JPS60207116A - 表示電極アレイ - Google Patents
表示電極アレイInfo
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- JPS60207116A JPS60207116A JP59063623A JP6362384A JPS60207116A JP S60207116 A JPS60207116 A JP S60207116A JP 59063623 A JP59063623 A JP 59063623A JP 6362384 A JP6362384 A JP 6362384A JP S60207116 A JPS60207116 A JP S60207116A
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- JP
- Japan
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- electrode
- capacity
- display
- light shield
- electrode array
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、アクティブマトリックス形表示装置に用いる
表示電極アレイに係り、特に、絶縁基板上に薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＰＴと称する）スイッチを備えた画素電
極をマトリックス状に形成して成る表示電極アレイに関
する。
表示電極アレイに係り、特に、絶縁基板上に薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＰＴと称する）スイッチを備えた画素電
極をマトリックス状に形成して成る表示電極アレイに関
する。
現在、液晶やｇＬ等を用いた表示装置は、テレビ表示や
グラフィックディスグレイ等を指向した、大容量、高密
度のアクティブマトリックス形表示装置の開発・実用化
がさかんである。
グラフィックディスグレイ等を指向した、大容量、高密
度のアクティブマトリックス形表示装置の開発・実用化
がさかんである。
この種の表示装置では、クロストークのない高コントラ
スト表示が行なえるよう、各画素を駆動制御するための
手段として、半導体スイッチが設けられている。半導体
スイッチとしては、単結晶Ｓｔ基板上に作成されたＭＯ
８形Ｆ’ＥＴや、最近では、透過形表示の可能な透明基
板上に形成されたＴＰＴなどがある。
スト表示が行なえるよう、各画素を駆動制御するための
手段として、半導体スイッチが設けられている。半導体
スイッチとしては、単結晶Ｓｔ基板上に作成されたＭＯ
８形Ｆ’ＥＴや、最近では、透過形表示の可能な透明基
板上に形成されたＴＰＴなどがある。
第１図はＴＦＴアレイを用いた液晶表示ノｊネルの一般
的構造を説明するための断面図で、スイッチ素子として
のＴＦＴ １および透明画素電極２が形成された絶縁基
板の透明基板３と、透明対内電極４が形成された透明基
板５との間に液晶６が挾持されてパネルが構成される。
的構造を説明するための断面図で、スイッチ素子として
のＴＦＴ １および透明画素電極２が形成された絶縁基
板の透明基板３と、透明対内電極４が形成された透明基
板５との間に液晶６が挾持されてパネルが構成される。
Ｔｔ；’ｒ ｔはドレイン電極７．ソース電極８．半導
体膜９゜ダート絶縁膜１０．ダート電極１ノおよび保獲
膜１２で構成される。前記ＴＦ’ｒ １および透明画素
置４夕２は第２図に示すようにマトリックス状に配列形
成されておシ、ケ゛−ト線１３およびドレイン線１４が
設けられる。ダート線１３を順次走査すると共に、これ
に同期してドレイン線に並列信号を与えると、画素電極
２と対向電極４との間の液晶は、順次駆動されて、画像
などの表示が行なわれる。信号電圧は液晶２′と蓄積電
気′＆Ｍｌ ３’に蓄積され、次の励起が行なわれるま
で一定電位を保つ。
体膜９゜ダート絶縁膜１０．ダート電極１ノおよび保獲
膜１２で構成される。前記ＴＦ’ｒ １および透明画素
置４夕２は第２図に示すようにマトリックス状に配列形
成されておシ、ケ゛−ト線１３およびドレイン線１４が
設けられる。ダート線１３を順次走査すると共に、これ
に同期してドレイン線に並列信号を与えると、画素電極
２と対向電極４との間の液晶は、順次駆動されて、画像
などの表示が行なわれる。信号電圧は液晶２′と蓄積電
気′＆Ｍｌ ３’に蓄積され、次の励起が行なわれるま
で一定電位を保つ。
第３図は第２図のＴＦＴアレイ上の透明画素電極２の配
置を示す図で、ダート線１３とドレイン線１４の交差部
にＴＦＴ １が設けられる。
置を示す図で、ダート線１３とドレイン線１４の交差部
にＴＦＴ １が設けられる。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は、先に出願した従来技術で
