KR100318540B1 - 액정표시장치및그제조방법 - Google Patents
액정표시장치및그제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100318540B1 KR100318540B1 KR1019990007497A KR19990007497A KR100318540B1 KR 100318540 B1 KR100318540 B1 KR 100318540B1 KR 1019990007497 A KR1019990007497 A KR 1019990007497A KR 19990007497 A KR19990007497 A KR 19990007497A KR 100318540 B1 KR100318540 B1 KR 100318540B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- data line
- data
- line
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Abstract
기판 위에 게이트선, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 공통 신호선, 공통 전극을 포함하는 공통 배선과 다수의 게이트선을 연결하는 방전용 게이트선 연결부와 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 형성하고, 이들을 위에 게이트 절연막을 형성한다. 게이트 전극 위의 게이트 절연막 위에는 반도체층과 저항 접촉층을 형성하고, 이어 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전막을 포함하는 제1 금속층으로 소스 및 드레인 전극, 데이터선, 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과 화소 신호선, 화소 전극을 포함하는 화소 배선과 다수의 데이터선을 연결하는 방전용 게이트선 연결부와 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 형성하고, 이들을 덮는 보호막을 형성한다. 이어, 보호막 위에 제2 금속층으로 용장(redundancy) 데이터선, 용장 데이터 패드를 포함하는 용장 데이터 배선과 용장 게이트 패드를 형성한다. 용장 데이터 배선은 보호막에 형성된 접촉창을 통해 데이터 배선과 전기적으로 연결되며, 용장 게이트 패드는 게이트 절연막과 보호막에 형성된 접촉창을 통해 게이트 패드와 전기적으로 연결된다. 또한, 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부는 보호막 또는 게이트 절연막에 형성된 접촉 구멍을 통하여 홀수 및 짝수 번째 게이트선과 각각 연결되며 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부는 각각 3n-2, 3n-1, 3n 번째 데이터선과 각각 연결된다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 수평 전계의 인가를 위한 전극 구조 및 전계 인가 수단인 박막 트랜지스터를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
수평 전계에 의한 액정 구동 방식으로서 종래 기술은 미국 특허 제5,598,285호에 나타나 있다.
그러나, 상기 미국 특허 제5,598,285에서 제시된 액정 표시 장치는 수평 전계를 인가하기 위한 두 전극, 즉 공통 전극과 화소 전극의 단차에 의하여 전극 위에 형성되는 배향막을 러빙하는 공정에서 러빙이 불균일하여 단차부에서 빛이 새는 문제점이 발생하고 있다.
또한, 액정 표시 장치가 대화면 고정세화됨에 따라 신호에 대한 지연을 방지하기 위하여 신호를 전달하는 배선은 저저항 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 액정 표시 장치의 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 방전시킬 수 있으며 제조 공정 시에 화소 불량을 검사할 수 있는 구조로 배선을 형성하는 것이 좋다. 하지만 이러한 구조의 배선을 형성하기 위해서는 추가되는 공정이 있어 제조 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명의 과제는 대화면 고정세에 적합한 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 공정을 단순화하는 동시에 제조 공정 중에 화소 불량을 검사할 수 있는 배선 구조를 가지는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판 전체의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 단위 화소와 게이트 및 데이터 패드부를 나타낸 배치도이고,
도 3 내지 도 6은 각각 도 2의 III - III', IV - IV', V - V', VI - VI'선을 따라 도시한 단면도이고,
도 7은 도 1에서 VII-VII' 부분을 확대하여 상세하게 도시한 배치도이고,
도 8은 도 7에서 VIII-VIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9는 도 1에서 IX-IX' 부분을 확대하여 상세하게 도시한 배치도이고,
도 10은 도 9에서 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 11a 내지 도 14f는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 기판 위에 게이선, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 공통 신호선, 공통 전극을 포함하는 공통 배선을 형성하고, 게이트 배선과 공통 배선 위에 게이트 절연막을 형성한다. 게이트 전극 위의 게이트 절연막 위에는 반도체층과 저항 접촉층을 형성하고, 그 위에 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전막을 포함하는 제1 금속층으로 소스 및 드레인 전극, 데이터선, 데이터 패드, 데이터선 연결부를 포함하는 데이터 배선과 화소 전극을 형성하고, 데이터 배선과 화소 전극 위에 보호막을 형성하고, 보호막 위에 제2 금속층으로 용장(redundancy) 데이터선, 용장 데이터 패드를 포함하는 용장 데이터 배선과 용장 게이트 패드를 형성한다. 용장 데이터 배선은 보호막에 형성된 접촉창을 통해 데이터 배선과 전기적으로 연결되며, 용장 게이트 패드는 게이트 절연막과 보호막에 형성된 접촉창을 통해 게이트 패드와 전기적으로 연결된다.
