JP3262729B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばアクティブマトリクス型の液晶表
示装置を製造する場合、生産性の向上を図るために、ア
クティブマトリクスパネルのベースとなるガラス等から
なる透明基板として、アクティブマトリクスパネル複数
個分に対応する大きさのものを用意し、そして所定の工
程までは複数個分を一括して製造し、その後各単体に分
断して製造することがある。また、スイッチング素子と
して薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクスパ
ネルを製造する場合、各単体に分断する前においては例
えば配向膜をラビング処理するときに発生する静電気に
より、各単体に分断した後においては例えば静電気等の
高電圧を帯びた他の物体と接触することにより、薄膜ト
ランジスタに絶縁破壊が生じたり、薄膜トランジスタの
電圧−電流特性が変化したりすることがあり、したがっ
てこのようなことを防止するために静電気対策を行うこ
とがある。さらに、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の
絶縁耐圧を補うために、薄膜トランジスタのゲート電極
を例えばＡｌ−Ｔｉによって形成し、陽極酸化処理を行
うことにより、ゲート電極の表面にＡｌ−Ｔｉ−Ｏｘか
らなる陽極酸化膜を形成することがある。

【０００３】図５は従来の液晶表示装置の製造方法を説
明するために示すもので、この従来の液晶表示装置の製
造方法によってアクティブマトリクスパネル複数個分に
対応する大きさのガラス基板上に形成された液晶表示装
置の一部を省略した全体的な等価回路的平面図を示し、
図６はその一部の等価回路的平面図を示したものであ
る。アクティブマトリクスパネル複数個分に対応する大
きさのガラス基板１は、最終的には一点鎖線で示すカッ
トライン２に沿って切断されることにより、各単体に分
断されるようになっている。この場合、カットライン２
で囲まれた領域はパネル形成領域３となっており、その
周囲は余剰領域４となっている。

【０００４】パネル形成領域３には、マトリクス状に配
置された複数の画素電極５と、これらの画素電極５にそ
れぞれ接続された薄膜トランジスタ６と、行方向に延ば
され、薄膜トランジスタ６に走査信号を供給するための
複数の走査ライン７と、列方向に延ばされ、薄膜トラン
ジスタ６にデータ信号を供給するための複数のデータラ
イン８と、行方向に延ばされ、画素電極５との間で補助
容量部Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン９と、図５
において右下部に配置された複数の入力ライン１０と、
複数の画素電極５の周囲に配置されたリング状の短絡ラ
イン１１と、短絡ライン１１の外側において短絡ライン
１１と各データライン８にそれぞれ接続された各２つず
つの静電保護素子１２とが設けられている。余剰領域４
には陽極酸化用給電ライン１３が格子状に設けられてい
る。

【０００５】そして、走査ライン７の右端部は、パネル
形成領域３の右辺部の図５において点線で示す半導体チ
ップ搭載エリア１４内を通過した後、陽極酸化用給電ラ
イン１３に接続されている。データライン８の上端部は
陽極酸化用給電ライン１３に接続されている。データラ
イン８の下端部は、パネル形成領域３の下辺部の図５に
おいて点線で示す半導体チップ搭載エリア１５内まで延
ばされている。補助容量ライン９の左端部は共通ライン
１６を介して陽極酸化用給電ライン１３に接続されてい
る。入力ライン１０の一端部は陽極酸化用給電ライン１
３に接続されている。入力ライン１０の他端部は半導体
チップ搭載エリア１４、１５内まで延ばされている。短
絡ライン１１の左辺部上下端は共通ライン１６に接続さ
れている。

