JP4504964B2 - 横電界型液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
124、127:第1、2共通電極
135:ゲート絶縁膜
146:データ配線
160:画素電極
165:第3共通電極
P:画素領域
Claims (28)
- スイッチング領域と画素領域が定義された基板と;
前記画素領域の一側に沿って形成されたゲート配線と前記ゲート配線と連結されて前記スイッチング領域に形成されたゲート電極と;
前記ゲート配線と平行に離隔して形成された共通配線と;
前記共通配線から前記画素領域に分岐して、相互に離隔する第1及び2共通電極と;
前記ゲート配線と、共通配線と第1及び2共通電極上部に形成され、前記共通配線一部を露出する共通配線コンタクトホールを有するゲート絶縁膜と;
前記ゲート絶縁膜上部に前記ゲート配線と交差して前記画素領域を定義するデータ配線と;
前記ゲート電極に対応して前記ゲート絶縁膜上部に形成された半導体層と;
前記半導体層上部に、前記データ配線から延長されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して形成されたドレイン電極と;
前記ドレイン電極と連結されて前記第1及び2共通電極間で前記第1及び2共通電極と平行であり、相互に離隔して形成された複数の画素電極と;
前記ゲート絶縁膜上に前記共通配線コンタクトホールを介して前記共通配線と連結され、第1共通電極と2共通電極との間に前記複数の画素電極と交互に配置される複数の第3共通電極とからなり、
前記データ配線と、複数の画素電極と複数の第3共通配線は同じ物質で同一層に形成されることを特徴とする横電界型液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第1及び2共通電極は前記画素領域の内側で前記データ配線と隣接して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通配線は相互に平行に離隔されている第1及び第2共通配線を含むことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第1及び2共通電極それぞれは前記第1及び2共通配線と連結されて、前記画素領域を定義する前記データ配線に隣接することを特徴とする請求項3に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通配線コンタクトホールは前記第1共通配線を露出させることを特徴とする請求項3に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第2共通配線と、前記ドレイン電極から延長されて前記第2共通配線と重なるストレージ電極と、前記第2共通配線とストレージ電極間に介在された前記ゲート絶縁膜で構成されるストレージキャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線及びゲート電極と前記共通配線及び第1及び2共通電極は同じ層に同じ金属物質からなったことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線及びゲート電極と前記共通配線及び第1及び2共通電極は二重層または三重層構造であることを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線及びゲート電極と前記共通配線及び第1及び2共通電極はその最上層が透明導電性物質層であることを特徴とする請求項8に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線及びデータ配線とそれぞれ連結して外部の駆動回路と連結されるゲートパッド電極とデータパッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は前記ゲート配線と同じ層に同じ物質からなったことを特徴とする請求項10に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記データパッド電極は、前記ゲート配線と同じ層に同じ物質からなったデータリンク配線を介して前記データ配線と連結されることを特徴とする請求項11に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート絶縁膜は前記データリンク配線一端を露出させるデータリンク配線コンタクトホールをさらに含んで、前記データリンク配線コンタクトホールを介して前記データリンク配線と前記データ配線が連結されることを特徴とする請求項12に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート絶縁膜は前記ゲートパッド電極とデータパッド電極をそれぞれ露出させるゲートパッドコンタクトホールとデータパッドコンタクトホールを含むことを特徴とする請求項11に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記半導体層上部で相互に離隔するソース及びドレイン電極は前記半導体層の側部表面をそれぞれ完全に覆うことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ソース及びドレイン電極の離隔した領域に露出した半導体層上部に形成されたシリコーン酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記半導体層は純粋非晶質シリコーン層で構成されたアクティブ層と、不純物非晶質シリコーンで構成されて前記アクティブ層上部に形成されるオーミックコンタクト層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板。