이러한 본 발명에 따른 제조 방법에서, 게이트선과 데이터선을 형성하는 단계에서 다수의 게이트선을 연결하는 방전용 게이트선 연결부 및 다수의 데이터선을 연결하는 방전용 데이터선 연결부를 각각 형성할 수 있다.
또한, 게이트선을 형성하는 단계에서 데이터선과 연결된 데이터선 연장부와 교차하는 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 형성할 수 있으며, 데이터선을 형성하는 단계에서 게이트선과 연결된 게이트선 연결부와 교차하는 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 형성할 수 있다. 또한, 보호막을 형성할 때 게이트선 연장부와 데이터선 연장부와 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부와 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, 용장 데이터 배선을 형성할 때 제1 검사용 게이트선 연결부는 홀수 번째 게이트선과 연결하고 제2 검사용 게이트선 연결부는 짝수 번째 게이트선과 연결하고 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부는 각각 3n-2, 3n-1, 3n 번째 데이터선과 각각 연결할 수 있다.
따라서, 이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에서는 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속으로 데이터 배선을 형성함으로써 고정세 대화면의 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
이제 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
먼저 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치 기판의 구조에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 전체 구성을 간략히 나타낸 배치도이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 기판(100) 위에 가로 방향으로 다수의 게이트선(20)이 형성되어 있고, 게이트선(20)과 평행하게 다수의 공통 전극선(10)이 형성되어 있다. 각각의 게이트선(20)의 끝에는 게이트 드라이버와 연결되는 게이트 패드(22)가 형성되어 있으며 다수의 게이트 패드(22)는 가로 방향으로 연장된 게이트선 연장부(23)와 연결되어 있으며, 방전용 게이트선 연결부(24)가 세로 방향으로 형성되어 있다. 또한, 세로 방향으로는 다수의 데이터선(60)이 게이트선(20) 및 공통 전극선(10)과 절연되어 교차하도록 형성되어 있으며 각각의 데이터선(60) 끝부분에는 데이터 드라이버와 연결되는 데이터 패드(63)가 형성되어 있으며 다수의 데이터 패드(63)에도 세로 방향으로 연장된 데이터선 연장부(64)와 연결되어 있으며, 방전용 데이터선 연결부(65)가 가로 방향으로 형성되어 있다. 여기서, 방전용 게이트선 연결부(24)와 방전용 데이터선 연결부(65)는 서로 저항을 사이에 두고 연결되어 있으며, 제조 공정 중에는 기판(100) 전체의 게이트선(20)과 데이터선(60)이 모두 방전용 연결부(24, 65)에 통하여 단락되도록 되어 있다. 이는 액정 표시 장치 기판의 제조 과정에서 발생하는 정전기를 효과적으로 방전시켜 게이트선(20)과 데이터선(60)의 교차로 정의되는 단위 화소에 형성되어 있는 박막 트랜지스터를 보호하기 위함이다. 액정 표시 장치 기판이 완성되면 다수의 배선(20, 60)으로터 방전용 게이트선 및 데이터선 연결부(24, 65)은 제조 공정의 마지막 단계에서 게이트선(20)과 데이터선(60)으로부터 분리되어 다수의 배선(20, 60)을 서로 분리한다. 이에 대해서는 이후의 제조 방법을 통하여 상세하게 설명하기로 한다. 또한, 표시 영역(A) 밖에는 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)가 세로 방향으로 형성되어 있으며 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)가 가로 방향으로 형성되어 있는데, 제1 검사용 게이트선 연결부(67)는 홀수 번째 게이트선(20)과 연결되어 있으며, 제2 검사용 게이트선 연결부(66)는 짝수 번째 게이트선(20)과 연결되어 있다. 또한, 제1 검사용 데이터선 연결부(25)는 3n-2 번째 데이터선(60)과 연결되어 있으며 제2 검사용 데이터선 연결부(26)는 3n-1 번째 데이터선(60)과 연결되어 있으며 제3 검사용 데이터선 연결부(27)는 3n 번째 데이터선(60)과 연결되어 있다. 이러한 구조에서는 홀수 번째 게이트선(20)이 연결되어 있는 제1 검사용 게이트선 연결부(67)와 짝수 번째 게이트선(20)이 연결되어 있는 제2 검사용 게이트선 연결부(66)에 각각 다른 신호를 인가하고, 데이터선(60)에 대해서는 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)를 이용하여 세 개의 그룹으로 나누어 각각 R, G, B 신호를 인가하여 기판 내 화소 불량을 검사하게 된다. 이를 2G3D 구조라 한다.