【０００６】次に、このアクティブマトリクスパネルの
具体的な構造について図７を参照して説明する。ガラス
基板１の上面には薄膜トランジスタ６のゲート電極Ｇが
形成されている。また、図８に示すように、ガラス基板
１の上面には、ゲート電極Ｇの形成と同時に、走査ライ
ン７、補助容量ライン９、共通ライン１６、短絡ライン
１１の上辺部と下辺部及び陽極酸化用給電ライン１３が
形成されている。さらに、図５に示すように、ガラス基
板１の上面には、ゲート電極Ｇの形成と同時に、入力ラ
イン１０が形成されている。そして、この状態におい
て、陽極酸化用給電ライン１３を一方の電極として陽極
酸化処理を行うと、図７に示すように、ゲート電極Ｇの
表面に陽極酸化膜１７が形成されることになる。この場
合、走査ライン７、補助容量ライン９及び共通ライン１
６の表面にも陽極酸化膜が形成される。しかし、入力ラ
イン１０、短絡ライン１１の上辺部と下辺部及び陽極酸
化用給電ライン１３の表面には、レジストを形成してお
くことにより、陽極酸化膜は形成されない（図７参
照）。

【０００７】ゲート電極Ｇ等を含むガラス基板１の上面
全体にはゲート絶縁膜１８が形成されている。ゲート電
極Ｇに対応する部分におけるゲート絶縁膜１８の上面に
はアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜１９が形
成されている。また、静電保護素子１２形成領域におけ
るゲート絶縁膜１８の上面にもアモルファスシリコン等
からなる半導体薄膜２０が形成されている。半導体薄膜
１９、２０の上面中央部にはブロッキング層２１、２２
が形成されている。薄膜トランジスタ６形成領域におけ
るブロッキング層２１の上面両側にはｎ⁺シリコンから
なるコンタクト層２３、２４が形成されている。また、
静電保護素子１２形成領域におけるブロッキング層２２
の上面両側にもｎ⁺シリコンからなるコンタクト層２
５、２６が形成されている。

【０００８】薄膜トランジスタ６形成領域におけるコン
タクト層２３、２４の上面にはソース電極Ｓ及びドレイ
ン電極Ｄが形成されている。また、静電保護素子１２形
成領域におけるコンタクト層２５、２６の上面には一方
の接続電極２７及び他方の接続電極２８が形成されてい
る。一方の接続電極２７はゲート絶縁膜１８に形成され
たコンタクトホール部２９を介して短絡ライン１１の図
６における上辺部に接続されている。なお、各電極Ｓ、
Ｄ、２７、２８の形成と同時に、データライン８及び短
絡ライン１１の左辺部と右辺部が形成される。この場
合、データライン８の上端部は、ゲート絶縁膜１８に形
成されたコンタクトホール部を介して陽極酸化用給電ラ
イン１３に接続される。また、短絡ライン１１の左辺部
上下端及び右辺部上下端は、ゲート絶縁膜１８に形成さ
れたコンタクトホール部を介して短絡ライン１１の上辺
部左右端及び下辺部左右端に接続される。なおまた、薄
膜トランジスタ６の近傍におけるゲート絶縁膜１８の上
面には、ソース電極Ｓ等の形成前に、ＩＴＯからなる画
素電極５が形成され、この画素電極５にソース電極Ｓが
接続されている。かくして、このアクティブマトリクス
パネルの回路構成は、図５及び図６に示すようになる。

【０００９】次に、このアクティブマトリクスパネルを
製造する際に、カットライン２に沿って切断する前の状
態において例えば配向膜をラビング処理するときに静電
気が発生した場合について説明する。この場合には、バ
ネル形成領域３内のすべての配線が余剰領域４の陽極酸
化用給電ライン１３に接続されているので、陽極酸化用
給電ライン１３を接地しておくと、発生した静電気を速
やかに除去することができる。したがって、薄膜トラン
ジスタ６に絶縁破壊が生じたり、薄膜トランジスタ６の
電圧−電流特性が変化したりしないようにすることがで
きる。

