が大きくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の配
線図である。

【図２】図１のII−II′、III−III′線による断面図で
ある。

【図３】図１のII−II′、III−III′線による断面図で
ある。

【図４】図１のIV−IV′線による断面図ある。

【図５】第２実施形態による図１のIV−IV′線による断
面図ある。

【図６】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の配
線図である。

【図７】図６のVII−VII′線による断面図である。

【図８】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の配
線図である。

【図９】本発明の第５実施形態による液晶表示装置の配
線図である。

【図１０】図９のＸ−Ｘ′線による断面図である。

【図１１】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の
配線図である。

【図１２】本発明の第７実施形態による液晶表示装置の
配線図である。

【図１３】図１２のXIII−XIII′線による断面図であ
る。

【図１４】本発明の第８実施形態による液晶表示装置の
配線図である。

【図１５】第１実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図１６】第１実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図１７】第１実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図１８】第１実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図１９】第１実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２０】第３実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２１】第３実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２２】第３実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２３】第３実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２４】第３実施形態による製造方法を工程順序に従
って示した平面図である。

【図２５】第５実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図２６】第５実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図２７】第６実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図２８】第６実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図２９】第６実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３０】第７実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３１】第７実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３２】第７実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３３】第８実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３４】第８実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３５】第８実施形態に対する製造方法を工程順序に
従って示した平面図である。