표시 영역(A)은 다수의 게이트선(20)과 데이터선(60)의 교차에 의해 정의되는 다수의 화소의 집합으로 이루어지며, 각각 화소 영역에는 선형의 화소 전극과 공통 전극이 교대로 형성되어 있다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단위 화소 및 표시 영역 밖의 구조에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 도 1에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치의 하나의 화소와 게이트 및 데이터 패드부를 나타낸 배치도이고, 도 3 내지 도 6은 각각 도 2의 III - III', IV - IV', V - V', VI - VI'선을 따라 도시한 단면도이다. 도 7 및 도 9는 도 1에서 VII 및 IX 부분을 확대하여 상세하게 도시한 배치도이고, 도 8 및 도 10은 도 7 및 도 9에서 VIII-VIII' 및 IX-IX' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 내지 도 6에 나타난 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 가로 방향으로 게이트선(20)이 형성되어 있고, 게이트선(20)의 끝에는 게이트 패드(22)가 형성되어 있다. 게이트선(20)의 일부는 게이트 전극(21)이 된다. 게이트선(20)과 평행하게 공통 전극선(10)이 형성되어 있으며, 화소 영역 내에는 공통 전극선(10)과 연결되어 공통 전극선(10)으로부터 공통 신호를 전달받는 서로 평행한 다수의 공통 전극(11)이 형성되어 있다. 한편, 도 1 및 도 2와 도 7 내지 도 10에 나타난바와 같이, 표시 영역(A) 밖에서 게이트 패드(22)에는 게이트선 연장부(23)가 가로로 연결되어 형성되어 있으며, 도 7 및 도 8에서 보는 바와 같이 게이트선 연장부(23)는 세로 방향으로 형성되어 있는 방전용 게이트선 연결부(24)는 개구부(74)를 중심으로 분리되어 있다. 또한, 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)가 가로 방향으로 형성되어 있다. 도 1 내지 도 10에 나타낸 바와 같이, 게이트 배선(20, 21, 22, 23, 24) 및 제1 검사용 데이터선 연결부(25)는 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 등의 하부막(201, 211, 221, 231, 241, 251)와 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 상부막(202, 210, 222, 232, 242, 252)으로 이루어져 있다. 여기서, 상부막(202, 212, 222, 232, 242, 252)의 가장자리는 경사지도록 완만하게 형성되어 있으며, 도면에는 나타나지 않았지만 제2 및 제3 검사용 데이터선 연결부(26, 27)도 이중막으로 형성되어 있다.
게이트 배선(20, 21, 22, 23, 24)과 공통 배선(10, 11)과 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 덮고 있다.
게이트 전극(21) 위의 게이트 절연막(30) 위에는 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 반도체층(40)이 형성되어 있고, 비정질 규소층(40) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(51, 52)이 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 형성되어 있다.
저항 접촉층(51, 52) 위에는 각각 금속으로 이루어진 소스 전극(61)과 드레인 전극(62)이 형성되어 있는데, 소스 전극(61)은 게이트 절연막(30) 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선(60)과 연결되어 있으며, 드레인 전극(62)은 가로로 형성되어 있으며, 화소 영역 내에 공통 전극(11)과 교대로 선형으로 형성되어 있는 화소 신호선(69)과 연결되어 있다. 데이터선(60)의 끝에는 외부로부터 화상 신호를 전달받는 데이터 패드(63)가 형성되어 있으며, 도 1과 도 9 및 도 10에 나타난 바와 같이, 표시 영역(A) 밖의 게이트 절연막(30) 위에는 데이터선 연장부(64)가 데이터 패드(63)에 연결되어 형성되어 있으며 데이터선 연장부(64)는 도 9 및 도 10에서 보는 바와 같이 개구부(77)를 중심으로 가로 방향으로 형성되어 있는 방전용 데이터선 연결부(65)와 분리되어 있다. 또한, 도 1과 도 7 및 도 8에 나타난 바와 같이, 표시 영역(A) 밖의 게이트 절연막(30) 위에는 세로로 형성되어 있는 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)가 형성되어 있다. 여기서도, 도 1 내지 도 10에 나타난 바와 같이, 데이터 배선(60, 61, 62, 63, 64, 65) 및 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)는 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 등의 하부막(601, 611, 621, 631, 641, 651, 671, 661)과 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 상부막(602, 610, 622, 632, 642, 652, 672, 662)으로 이루어져 있으며, 상부막(602, 612, 622, 632, 642, 652, 672, 662)의 가장자리는 경사지도록 완만하게 형성되어 있다.