【００１０】次に、このアクティブマトリクスパネルを
製造する際に、カットライン２に沿って切断した後にお
いて例えば静電気を帯びた他の物体と接触した場合につ
いて説明する。一例として、１列目のデータライン８が
静電気により高電位になったとする。すると、１列目の
データライン８に接続された静電保護素子１２が導通
し、短絡ライン１１、共通ライン１６及び補助容量ライ
ン９が１列目のデータライン８と同電位となる。次に、
例えば２列目のデータライン８に接続された静電保護素
子１２について見ると、この静電保護素子１２も導通
し、２列目のデータライン８が短絡ライン１１、共通ラ
イン１６及び補助容量ライン９と同電位となる。かくし
て、短絡ライン１１、共通ライン１６、補助容量ライン
９及びすべてのデータライン８が同電位となる。したが
って、この場合も、薄膜トランジスタ６に絶縁破壊が生
じたり、薄膜トランジスタ６の電圧−電流特性が変化し
たりしないようにすることができる。なお、１本のデー
タライン８に静電保護素子１２を２つ接続しているの
は、いずれか一方に欠陥があっても対応することができ
るようにするためである。また、このような静電保護素
子を走査ライン７にも設けたものもあるが、これについ
ては説明を省略する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ようなアクティブマトリクスパネルでは、製造する際
に、パネル形成領域３の周囲に余剰領域４を設け、この
余剰領域４に陽極酸化用給電ライン１３を設けているの
で、カットライン２に沿って切断した後においては、余
剰領域４を廃棄することになる。したがって、この廃棄
する余剰領域４の分だけ無駄となるだけでなく、上下方
向及び左右方向に隣接するパネル形成領域３間にそれぞ
れ２本ずつのカットライン２が存在するので、切断回数
が多く、ひいてはコスト高になるという問題があった。
この発明の課題は、アクティブマトリクスパネル複数個
分に対応する大きさの基板の廃棄部分をゼロ若しくは少
なくするとともに、基板の切断回数を少なくすることで
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
わる液晶表示装置の製造方法は、アクティブマトリクス
パネル複数個分に対応する大きさの基板上に複数のパネ
ル形成領域を設け、前記複数のパネル形成領域を各単体
に分断してアクティブマトリクスパネルを形成する液晶
表示装置の製造方法において、前記基板上に前記パネル
形成領域を上下方向と左右方向の少なくともいずれかの
一の方向に直接隣接して形成し、該パネル形成領域に、
複数の画素電極及びこれらの画素電極にそれぞれ接続さ
れた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに走査信
号を供給するために該薄膜トランジスタのゲート電極に
接続された複数の走査ラインと、データ信号を供給する
ための複数のデータラインと、該薄膜トランジスタに前
記走査信号およびデータ信号を供給するための半導体チ
ップを搭載する半導体チップ搭載領域と、該半導体チッ
プ搭載領域へ搭載する半導体チップに駆動信号を供給す
る複数の入力ラインを形成し、当該パネル形成領域に、
当該パネル形成領域に直接隣接するパネル形成領域の前
記複数の走査ラインおよび前記複数のデータラインを共
通に接続する陽極酸化用給電ラインの一部を当該パネル
形成領域に形成するとともに、該陽極酸化用給電ライン
の一部が当該パネル形成領域の前記複数の入力ラインに
おける１つの入力ラインの一部を兼用するように前記陽
極酸化用給電ラインを形成し、前記陽極酸化用給電ライ
ンを一方の電極として陽極酸化処理を行うことにより、
少なくとも前記ゲート電極の表面に陽極酸化膜を形成す
るようにしたものである。

【００１３】この発明によれば、パネル形成領域に陽極
酸化用給電ラインの一部を形成しているので、アクティ
ブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさの基板の
廃棄部分をゼロ若しくは少なくすることができるととも
に、基板の切断回数を少なくすることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態に
おける液晶表示装置の製造方法を説明するために示すも
ので、第１実施形態の液晶表示装置の製造方法によって
アクティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさ
のガラス基板上に形成された液晶表示装置の一部を省略
した全体的な等価回路的平面図を示したものである。こ
の図において、図５と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。図１において、図５に示
す従来例と異なる点は、上下方向に隣接するパネル形成
領域３間に余剰領域を設けずに、その間のカットライン
２を１本としている点である。このため、格子状の陽極
酸化用給電ライン１３のうち列方向に延びる陽極酸化用
給電ライン１３は、図５に示す従来例の場合と同様に、
パネル形成領域３の左右両側に設けられた余剰領域４に
設けられているが、行方向に延びる陽極酸化用給電ライ
ン１３は、パネル形成領域３の下辺部に設けられてい
る。この場合、パネル形成領域３の下辺部に設けられた
陽極酸化用給電ライン１３の一部は、所定の入力ライン
１０と兼用されている。