- スイッチング領域と画素領域が定義された基板上に第1マスク工程を行なって、前記画素領域の一側に沿って形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と連結されて前記スイッチング領域に形成されるゲート電極と、前記ゲート配線と離隔して平行に第1共通配線と、前記第1共通配線から前記画素領域に分岐する第1及び2共通電極を形成する段階と;
前記ゲート配線及びゲート電極と、前記第1共通配線及び第1及び2共通電極上に全面に絶縁層と純粋非晶質シリコーン層と不純物非晶質シリコーン層を形成する段階と;
半透過領域を含むマスクを利用して露光、現像する第2マスク工程を実施することによって前記第1共通配線の一部を露出させる共通配線コンタクトホールを有するゲート絶縁膜と、その上部に前記ゲート電極に対応して純粋非晶質シリコーンのアクティブ層と、前記アクティブ層上に同一形態で連結した状態の不純物非晶質シリコーンパターンを形成する段階と;
前記不純物非晶質シリコーンパターン及びゲート絶縁膜上に第3マスク工程を実施して前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線と連結されて前記不純物非晶質シリコーンパターンと接触するソース電極と、前記ソース電極と離隔して前記不純物非晶質シリコーンパターンと接触するドレイン電極と、前記ドレイン電極で分岐して前記第1及び2共通電極と平行に相互に離隔する複数の画素電極と、第1共通電極と2共通電極との間に前記画素電極と交互に配置されて前記共通配線コンタクトホールを介して前記第1共通配線と連結される複数の第3共通電極を形成する段階を含むことを特徴とする横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記相互に離隔したソース及びドレイン電極間で露出した不純物非晶質シリコーンパターンを除去してアクティブ層を露出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ソース及びドレイン電極間で露出したアクティブ層上部にシリコーン酸化膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート配線と、ゲート電極と、第1共通配線と、第1及び2共通電極を形成する段階は、
前記基板上に第1金属物質を蒸着して第1金属層を形成する段階と;
前記第1金属層上部に透明導電性物質を蒸着して透明導電性物質層を形成する段階と;
前記透明導電性物質層とその下部の第1金属層を順次的にパターニングする段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第1金属層と前記透明導電性物質層間に第2金属層を形成する段階と;
前記透明導電性物質層をパターニング後、前記第2金属層をパターニングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜と、アクティブ層と、不純物非晶質シリコーンパターンを形成する段階は、
前記不純物非晶質シリコーン層上にフォトレジスト層を形成する段階と;
前記フォトレジスト層上に透過領域と遮断領域及び半透過領域を有するマスクを位置させる段階と;
前記マスクを利用して前記フォトレジスト層を露光して現像することによって、前記第1共通配線の中心で対称する部分の不純物非晶質シリコーン層を露出させて、前記ゲート電極が形成された部分に第1厚さの第1フォトレジストパターンと、それ以外の領域に前記第1厚さより薄い第2厚さを有する第2フォトレジストパターンを形成する段階と;
前記第1、2フォトレジストパターンの外部に露出された不純物非晶質シリコーン層とその下部の純粋非晶質シリコーン層と絶縁層を除去して前記共通配線コンタクトホールを形成する段階と;
前記第2フォトレジストパターンを除去するために灰化(アッシング)する段階と;
前記第2フォトレジストパターンの除去によって露出した不純物非晶質シリコーン層とその下部の純粋非晶質シリコーン層を除去してゲート絶縁膜を露出させて、前記アクティブ層と、不純物非晶質シリコーンパターンを形成する段階と;
前記第1フォトレジストパターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記ゲート配線と第1共通配線及び第1及び2共通電極を形成する段階は、
前記ゲート配線終端にゲートパッド電極と、前記データ配線と連結されるデータリンク配線と、前記データリンク配線から延長されたデータパッド電極と、前記第1共通配線から離隔して平行に第2共通配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2共通配線は前記第1共通配線と前記第1及び2共通電極を介して連結され、これら第1及び2共通配線と第1及び2共通電極は前記画素領域を囲む形態で形成することを特徴とする請求項24に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ドレイン電極は前記第2共通配線と重なるように形成することを特徴とする請求項24に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2マスク工程は前記データリンク配線終端部と前記ゲートパッド電極とデータパッド電極それぞれを露出させるデータリンク配線コンタクトホールと、ゲートパッドコンタクトホールと、データパッドコンタクトホールを形成する段階を含むことを特徴とする請求項24に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ソース及びドレイン電極は前記半導体層の両端を覆うように形成されることを特徴とする請求項18に記載の横電界型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
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