여기서 게이트 전극(21), 게이트 절연막(30), 비정질 규소층(40), 저항 접촉층(51, 52), 소스 및 드레인 전극(61, 62)은 박막 트랜지스터를 이루며, 박막 트랜지스터와 나머지 데이터 배선(60, 63, 64, 65) 및 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)를 덮는 보호막(70)이 질화 규소 등으로 형성되어 있다.
보호막(70)에는 데이터선(60)과 데이터 패드(63)의 일부를 각각 노출시키는 접촉창(71, 73)이 형성되어 있으며, 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)에 인접한 데이터선 연장부(64) 및 게이트선 연장부(23)에 인접한 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)를 각각 드러내는 접촉 구멍(78, 76)이 형성되어 있으며, 분리된 데이터선 연장부(64) 사이의 게이트 절연막(30)을 드러내는 개구부(77)가 형성되어 있다. 또한, 보호막(70)에는 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(22)를 드러내는 접촉 구멍(72)이 형성되어 있으며, 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)에 인접한 게이트선 연장부(23) 및 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)를 각각 노출시키는 접촉 구멍(75, 79)이 형성되어 있으며, 분리된 게이트선 연장부(23) 사이의 기판(100)을 드러내는 개구부(74)가 형성되어 있다. 도면 상에 도시되지는 않았지만 방전용 게이트선 및 데이터선 연결부(24, 65) 위의 보호막(70)도 일부 제거되어 방전용 게이트선 및 데이터선 연결부(24, 64)를 드러내고 있다.
보호막(70) 위에는 데이터 배선(60, 63)과 같은 형태로 금속 패턴이 형성되어 보호막(70)에 형성되어 있는 접촉창(71, 73)을 통해 데이터 배선(60, 63)과 연결되어 용장(redundancy) 데이터 배선(80, 83)을 이루고 있다. 또한 이 금속 패턴(82)은 게이트 패드(22) 위에도 형성되어 보호막(70)과 게이트 절연막(30)에 형성되어 있는 접촉창(72)을 통해 게이트 패드(22)와 연결되어 있다. 한편, 도 1 및 도 7 내지 도 10에 나타난 바와 같이, 표시 영역(A) 밖의 금속 패턴(85)은 접촉 구멍(75, 76)을 통하여 홀수 번째 게이트선 연장부(23)와 제1 검사용 게이트선 연결부(67) 및 짝수 번째 게이트선 연장부(23)와 제2 검사용 게이트선 연결부(66)를 각각 연결하고 있다. 또한, 금속 패턴(84)은 접촉 구멍(78, 79)을 통하여 3n-2 번째 데이터선 연장부(64)와 제1 검사용 데이터선 연결부(25), 3n-1 번째 데이터선 연장부(64)와 제2 검사용 데이터선 연결부(26) 및 3n 번째 데이터선 연장부(64)와 제2 검사용 데이터선 연결부(27)를 연결하며 형성되어 있다.
이제, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 도 11a 내지 도 14f는 도 1 내지 도 10에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법은 5매의 마스크를 이용한 제조 방법이며, 도면 번호에 표시된 a 내지 f의 영문 알파벳은 각각 그 도면이 화소 영역, 박막 트랜지스터 영역, 게이트 패드 영역, 데이터 패드 영역, 검사용 게이트선 연결부, 검사용 데이터선 연결부를 도시하고 있음을 나타내는 것이다.