光しゃへい電極１５と画素電極２の重なシにより蓄積電
気容量１６を作った例である。光じゃへい電極１５は−
・ッチで、蓄積電気容量１６はクロス−・ツチで示しで
ある。画素電極２と光し千へい電極１５は異なるマスク
で、フォトリソグラフィー、エツチングされ、あるいは
、マスクデポされるため、設計位置と若干ずれた位置に
相互のノソターンが形成されることが多い。典型的には
２μｍ程度とされる。第４図（ａ）では、右に光じゃへ
い電極がずれた場合１７．左にずれた場合１８．第４図
（ｂ）では、上に光じゃへい電極１５がずれた場合１９
、下にずれた場合２０についてそれぞれ一点鎖１ｍ１ｖ
ｅｘ９．破線ノ８゜２０で示しである。
光しゃへい電極１５と画素電極２の重なシにより蓄積電
気容量１６を作った例である。光じゃへい電極１５は−
・ッチで、蓄積電気容量１６はクロス−・ツチで示しで
ある。画素電極２と光し千へい電極１５は異なるマスク
で、フォトリソグラフィー、エツチングされ、あるいは
、マスクデポされるため、設計位置と若干ずれた位置に
相互のノソターンが形成されることが多い。典型的には
２μｍ程度とされる。第４図（ａ）では、右に光じゃへ
い電極がずれた場合１７．左にずれた場合１８．第４図
（ｂ）では、上に光じゃへい電極１５がずれた場合１９
、下にずれた場合２０についてそれぞれ一点鎖１ｍ１ｖ
ｅｘ９．破線ノ８゜２０で示しである。
第４図（ａ） Ｊ ｙ ＊第４図（ｂ）１９のように、
それぞれ右あるいは上にノ９ターンがずｔＬると、蓄積
電気容量はこの場合３０％増え、ＴＦＴ １が励起され
ている時間に、ドレイン線１４を通じて供給される信号
が十分に蓄積電気容量に１き込まれない。また、透明画
素電極２が光しやへい電極１５にカバーされる面積が増
え、外部照明光の透過率が下がシ、画面全体が暗くなる
。
それぞれ右あるいは上にノ９ターンがずｔＬると、蓄積
電気容量はこの場合３０％増え、ＴＦＴ １が励起され
ている時間に、ドレイン線１４を通じて供給される信号
が十分に蓄積電気容量に１き込まれない。また、透明画
素電極２が光しやへい電極１５にカバーされる面積が増
え、外部照明光の透過率が下がシ、画面全体が暗くなる
。
第４図（ａ） １８ ＃第４図（ｂ） ２ｏのように、
それぞれ左あるいは下にノｅターンがずれると、蓄積電
気容量がこの場合３０チ減り、蓄積電荷量も減るため、
ＴＦＴ １が励起されていない間の液晶層やＴＦＴ １
のリーク電流による画素電極２電位の電圧降下が大きく
なり、液晶層にかかる実効電圧が下がる。この結果、表
示コントラストが悪くなる・。
それぞれ左あるいは下にノｅターンがずれると、蓄積電
気容量がこの場合３０チ減り、蓄積電荷量も減るため、
ＴＦＴ １が励起されていない間の液晶層やＴＦＴ １
のリーク電流による画素電極２電位の電圧降下が大きく
なり、液晶層にかかる実効電圧が下がる。この結果、表
示コントラストが悪くなる・。
以上述べてきたように、従来技術によるＴＦＴアレイの
構造では、製造工程上のマスク合わせのずれによシ、所
期の性能を達せられず、また、同一ロット内でも、ウェ
ー・毎に性能が異なるという欠点があった。
構造では、製造工程上のマスク合わせのずれによシ、所
期の性能を達せられず、また、同一ロット内でも、ウェ
ー・毎に性能が異なるという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなされたもので、
性能の安定した。製造歩留シの高い表示電極アレイを提
供することを目的とする。
性能の安定した。製造歩留シの高い表示電極アレイを提
供することを目的とする。
本発明は、絶縁基板上に、スイッチ素子としてのＴＰＴ
を備えた画素電極がマトリックス状に形成して成るアク
ティブマトリックス形表示装置用の表示電極アレイにお
いて、少なくともＴＰＴのチャネル部を僅い、所定電圧
に固定された光じゃへい電極が設けられ、眩光じゃへい
電極と、前記画素電極の少なくとも１部あるいは該画素
電極に電気的に接続された領域の少なくとも１部が、絶
縁層を介して蓄積電気容量を成す構造を有し、かつそれ
ぞれの電極はマスクの合わせずれに対し、前記蓄積電気
容量が増減しないような相互関係の形状となっているこ
とを特徴とする表示電極アレイである。
を備えた画素電極がマトリックス状に形成して成るアク
ティブマトリックス形表示装置用の表示電極アレイにお
いて、少なくともＴＰＴのチャネル部を僅い、所定電圧
に固定された光じゃへい電極が設けられ、眩光じゃへい
電極と、前記画素電極の少なくとも１部あるいは該画素
電極に電気的に接続された領域の少なくとも１部が、絶
縁層を介して蓄積電気容量を成す構造を有し、かつそれ
ぞれの電極はマスクの合わせずれに対し、前記蓄積電気
容量が増減しないような相互関係の形状となっているこ
とを特徴とする表示電極アレイである。