【００１５】このように、この第１実施形態では、上下
方向に隣接するパネル形成領域３間に余剰領域を設けず
に、その間のカットライン２を１本としているので、行
方向に切断する場合には、ガラス基板１が無駄となるこ
とがない上、上下方向に隣接するパネル形成領域３間に
おける切断回数を１回とすることができる。ただし、左
右方向に隣接するパネル形成領域３間を切断する場合に
は、図５に示す従来例の場合と同様に、余剰領域４が無
駄となり、切断回数も２回となる。したがって、この第
１実施形態では、アクティブマトリクスパネル複数個分
に対応する大きさのガラス基板１の廃棄部分を上下方向
に隣接するパネル形成領域３間においてのみゼロとする
ことができるとともに、切断回数を少なくすることがで
き、ひいてはその分だけコストを低減することができ
る。

【００１６】なお、この第１実施形態の場合も、図５〜
図８に示す従来例の場合と同様に、陽極酸化用給電ライ
ン１３を一方の電極として陽極酸化処理を行うと、図示
していないが、陽極酸化用給電ライン１３に走査ライン
７を介して接続された薄膜トランジスタのゲート電極の
表面に陽極酸化膜が形成される。また、この場合も、走
査ライン７、補助容量ライン９及び共通ライン１６の表
面には陽極酸化膜が形成されるが、入力ライン１０、短
絡ライン１１の上辺部と下辺部及び陽極酸化用給電ライ
ン１３の表面には、レジストを形成しておくことによ
り、陽極酸化膜は形成されない。

【００１７】次に、図２はこの発明の第２実施形態にお
ける液晶表示装置の製造方法を説明するために示すもの
で、第２実施形態の液晶表示装置の製造方法によってア
クティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさの
ガラス基板上に形成された液晶表示装置の一部を省略し
た全体的な等価回路的平面図を示したものである。この
図において、図１と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。図２において、図１に示
す第１実施形態と異なる点は、パネル形成領域３の下辺
部に設けられた陽極酸化用給電ライン１３が、当該パネ
ル形成領域３に分断して形成された入力ライン兼用部１
３ａ及び給電専用部１３ｂと、当該パネル形成領域３の
下側に直接隣接するパネル形成領域３に形成された、入
力ライン兼用部１３ａと給電専用部１３ｂとを接続する
接続部１３ｃとからなっている点である。

【００１８】この第２実施形態の場合には、上下方向に
隣接するパネル形成領域３をその間の１本のカットライ
ン２に沿って切断すると、上側のパネル形成領域３の下
辺部に設けらた陽極酸化用給電ライン１３は、接続部１
３ｃが除去されることにより、入力ライン兼用部１３ａ
と給電専用部１３ｂとに分断される。この結果、給電専
用部１３ｂにノイズが入ってきても、このノイズが入力
ライン兼用部１３ａを含む入力ライン１０に入らないよ
うにすることができ、耐ノイズ性を良くすることができ
る。

【００１９】次に、図３はこの発明の第３実施形態にお
ける液晶表示装置の製造方法を説明するために示すもの
で、第３実施形態の液晶表示装置の製造方法によってア
クティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさの
ガラス基板上に形成された液晶表示装置の一部を省略し
た全体的な等価回路的平面図を示したものである。この
図において、図５と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。図３において、図５に示
す従来例と異なる点は、左右方向に隣接するパネル形成
領域３間に余剰領域を設けずに、その間のカットライン
２を１本としている点である。このため、格子状の陽極
酸化用給電ライン１３のうち行方向に延びる陽極酸化用
給電ライン１３は、図５に示す従来例の場合と同様に、
パネル形成領域３の上下両側に設けられた余剰領域４に
設けられているが、列方向に延びる陽極酸化用給電ライ
ン１３は、パネル形成領域３の左辺部に設けられてい
る。