먼저, 도 11a 내지 도 11f에 나타난 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연 기판(100)에 1,000Å 이하 바람직하게는 500Å 정도의 두께로 하부 금속층과 3000Å 이하 바람직하게는 2,500Å 정도의 두께를 갖는 상부 금속층을 증착하고 첫 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 게이트선(20), 게이트 전극(21), 게이트 패드(22), 게이트선 연결부(24), 공통 전극(11), 공통 전극선(10), 게이트선 연장부(23), 방전용 게이트선 연결부(24), 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)를 하부막(201, 211, 221, 231, 241, 251, 261, 271)과 상부막(201, 212, 232, 242, 252, 262, 272)으로 형성한다. 이 때 게이트 배선용 금속으로는 여러 가지 도전물질이 이용될 수 있으며 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴 등을 이용하거나, 이들 금속을 조합한 이중층으로 게이트 배선을 형성할 수도 있다.
다음, 도 12a 내지 도 12f에 나타난 바와 같이, 기판의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(30)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,000Å 두께의 비정질 규소층(40)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 도핑된 비정질 규소층(50)을 차례로 증착한다. 두 번째 마스크를 이용하여 도핑된 비정질 규소층(50)과 비정질 규소층(40)을 함께 패터닝하여 게이트 전극(21) 위에 섬 모양으로 형성한다.
도 13a 내지 도 13f에 나타난 바와 같이, 크롬 혹은 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금 등의 하부 금속층을 약 1,000Å 이하 바람직하게는 500Å 정도의 두께로 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 상부 금속층을 약 3000Å 바람직하게는 2500Å 정도의 두께로 증착하고, 세 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 게이트선(20)과 서로 교차되어 화소를 정의하는 데이터선(60)과 소스 및 드레인 전극(61, 62), 데이터 패드(63), 화소 신호선(68), 화소 전극(69), 데이터선 연장부(64), 방전용 데이터선 연결부(65), 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)을 하부막(601, 611, 621, 631, 641, 651, 661, 671, 681, 691)과 상부막(601, 612, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692)으로 형성한다. 이때, 상부막(601, 612, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692)는 이후에 형성되는 보호막의 프로파일을 완만하게 형성하기 위하여 도 13a에서 보는 바와 같이 가장자리 부분이 완만한, 바람직하게는 30~60。 경사각을 가지는 테이퍼 구조로 형성하는 것이 좋으며 하부막(601, 611, 621, 631, 641,651, 661, 671, 681, 691)는 상부막(601, 612, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692)에 비하여 상대적으로 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 다음, 소스 전극(61)과 드레인 전극(62)을 마스크로 도핑된 비정질 규소층(50)을 식각하여 도핑된 비정질 규소층(50)을 게이트 전극(21) 양쪽으로 분리하여 저항 접촉층(51, 52)을 완성한다.
다음, 도 14a 내지 도 14f에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막으로 1,500∼2,500Å 두께의 보호막(70)을 형성하고, 네 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 데이터선(60), 데이터 패드(63), 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)에 인접한 데이터선 연장부(64) 및 게이트선 연장부(23)에 인접한 제1 및 제2 검사용 데이터선 연결부(67, 66)를 각각 드러내는 접촉 구멍(71, 73, 78, 76)와 방전용 데이터선 연결부(65)에 인접한 데이터선 연장부(64)를 드러내는 개구부(77)을 형성한다. 또한, 게이트 패드(22), 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)에 인접한 게이트선 연장부(23) 및 데이터선 연장부(64)에 인접한 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27) 위의 게이트 절연막(30)과 보호막(70)도 제거하여 접촉 구멍(72, 75, 79)을 형성하고, 방전용 게이트선 연결부(24)에 인접한 게이트선 연장부(23)를 드러내는 개구부(74)를 형성한다. 이어. 식각 공정을 실시하여 개구부(74, 77)와 접촉 구멍(71, 72, 73, 75, 76, 77, 78, 79)을 통하여 드러난 상부막(232, 652, 602, 222, 662, 652, 252)을 제거한다. 도면으로 나타나지 않았지만 이때 접촉 구멍(79)을 통하여 드러나는 상부막(262, 272)도 일부 제거한다.