【図３６】本発明の第９実施形態による薄膜トランジス
タ基板の配線図である。

【図３７】図３６のXXXVII−XXXVII′線による断面図で
ある。

【図３８】図３６のXXXVIII−XXXVIII′線による断面図
である。

【図３９】本発明の第１０実施形態による薄膜トランジ
スタ基板の平面図である。

【図４０】本発明の第１１実施形態による薄膜トランジ
スタ基板の平面図である。

【図４１】本発明の第１２実施形態による薄膜トランジ
スタ基板の配線図である。

【図４２】図４１のXLII−XLII′線による断面図であ
る。

【図４３】図４１のXLIII−XLIII′線による断面図であ
る。

【図４４】図４１のXLIV−XLIV′線による断面図であ
る。

【図４５】第１３実施形態による薄膜トランジスタ基板
のゲート配線及び画素領域を概略的に示した平面図であ
る。

【符号の説明】

１０絶縁基板２００ゲート絶縁膜１００ゲート線１１０、１２０補助修理線４００データ線５００保護絶縁膜６００画素電極６１０連結パターンＢＭ光遮断膜ＬＣ液晶Ｃ１〜Ｃ８接触口Ｓソース電極Ｄドレイン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号１９９８Ｐ４２５３３ (32)優先日 1998年10月12日 (33)優先権主張国韓国（ＫＲ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に第１方向に形成されているゲート線
と、前記ゲート線と同一層に同一物質で第２方向に形成され
ており、前記ゲート線を境界として分離された多数の部
分からなる補助修理線と、前記ゲート線及び前記補助修理線を覆う第１絶縁層と、前記補助修理線に沿って前記第１絶縁層上に第２方向に
形成されているデータ線とを含む液晶表示装置。
【請求項２】前記第１絶縁層上に形成されて前記ゲート
電極上に位置するチャンネル層、前記データ線及び前記
チャンネル層と連結されているソース電極、前記ゲート
線に対して前記ソース電極の向い側に位置して前記チャ
ンネル層と連結されているドレイン電極、前記ドレイン
電極と連結されて前記補助修理線と絶縁して重畳してい
る透明な画素電極をさらに含む請求項１に記載の液晶表
示装置。
【請求項３】前記補助修理線は前記データ線より広い幅
に形成されている請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記画素電極は、第２方向に沿って前記補
助修理線と両側で互いに相異する幅で重畳する請求項２
に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記画素電極は第１方向に沿って前記ゲー
ト線と重畳する請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記画素電極は第２方向に沿って前記補助
修理線と両側で互いに同じ幅で重畳する請求項２に記載
の液晶表示装置。
【請求項７】前記データ線は前記補助修理線と電気的に
連結されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記ゲート線の両側にある前記補助修理線
を前記データ線に連結する連結手段を更に含む請求項７
に記載の液晶表示装置。
【請求項９】前記データ線を覆っている第２絶縁層をさ
らに含み、前記連結手段は前記第２絶縁層上に前記画素
電極と同一物質で形成されている請求項８に記載の液晶
表示装置。
【請求項１０】前記連結手段は前記第２絶縁層及び第１
絶縁層に開いた第１接触口を通じて前記補助修理線と連
結されている請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】前記連結手段は前記第２絶縁層に開いた
第２接触口を通じて前記データ線と連結されている請求
項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】前記補助修理線の端部が前記データ線か
ら一定の角度で斜めに突出するように形成されている請
求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】前記データ線は前記第１絶縁層に形成さ
れている第１接触口を通じて補助修理線と連結されてい
る請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】前記データ線を覆う第２絶縁層をさらに
含み、前記第２絶縁層に形成されており、前記ゲート線
の両側に位置した前記第２絶縁層の第２接触口を通じて
前記データ線と連結されている透明導電層をさらに含む
請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】前記データ線は前記ゲート線と交差する
部分で二つの線に分けられている請求項１３に記載の液
晶表示装置。
【請求項１６】基板上にゲート線とデータ補助修理線と
を同時形成する段階と、ゲート絶縁膜を積層する段階と、前記ゲート絶縁膜をパターニングして前記データ補助修
理線を露出する接触口を形成する段階と、前記接触口を通じて前記データ補助修理線と連結される
データ線を形成する段階と、前記データ線の上部に保護絶縁膜を形成する段階と、透明導電層を塗布する段階と、前記透明導電層をパターニングして画素電極を形成する
段階とを含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】前記データ線が前記データ線と交差する
部分で二つに分けられた部分を有するように形成する請
求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】前記透明導電層をパターニングし、前記
データ線と前記ゲート線との交差点の両側で前記データ
線と連結される連結パターンを形成する段階をさらに含
む請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】前記保護絶縁膜は前記データ線と前記ゲ
ート線との交差点の両側にそれぞれ位置し、前記データ
線を露出する開口部を有し、前記連結パターンは前記開
口部を通じて前記データ線と連結される請求項１８に記
載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】前記画素電極は前記データ補助修理線と
端縁が重畳するように形成する請求項１６に記載の液晶
表示装置の製造方法。
【請求項２１】前記データ線は前記データ補助修理線よ
り狭い幅に形成する請求項１６に記載の液晶表示装置の
製造方法。
【請求項２２】前記画素電極は前記ゲート線と端縁が重
畳するように形成する請求項１６に記載の液晶表示装置
の製造方法。
【請求項２３】基板上にゲート線とデータ補助修理線を
同時に形成する段階と、前記ゲート線と前記データ補助修理線上にゲート絶縁膜
を積層する段階と、前記ゲート絶縁膜上にデータ線を形成する段階と、保護絶縁膜を装着する段階と、前記保護絶縁膜及びゲート絶縁膜をパターニングして前
記データ線を露出する第１接触口と前記データ補助修理
線を露出する多数の第２接触口とを形成する段階と、画素電極、そして前記第１接触口を通じて前記データ線
と連結され、前記第２接触口を通じて前記データ補助修
理線と連結される連結パターンを形成する段階とを含む
液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている多数の第１ゲート線
と、前記第１ゲート線と平行に形成されている多数の第２ゲ
ート線と、前記第１及び第２ゲート線を連結する多数のゲート線連
結部と、前記第１及び第２ゲート線と絶縁されて交差する多数の
データ線とを含み、前記ゲート線連結部は前記第１及び第２ゲート線と前記
データ線によって定義される画素領域のうちの一部に前
記データ線と平行に前記画素領域の中間を横切るように
形成されている液晶表示装置。
【請求項２５】前記絶縁基板上に前記データ線と平行に
形成されている補助線をさらに含み、前記補助線は前記
データ線と電気的に連結されている請求項２４に記載の
液晶表示装置。
【請求項２６】前記ゲート線連結部が形成されている前
記画素領域の数は、前記ゲート線連結部が形成されてい
ない前記画素領域の数より少ない請求項２５に記載の液
晶表示装置。
【請求項２７】前記ゲート線連結部が形成されている前
記画素領域の数と前記ゲート線連結部が形成されていな
い前記画素領域の数の比は１：３以上である請求項２６
に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】前記画素領域に形成されている多数の透
明な画素電極をさらに含み、前記画素電極は前記第１及び第２ゲート線と一部重畳し
ている請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】前記ゲート線連結部が形成されている前
記画素領域に形成されている前記画素電極は前記ゲート
線連結部と重畳する請求項２８に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】前記第１ゲート線は、前記ゲート線連結
部が形成されていない前記画素領域側に形成された突出
部を有するように形成されている請求項２９に記載の液
晶表示装置。
【請求項３１】前記突出部は前記画素電極と重畳してい
る請求項３０に記載の液晶表示装置。
【請求項３２】前記ゲート線連結部が形成されていない
前記画素領域において前記画素電極と重畳している前記
突出部の面積は、前記ゲート線連結部が形成されている
前記画素領域において前記画素電極と重畳している前記
ゲート線連結部の面積と同一な請求項３１に記載の液晶
表示装置。
【請求項３３】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている多数の第１ゲート線
と、前記第１ゲート線と平行に形成されている多数の第２ゲ
ート線と、前記第１及び第２ゲート線を連結する多数のゲート線連
結部と、前記第１及び第２ゲート線並びに前記ゲート線連結部を
覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されており、前記第１及び第２
ゲート線と交差する多数のデータ線とを含み、前記ゲート線連結部は、前記多数のデータ線のうちの一
部である第１データ線の下部に前記第１データ線と平行
に形成されている液晶表示装置。
【請求項３４】前記多数のデータ線のうち前記第１デー
タ線を除いた残りである第２データ線と重畳するように
前記絶縁基板上に形成されていて、前記第１及び第２ゲ
ート線によって分離されている多数の補助線をさらに含
み、前記補助線は前記第１または第２データ線と電気的
に連結されている請求項３３に記載の液晶表示装置。
【請求項３５】前記第１及び第２ゲート線の両方の前記
補助線を同時に前記第２データ線に連結する連結手段を
さらに含む請求項３４に記載の液晶表示装置。
【請求項３６】前記第１及び第２データ線を覆う第２絶
縁層をさらに含み、前記連結手段は前記第２絶縁層上に
透明導電層で形成されている請求項３５に記載に液晶表
示装置。
【請求項３７】前記補助線と前記第１データ線とを電気
的に連結する連結手段をさらに含む請求項３４に記載の
液晶表示装置。
【請求項３８】前記ゲート線連結部が前記補助線より小
さい比率で形成されている請求項３４に記載の液晶表示
装置。
【請求項３９】前記ゲート線連結部が重畳する第１デー
タ線と前記補助線と重畳する第２データ線との比率が
１：１０である請求項３８に記載の液晶表示装置。
【請求項４０】前記ゲート線連結部は、前記データ線と
前記第１及び第２ゲート線とが交差して形成される多数
の画素に対し、前記ゲート連結部が対応する前記画素が
順次に変化するように形成されている請求項３４に記載
の液晶表示装置。