以下図面を診照して不発り」の実施例を詳細に説明する
。
。
第５図は本発明の一実施例の平面図（ａ）および断面図
（ｂ）である。１３はＴＦＴ １を励起させるためのダ
ート線、１４はドレイン線である。光しゃへい電極はＪ
５〒ＩＬとＪ 、５− ｂに分かれ、画素電極２との爪
なシ部が蓄積電気容量１６−ａと１６−ｂとなる。光し
ヤへい電極ｉ５−ａｅ１５−ｂと画素電極２のマスク合
わせずれがあって、容量１６−ａが減っても、容量１６
−ｂが増え、合ａ１の蓄積電気容量は変わらず、透明画
素置１１仄２が光しゃへい電極１５−ａ、１５−ｂに［
）われる面積もかわらず、外部照明光の透過率（開口率
）もかわらない。
（ｂ）である。１３はＴＦＴ １を励起させるためのダ
ート線、１４はドレイン線である。光しゃへい電極はＪ
５〒ＩＬとＪ 、５− ｂに分かれ、画素電極２との爪
なシ部が蓄積電気容量１６−ａと１６−ｂとなる。光し
ヤへい電極ｉ５−ａｅ１５−ｂと画素電極２のマスク合
わせずれがあって、容量１６−ａが減っても、容量１６
−ｂが増え、合ａ１の蓄積電気容量は変わらず、透明画
素置１１仄２が光しゃへい電極１５−ａ、１５−ｂに［
）われる面積もかわらず、外部照明光の透過率（開口率
）もかわらない。
第６図は本発明の他の実施例の平面図（ａ）と断面図（
ｂ）である。光しゃへい電極１５−ａ−１５−ｄはつな
がっているが、蓄積電気容量は実質４個の矩形に分かれ
、１６− ａ 、 １ ／ｉ −ｂ 、 １６−Ｃおよ
び１６−ｄの合計となる。マスク合わせず九が、Ｘ、Ｙ
あるいは両方に起こっても、４つのうち１つないし２つ
の蓄積１Ｅ気容量が減り、対向する他の１つないし２つ
の蓄積容量が増え。
ｂ）である。光しゃへい電極１５−ａ−１５−ｄはつな
がっているが、蓄積電気容量は実質４個の矩形に分かれ
、１６− ａ 、 １ ／ｉ −ｂ 、 １６−Ｃおよ
び１６−ｄの合計となる。マスク合わせず九が、Ｘ、Ｙ
あるいは両方に起こっても、４つのうち１つないし２つ
の蓄積１Ｅ気容量が減り、対向する他の１つないし２つ
の蓄積容量が増え。
合計の蓄積電気容量は変わらず、開口率も変わらない。
第７図は本発明の他の実施例で、光しヤへい電極は１５
’−＠と１５−ｂに分かれる。蓄積電気容量も１６−ａ
と１６−ｂに分かれ、マスク合わせずれがあっても、互
いに補償しあい、合計の蓄積電気容量は変わらない。
’−＠と１５−ｂに分かれる。蓄積電気容量も１６−ａ
と１６−ｂに分かれ、マスク合わせずれがあっても、互
いに補償しあい、合計の蓄積電気容量は変わらない。
第８図は本発明の他の実施例であり、光じやへい電極を
１５−＆、１５−ｂおよび１５−Ｃに設けることによシ
、蓄積電気容量は１６−ｈｒ１６−ｂおよび１６−Ｃに
分かれる。マスク合わせずれがあっても３つの電気容猜
は互いに補償しあい、合計の蓄積電気容量は変わらず、
開口率も変化しない。
１５−＆、１５−ｂおよび１５−Ｃに設けることによシ
、蓄積電気容量は１６−ｈｒ１６−ｂおよび１６−Ｃに
分かれる。マスク合わせずれがあっても３つの電気容猜
は互いに補償しあい、合計の蓄積電気容量は変わらず、
開口率も変化しない。
以上透明画素電極２を一定形状にし、光じゃへい電極１
５の形状を工夫して、複数の電極の重なシ量が一定とな
る例を説明してきたが、光じゃへい電極形状を一定とし
て、透明画素電極の配置を同様にすることによっても、
等価な結果が得られる。
５の形状を工夫して、複数の電極の重なシ量が一定とな
る例を説明してきたが、光じゃへい電極形状を一定とし
て、透明画素電極の配置を同様にすることによっても、
等価な結果が得られる。
ナオ、ＴＦＴハ、アモルファスシリコンの他、ポリシリ
コンａ ＣｄＳｅ ＋Ｔｅを用いたものでもよく、絶縁
層はＳｉＮ、 ５ｉｎ２１５ｔｘＯｙＮ２やポリイミド
等の有機絶縁膜でもよい。
コンａ ＣｄＳｅ ＋Ｔｅを用いたものでもよく、絶縁
層はＳｉＮ、 ５ｉｎ２１５ｔｘＯｙＮ２やポリイミド
等の有機絶縁膜でもよい。
また、光じゃへい電極としては、ｋｌ 、 Ｍｏ ＊Ｃ
ｒ等で光を透過しないものであればよい。
ｒ等で光を透過しないものであればよい。
更に、表示体としては、液晶に限定されることはなく、
Ｅ Ｌ 、 ＥＣＤ等でもよい。
Ｅ Ｌ 、 ＥＣＤ等でもよい。
以上述べたように本発明によれば、蓄積電気容量を実質
上複数個に分割し、分割されたそれぞれの蓄積電気容量
が、マスク合わせのずれを互いに補い合う構造とし、合
計での蓄積電気容量が一定で、また透明画素電極が光じ
ゃへい電極に覆われる面積も一定で、開口率も一定で、
電気特性にむらがなく、製造歩留シの高い、大容量表示
デバイスに適した表示電極アレイを提供するものである
。
上複数個に分割し、分割されたそれぞれの蓄積電気容量
が、マスク合わせのずれを互いに補い合う構造とし、合
計での蓄積電気容量が一定で、また透明画素電極が光じ
ゃへい電極に覆われる面積も一定で、開口率も一定で、