마지막으로, 도 2 내지 도 10에 나타난 바와 같이, 투명 도전막인 ITO(indium tin oxide), 몰리브덴, 몰리브덴 합금 또는 크롬의 단일막 또는 복수의 막을 1,000Å의 두께로 증착하고, 다섯 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여, 데이터선(60), 데이터 패드(63), 게이트 패드(22)와 유사한 모양의 용장 배선(80, 83, 82)을 형성한다. 또한, 도 8 및 도 10에서 보는 바와 같이, 접촉 구멍(78, 79)을 통하여 데이터선 연장부(64)과 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부(25, 26, 27)을 연결하는 도전성 패턴(84) 및 접촉 구멍(75, 76)을 통하여 게이트선 연장부(23)과 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부(67, 66)를 연결하는 도전성 패턴(85)을 형성한다. 도면 상에 도시되지는 않았지만, 방전용 데이터선 연결부(65)와 방전용 게이트선 연결부(24) 역시 보호막(70) 또는 게이트 절연막(30)에 형성되어 있는 접촉 구멍과 도전성 패턴을 통하여 연결되도록 형성한다. 이때, 개구부(74, 77)을 통하여 드러난 식각하여 게이트 배선(20, 21, 22, 23)으로부터 방전용 게이트선 연결부(24)를 분리하고, 데이터 배선(60, 61, 62, 63, 64)으로부터 방전용 데이터선 연결부(65)를 분리하여 추가되는 공정 없이 액정 표시 장치의 제조 공정에서 2G3D의 배선 구조를 완성한다. 이를 위해서는 도전성 패턴(84, 85)을 형성하는 물질과 게이트 배선의 하부막과 데이터 배선의 하부막을 동일한 물질로 형성하거나, 도전성 패턴(84, 85)을 패터닝하는 식각 조건에서 식각될 수 있는 물질로 게이트 배선과 데이터 배선의 하부막을 형성하는 것이 바람직하다.
이후, 기판의 표면에 배향막을 형성하고 액정 물질의 방향성을 주기 위한 러빙 등의 공정을 거친다.
본 발명의 실시예에서는, 게이트 배선(데이터 배선(60, 61, 62, 63) 및 화소 배선(68, 69)이 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 도전막(601, 611, 621, 631 : 681, 691)을 포함하고 있으므로 고정세 대화면의 액정 표시 장치용 기판을 제조할 수 있다. 또한, 화소 전극(69) 및 공통 전극(11)을 이중막(691, 111 : 692, 112)으로 형성하고 하부막(691, 111)은 1,000Å 이하 바람직하게는 500Å 정도의 두께로 형성하고 상부막(112, 692)은 완만한 경사를 가지는 테이퍼(taper) 구조로 형성함으로써 도 3에서 보는 바와 같이 보호막(70)의 프로파일을 완만하게 해줄 수 있다. 따라서, 층간의 단차를 줄이고 러빙 공정에서 발생하는 불균일 배향을 억제하여 빛샘 현상을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에서는 추가되는 공정없이 제조 공정시 발생하는 정전기를 방전시키고 화소 불량을 검사할 수 있는 2G3D 구조에 요구되는 검사용 배선(66, 67, 25, 26, 27, 84, 85)을 형성할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이, 5매의 마스크를 이용하여 2G3D 구조를 가지는 수평 전계 구동 방식의 액정 표시 장치를 형성함으로써 공정을 단순화할 수 있는 동시에 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속으로 데이터 배선을 채용함으로써 고정세 대화면의 액정 표시 장치를 제조할 수 있다. 또한, 배선을 테이퍼 구조를 가지는 금속막을 두어 상부에 형성되는 보호막의 프로파일을 완만하게 형성함으로써 액정 표시 장치의 빛샘 현상을 제거할 수 있다.
Claims (20)
- (정정) 투명 기판 위에 서로 평행하게 형성되어 있는 다수의 게이트선,상기 게이트선각각에 절연되게 교차하되, 제1 도전막을 포함하는 구조로 형성되는 다수의 데이터선,상기 다수의 게이트선과 상기 다수의 데이터선의 교차로 정의되고,공통 전극과 화소 전극이 일정 간격을 두고 마주보고 형성되어 있는 다수의 화소 영역,상기 화소 영역 각각에 형성되고,게이트선, 데이터선, 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 다수의 박막 트랜지스터,상기 데이터선의 위쪽에 형성되어 있으며, 제1 접촉창을 갖는 절연막,상기 절연막 위에 상기 데이터선과 나란하게 형성되어 있으며,상기 제1 접촉창을 통하여 상기 데이터 배선과 전기적으로 연결되어 있는 용장 데이터선을 포함하는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 도전막은 가장자리 부분이 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 구조로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
- 제2항에서,상기 화소 전극은 상기 데이터선과 같은 도전 물질층으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
- 제3항에서,상기 제1 도전막의 하부에 형성되어 있는 제2 도전막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 도전막의 테이퍼 각도는 30~60。 범위에 있는 더 액정 표시 장치.