【００２０】このように、この第３実施形態では、左右
方向に隣接するパネル形成領域３間に余剰領域を設けず
に、その間のカットライン２を１本としているので、列
方向に切断する場合には、ガラス基板１が無駄となるこ
とがない上、左右方向に隣接するパネル形成領域３間に
おける切断回数を１回とすることができる。ただし、上
下方向に隣接するパネル形成領域３間を切断する場合に
は、図５に示す従来例の場合と同様に、余剰領域４が無
駄となり、切断回数も２回となる。したがって、この第
３実施形態では、アクティブマトリクスパネル複数個分
に対応する大きさのガラス基板１の廃棄部分を左右方向
に隣接するパネル形成領域３間においてのみゼロとする
ことができるとともに、切断回数を少なくすることがで
き、ひいてはその分だけコストを低減することができ
る。

【００２１】次に、図４はこの発明の第４実施形態にお
ける液晶表示装置の製造方法を説明するために示すもの
で、第４実施形態の液晶表示装置の製造方法によってア
クティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさの
ガラス基板上に形成された液晶表示装置の一部を省略し
た全体的な等価回路的平面図を示したものである。この
図において、図５と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。図４において、図５に示
す従来例と異なる点は、上下方向に隣接するパネル形成
領域３間に余剰領域を設けずに、その間のカットライン
２を１本としているとともに、左右方向に隣接するパネ
ル形成領域３間にも余剰領域を設けず、その間のカット
ライン２をも１本としている点である。このため、格子
状の陽極酸化用給電ライン１３のうち行方向に延びる陽
極酸化用給電ライン１３は、パネル形成領域３の下辺部
に設けられ、列方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３
は、パネル形成領域３の左辺部に設けられている。この
場合、パネル形成領域３の下辺部に設けられた陽極酸化
用給電ライン１３は、図２に示す第２実施形態の場合と
同様に、当該パネル形成領域３に分断して形成された入
力ライン兼用部１３ａ及び給電専用部１３ｂと、当該パ
ネル形成領域３の下側に直接隣接するパネル形成領域３
に形成された、入力ライン兼用部１３ａと給電専用部１
３ｂとを接続する接続部１３ｃとからなっている。

【００２２】このように、この第４実施形態では、上下
方向に隣接するパネル形成領域３間に余剰領域を設けず
に、その間のカットライン２を１本としているととも
に、左右方向に隣接するパネル形成領域３間にも余剰領
域を設けずに、その間のカットライン２をも１本として
いるので、行方向及び列方向のいずれに切断しても、ガ
ラス基板１が無駄となることがない上、上下方向及び左
右方向に隣接するパネル形成領域３間における切断回数
を共に１回とすることができる。したがって、この第４
実施形態では、アクティブマトリクスパネル複数個分に
対応する大きさのガラス基板１の廃棄部分を上下方向及
び左右方向に隣接するパネル形成領域３間において共に
ゼロとすることができるとともに、切断回数をさらに少
なくすることができ、ひいてはコストをさらに低減する
ことができる。また、上記第２実施形態の場合と同様
に、入力ライン１０の耐ノイズ性を良くすることができ
る。

【００２３】なお、上記第１、第２及び第４実施形態で
は、陽極酸化用給電ライン１３の一部によって入力ライ
ン１０を兼用した場合について説明したが、これに限ら
ず、陽極酸化用給電ライン１３を入力ライン１０とは別
に形成するようにしてもよい。また、例えば図６を参照
して説明すると、データライン８のうち、陽極酸化用給
電ライン１３に接続される部分と静電保護素子１２の他
方の接続電極２８に接続される部分との間を、ガラス基
板１の上面に走査ライン７や陽極酸化用給電ライン１３
等の形成と同時に形成し（以下、この部分のデータライ
ンをデータライン延長部という。）、ゲート絶縁膜を形
成した後に、データライン８等を形成する際に、データ
ライン８の上端部をゲート絶縁膜に形成されたコンタク
トホール部を介してデータライン延長部の下端部に接続
したタイプの液晶表示装置にも、この発明を適用するこ
とができる。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、パネル形成領域に陽極酸化用給電ラインの一部を形
成しているので、アクティブマトリクスパネル複数個分
に対応する大きさの基板の廃棄部分をゼロ若しくは少な
くすることができるとともに、基板の切断回数を少なく
することができ、ひいてはコストを低減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態における液晶表示装置
の製造方法を説明するために示すもので、第１実施形態
の液晶表示装置の製造方法によってアクティブマトリク
スパネル複数個分に対応する大きさのガラス基板上に形
成された液晶表示装置の一部を省略した全体的な等価回
路的平面図。

