TWI457673B - 訊號線結構 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種訊號線結構，且特別是有關於一種平面顯示器之訊號線結構。
平面顯示器由於具有體積小、重量輕的特性，在可攜式顯示設備，以及小空間應用的顯示器市場中極具優勢。
第1圖繪示一習知平面顯示裝置的剖視圖。平面顯示裝置100主要包括一薄膜電晶體陣列基板110、一對向基板120、一顯示材料層130以及一透明電極層140。透明電極層140的材質例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)或其他透明導電材質。顯示材料層130是配置於透明電極層140與薄膜電晶體陣列基板110的畫素電極112之間。藉由各畫素電極112與透明電極層140之間的電場變化，可使顯示裝置100之各畫素呈現出不同的光學特性。
第2圖繪示上述平面顯示裝置100的上視圖。顯示裝置100具有一顯示區域102以及位於顯示區域102外圍的一周邊線路區域104。資料配線154與掃瞄配線152配置在顯示區域102內劃分出多個畫素區域110a。此外，薄膜電晶體114與畫素電極112分別配置於畫素區域110a內，其中薄膜電晶體114連接至所對應的掃描配線152與資料配線154，而畫素電極112連接至薄膜電晶體114。周邊線路區域104內配置有多個閘極驅動器142以及源極驅動器144，其中閘極驅動器142連接掃描配線152，以在顯示時將驅動信號經由掃描配線152輸入至薄膜電晶體114的閘極，使得薄膜電晶體114呈開啟的狀態。源極驅動器144連接資料配線154，以在薄膜電晶體114開啟後，將顯示資料輸入至畫素電極112。
然而傳統上，請參閱第3圖所示之放大圖示，為了節省周邊線路區域104之面積，位在閘極驅動器142與顯示區域102間之掃描配線152，亦即區域156處之掃描配線152，其彼此間之間距會被壓縮至距離A，當閘極驅動器142供應高驅動電壓給掃描配線152a時，相鄰之掃描配線152b是被供應給低電壓的，此電壓差因掃描配線間之距離大幅減縮而產生一大電場，此大電場會造成掃描配線152a和152b被腐蝕，進而影響驅動信號之正確傳送。
因此急需有一種新的結構，可解決上述線路被腐蝕之問題。
本發明之一目的即是在提供一種具犧牲電極之訊號線結構，來解決線路被腐蝕之問題。
本發明之一態樣在提供一種訊號線結構，此訊號線結構是設置於一顯示器之一閘極驅動器與一顯示區域間。此訊號線結構包括：一基板、複數條第一金屬層、一第一絕緣層、複數條第二金屬層、一第二絕緣層以及複數條第三金屬層。其中，複數條第一金屬層，平行設置於基板之一第一方向上。第一絕緣層設置於基板上並覆蓋該些條第一金屬層。複數條第二金屬層設置於該第一絕緣層上對應於該些第一金屬層之處。第二絕緣層設置於第二金屬層以及第一絕緣層上。複數條第三金屬層設置於於第二絕緣層上對應於該些第二金屬層之處，其中相鄰兩第二金屬層間之距離小於相鄰兩第一金屬層間之距離。
在一實施例中，基板為一玻璃基板、一塑膠基板。
在一實施例中，第一絕緣層之材料為氮化矽(SiNx
)、氧化矽(SiOx
)、氧化鋁(AlOx
)或、氧化釔(Y2
O3
)材質。
在一實施例中，第二絕緣層之材料為氮化矽(SiNx
)、氧化矽(SiOx
)、氧化鋁(AlOx
)、氧化釔(Y2
O3
)、樹脂(Resin)、聚胺族(Polymid series)、或結合無機與有機之複合絕緣層。
在一實施例中，透明電極層的材質為銦錫氧化物、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉬鉻(MoCr)或其他透明導電材質。
在一實施例中，第一金屬層之材料為鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。
在一實施例中，第二金屬層之材料為鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。
在一實施例中，訊號線結構是用以將閘極驅動器輸出之掃描訊號傳遞至該顯示區域之掃描配線。
在一實施例中，更包括複數個第一接觸窗形成於該第一絕緣層上，該第三金屬層，透過該些第一接觸窗耦接該些第一金屬層，以及複數個第二接觸窗形成於該第二絕緣層上，該第三金屬層透過該些第二接觸窗耦接該些第二金屬層。
在一實施例中，第二金屬層於該第一方向上之長度小於該第一金屬層於該第一方向上之長度。
綜合上述所言，本發明位在閘極驅動器與顯示區域間之訊號線係採用多金屬層架構，具有一額外之犧牲電極層，因此即使一腐蝕現像發生，由於多了一層犧牲電極，可趨緩線路被腐蝕現象，延長顯示器之使用壽命。
請再次參閱第3圖所示，傳統上掃描配線152延伸出顯示區域102之部分結構為一單一金屬層，例如，一第一金屬層，來耦接閘極驅動器142，其中兩掃描配線152間之距離為A。由於僅為一單層結構，很容易因兩相鄰掃描配線間之大電場腐蝕而斷裂，致使整個顯示器動作異常。因此，為了避免上述現象發生，本發明於該等線路上設置一額外之犧牲電極層，來趨緩線路被腐蝕現象，延長顯示器之使用壽命。
參閱第4圖所示為本發明掃描配線延伸出顯示區域之概略結構上視圖。本發明位於閘極驅動器142與顯示區域102間之掃描配線152，亦即區域156處之掃描配線152(第2圖所示)，其結構為一多層金屬層架構300，每一掃描配線結構包括：一第一金屬層301、一第二金屬層302以及一透明電極層303。其中第二金屬層302設置於第一金屬層301之上方作為一犧牲電極層，一透明電極層303設置於第二金屬層302之上方，藉由接觸窗304耦接第一金屬層301，以及藉由接觸窗305耦接第二金屬層302，因此第一金屬層301可透過透明電極層303電性連接第二金屬層302。在一實施例中，第二金屬層302之寬度W2大於第一金屬層301之寬度W1，而第一金屬層301之寬度W1大於透明電極層303之寬度W3。而，相鄰兩掃描配線結構中之第二金屬層302間之距離C被設定成與習知技術中第一金屬層間之距離A相同，因此，在此架構下相鄰兩掃描配線結構中之第一金屬層301間之距離B會大於與習知技術中第一金屬層間之距離A，因此其第一金屬層間之電場強度與習知架構相較可降低，因此可減緩腐蝕現像。此外，即使有腐蝕之現像發生，在本發明之架構下，由於具有額外之第二金屬層302作為犧牲電極，因此可避免習知單一金屬層容易被腐蝕斷裂之現象，延長顯示器之使用壽命。另一方面，多金屬層架構，更可降低電阻值，增益傳送於其上之驅動信號。