電気特性にむらがなく、製造歩留シの高い、大容量表示
デバイスに適した表示電極アレイを提供するものである
。
第１図は一般のアクティブマトリックス形表示装置の一
例を示す断面図、第２図は一般のＴＦＴアレイの構成の
一例を説明するための回路図、第３図は第２図のＴＦ’
Ｔアレイ上の電極配置の一例を示す構成図、第４図は従
来技術の問題点を説明するための電極配置図、第５図は
本発明の一実施例を説明するための電極配置図、第６図
〜第８図はそれぞれ本発明の他の実施例を説明するため
の電極配置図である。 １・・・ＴＦＴ、２・・・透明画素電極、３・・・透明
基板、４・・・透明対向電極、６・・・液晶、１３・・
・ダート線、１４・・・ドレイン線、１５．１５．−ａ
〜１５−ｄ・・・光しゃへい電極、１６ 、１６−
ａ 〜１６− ｄ・・・蓄積電気容量。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第４図 第５ 図 （ａ） （ｂ） 第６図 （ａ） （ｂ） １６−０ １６−〇 第７図 第８図
例を示す断面図、第２図は一般のＴＦＴアレイの構成の
一例を説明するための回路図、第３図は第２図のＴＦ’
Ｔアレイ上の電極配置の一例を示す構成図、第４図は従
来技術の問題点を説明するための電極配置図、第５図は
本発明の一実施例を説明するための電極配置図、第６図
〜第８図はそれぞれ本発明の他の実施例を説明するため
の電極配置図である。 １・・・ＴＦＴ、２・・・透明画素電極、３・・・透明
基板、４・・・透明対向電極、６・・・液晶、１３・・
・ダート線、１４・・・ドレイン線、１５．１５．−ａ
〜１５−ｄ・・・光しゃへい電極、１６ 、１６−
ａ 〜１６− ｄ・・・蓄積電気容量。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第４図 第５ 図 （ａ） （ｂ） 第６図 （ａ） （ｂ） １６−０ １６−〇 第７図 第８図
Claims (1)
- 絶縁基板上に、スイッチ素子としての薄膜トランジスタ
を備えた画素電極がマトリックス状に形成して成るアク
ティブマトリックス形表示装置用の表示電極アレイにお
いて、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル部を覆い
、所定電圧に固定された光じゃへい電極が設けられ、こ
の光じゃへい電極と、前記画素電極の少なくとも一部あ
るいは前記画素電極に電気的に接続された領域の少なく
とも一部が、絶縁層を介して蓄積電気容量を成す構造を
有し、かつそれぞれの電極はマスク・合・わせずれに対
し、前記蓄積電気容量が増減しないような相互関係の形
状となっていることを特徴とする辰示電極アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063623A JPS60207116A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 表示電極アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063623A JPS60207116A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 表示電極アレイ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24834994A Division JP2544089B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207116A true JPS60207116A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0568688B2 JPH0568688B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=13234639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59063623A Granted JPS60207116A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 表示電極アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60207116A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-03-31 JP JP59063623A patent/JPS60207116A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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