【図２】この発明の第２実施形態における液晶表示装置
の製造方法を説明するために示す図１同様の等価回路的
平面図。

【図３】この発明の第３実施形態における液晶表示装置
の製造方法を説明するために示す図１同様の等価回路的
平面図。

【図４】この発明の第４実施形態における液晶表示装置
の製造方法を説明するために示す図１同様の等価回路的
平面図。

【図５】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するため
に示すもので、従来の液晶表示装置の製造方法によって
アクティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさ
のガラス基板上に形成された液晶表示装置の一部を省略
した全体的な等価回路的平面図。

【図６】 図５に示すものの一部の等価回路的平面図。

【図７】 図５及び図６に示すアクティブマトリクスパネ
ルの具体的な構造の一部の断面図。

【図８】 図５及び図６に示すアクティブマトリクスパネ
ルにおいて、ガラス基板の上面に形成された配線の等価
回路的平面図。

【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ カットライン ３ パネル形成領域 ４ 余剰領域 ７ 走査ライン ８ データライン ９ 補助容量ライン １０ 入力ライン １１ 短絡ライン １２ 静電保護素子 １３ 陽極酸化用給電ライン

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アクティブマトリクスパネル複数個分に
   対応する大きさの基板上に複数のパネル形成領域を設
   け、前記複数のパネル形成領域を各単体に分断してアク
   ティブマトリクスパネルを形成する液晶表示装置の製造
   方法において、 前記基板上に前記パネル形成領域を上下
   方向と左右方向の少なくともいずれか一の方向に直接隣
   接して形成し、該パネル形成領域に、複数の画素電極及
   びこれらの画素電極にそれぞれ接続された薄膜トランジ
   スタと、該薄膜トランジスタに走査信号を供給するため
   に該薄膜トランジスタのゲート電極に接続された複数の
   走査ラインと、データ信号を供給するための複数のデー
   タラインと、該薄膜トランジスタに前記走査信号および
   データ信号を供給するための半導体チップを搭載する半
   導体チップ搭載領域と、該半導体チップ搭載領域へ搭載
   する半導体チップに駆動信号を供給する複数の入力ライ
   ンを形成し、 当該パネル形成領域に 直接隣接するパネル形成領域の前
   記複数の走査ラインおよび複数のデータラインを共通に
   接続する陽極酸化用給電ラインの一部を当該パネル形成
   領域に形成するとともに、該陽極酸化用給電ラインの一
   部が当該パネル形成領域の前記複数の入力ラインにおけ
   る１つの入力ラインの一部を兼用するように前記陽極酸
   化用給電ラインを形成し、 前記陽極酸化用給電ラインを一方の電極として陽極酸化
   処理を行うことにより、少なくとも前記ゲート電極の表
   面に陽極酸化膜を形成する ことを特徴とする液晶表示装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の発明において、 前記１つの入力ラインの一部を兼用する前記陽極酸化用
   給電ラインの一部は、前記１つの入力ラインを兼用する
   入力ライン兼用部及びそれ以外の給電専用部と、当該パ
   ネル形成領域に直接隣接するパネル形成領域に形成され
   た、前記入力ライン兼用部と前記給電専用部とを接続す
   る接続部とから形成され、当該パネル形成領域において
   は、前記入力ラインとの兼用部と給電専用部とに分断さ
   れて形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方
   法。