第5圖繪示第4圖所示之掃描配線結構沿著A-A’剖線之剖面圖。本發明位在閘極驅動器142與顯示區域102間之掃描配線152，亦即區域156處之掃描配線152(第2圖所示)，其結構包括一基板400、一第一金屬層301、一第一絕緣層306、一第二金屬層302上、一第二絕緣層307以及一透明電極層303。其中第一金屬層301順著一第一方向延伸設置於基板400上。第一絕緣層306設置於第一金屬層301上，其中該第一絕緣層306中具有多個接觸窗304，以暴露出第一金屬層301的部分表面。第二金屬層302設置於第一絕緣層306之上方作為一犧牲電極層，其中第二金屬層302於該第一方向上之長度小於第一金屬層301，使得第二金屬層302並不覆蓋於接觸窗304上。第二絕緣層307設置於第二金屬層302之上方，其中該第二絕緣層307中具有多個接觸窗305，以暴露出第二金屬層302的部分表面。透明電極層303設置於第二絕緣層307上，透明電極層303是透過第一絕緣層306中之接觸窗304與第一金屬層301電性連接，以及透過第二絕緣層307中之接觸窗305與第二金屬層302電性連接。
第6圖繪示第4圖所示之掃描配線結構沿著B-B’剖線之剖面圖。多條第一金屬層301平行排列於基板400上。第一絕緣層306設置於基板400上，並覆蓋該多條第一金屬層301。多條第二金屬層302設置於第一絕緣層306上對應於第一金屬層301之處作為一犧牲電極。第二絕緣層307設置於第二金屬層302以及第一絕緣層306上，以保護其下方之元件免於受損及受潮。一第三金屬層設置於於第二絕緣層307上對應於第二金屬層302之處，且與第一金屬層301以及第二金屬層透過接觸窗(圖中未繪出)電性連接。其中，基板400之材料例如是：玻璃基板、塑膠基板或是其他基板。第一絕緣層306之材料例如是：氮化矽(SiNx
)、氧化矽(SiOx
)、氧化鋁(AlOx
)、氧化釔(Y2
O3
)材質。第二絕緣層307之材料例如是：氮化矽(SiNx
)、氧化矽(SiOx
)、氧化鋁(AlOx
)、氧化釔(Y2
O3
)、樹脂(Resin)、聚胺族(Polymid series)、或結合無機與有機之複合絕緣層。透明電極層303的材質例如是：銦錫氧化物、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉬鉻(MoCr)或其他透明導電材質。第一金屬層301之材料例如是：鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。第二金屬層302之材料例如是：鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。
此外，雖然本發明上述之掃描配線結構與傳統結構相較額外增加：第一絕緣層306、第二金屬層302、第二絕緣層307以及透明電極層303等層，然而，本發明並不需額外之製程步驟來形成上述之各層，亦即，上述之各層可於形成顯示區域中之薄膜電晶體時一起形成。例如，第一絕緣層306可與薄膜電晶體閘極上方之閘絕緣層一起形成。第二金屬層302可與薄膜電晶體之源極以及汲極一起形成。第二絕緣層307可與為薄膜電晶體上配置之保護層一起形成。而透明電極層可與畫素電極一起形成。
綜合上述所言，本發明位在閘極驅動器與顯示區域間之掃描配線係採用多金屬層架構，具有一額外之犧牲電極層，因此即使一腐蝕現像發生，由於多了一層犧牲電極，可趨緩線路被腐蝕現象，延長顯示器之使用壽命。且此多金屬層架構可與形成顯示區域中之薄膜電晶體時一起形成，並不需額外之製程步驟。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．平面顯示裝置
102．．．顯示區域
104．．．周邊線路區域
110．．．薄膜電晶體陣列基板
110a．．．畫素區域
112．．．畫素電極
114．．．薄膜電晶體
120．．．對向基板
130．．．顯示材料層
140．．．透明電極層
142．．．閘極驅動器
144．．．源極驅動器
152、152a、152b．．．掃瞄配線
154．．．資料配線
156．．．區域
300．．．多層金屬層架構
301．．．第一金屬層
302．．．第二金屬層
303．．．透明電極層
304、305．．．接觸窗
306．．．第一絕緣層
307．．．第二絕緣層
400．．．基板
W1、W2、W3．．．寬度
A、B、C．．．距離
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖繪示一習知平面顯示裝置的剖視圖。
第2圖繪示習知平面顯示裝置的上視圖。
第3圖所示習知平面顯示裝置之部分放大圖示。
第4圖所示為本發明掃描配線延伸出顯示區域之概略結構上視圖。
第5圖繪示第4圖所示之掃描配線結構沿著A-A’剖線之剖面圖。
第6圖繪示第4圖所示之掃描配線結構沿著B-B’剖線之剖面圖。
300．．．多層金屬層架構
301．．．第一金屬層
302．．．第二金屬層
303．．．透明電極層
304、305．．．接觸窗
W1、W2、W3．．．寬度
A、B、C．．．距離
Claims (10)
- 一種訊號線結構，設置於一顯示器之一閘極驅動器與一顯示區域間，至少包含：一基板；複數條第一金屬層，平行設置於該基板之一第一方向上；一第一絕緣層，設置於該基板上並覆蓋該些條第一金屬層；複數條第二金屬層，設置於該第一絕緣層上對應於該些第一金屬層之處；一第二絕緣層，設置於該第二金屬層以及該第一絕緣層上；以及複數條透明電極層，設置於該第二絕緣層上對應於該些第二金屬層之處，其中相鄰兩第二金屬層間之距離小於相鄰兩第一金屬層間之距離，其中每一該些第二金屬層的寬度大於每一該些第一金屬層的寬度，每一該些第一金屬層的寬度大於每一該些透明電極層的寬度。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該基板為一玻璃基板、一塑膠基板。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該第一絕緣層之材料為氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鋁(AlOx )或、氧化釔(Y2 O3 )材質。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該第二絕緣層之材料為氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鋁(AlOx )、氧化釔(Y2 O3 )、樹脂(Resin)、聚胺族(Polymid series)、或結合無機與有機之複合絕緣層。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該透明電極層的材質為銦錫氧化物、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉬鉻(MoCr)或其他透明導電材質。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該第一金屬層之材料為鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該第二金屬層之材料為鉬(Mo)、鉻(Cr)、銅(MoCr)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉈(Ti)、鉭(Ta)、鋁釹合金(AlNd)或上述之組合。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該訊號線結構是用以將閘極驅動器輸出之掃描訊號傳遞至該顯示區域之掃描配線。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中更包括複數個第一接觸窗形成於該第一絕緣層上，該透明電極層，透過該些第一接觸窗耦接該些第一金屬層，以及複數個第二接觸窗 形成於該第二絕緣層上，該透明電極層透過該些第二接觸窗耦接該些第二金屬層。