- 제5항에서,상기 데이터선의 끝에 형성되어 있는 데이터 패드,상기 용장 데이터선과 같은 도전 물질층으로 이루어져 있는 용장 데이터 패드를 더 포함하며,상기 절연막은 제2 접촉창을 가지고 있어 상기 제2 접촉창을 통해 상기 데이터 패드와 상기 용장 데이터 패드가 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
- 제6항에서,상기 게이트선의 끝에 형성되어 있는 게이트 패드,상기 용장 데이터선과 같은 금속층으로 이루어져 있으며 상기 게이트 패드와 전기적으로 연결되어 있는 용장 게이트 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 다수의 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 다수의 게이트선으로부터 분리되어 있는 방전용 게이트선 연결부,상기 다수의 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 다수의 데이터선으로부터 분리되어 있는 방전용 데이터선 연결부를 포함하며,상기 방전용 게이트선 연결부와 상기 방전용 데이터선 연결부가 서로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 데이터선과 동일한 물질층으로 이루어져 있으며, 홀수 번째 상기 게이트선을 서로 연결하는 제1 검사용 게이트선 연결부와 짝수 번째 상기 게이트선을 서로 연결하는 제2 검사용 게이트선 연결부, 및상기 게이트선과 동일한 물질층으로 이루어져 있으며, 3n-2 번째의 상기 데이터선을 서로 연결하는 제1 검사용 데이터선 연결부와 3n-1 번째 상기 데이터선을 서로 연결하는 제2 검사용 데이터선 연결부와 3n 번째 상기 데이터선을 서로 연결하는 제3 검사용 데이터선 연결부를 더 포함하는 액정 표시 장치.
- (정정) 기판 위에 게이트선, 게이트 전극, 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과 공통 신호선과 공통 전극을 포함하는 공통 배선을 형성하는 단계,상기 게이트 배선과 공통 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에반도체층을형성하는 단계,상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 위에소스 및 드레인 전극, 데이터선, 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과 화소 전극을 형성하는 단계,상기 데이터 배선과 화소 전극을 덮는 보호막을 증착하는 단계,상기 보호막에 상기 데이터선과 상기 데이터 패드를 각각 드러내는 제1 및 제2 접촉창을 형성하는 단계,상기 보호막 위에상기 제1 및 제2 접촉창을 통하여 상기 데이터선 및 상기 데이터 패드에 연결되는용장 데이터선 및 용장 데이터 패드를 포함하는 용장 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 기판 제조 방법.
- (정정) 제10항에서,상기 보호막에 제1 접촉창을 형성하는 단계에서 상기 게이트 절연막을 함께 식각하여 상기 게이트 패드를 드러내는 제3 접촉창을 형성하며,상기 용장 데이터 배선을 형성하는 단계에서상기 제3 접촉창을 통하여 상기 게이트 패드에 연결되는용장 게이트 패드를 더 형성하는 액정 표시 장치용 기판 제조 방법.
- (정정) 제11항에서,상기 데이터 배선은가장자리 부분이 30~60°범위에서 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 구조로 형성하는 액정 표시 장치용 기판 제조 방법.