- 如請求項1所述之訊號線結構，其中該第二金屬層於該第一方向上之長度小於該第一金屬層於該第一方向上之長度。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW397924B (en) * | 1994-06-23 | 2000-07-11 | Nec Corp | A liquid crystal display apparatus having terminal protected from breaking down |
| JP2003222905A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法とその修復方法 |
| TW200715017A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | An active matrix substrate and a liquid crystal display device including the active matrix substrate |
| TW200823583A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display device |
| TW201011375A (en) * | 2008-09-01 | 2010-03-16 | Au Optronics Corp | Conducting layer jump connection structure |
| TW201024874A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Thin film transistor array substrate of liquid crystal display module and method for repairing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532853A (en) * | 1993-03-04 | 1996-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line |
| TW413955B (en) * | 1997-10-18 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| JP2004054069A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Advanced Display Inc | 表示装置及び表示装置の断線修復方法 |
| JP4130388B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2008-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR20070013013A (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
| US20070075360A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Alpha &Omega Semiconductor, Ltd. | Cobalt silicon contact barrier metal process for high density semiconductor power devices |
| KR101209809B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2012-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW397924B (en) * | 1994-06-23 | 2000-07-11 | Nec Corp | A liquid crystal display apparatus having terminal protected from breaking down |
| JP2003222905A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法とその修復方法 |
| TW200715017A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | An active matrix substrate and a liquid crystal display device including the active matrix substrate |
| TW200823583A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display device |
| TW201011375A (en) * | 2008-09-01 | 2010-03-16 | Au Optronics Corp | Conducting layer jump connection structure |
| TW201024874A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Thin film transistor array substrate of liquid crystal display module and method for repairing the same |
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