- (정정) 제10항에서,상기 게이트 배선을 형성하는 단계에서 표시 영역밖에 상기 게이트선과 연결된 게이트선 연장부 및 다수의 상기 게이트선을 서로 연결하는 방전용 게이트선 연결부를 형성하며,상기 데이터 배선을 형성하는 단계에서 상기 표시 영역밖에 상기 데이터선과 연결된 데이터선 연장부와 다수의 상기 데이터선을 서로 연결하는 방전용 데이터선 연결부를 형성하며,상기제1 접촉창을형성하는 단계에서 상기 방전용 게이트선 연결부와 상기 방전용 데이터선 연결부를 드러내는제4 접촉창을형성하며,상기 용장 데이터 배선을 형성하는 단계에서 상기제4 접촉창을통하여 상기 방전용 데이터선 연결부와 상기 방전용 게이트선 연결부를 서로 연결하는 제1 도전성 패턴을 더 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
- (정정) 제13항에서,상기 게이트 배선 형성 단계에서 상기 데이터선 연장부와 교차하는 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 형성하며,상기 데이터 배선 형성 단계에서 상기 게이트선 연장부와 교차하는 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 형성하며,상기 보호막에 제1 및 제2 접촉창을 형성하는 단계에서 상기 데이터선 연장부와 상기 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 드러내는제5 및 제6 접촉창과상기 게이트선 연장부와 상기 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 드러내는제7 및 제8 접촉창을형성하며,상기 용장 데이터 배선을 형성하는 단계에서 상기 제5 및 제6 접촉 구멍을 통하여 상기 데이터선 연장부와 상기 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 연결하는 제2 도전성 패턴과 상기제7 및 제8 접촉창을통하여 상기 게이트선 연장부와 상기 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 연결하는 제3 도전성 패턴을 더 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
- 제14항에서,홀수 번째 상기 게이트선은 상기 제1 검사용 게이트선 연결부와 연결하며, 짝수 번째 상기 게이트선은 상기 제2 검사용 게이트선 연결부와 연결하며, 3n-2 번째의 상기 데이터선은 상기 제1 검사용 데이터선 연결부와 연결하며, 3n-1 번째 상기 데이터선은 상기 제2 검사용 데이터선 연결부와 연결하며, 3n 번째 상기 데이터선을 상기 제3 검사용 데이터선 연결부와 연결하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
- (정정) 제15항에서,상기제1 접촉창을형성하는 단계에서 상기 방전용 게이트선 연결부 및 상기 방전용 데이터선 연결부에 인접한 상기 게이트선 연장부 및 상기 데이터선 연장부를 노출시키는 제1 및 제2 개구부를 더 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
- 제16항에서,상기 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계 이후, 상기 제1 및 제2 개구부를 통하여 드러난 상기 게이트선 연장부 및 상기 데이터선 연장부를 식각하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
- 제17항에서,상기 도전성 패턴 형성 단계에서 상기 제1 및 제2 개구부를 통하여 드러난 상기 게이트선 연장부 및 상기 데이터선 연장부를 식각하여 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선으로부터 상기 방전용 게이트선 연결부 및 상기 방전용 데이터선 연결부를 분리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- (신설) 제1항에서,상기 제1 도전막은 알루미늄 계열의 도전 물질로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
- (신설) 제10항에서,상기 데이터 배선을 알루미늄 계열의 도전막을 포함하는 구조로 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990007497A KR100318540B1 (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 액정표시장치및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990007497A KR100318540B1 (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 액정표시장치및그제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000059691A KR20000059691A (ko) | 2000-10-05 |
| KR100318540B1 true KR100318540B1 (ko) | 2001-12-22 |
Family
ID=19575784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990007497A KR100318540B1 (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 액정표시장치및그제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100318540B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022174376A1 (zh) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板、显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20030020523A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148636A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子の製造方法 |
| KR960018729A (ko) * | 1994-11-14 | 1996-06-17 | 김광호 | 한 화소에 이중 배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치 |
-
1999
- 1999-03-08 KR KR1019990007497A patent/KR100318540B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148636A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子の製造方法 |
| KR960018729A (ko) * | 1994-11-14 | 1996-06-17 | 김광호 | 한 화소에 이중 배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022174376A1 (zh) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板、显示面板及显示装置 |
| GB2609341A (en) * | 2021-02-18 | 2023-02-01 | Boe Technology Group Co Ltd | Driving backplane, display panel, and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000059691A (ko) | 2000-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100244449B1 (ko) | 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same) | |
| US6215541B1 (en) | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof | |
| US5966190A (en) | Array substrate for displaying device with capacitor lines having particular connections | |
| KR100318539B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| KR19990025570A (ko) | 전기적 특성 검사를 위한 단락 배선의 제조 방법 및 그 단락 배선을 포함하는 액티브 기판의 구조 | |
| KR19980072268A (ko) | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| JPH06160904A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| KR19980075976A (ko) | 배선을 수리하기 위한 평판 표시 장치용 기판 | |
| US8278157B2 (en) | Methods for fabricating array substrates | |
| KR100252306B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조방법 | |
| US6429908B1 (en) | Method for manufacturing a gate of thin film transistor in a liquid crystal display device | |
| KR19990047650A (ko) | 두개 이상의 쇼팅 바를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100318541B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100318540B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 | |
| KR100552298B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치용 기판 제조 방법 | |
| KR100623974B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100386458B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
| KR100318534B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100312756B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JPH02188723A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06294972A (ja) | アクティブ・マトリクス液晶ディスプレイ | |
| KR20000014539A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20060054889A1 (en) | Thin film transistor array panel | |
| KR100261976B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100277501B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111115 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |